本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法。

背景技術(shù)：

1、hipower平臺(tái)因同時(shí)存在bcd(雙極-cmos-dmos器件)區(qū)域與sgt(淺溝槽柵器件)區(qū)域，導(dǎo)致多晶硅回刻蝕需要分開(kāi)兩次刻蝕，在兩次刻蝕中間需要在剩余多晶硅表面生長(zhǎng)一層氧化層，再將多晶硅側(cè)壁的氧化層去除。此時(shí)若有光刻膠阻礙濕法將導(dǎo)致第二步多晶硅回刻蝕時(shí)出現(xiàn)氧化物柵欄(如圖1所示)。

2、為解決上述問(wèn)題，需要提出一種新型的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中兩次多晶硅回刻蝕中，若有光刻膠阻礙濕法將導(dǎo)致第二步多晶硅回刻蝕時(shí)出現(xiàn)氧化物柵欄的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，包括：

3、步驟一、提供襯底，所述襯底上包括相鄰的第一、二器件區(qū)，所述第二器件區(qū)上需形成溝槽結(jié)構(gòu)，在所述襯底上形成第一介質(zhì)層，在所述第一介質(zhì)層上形成多晶硅層；

4、步驟二、利用第一次光刻和第一次多晶硅回刻蝕的方法圖形化所述多晶硅層，使其保留在所述第一器件區(qū)上，在剩余的所述多晶硅層的表面形成第二介質(zhì)層；

5、步驟三、形成覆蓋所述第一、二介質(zhì)層的光刻膠層，第二次光刻打開(kāi)所述第一器件區(qū)上的所述光刻膠層，光刻后的所述多晶硅層側(cè)壁處殘留有所述光刻膠層；

6、步驟四、利用選擇性刻蝕去除所述多晶硅層側(cè)壁上的所述光刻膠層；

7、步驟五、去除裸露的所述第一、二介質(zhì)層，利用第二次多晶硅回刻蝕的方法去除所述第一器件區(qū)上的所述多晶硅層。

8、優(yōu)選地，步驟一中的所述第一器件區(qū)為bcd器件區(qū)，所述第二器件區(qū)為sgt器件區(qū)。

9、優(yōu)選地，步驟一中的所述第一介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

10、優(yōu)選地，步驟二中的所述第一次多晶硅回刻蝕的方法為干法刻蝕。

11、優(yōu)選地，步驟二中的所述第二介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

12、優(yōu)選地，步驟二中利用熱氧化的方法形成所述第二介質(zhì)層。

13、優(yōu)選地，步驟四中利用干法刻蝕的方法選擇性刻蝕去除所述多晶硅層側(cè)壁上的所述光刻膠層。

14、優(yōu)選地，步驟四中的所述干法刻蝕的工藝條件包括：刻蝕氣體包括o2，刻蝕腔體壓力為2～10mt，源功率為500-1000w，偏置功率為0-10w。

15、優(yōu)選地，步驟五中利用濕法刻蝕的方法去除裸露的所述第一、二介質(zhì)層。

16、優(yōu)選地，步驟五中的所述第二次多晶硅回刻蝕的方法為濕法刻蝕。

17、如上所述，本發(fā)明的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，具有以下有益效果：

18、本發(fā)明選擇性去除多晶硅側(cè)壁處殘存的光刻膠層，不影響其余多晶硅層頂部光刻膠，從而使之后的刻蝕可以順利去除所有多晶硅側(cè)壁的第二介質(zhì)層，在下一步第二次多晶硅回刻蝕時(shí)不會(huì)產(chǎn)生柵欄。

技術(shù)特征：

1.一種去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于，至少包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟一中的所述第一器件區(qū)為bcd器件區(qū)，所述第二器件區(qū)為sgt器件區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟一中的所述第一介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一次多晶硅回刻蝕的方法為干法刻蝕。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟二中的所述第二介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟二中利用熱氧化的方法形成所述第二介質(zhì)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟四中利用干法刻蝕的方法選擇性刻蝕去除所述多晶硅層側(cè)壁上的所述光刻膠層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟四中的所述干法刻蝕的工藝條件包括：刻蝕氣體包括o2，刻蝕腔體壓力為2～10mt，源功率為500-1000w，偏置功率為0-10w。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟五中利用濕法刻蝕的方法去除裸露的所述第一、二介質(zhì)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，其特征在于：步驟五中的所述第二次多晶硅回刻蝕的方法為濕法刻蝕。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種去除多晶硅層側(cè)壁處光刻膠殘留的方法，提供襯底，襯底上包括相鄰的第一、二器件區(qū)，第二器件區(qū)上需形成溝槽結(jié)構(gòu)，在襯底上形成第一介質(zhì)層，在第一介質(zhì)層上形成多晶硅層；利用第一次光刻和第一次多晶硅回刻蝕的方法圖形化多晶硅層，使其保留在第一器件區(qū)上，在剩余的多晶硅層的表面形成第二介質(zhì)層；形成覆蓋第一、二介質(zhì)層的光刻膠層，第二次光刻打開(kāi)第一器件區(qū)上的光刻膠層，光刻后的多晶硅層側(cè)壁處殘留有光刻膠層；利用選擇性刻蝕去除多晶硅層側(cè)壁上的光刻膠層；去除裸露的第一、二介質(zhì)層，利用第二次多晶硅回刻蝕的方法去除第一器件區(qū)上的多晶硅層。本發(fā)明第二次多晶硅回刻蝕時(shí)不會(huì)產(chǎn)生柵欄。

技術(shù)研發(fā)人員：丁奧博,孫娟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19