本發(fā)明涉及一種基板處理裝置。

背景技術(shù)：

1、在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種載臺(tái)組件，其載置基板，包括基臺(tái)、配置在所述基臺(tái)上的靜電卡盤以及配置在所述基板的周圍的邊緣環(huán)，所述邊緣環(huán)由在周向上分割的多個(gè)邊緣環(huán)片構(gòu)成，所述靜電卡盤具有吸附所述基板的基板吸附部和吸附所述多個(gè)邊緣環(huán)片的邊緣環(huán)吸附部，所述邊緣環(huán)吸附部在吸附所述多個(gè)邊緣環(huán)片的各區(qū)域分別具有供給有傳熱氣體的傳熱氣體槽。

2、專利文獻(xiàn)1：日本特開2021-176186號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、<本發(fā)明要解決的問題>

2、根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種用于提高對(duì)環(huán)狀部件進(jìn)行靜電吸附的吸附力的面內(nèi)均勻性的基板處理裝置。

3、<用于解決問題的方法>

4、為了解決上述問題，根據(jù)一個(gè)方面，提供一種基板處理裝置，其包括基板支承部，所述基板支承部包括靜電卡盤，所述靜電卡盤具有支承環(huán)狀部件的支承面，其中，所述支承面具有使傳熱氣體擴(kuò)散到所述環(huán)狀部件與所述支承面之間的空隙的擴(kuò)散槽，所述擴(kuò)散槽具有：圓環(huán)狀槽部，與所述靜電卡盤同心地設(shè)置；以及放射狀槽部，與所述圓環(huán)狀槽部連通，且從所述圓環(huán)狀槽部沿所述靜電卡盤的徑向設(shè)置。

5、<發(fā)明的效果>

6、根據(jù)一個(gè)方面，能夠提供一種提高對(duì)環(huán)狀部件進(jìn)行靜電吸附的吸附力的面內(nèi)均勻性的基板處理裝置。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理裝置，其包括基板支承部，所述基板支承部包括靜電卡盤，所述靜電卡盤具有支承環(huán)狀部件的支承面，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種提高對(duì)環(huán)狀部件進(jìn)行靜電吸附的吸附力的面內(nèi)均勻性的基板處理裝置。該基板處理裝置包括基板支承部，所述基板支承部包括靜電卡盤，所述靜電卡盤具有支承環(huán)狀部件的支承面，其中，所述支承面具有使傳熱氣體擴(kuò)散到所述環(huán)狀部件與所述支承面之間的空隙的擴(kuò)散槽，所述擴(kuò)散槽具有：圓環(huán)狀槽部，與所述靜電卡盤同心地設(shè)置；以及放射狀槽部，與所述圓環(huán)狀槽部連通，且從所述圓環(huán)狀槽部沿所述靜電卡盤的徑向設(shè)置。

技術(shù)研發(fā)人員：遠(yuǎn)藤理一郎,谷川雄洋,喜田和馬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30