背景技術(shù)：

1、本公開涉及半導(dǎo)體器件。

2、國際公布第wo?2014/097425號(專利文件1)描述了半導(dǎo)體器件。專利文件1中所描述的半導(dǎo)體器件具有穿過絕緣層相互面向的線圈構(gòu)成的變壓器。作為具有穿過絕緣層相互面向的線圈構(gòu)成的另一變壓器，存在日本特開第2011-082212號(專利文件2)所描述的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、專利文件1和專利文件2僅示出了接收線圈位于發(fā)射線圈的上層的變壓器的示例。根據(jù)本說明書和附圖的描述，其他目的和新穎的特征將變得顯而易見。

2、本公開的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底、第一線圈、第二線圈、第三線圈，和第四線圈、引線，和絕緣層。引線被形成在半導(dǎo)體襯底上的與第一線圈和第二線圈相同的層上。第一線圈和第二線圈在平面圖中通過引線彼此相鄰并且通過引線串聯(lián)電連接。絕緣層覆蓋第一線圈、第二線圈，和引線。第三線圈被形成在第一線圈上以便穿過絕緣層面向第一線圈。第四線圈被形成在第二線圈上以便穿過絕緣層面向第二線圈。第三線圈和第四線圈在平面圖中彼此相鄰并且彼此電連接。

3、根據(jù)本公開的半導(dǎo)體器件，在發(fā)射線圈位于接收線圈的上層的變壓器中，可以抑制由發(fā)射線圈中流過的恒流引起的發(fā)射線圈的產(chǎn)熱。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中

技術(shù)總結(jié)
本公開的各實施例涉及半導(dǎo)體器件。提供可以抑制變壓器中的產(chǎn)熱的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包括第一線圈、第二線圈、第三線圈和第四線圈、引線，以及絕緣層。引線被形成在與第一線圈和第二線圈相同的層上。第一線圈和第二線圈在平面圖中通過引線彼此相鄰并且通過引線串聯(lián)電連接。絕緣層覆蓋第一線圈和第二線圈，以及引線。第三線圈被形成在第一線圈上從而穿過絕緣層面向第一線圈。第四線圈被形成在第二線圈上從而穿過絕緣層面向第二線圈。第三線圈和第四線圈在平面圖彼此相鄰并且彼此電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：中柴康隆,五十嵐孝行
受保護的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26