本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、以往，公知有在兩個(gè)流路中的流路截面積大的第一流路設(shè)置有能夠上下移動(dòng)的流體壓力調(diào)整部件的半導(dǎo)體裝置(例如，參照下述專利文獻(xiàn)1)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開平7-74193號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、在以往的半導(dǎo)體裝置中存在如下課題：在通過傳遞成型來(lái)密封半導(dǎo)體元件時(shí)，在樹脂的流動(dòng)面彼此合流的地點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生因卷入空氣而帶來(lái)的氣泡(空隙)，半導(dǎo)體裝置變差。本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠減少傳遞成型中的空隙產(chǎn)生的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

3、技術(shù)方案

4、為了解決上述問題，并實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有如下的特征。半導(dǎo)體裝置具備：層積基板，其安裝有半導(dǎo)體芯片；電路基板，其設(shè)置有在所述半導(dǎo)體芯片之間的布線、以及所述半導(dǎo)體芯片與外部輸出端子之間的布線；以及密封樹脂，其密封所述層積基板與所述電路基板。在所述電路基板，在與所述層積基板側(cè)相反一側(cè)設(shè)置有流速控制銷。

5、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷設(shè)置于所述電路基板的端部。

6、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷設(shè)置于所述電路基板的端部、以及所述端部之間的中間。

7、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷的材質(zhì)是彈性率比所述密封樹脂的彈性率低的樹脂。

8、為了解決上述問題，并實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有如下的特征。作為使用模塑模具進(jìn)行傳遞成型的半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先，進(jìn)行第一工序，形成模塊，所述模塊具有安裝有半導(dǎo)體芯片的層積基板、以及設(shè)置有在所述半導(dǎo)體芯片之間的布線、以及所述半導(dǎo)體芯片與外部輸出端子之間的布線的電路基板。接著，進(jìn)行第二工序，在所述模塑模具安裝所述模塊。接著，進(jìn)行第三工序，從所述模塑模具的注入澆口注入密封樹脂。在所述電路基板，在與所述層積基板側(cè)相反的一側(cè)配置有與所述密封樹脂的流動(dòng)方向垂直地并列的流速控制銷。

9、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷配置在所述電路基板的所述注入澆口側(cè)的端部。

10、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷配置在所述電路基板的靠所述注入澆口側(cè)的端部、以及與所述澆口側(cè)相反一側(cè)的端部。

11、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷配置在所述電路基板的靠所述注入澆口側(cè)的端部、與所述澆口側(cè)的端部相反的一側(cè)的端部、以及所述端部之間的中間。

12、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，

13、在將從所述電路基板的表面到所述模塑模具的表面為止的距離設(shè)為l、將所述模塑模具的垂直于所述密封樹脂的流動(dòng)方向的寬度設(shè)為w、將所述流速控制銷的條數(shù)設(shè)為n、將向所述密封樹脂的流動(dòng)方向投影時(shí)的所述流速控制銷的寬度設(shè)為d、將所述流速控制銷的高度設(shè)為h時(shí)，相對(duì)于所述密封樹脂的流路的截面積lw而被所述流速控制銷阻擋流動(dòng)的投影密度ndh/lw為10％以上且小于48％。

14、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷的材質(zhì)是彈性率比所述密封樹脂的彈性率低的樹脂。

15、另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法在上述發(fā)明的基礎(chǔ)上，其特征在于，所述流速控制銷的截面形狀為長(zhǎng)軸位于所述密封樹脂的流動(dòng)方向側(cè)的橢圓。

16、技術(shù)效果

17、根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法，起到能夠減少傳遞成型中的空隙產(chǎn)生這樣的效果。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，使用模塑模具進(jìn)行傳遞成型，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供能夠減少傳遞成型中的空隙產(chǎn)生的半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置(50)具備：層積基板(5)，其安裝有半導(dǎo)體芯片(1)；電路基板(9)，其設(shè)置有在半導(dǎo)體芯片(1)之間的布線、以及半導(dǎo)體芯片(1)與外部輸出端子(12)之間的布線；以及密封樹脂(10)，其密封層積基板(5)與電路基板(9)。在電路基板(9)，在與層積基板(5)側(cè)相反的一側(cè)設(shè)置有流速控制銷(14)。

技術(shù)研發(fā)人員：河村一磨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19