本公開涉及一種半導(dǎo)體封裝件，更具體地，涉及一種包括加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)：

1、集成電路芯片通常設(shè)置有半導(dǎo)體封裝件，以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于電子產(chǎn)品的電路板或以其他方式組合在電子系統(tǒng)內(nèi)。在一般的半導(dǎo)體封裝件中，集成電路芯片(或半導(dǎo)體芯片)可以安裝在印刷電路板(pcb)上，并且可以通過接合線或凸塊電連接到pcb。隨著電子工業(yè)的發(fā)展，已經(jīng)進(jìn)行了用于改善半導(dǎo)體封裝件的可靠性和耐久性的各種研究。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的目的是提供一種具有改善的可靠性的半導(dǎo)體封裝件。

2、本公開要解決的問題不限于上述問題，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將從以下描述中清楚地理解未提及的其他問題。

3、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件包括封裝基底、在封裝基底上的芯片結(jié)構(gòu)、設(shè)置在封裝基底上并設(shè)置在芯片結(jié)構(gòu)周圍的外圍結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置在封裝基底的邊緣處并圍繞外圍結(jié)構(gòu)和芯片結(jié)構(gòu)的加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)包括順序堆疊的第一加強(qiáng)件和第二加強(qiáng)件，第二加強(qiáng)件包括與第一加強(qiáng)件的材料不同的材料，并且第二加強(qiáng)件具有比第一加強(qiáng)件的第一寬度寬的第二寬度并與外圍結(jié)構(gòu)豎直疊置。

4、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件包括封裝基底、在封裝基底上的內(nèi)置基底、設(shè)置在內(nèi)置基底的中心上的專用半導(dǎo)體芯片、設(shè)置在專用半導(dǎo)體芯片的一側(cè)的第一存儲(chǔ)器芯片和第二存儲(chǔ)器芯片、設(shè)置在專用半導(dǎo)體芯片的另一側(cè)的第三存儲(chǔ)器芯片和第四存儲(chǔ)器芯片、覆蓋專用半導(dǎo)體芯片、第一存儲(chǔ)器芯片至第四存儲(chǔ)器芯片和內(nèi)置基底的模制層、以及設(shè)置在封裝基底的邊緣處并圍繞內(nèi)置基底的加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)包括順序堆疊的第一加強(qiáng)件和第二加強(qiáng)件，第二加強(qiáng)件包括與第一加強(qiáng)件的材料不同的材料，第二加強(qiáng)件具有比第一加強(qiáng)件的第一寬度寬的第二寬度，第一加強(qiáng)件的熱膨脹系數(shù)小于第二加強(qiáng)件的熱膨脹系數(shù)。

5、根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件包括封裝基底、在封裝基底上的芯片結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在封裝基底的邊緣處并圍繞芯片結(jié)構(gòu)的加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)包括由不同材料形成的第一加強(qiáng)件和第二加強(qiáng)件，并且當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第一加強(qiáng)件和第二加強(qiáng)件圍繞芯片結(jié)構(gòu)，并且第二加強(qiáng)件與第一加強(qiáng)件的內(nèi)壁相鄰。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，外圍結(jié)構(gòu)是電容器、電阻器和壩中的至少一個(gè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一加強(qiáng)件的熱膨脹系數(shù)小于第二加強(qiáng)件的熱膨脹系數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)還包括堆疊在第二加強(qiáng)件上的第三加強(qiáng)件，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)的上表面距封裝基底的上表面的第一高度比芯片結(jié)構(gòu)的上表面距封裝基底的上表面的第二高度高，并且

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)還包括置于第一加強(qiáng)件與第二加強(qiáng)件之間的粘合層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一加強(qiáng)件的一個(gè)側(cè)壁與第二加強(qiáng)件的一個(gè)側(cè)壁對齊，或者

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)還包括與第二加強(qiáng)件的側(cè)表面或第一加強(qiáng)件的側(cè)表面相鄰的第三加強(qiáng)件，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)圍繞芯片結(jié)構(gòu)和外圍結(jié)構(gòu)兩者，并且

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，第一加強(qiáng)件圍繞芯片結(jié)構(gòu)和外圍結(jié)構(gòu)兩者，并且

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括置于第二加強(qiáng)件與芯片結(jié)構(gòu)之間的熱邊界材料層。

11.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述半導(dǎo)體封裝件還包括設(shè)置在封裝基底上并且在內(nèi)置基底與第一加強(qiáng)件之間的無源元件，

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)還包括堆疊在第二加強(qiáng)件上的第三加強(qiáng)件，

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)的上表面距封裝基底的上表面的第一高度比專用半導(dǎo)體芯片的上表面距封裝基底的上表面的第二高度高，并且

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)還包括置于第一加強(qiáng)件與第二加強(qiáng)件之間的粘合層。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一加強(qiáng)件的一個(gè)側(cè)壁與第二加強(qiáng)件的一個(gè)側(cè)壁對齊，或者

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)還包括與第二加強(qiáng)件的側(cè)表面或第一加強(qiáng)件的側(cè)表面相鄰的第三加強(qiáng)件，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)圍繞內(nèi)置基底，并且

18.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一加強(qiáng)件的上表面距封裝基底的上表面的高度與第二加強(qiáng)件的上表面距封裝基底的上表面的高度不同。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在第一加強(qiáng)件和第二加強(qiáng)件中的至少一個(gè)上的第三加強(qiáng)件，并且

技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體封裝件。所述半導(dǎo)體封裝件包括封裝基底、在封裝基底上的芯片結(jié)構(gòu)、設(shè)置在封裝基底上并圍繞芯片結(jié)構(gòu)設(shè)置的外圍結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在封裝基底的邊緣處并圍繞外圍結(jié)構(gòu)和芯片結(jié)構(gòu)的加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)。加強(qiáng)件結(jié)構(gòu)包括順序堆疊的第一加強(qiáng)件和第二加強(qiáng)件，第二加強(qiáng)件包括與第一加強(qiáng)件的材料不同的材料，并且第二加強(qiáng)件具有比第一加強(qiáng)件的第一寬度寬的第二寬度并且與外圍結(jié)構(gòu)豎直疊置。

技術(shù)研發(fā)人員：樸玉敬,姜命衫,權(quán)漆佑,金惠鎮(zhèn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17