本公開涉及半導(dǎo)體器件。本申請要求以2022年6月24日提交的日本申請第2022-101718號為基礎(chǔ)的優(yōu)先權(quán)，并在此引入上述日本申請中記載的全部記載內(nèi)容。

背景技術(shù)：

1、作為半導(dǎo)體器件之一，已知一種功率模塊，其中，為了確保電流容量，將多個晶體管并聯(lián)連接。另外，為了抑制晶體管的柵電極的電位的振蕩，提出了在多個晶體管之間使源電極等主電極彼此連接的功率模塊(專利文獻(xiàn)1、2及3)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-184667號公報

5、專利文獻(xiàn)2：日本特開2010-178615號公報

6、專利文獻(xiàn)3：日本特開2013-012560號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的半導(dǎo)體器件具有多個晶體管和導(dǎo)電部件，多個所述晶體管相互并聯(lián)地電連接，并包括第一焊盤，所述第一焊盤是源極焊盤或發(fā)射極焊盤，所述第一焊盤具有第一連接區(qū)域、第二連接區(qū)域以及第三連接區(qū)域，所述第一連接區(qū)域被夾在所述第二連接區(qū)域與所述第三連接區(qū)域之間，所述半導(dǎo)體器件具有：第一連接部件，將所述第一連接區(qū)域與所述導(dǎo)電部件連接；第二連接部件，將多個所述晶體管中的兩個所述晶體管的所述第二連接區(qū)域彼此連接；以及第三連接部件，將多個所述晶體管中的所述兩個所述晶體管的所述第三連接區(qū)域彼此連接。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，具有多個晶體管和導(dǎo)電部件，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

13.一種半導(dǎo)體器件，具有：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件具有：

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的半導(dǎo)體器件，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求13至16中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中，

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件，具有多個晶體管和導(dǎo)電部件，多個所述晶體管相互并聯(lián)地電連接，并包括第一焊盤，所述第一焊盤是源極焊盤或發(fā)射極焊盤，所述第一焊盤具有第一連接區(qū)域、第二連接區(qū)域以及第三連接區(qū)域，所述第一連接區(qū)域被夾在所述第二連接區(qū)域與所述第三連接區(qū)域之間，所述半導(dǎo)體器件具有：第一連接部件，將所述第一連接區(qū)域與所述導(dǎo)電部件連接；第二連接部件，將多個所述晶體管中的兩個所述晶體管的所述第二連接區(qū)域彼此連接；以及第三連接部件，將多個所述晶體管中的所述兩個所述晶體管的所述第三連接區(qū)域彼此連接。

技術(shù)研發(fā)人員：金田達(dá)志
受保護的技術(shù)使用者：住友電氣工業(yè)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26