本發(fā)明涉及l(fā)ed行業(yè)，特別是一種led晶元切割方法。

背景技術(shù)：

晶元切割工藝其實(shí)就是通過(guò)滾刀機(jī)械磨損或鐳射灼燒后，再通過(guò)劈裂，將大晶元劈成矩形小晶粒的過(guò)程?，F(xiàn)有對(duì)led晶元的切割通常是一個(gè)led晶元只能切割成一種規(guī)格的芯片，而在需要不同規(guī)格的芯片時(shí)就需要對(duì)應(yīng)切割多個(gè)led晶元，然而由于led晶元為圓面，芯片為方形，這樣導(dǎo)致每個(gè)led晶元在切割過(guò)程中費(fèi)料較多，浪費(fèi)led晶元，提高制造成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種led晶元切割方法，可在同一led晶元上同時(shí)切割兩種不同大小的芯片，提高led芯片利用率，降低制造成本。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種led晶元切割方法，包括以下步驟：

s1，選定待切割晶元；

s2，在待切割晶元上劃分形成四個(gè)頂點(diǎn)都在待切割晶元圓周上的矩形區(qū)；

s3，在待切割晶元的矩形區(qū)按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較大的第一芯片區(qū)；

s4，在待切割晶元上的非矩形區(qū)域按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較小的第二芯片區(qū)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供一種led晶元切割方法，在同一led晶元的矩形區(qū)切割形成面積相對(duì)較大的第一芯片區(qū)，在非矩形區(qū)切割形成面積相對(duì)較小的第二芯片區(qū)，這樣可在同一led晶元上同時(shí)切割兩種不同大小的芯片區(qū)，提高led芯片利用率，降低制造成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明提供的一種led晶元切割方法的示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的一種led晶元切割方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明提供的優(yōu)選實(shí)施方式作出具體說(shuō)明。

參照?qǐng)D1和圖2，本發(fā)明提供的一種led晶元切割方法，具體包括以下步驟：s1，選定待切割晶元；s2，在待切割晶元上劃分形成四個(gè)頂點(diǎn)都在待切割晶元圓周上的矩形區(qū)100；s3，在待切割晶元的矩形區(qū)按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較大的第一芯片區(qū)10；s4，在待切割晶元上的非矩形區(qū)域200按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較小的第二芯片區(qū)20，這樣可在同一led晶元上同時(shí)切割兩種不同大小的芯片區(qū)，提高led芯片利用率，降低制造成本。

綜上所述，本發(fā)明的技術(shù)方案可以充分有效的實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，且本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及功能原理都已經(jīng)在實(shí)施例中得到充分的驗(yàn)證，能達(dá)到預(yù)期的功效及目的，在不背離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)發(fā)明的實(shí)施例做出多種變更或修改。因此，本發(fā)明包括一切在專(zhuān)利申請(qǐng)范圍中所提到范圍內(nèi)的所有替換內(nèi)容，任何在本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍內(nèi)所作的等效變化，皆屬本案申請(qǐng)的專(zhuān)利范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種LED晶元切割方法，屬于LED領(lǐng)域，具體包括以下步驟：S1，選定待切割晶元；S2，在待切割晶元上劃分形成四個(gè)頂點(diǎn)都在待切割晶元圓周上的矩形區(qū)；S3，在待切割晶元的矩形區(qū)按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較大的第一芯片區(qū)；S4，在待切割晶元上的非矩形區(qū)域按照橫向和豎向切割形成面積相對(duì)較小的第二芯片區(qū)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該LED晶元切割方法采用在同一LED晶元的矩形區(qū)切割形成面積相對(duì)較大的第一芯片區(qū)，在非矩形區(qū)切割形成面積相對(duì)較小的第二芯片區(qū)，這樣可在同一LED晶元上同時(shí)切割兩種不同大小的芯片區(qū)，提高LED芯片利用率，降低制造成本。

技術(shù)研發(fā)人員：陳永平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門(mén)市東太耀光電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.26
技術(shù)公布日：2017.07.14