本申請要求于2016年4月19日提交到韓國知識產權局的第10-2016-0047754號韓國專利申請的優(yōu)先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

本公開涉及一種制造多層陶瓷電子組件的方法及多層陶瓷電子組件。

背景技術：

近來，隨著電子產品的小型化的趨勢，多層陶瓷電子組件被要求具有小尺寸和高電容。

為減小多層陶瓷電子組件中的介電層和內電極的厚度并增加介電層和內電極的數(shù)量，已經嘗試了各種方法。近來，已經制造出介電層的厚度減小并且堆疊的介電層的數(shù)量增加的多層陶瓷電子組件。

由于已要求外電極具有減小的厚度，因而會出現(xiàn)鍍液通過外電極的薄區(qū)滲入片(chip)內的問題，使得在技術上難以將多層陶瓷電子組件小型化。

當外電極具有不均勻形狀時，鍍液將滲入外電極的薄區(qū)的風險增大，使得在確?？煽啃苑矫鏁霈F(xiàn)問題。

使用現(xiàn)有的浸漬法等形成的外電極可形成在與陶瓷主體的在長度方向上的端表面相對應的頭部表面和與頭部表面接觸的四個表面(在下文中，稱為“帶部表面”)上。在這種情況下，由于膏的流動性和粘性以及在主體上的分散，會難以均勻地涂敷用于形成外電極的膏，使得所涂敷的膏的厚度會存在差異。

鍍液可滲入外電極的薄薄地涂敷膏的部分(由于該部分的密度減小)，從而使得可靠性降低。另外，如果增加鍍層的厚度以解決鍍覆缺陷和形狀缺陷，會在膏被厚厚地涂敷的地方生成玻璃珠或玻璃泡(使玻璃暴露于表面)。

當所涂敷的膏的厚度薄且均勻時，可增加內電極的形成面積，使得與具有相同尺寸的現(xiàn)有電容器相比，電容可顯著地增加。

技術實現(xiàn)要素：

本公開的一方面可提供一種外電極具有薄且均勻的厚度的高電容多層陶瓷電子組件以及制造該高電容多層陶瓷電子組件的方法。

根據(jù)本公開的一方面，一種制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：準備彈性沖壓材料并在所述彈性沖壓材料上準備具有用于形成外電極的片的構件；堆疊其上形成有內電極圖案的陶瓷片，以形成包括設置成彼此面對的使各自的介電層介于其間的內電極的陶瓷主體；按壓所述陶瓷主體并使所述陶瓷主體緊密地粘附到用于形成外電極的所述片，以使用于形成外電極的所述片附著到所述陶瓷主體的一個端表面；通過使用所述彈性沖壓材料切割用于形成外電極的所述片形成第一外電極。

根據(jù)本公開的另一方面，一種制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：將彈性壓制材料附著到第一平板；在所述彈性壓制材料上準備具有用于形成外電極的片的構件；堆疊其上形成有內電極圖案的陶瓷片，以形成包括設置成彼此面對的使各自的介電層介于其間的內電極的陶瓷主體；按壓所述陶瓷主體并使所述陶瓷主體緊密地粘附到用于形成外電極的所述片，以使用于形成外電極的所述片附著到所述陶瓷主體；加熱所述平板以使用于形成外電極的片延伸至所述陶瓷主體的帶部；在第二平板上準備具有彈性沖壓材料的構件；在所述彈性沖壓材料上按壓具有用于形成外電極的所述片的所述陶瓷主體并使所述陶瓷主體緊密地粘附到所述彈性沖壓材料上以切割用于形成外電極的所述片，從而在所述陶瓷主體的外表面上形成外電極。

根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件可包括：陶瓷主體，包括介電層和和內電極，所述內電極堆疊且交替地暴露于所述陶瓷主體的各自的端表面，介電層介于內電極之間；外電極，分別設置在所述陶瓷主體的長度方向上的端表面上；一個或更多個鍍層，設置在所述外電極的每個上，其中，0.8≤t2/t1≤1.2，其中，t1是所述外電極的每個在所述陶瓷主體的厚度方向上的中央?yún)^(qū)域的厚度，t2是所述外電極的每個在位于厚度方向上的最上方的內電極所處的點處的厚度。

根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括與介電層交替地堆疊的內電極；外電極，分別設置在所述陶瓷主體在長度方向上的端表面上，并延伸到一個或更多個相鄰的表面上；其中，0.8≤t2/t1≤1.2，其中，t1是所述外電極的在所述陶瓷主體的在陶瓷主體的厚度方向上的中央?yún)^(qū)域的厚度，t2是所述外電極在位于厚度方向上的最上方的內電極所處的點處的厚度。

根據(jù)本公開的另一方面，一種制造多層陶瓷電子組件的方法包括：在彈性沖壓材料上準備用于形成外電極的片；按壓陶瓷主體并使所述陶瓷主體緊密地粘附到用于形成外電極的所述片，以將所述片附著到所述陶瓷主體，所述陶瓷主體包括具有介于其間的介電層的多個內電極；利用所述彈性沖壓材料切割用于形成外電極的所述片。

附圖說明

通過下面結合附圖進行的詳細描述，本公開的以上和其它方面、特征及優(yōu)點將被更加清楚地理解，附圖中：

圖1a至圖1c是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的形成多層陶瓷電子組件的外電極的工藝的示圖；

圖2a至圖2c是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的形成多層陶瓷電子組件的外電極的工藝的示圖；

圖3a至圖3f是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的形成多層陶瓷電子組件的外電極的工藝的示圖；

圖4是根據(jù)本公開的另一示例性實施例的多層陶瓷電子組件的透視圖；

圖5是沿圖4的i-i’線截取的剖面圖；

圖6是圖5的區(qū)域a的放大圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖詳細地描述本公開的示例性實施例。

將限定六面體的方向以清楚地描述本公開的示例性實施例。附圖中示出的l、w和t分別指的是長度方向、寬度方向和厚度方向。這里，厚度方向可與堆疊介電層的堆疊方向相同。

制造多層陶瓷電子組件的方法

圖1a至圖1c是示出根據(jù)本公開的示例性實施例的形成多層陶瓷電子組件的外電極的工藝的示圖。

參照圖1a至圖1c，根據(jù)本公開的示例性實施例的制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：將彈性沖壓材料160附著到平板150上并在彈性沖壓材料160的上方準備具有用于形成外電極的片130?？啥询B其上形成有內電極圖案的陶瓷片以形成包括設置為彼此面對的使各個介電層介于其間的內電極的陶瓷主體110?？砂磯禾沾芍黧w110并使其緊密地粘附到用于形成外電極的片130以使片130附著在陶瓷主體110上。

為在陶瓷主體110的外表面上形成外電極，可將彈性沖壓材料160附著到平板150上，并且可在彈性沖壓材料160上準備具有用于形成外電極的片130的構件。

根據(jù)示例性實施例的制造多層陶瓷電子組件的方法還可包括：將離型膜170附著到彈性沖壓材料160上并在離型膜170上附著用于形成外電極的片130。

可用平板150來支撐用于在陶瓷主體110的外表面上形成外電極的構件，并可以是具有低熱變形的任何材料(諸如使用石頭作為原材料的石制平板)。

可用彈性沖壓材料160來切割用于形成附著到陶瓷主體110的外表面的外電極的片130。因此，外電極可分別形成在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的兩個端表面上。

彈性沖壓材料160可以是具有彈性的任何材料(諸如沖壓橡膠)。

還可用離型膜170來切割用于形成附著到陶瓷主體110的外表面的外電極的片130，離型膜170可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜。然而，離型膜170的材料不限于此。

用于形成外電極的片130可以是被薄薄地涂敷然后進行干燥的用于形成外電極的膏，并且可以是生片。

詳細地，用于形成外電極的膏可通過將導電金屬、粘合劑、增塑劑和分散劑等彼此混合而制備，所述導電金屬選自于包括銅(cu)、鎳(ni)、鈀(pd)、鉑(pt)、金(au)、銀(ag)或鉛(pb)或者它們的合金的組。

用于形成外電極的膏可根據(jù)外電極的要求的厚度使用刮刀成型裝置(doctorbladecastingdevice)等進行涂敷，然后進行干燥以制備用于形成外電極的片130。

可通過將陶瓷主體浸漬在用于形成外電極的膏中執(zhí)行在陶瓷主體的外表面上形成外電極的方法。

然而，在使用浸漬法等方法形成外電極的情況下，外電極形成在與陶瓷主體的在長度方向上的端表面相對應的頭部表面和與接觸頭部表面的四個表面相對應的帶部表面上，由于膏的流動性和粘性以及在陶瓷主體上產生的分散，難以均勻地涂敷用于形成外電極的膏，導致所涂敷的膏的厚度差異。

鍍液可滲入外電極的膏被薄薄地涂敷的部分(由于該部分的密度減小)，從而使得可靠性降低。另外，如果增加鍍層的厚度以解決鍍覆缺陷和形狀缺陷，會在膏被厚厚地涂敷的部分生成使玻璃暴露于表面的玻璃珠或玻璃泡。

根據(jù)示例性實施例，可通過片轉移法(sheettransfermethod)或墊轉移法(padtransfermethod)而不是現(xiàn)有的浸漬法在陶瓷主體的外表面上形成外電極，從而可薄薄地并且均勻地涂敷用于形成外電極的膏。

因此，可增加內電極的形成面積，使得與具有相同尺寸的現(xiàn)有電容器相比，電容可顯著地增加。

可堆疊其上形成有內電極圖案的陶瓷片以形成陶瓷主體110。陶瓷主體110包括設置成彼此面對的使各個介電層介于其間的內電極。

為形成陶瓷主體110，可首先在載體膜上涂敷包括諸如鈦酸鋇(batio3)粉末顆粒等的粉末顆粒的漿體并將其干燥以制備多個陶瓷片，從而形成介電層。

陶瓷片可通過以下步驟制備：將陶瓷粉末顆粒、粘合劑和溶劑彼此混合來制備漿體，并通過例如刮刀法將漿體制造成具有數(shù)微米厚度的片狀。

然后，可制備包括導電金屬粉末顆粒的導電膏。導電金屬粉末顆?？梢允擎?ni)、銅(cu)、鈀(pd)、銀(ag)、鉛(pb)或鉑(pt)或者它們的合金的粉末顆粒，可具有0.1μm至0.2μm的平均粒徑。導電膏可制備為具有40wt％至50wt％的導電金屬粉末顆粒。

可通過印刷法等將用于內電極的導電膏涂敷到陶瓷片，以形成內電極圖案。印刷導電膏的方法可以是絲網(wǎng)印刷法、凹版印刷法等，但不限于此?？啥询B、壓制并燒結其上印刷有內電極圖案的多個(例如，二百至三百個)陶瓷片以制造陶瓷主體110。

參照圖1b，可按壓陶瓷主體110并使其緊密地粘附到用于形成外電極的片130以使片130附著在陶瓷主體110上。

參照圖1c，可通過彈性沖壓材料160切割用于形成外電極的片130，從而可形成外電極131。外電極可分別形成在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的兩個端表面上。

在離型膜170附著到彈性沖壓材料160時，可通過離型膜170切割用于形成外電極的片130。

可通過離型膜170在陶瓷主體110的拐角部分切割用于形成外電極的片130。因此，根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電容器的外電極可僅分別形成在陶瓷主體的在長度方向上的端表面上，并且可不形成在陶瓷主體的其它表面上。

也就是說，外電極131可形成至陶瓷主體110的拐角部分。

根據(jù)上述結構，可在陶瓷主體110的與在陶瓷主體110的長度方向l上的端表面相對應的頭部表面上形成外電極131，在與接觸頭部表面的四個表面相對應的所有帶部表面上可以以盡可能小的尺寸形成或可以不形成外電極131，以使外電極可以以薄且均勻的厚度形成。

因此，可增加內電極的形成面積，以使內電極彼此重疊的面積可顯著地增加，從而可實現(xiàn)高電容的多層陶瓷電容器。

外電極131可通過片轉移法或墊轉移法而不是浸漬法分別形成在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的兩個端表面上。

雖然圖1c示出形成一個外電極131的工藝，但可增加在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的另一端表面上形成另一外電極的工藝。

根據(jù)示例性實施例的制造多層陶瓷電子組件的方法還可包括在外電極上形成鍍層。鍍層可包括鎳鍍層和形成在鎳鍍層上的錫鍍層，但并不一定局限于此。

圖2a至圖2c是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的形成多層陶瓷電子組件的外電極的工藝的示圖。

參照圖2a至圖2c，根據(jù)本公開的另一示例性實施例的制造多層陶瓷電子組件的方法還可包括：在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的兩個端表面上分別形成外電極131后，在平板150上準備其上附著有彈性壓制材料140的構件，并加熱平板150，按壓陶瓷主體110并使陶瓷主體110緊密地粘附到彈性壓制材料140上，從而使外電極131延伸至陶瓷主體110的帶部。

在圖2c中，可將具有形成在端表面上的外電極的陶瓷主體110按壓到使彈性壓制材料140附著并形成在平板150上的構件上，以使外電極131延伸至陶瓷主體110的帶部。

可加熱平板150以提高形成在陶瓷主體110的端表面上的外電極的延展性，使得外電極可延伸至陶瓷主體110的帶部。

另外，經加熱的平板150可增加陶瓷主體和外電極之間的粘附力。

彈性壓制材料140可以是具有彈性的任何材料(諸如壓制橡膠)。

壓制橡膠的彈性可小于沖壓橡膠(彈性沖壓材料160)的彈性。

根據(jù)示例性實施例，當外電極131中的每個在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的厚度方向上的中央?yún)^(qū)域的厚度為t1、外電極131中的每個在厚度方向上的最上方的內電極所處的點處的厚度為t2時，0.8≤t2/t1≤1.2。

厚度t1指的是從陶瓷主體110的在厚度方向上的中點沿長度方向穿過而繪制的虛擬線與外電極重疊的部分的長度。

同樣地，厚度t2指的是從在厚度方向上的最上方的內電極的位置沿長度方向穿過而繪制的虛擬線與外電極重疊的部分的長度。

厚度t2和t1的比可滿足范圍0.8≤t2/t1≤1.2，以減小外電極131中的每個在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的厚度方向上的中央?yún)^(qū)域的厚度t1與外電極131中的每個最上方的內電極所處的點處的厚度t2之間的偏差，從而可避免可靠性的劣化。

當t2/t1小于0.8或大于1.2時，外電極的厚度之間的偏差大，會使鍍液滲入外電極的薄的部分，從而使可靠性劣化。

根據(jù)示例性實施例，當外電極131中的每個在陶瓷主體110的拐角部分的厚度為t3時，0.4≤t3/t1≤1.0。

厚度t3指的是外電極131中的每個在陶瓷主體110的拐角區(qū)域上形成的厚度。

厚度t3和t1的比可滿足范圍0.4≤t3/t1≤1.0，以減小外電極131中的每個在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的厚度方向上的中央?yún)^(qū)域的厚度t1與外電極131中的每個在陶瓷主體110的拐角部分的厚度t3之間的偏差，從而可避免可靠性的劣化。

如果t3/t1小于0.4或者大于1.0，那么外電極的厚度之間的偏差大，會使鍍液滲入外電極的薄的部分，從而使可靠性劣化。

圖3a至圖3f是示出根據(jù)本公開的另一示例性實施例的形成多層陶瓷電子組件的外電極的工藝的示圖。

參照圖3a至圖3f，根據(jù)本公開的另一示例性實施例的制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：將彈性壓制材料140附著到平板150并在彈性壓制材料140上準備使用于形成外電極的片130附著到其的構件?？啥询B其上形成有內電極圖案的陶瓷片以形成包括設置成彼此面對的使各個介電層介于其間的內電極的陶瓷主體110?？砂磯禾沾芍黧w110并使其緊密地粘附到用于形成外電極的片130以使片130附著在陶瓷主體110上?？杉訜崞桨?50以使用于形成外電極的片130延伸至陶瓷主體110的帶部。可在平板150上準備其上附著有彈性沖壓材料160的構件，可按壓具有片130的陶瓷主體110并使其緊密地粘附在彈性沖壓材料160上以切割用于形成外電極的片130，從而在陶瓷主體110的外表面上形成外電極131。

參照圖3a，可將彈性壓制材料140附著到平板150上，并可在彈性壓制材料140上準備使用于形成外電極的片130附著到其的構件。

由于以上已經描述了平板150、彈性壓制材料140和用于形成外電極的片130，因而將省略對于它們的描述，并省略與上述內容重復的內容。

可堆疊其上形成有內電極圖案的陶瓷片，以形成包括設置成彼此面對的使各自的介電層介于其間的內電極的陶瓷主體110。

參照圖3b，可按壓陶瓷主體110并將其緊密地粘附到用于形成外電極的片130以在陶瓷主體110上附著片130。

在這個工藝中，可加熱平板150以使片130延伸至陶瓷主體110的帶部。

當再使陶瓷主體110從包括平板的構件上分離時，彈性壓制材料140可恢復至其原始位置，用于形成外電極的片130可設置在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的一個端表面上，以便延伸至陶瓷主體110的帶部，如圖3c所示。

參照圖3d，可在平板150上準備具有使彈性沖壓材料160附著到其的構件。如圖3e所示，可按壓具有片130的陶瓷主體110并將其緊密地粘附到彈性沖壓材料160以切割片130。

當再使陶瓷主體110從包括平板的構件分離時，彈性沖壓材料160可恢復至其原始位置，用于形成外電極的片130可自陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的一個端表面延伸至陶瓷主體110的帶部，以形成外電極131，如圖3f所示。

雖然在圖3a至3f中示出了形成一個外電極131的工藝，但可在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向的另一個端表面上形成另一個外電極。

根據(jù)示例性實施例的制造多層陶瓷電子組件的方法還可包括在外電極上形成鍍層。鍍層可包括鎳鍍層和形成在鎳鍍層上的錫鍍層，但不一定局限于此。

多層陶瓷電子組件

在下文中將對根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件(特別是多層陶瓷電容器)進行描述。然而，根據(jù)本公開的多層陶瓷電子組件不局限于此。

圖4是根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件的透視圖，圖5是沿圖4的i-i’線截取的剖面圖，圖6是圖5的區(qū)域a的放大圖。

參照圖4至圖6，根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件100可包括：陶瓷主體110，包括內電極121和122；外電極131和132。

陶瓷主體110可呈六面體的形式，所述六面體具有在長度方向l上的兩個端表面、在寬度方向w上的兩個側表面以及在厚度方向t上的兩個側表面(即，上表面和下表面)。陶瓷主體110可通過在厚度方向t上堆疊多個介電層111，然后燒結所述多個介電層111而形成。陶瓷主體110的形狀和尺寸以及堆疊的介電層111的數(shù)量不限于本示例性實施例中示出的示例的形狀和尺寸以及堆疊的介電層的數(shù)量。

形成陶瓷主體110的所述多個介電層111可處于燒結態(tài)，相鄰的介電層111可彼此結合在一起，所以在不使用掃描電子顯微鏡(sem)的情況下，它們之間的界線不明顯。

介電層111可具有根據(jù)多層陶瓷電子組件100的電容設計而任意改變的厚度，并可包括具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末顆粒(諸如鈦酸鋇(batio3)基粉末顆?；蜮佀徭J(srtio3)基粉末顆粒)。然而，根據(jù)本公開的介電層111的材料不局限于此。另外，根據(jù)本公開的目的，可將各種陶瓷添加劑、有機溶劑、增塑劑、粘合劑、分散劑等添加到陶瓷粉末顆粒中。

雖然對用于形成介電層111的陶瓷粉末顆粒的平均粒徑并沒有具體地限定，但可對其進行控制以實現(xiàn)本公開的目的。例如，用于形成介電層111的陶瓷粉末顆粒的平均粒徑可被控制為400nm或更小。

內電極121和122可包括成對設置且具有不同極性的多個第一內電極121和多個第二內電極122，并可以與介于它們之間的在陶瓷主體110的厚度方向t上堆疊的所述多個介電層111中的每個形成預定的厚度。

第一內電極121和第二內電極122可通過印刷包括導電金屬的導電膏而形成為交替地暴露于陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向l的各自的端表面，并可通過介于它們之間的各自的介電層111而彼此電絕緣。

第一內電極121和第二內電極122可電連接到形成在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向l上的各自的端表面上的各自的第一外電極131和第二外電極132?？赏ㄟ^交替地暴露于陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的各自的端表面上的部分進行電連接。

當電壓施加到第一外電極131和第二外電極132時，可在彼此面對的第一內電極121和第二內電極122之間累積電荷。在這種情況下，多層陶瓷電容器100的電容可與第一內電極121和第二內電極122彼此重疊的區(qū)域的面積成比例。

當?shù)谝粌入姌O121和第二內電極122彼此重疊的區(qū)域的面積顯著增加時，即使電容器具有相同的尺寸，電容也可顯著地增加。

根據(jù)示例性實施例，由于外電極薄且厚度均勻，因而內電極彼此重疊的面積可顯著地增加，從而可實現(xiàn)高電容的多層陶瓷電容器。

第一內電極121和第二內電極122的寬度可根據(jù)多層陶瓷電容器的預期用途而確定。例如，考慮到陶瓷主體110的尺寸，第一內電極121和第二內電極122的寬度可確定為在0.2μm至1.0μm的范圍內。然而，根據(jù)本公開的第一內電極121和第二內電極122的寬度不局限于此。

用于第一內電極121和第二內電極122的包含在導電膏中的導電金屬可以是鎳(ni)、銅(cu)、鈀(pd)、銀(ag)、鉛(pb)或鉑(pt)或者它們的合金。然而，根據(jù)本公開的導電金屬不局限于此。

外電極131和132可包括分別設置在陶瓷主體110的外表面上的第一外電極131和第二外電極132。

外電極131和132可僅分別設置在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向上的端表面上。

外電極131和132可設置在陶瓷主體110的在長度方向上的各自的端表面上，直到對應的陶瓷主體110的拐角部分。

外電極131和132可分別包括第一電極層131a和132a以及鍍層131b、131c、132b和132c，如圖5所示。

第一外電極131可包括設置在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向l上的一個表面上的第一電極層131a以及設置在第一電極層131a上的鍍層131b和131c。

第二外電極132可包括設置在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向l上的另一表面上的第一電極層132a以及設置在第一電極層132a上的鍍層132b和132c。

在相關技術中，外電極通過將陶瓷主體110浸入包含金屬成份的膏中而形成。

當通過浸漬法形成外電極時，由于膏的流動性和粘性，因而用于外電極的膏沒有得到均勻地涂敷，從而在外電極的中央部分和拐角部分的厚度之間產生了差異。

當外電極的厚度不均勻時，在所涂敷的膏厚的中央部分產生玻璃珠或玻璃泡，造成鍍層缺陷和/或形狀缺陷，并且在所涂敷的膏薄的拐角部分容易產生鍍液的滲透，使得可靠性劣化。

當在拐角部分增加膏的厚度以避免鍍液的滲透時，中央部分的膏的厚度增加，這樣便限制了通過增加陶瓷電容器的尺寸以提高電容的能力。

因此，在本公開的示例性實施例中，第一電極層131a和132a可分別設置在陶瓷主體110的長度方向l上的各自的端表面上，鍍層131b和131c可設置在第一電極層131a上，鍍層132b和132c可設置在第一電極層132a上。

由于沒有根據(jù)相關技術通過浸漬法形成第一電極層131a和132a，因而可在與陶瓷主體的在陶瓷主體110的長度方向l上的端表面相對應的頭表面上形成第一電極層131a和132a，并可在與接觸頭部表面的四個表面相對應的所有帶部表面上以盡可能小的尺寸形成或不形成第一電極層131a和132a。因此，外電極可以以薄且均勻的厚度形成。

因此，內電極的形成面積可增加，從而可顯著增加內電極彼此重疊的面積，以實現(xiàn)高電容的多層陶瓷電容器。

根據(jù)示例性實施例，與根據(jù)相關技術的浸漬法不同，第一電極層131a和132a可通過片轉移法或墊轉移法而形成。

參照圖5和圖6，可以理解的是，第一電極層131a和132a設置至陶瓷主體110的拐角部分，并且沒有形成在與接觸頭部表面的四個表面相對應的所有帶部表面上。

第一電極層131a和132a可通過轉移包含導電金屬的片而形成。

第一電極層131a和132a可由與第一內電極121和第二內電極122的導電金屬相同的導電金屬形成，但不限于此。例如，第一電極層131a和132a可由銅(cu)、銀(ag)、鎳(ni)或它們的合金形成。

鍍層131b和131c可設置在第一電極層131a上，鍍層132b和132c可設置在第一電極層132a上。

也就是說，鍍層131b、131c、132b和132c可設置在與在陶瓷主體110的長度方向l上的端表面相對應的頭部表面上。

具體地，鍍層131b、131c、132b和132c可形成在與陶瓷主體110的在陶瓷主體110的長度方向l上的端表面相對應的頭部表面上，并可不在陶瓷主體110的在陶瓷主體110的寬度方向上的兩個側表面和陶瓷主體110的上表面和下表面上形成。

鍍層131b、131c、132b和132c可包括鎳鍍層131b和132b以及分別設置在鎳鍍層131b和132b上的錫鍍層131c和132c，但不限于此。

根據(jù)示例性實施例，厚度t2和t1的比滿足范圍0.8≤t2/t1≤1.2，以減小厚度t1和t2之間的偏差，從而防止可靠性的劣化。

當t2/t1小于0.8或大于1.2時，外電極的厚度之間的偏差大，使得鍍液會滲入外電極的薄的部分中，從而使可靠性劣化。

已從多層陶瓷電子組件的示例性實施例的這些描述中省略了與上述關于制造多層陶瓷電子組件的方法的內容重復的內容。

如上所述，在根據(jù)本公開的示例性實施例的多層陶瓷電子組件中，外電極可具有薄且均勻的厚度，因此可增加內電極的形成面積，使得內電極彼此重疊的面積可顯著地增加，從而可實現(xiàn)高電容的多層陶瓷電容器。

另外，根據(jù)外電極的位置的厚度之間的偏差可減小，從而可實現(xiàn)具有優(yōu)異的可靠性的超小型高電容多層陶瓷電容器。

雖然以上已經示出和描述了示例性實施例，但對本領域技術人員將顯而易見的是，在不脫離由權利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行修改和變型。