低色偏耐繞曲阻隔膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及導(dǎo)電膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低色偏耐繞曲阻隔膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 阻隔膜能夠抵抗水分滲透，較常用于液晶顯示面板上，以防止液晶與有機(jī)發(fā)光材 料的老化?，F(xiàn)有常用的阻隔膜，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括基材層21，設(shè)置在基材層21表面的 SiNx層22或SiOy層22,以及設(shè)置在SiNx層22或SiO y層22上的聚合物層23,基材層21底面進(jìn)一 步包括一背涂層24。上述阻隔膜中采用SiNx層時，阻隔效果佳，然光線透過率低，色偏嚴(yán)重； 上述阻隔膜中采用SiO y層時，透過率高，低色偏，然密著差。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003] 鑒于以上所述，本實(shí)用新型研發(fā)一種透過率高、低色偏、阻隔效果佳的低色偏耐繞 曲阻隔膜。
[0004] -種低色偏耐繞曲阻隔膜，包括基材層，依序?qū)釉O(shè)在基材層頂面上的SiNjl、SiOy 層與有機(jī)涂層，以及設(shè)置在基材層底面的背涂層，其中，SiNx層的厚度在3nm至40nm之間，X 取值1至4/3之間，S i0y層厚度在20nm至120nm之間，y取值1 · 8至2之間。
[0005] 進(jìn)一步地，所述基材層厚度12um至260um之間。
[0006] 進(jìn)一步地，所述SiNx層厚度在3nm至20nm之間。
[0007] 更進(jìn)一步地，所述SiNx層厚度在5nm至20nm之間。
[0008] 進(jìn)一步地，所述SiOy層厚度在30nm至120nm之間。
[0009] 更進(jìn)一步地，所述SiOy層厚度在30nm至90nm之間。
[0010] 本實(shí)用新型的有益效果，本實(shí)用新型低色偏耐繞曲阻隔膜整合現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)， 并加以設(shè)計光學(xué)厚度，達(dá)到透過率高、低色偏、阻隔效果佳的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】

[0011] 上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了更清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù) 方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，描述中的附圖 僅僅是對應(yīng)于本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，在不付出創(chuàng)造性 勞動的前提下，在需要的時候還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012] 圖1為現(xiàn)有阻隔膜的層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013] 圖2為本實(shí)用新型低色偏耐繞曲阻隔膜的層結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014] 為了詳細(xì)闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定技術(shù)目的而所采取的技術(shù)方案，下面將結(jié)合 本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯 然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，并且，在不付 出創(chuàng)造性勞動的前提下，本實(shí)用新型的實(shí)施例中的技術(shù)手段或技術(shù)特征可以替換，下面將 參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型。
[0015] 請參閱圖2,一種低色偏耐繞曲阻隔膜，包括基材層11，依序?qū)釉O(shè)在基材層11頂面 上的SiNx層12、Si0 y層13與有機(jī)涂層14,以及設(shè)置在基材層11底面的背涂層15。
[0016] 基材層11材質(zhì)為PET、PEN、⑶P或⑶C任一種或幾種的組合，如PET基材層、PEN基材 層、C0P基材層或C0C基材層等?；膶?1厚度12-260um之間。
[0017] SiNx層12通過以濺鍍或蒸鍍方式形成在基材層11表面，N與Si的比例需控制在x = 1-4/3之間，才能達(dá)到Si與N的完整鍵結(jié)狀態(tài)。SiNx層12厚度在3nm-40nm之間，較佳地選擇在 3nm_20nm之間，最佳為5nm-20nm之間。
[0018] SiOy層13通過濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法或等離子體CVD法制作在SiNx層12表 面，0與Si比例需控制在y= 1.8-2之間，若y低于1.8則會造成折射率偏高，影響整體光學(xué)設(shè) 計。SiOy層厚度20nm-120nm間，較佳地選擇在30nm-120nm之間，最佳為在30nm-90nm之間。 [0019]有機(jī)涂層14的材質(zhì)為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二醇 酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺或聚苯乙烯中的一種或幾種的組合。如聚對苯二甲酸乙二 醇酯涂層、聚乙烯涂層、聚丙烯涂層等。
[0020] 背涂層15的材質(zhì)為聚氨脂丙烯酸酯、己基脂丙烯酸酯衍生物或二季戊四醇五丙烯 酸酯中的一種或幾種的組合。如聚氨脂丙烯酸酯涂層、己基脂丙烯酸酯衍生物涂層等。
[0021] 對低色偏耐繞曲阻隔膜的各個性能指標(biāo)進(jìn)行檢測，具體選用的實(shí)施例可參下表 〇
[0022] 表一
[0023]
[0025]具體選用的比較例可參下表二，表三。
[0026] 表二
[0027]
[0031] 表一，表二，表三中的符號說明，ΛΤ:鍍膜前后透過率差異。（鍍膜后-鍍膜前），負(fù) 值表透過率下降，正值表透過率上升。
[0032] 反射AEab:鍍刖后色偏值。.4&為激.我|4 -纖.參魏-為^ 約低則色差越輕微，當(dāng)色差值>8時，則有明顯色差現(xiàn)象。量測基材反射Lab值:L0，a0，b0;量 測度膜后反射Lab值:LI，al，bl。
[0033] 耐彎折:經(jīng)彎折試驗后，檢視外觀是否出現(xiàn)裂痕。將片材裁成長20cm寬10cm之大 小，荷重500g，于卷徑10mm的圓柱棒上繞曲一次，然后以三波段燈源觀察膜面是否出先裂 痕，無裂痕則判定為0,輕微裂痕Λ，嚴(yán)重裂痕X。
[0034] RA密著性:將片材置入溫度85°C濕度85 %的恒溫恒濕設(shè)備中，放置1000小時后取 出，以百格刀于表面上畫出100格1mm xlmm的小格，貼上3M公司生產(chǎn)型號為610的測試膠帶， 撕除膠帶后檢視鍍層或涂層是否出現(xiàn)脫落。完全未脫落則為5B;脫落5% :4B;脫落5-15% : 38;脫落15-35%:28;脫落35-65%:18;脫落大于65%:(?。
[0035] WVTR(阻水率）：以M0C0N公司生產(chǎn)之測試設(shè)備，測試溫度38°C濕度100%條件下，片 材的阻水能力，數(shù)值越低則阻水效果越佳。
[0036]對表二中比較例中進(jìn)行對比，比較例2與比較例1對比：SiNx鍍層可有效改善阻隔 效果，但因 SiNx為高折射率材料，亦會造成透過率下降。
[0037]比較例2-12對比：SiNx鍍層越厚時，阻隔效果越佳。當(dāng)SiNx厚度超過10nm時，其透過 率下降超過1 %，影響產(chǎn)品整體透過率。當(dāng)SiNx厚度超過20nm時，反射觀測時，則出現(xiàn)嚴(yán)重的 色差。
[0038]比較例10:當(dāng)SiNx厚度達(dá)到160nm時，耐彎折效果便差，會出現(xiàn)輕微裂痕。
[0039] 比較例11 -12:當(dāng)SiNx厚度達(dá)到180nm以上時，經(jīng)耐彎折測試后出現(xiàn)明顯裂痕。
[0040] 對表三中比較例進(jìn)行對比，
[0041 ]比較例13 : SiOy相對PET基材而言唯一低折射率材料，當(dāng)厚度達(dá)到1 Onm時，除透過 率、色差皆可達(dá)到要求，亦可達(dá)到部分阻隔效果，但經(jīng)過RA密著后，與基材間附著力出現(xiàn)問 題。
[0042]比較13-20:隨SiOy厚度增加，除阻隔效果更佳外，也可部分改善RA密著的效果，但 最佳狀態(tài)只能達(dá)到3B的水平，仍有鍍層脫落的問題。
[0043]比較例21:當(dāng)SiOy厚度為160nm時，與SiNx鍍層相似，出現(xiàn)彎折測試后輕微龜裂的 現(xiàn)象。
[0044]比較例22-23:當(dāng)SiOy厚度達(dá)到180nm時，片材經(jīng)耐彎折測試后出現(xiàn)明顯裂痕。
[0045]對表一中實(shí)施例與表二、表三中的比較例進(jìn)行對比，
[0046] 實(shí)施例1與比較例15,16相比：于SiOy層下方多鍍上SiNx層時，可將RA密著改善至4B 的效果。
[0047] 實(shí)施例2:當(dāng)?shù)讓覵iNx層厚度達(dá)到3nm以上時，可有效改善RA密著的效果，達(dá)到5B。 [0048] 實(shí)施例2-5對比：SiOy厚度低于20nm時，會造成透過率些微下降，低于原基材之透 過率。
[0049] 實(shí)施例9-13可看出：當(dāng)SiNx厚度達(dá)到60nm以上時，色差會超過8%，可觀察到明顯 的色偏現(xiàn)象。因此SiNx厚度以40nm以下為佳。
[0050] 實(shí)施例5，13可看出：當(dāng)總鍍膜厚度達(dá)到170nm時，一樣出現(xiàn)不耐彎折的問題，因此 總鍍膜厚度需控制在170nm之下。
[0051] 綜上，本實(shí)用新型低色偏耐繞曲阻隔膜整合現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，并加以設(shè)計光學(xué)厚 度，達(dá)到透過率高、低色偏、阻隔效果佳的優(yōu)點(diǎn)；因 SiNx與Si0y結(jié)晶顆粒大小不相同，兩者混 合搭配時，可互補(bǔ)顆粒間的間隙，達(dá)到阻隔性更佳的效果。
[0052]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對本實(shí)用新型作任何形式上 的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟 悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi) 容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi) 容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)，在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，對以上實(shí)施例所作的任 何簡單的修改、等同替換與改進(jìn)等，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種低色偏耐繞曲阻隔膜，包括基材層，其特征在于:低色偏耐繞曲阻隔膜包括依序 層設(shè)在基材層頂面上的SiNx層、SiO y層與有機(jī)涂層，以及設(shè)置在基材層底面的背涂層，其中， SiNx層的厚度在3nm至40nm之間，X取值1至4/3之間，SiOy層厚度在20nm至120nm之間，y取值 1.8至2之間。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色偏耐繞曲阻隔膜，其特征在于:所述基材層厚度12um至 260um之間。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色偏耐繞曲阻隔膜，其特征在于:所述SiNx層厚度在3nm至 20nm之間。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低色偏耐繞曲阻隔膜，其特征在于:所述SiNx層厚度在5nm至 20nm之間。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低色偏耐繞曲阻隔膜，其特征在于:所述SiOy層厚度在30nm至 120nm之間。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的低色偏耐繞曲阻隔膜，其特征在于:所述SiOy層厚度在30nm至 90nm之間。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種低色偏耐繞曲阻隔膜，包括基材層，依序?qū)釉O(shè)在基材層頂面上的SiNx層、SiOy層與有機(jī)涂層，以及設(shè)置在基材層底面的背涂層，其中，SiNx層厚度在20nm至120nm之間，x取值1至4/3之間，SiOy層的厚度在3nm至40nm之間，y取值1.8至2之間。本實(shí)用新型所述的低色偏耐繞曲阻隔膜透過率高，低色偏，阻隔效果佳。
【IPC分類】H01M2/16
【公開號】CN205385058
【申請?zhí)枴緾N201620047247
【發(fā)明人】胡文瑋
【申請人】汕頭萬順包裝材料股份有限公司, 汕頭萬順包裝材料股份有限公司光電薄膜分公司
【公開日】2016年7月13日
【申請日】2016年1月16日