技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，包括依次相鄰設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的量子點(diǎn)為MA1?xCsxPbX3，其中0＜x＜1，MA為甲胺，X為鹵素。本發(fā)明還公開了量子點(diǎn)發(fā)光器件的制備方法，該量子點(diǎn)發(fā)光器件可用于液晶顯示裝置。本發(fā)明利用一種高質(zhì)量鈣鈦礦型量子點(diǎn)MA1?xCsxPbX3作為發(fā)光層材料，量子點(diǎn)發(fā)光器件具有高電流效率、高外量子效率、高發(fā)光亮度、低開啟電壓、性能穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)簡單、制備簡易等特性，在信息顯示領(lǐng)域中有很好的應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：徐冰;王愷;孫小衛(wèi);張曉利;郝俊杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東昭信光電科技有限公司
文檔號碼：201611111072
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.06
技術(shù)公布日：2017.05.31