1.一種量子點(diǎn)發(fā)光器件，包括依次相鄰設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的量子點(diǎn)為MA1-xCsxPbX3，其中0＜x＜1，MA為甲胺，X為鹵素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料選自金、銅、鉑、鈀、ITO、鋁摻氧化鋅、鎵摻氧化鋅、鎘摻氧化鋅、銅銦氧化物、在ITO表面旋涂導(dǎo)電聚合物形成的陽極材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料選自聚3，4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽、摻雜聚（全氟乙烯-全氟醚磺酸）的聚噻吩并噻吩。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自4-丁基-N，N-二苯基苯胺均聚物、N，N′-雙（1-奈基）-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺、N，N′-雙（3-甲基苯基）-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺、聚（9，9-二辛基芴-共-N-（4-丁基苯基）二苯基胺）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自TPBi、Alq3、TAZ、PBD、Beq2、DPVBi。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為LiF。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材料選自Al、Ag、Mg、Li、Ca、In。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)按照以下步驟制備：
S1、HX和甲胺反應(yīng)制備MAX；
S2、MAX和CsX、PbX2混合得溶液A，加入油酸和油胺得溶液B，將溶液B滴加到甲苯溶液中形成鈣鈦礦型量子點(diǎn)；
S3、對鈣鈦礦型量子點(diǎn)提純。
9.一種制備權(quán)利要求1~8任意一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將ITO導(dǎo)電玻璃清洗后置于紫外臭氧機(jī)中處理；
S2、在ITO導(dǎo)電玻璃上旋涂空穴注入層材料，烘烤；
S3、在空穴注入層上旋涂空穴傳輸層材料，烘烤；
S4、在空穴傳輸層上旋涂量子點(diǎn)溶液，形成量子點(diǎn)發(fā)光層；
S5、在真空環(huán)境下熱蒸發(fā)，依次沉積電子傳輸層材料、電子注入層材料和陰極材料；
S6、使用紫外固化膠封裝器件。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括權(quán)利要求1~8任意一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)發(fā)光器件。