技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種HIT(Heterojunction?with?Intrinsic?Thin?layer)太陽(yáng)能電池及其制備方法，該電池的組成包括N型單晶硅襯底(N?c?Si)、本征氫化非晶硅層(a?Si：H)、低氫氣稀釋比(RH)的P型微晶硅層、高RH的P型微晶硅層、ITO(indium?tin?oxide)透明導(dǎo)電薄膜、正面柵線電極、DBRs(Distributed?Bragg?reflectors)、背電極。DBRs是由三層重?fù)诫sN型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜構(gòu)成。本發(fā)明優(yōu)化了HIT太陽(yáng)能電池窗口層和背反射層的結(jié)構(gòu)，能夠大大提升電池對(duì)近紅外光的吸收，降低串聯(lián)電阻，提升開(kāi)路電壓和短路電流，進(jìn)而提升太陽(yáng)能電池效率。

技術(shù)研發(fā)人員：曾祥斌;郭富城;徐素娥;李寒劍;丁佳;王文照;王碩;付永勝;胡一說(shuō);周廣通;吳少雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華中科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611090552
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.03.22