功率元件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供了一種功率元件，包括氧化層、多晶硅柵層、絕緣層、金屬層、第一護(hù)層、第二護(hù)層、P型阱、N+摻雜層、P+摻雜層、襯底、凹槽，P型阱位于襯底的上方，氧化層、多晶硅柵層、N+摻雜層、P+摻雜層都位于絕緣層和P型阱之間，第一護(hù)層位于金屬層和第二護(hù)層之間，凹槽穿過(guò)第一護(hù)層、第二護(hù)層后延伸到金屬層中。本實(shí)用新型可抑制鋁硅接口刺穿的問(wèn)題，從而不對(duì)功率元件造成損害。
【專(zhuān)利說(shuō)明】功率元件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體元件，具體地，涉及一種功率元件。

【背景技術(shù)】
[0002]鋁硅接口刺穿(spike)對(duì)元件的損害已經(jīng)成為的半導(dǎo)體工藝的良率和可靠度問(wèn)題之一，現(xiàn)有技術(shù)中沒(méi)有能夠有效抑制鋁硅接口刺穿的技術(shù)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種功率元件，其可抑制鋁硅接口刺穿的問(wèn)題，從而不對(duì)功率元件造成損害。
[0004]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種功率元件，其特征在于，包括氧化層、多晶硅柵層、絕緣層、金屬層、第一護(hù)層、第二護(hù)層、P型阱、N+摻雜層、P+摻雜層、襯底、凹槽，P型阱位于襯底的上方，氧化層、多晶硅柵層、N+摻雜層、P+摻雜層都位于絕緣層和P型阱之間，第一護(hù)層位于金屬層和第二護(hù)層之間，凹槽穿過(guò)第一護(hù)層、第二護(hù)層后延伸到金屬層中。
[0005]優(yōu)選地，所述襯底的材料為硅。
[0006]優(yōu)選地，所述金屬層的材料是鋁。
[0007]優(yōu)選地，所述第一護(hù)層的材料為非晶硅。
[0008]優(yōu)選地，所述第二護(hù)層的材料為氮化硅或氮氧化硅。
[0009]優(yōu)選地，所述襯底的厚度大于P型阱的厚度。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下的有益效果:本實(shí)用新型可抑制鋁硅接口刺穿的問(wèn)題，從而不對(duì)功率元件造成損害。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0012]圖1為本實(shí)用新型形成第一護(hù)層后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為本實(shí)用新型形成第二護(hù)層后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3為本實(shí)用新型形成凹槽后的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本實(shí)用新型，但不以任何形式限制本實(shí)用新型。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0016]如圖1至圖3所示，本實(shí)用新型功率元件包括氧化層1、多晶硅柵層2、絕緣層3、金屬層4、第一護(hù)層5、第二護(hù)層6、P型阱7、N+摻雜層8、P+摻雜層9、襯底10、凹槽11，P型阱7位于襯底10的上方，氧化層1、多晶硅柵層2、N+摻雜層8、P+摻雜層9都位于絕緣層3和P型阱7之間，第一護(hù)層5位于金屬層4和第二護(hù)層6之間，凹槽11穿過(guò)第一護(hù)層5、第二護(hù)層6后延伸到金屬層4中。
[0017]襯底的材料可以為硅。金屬層的材料可以是鋁。第一護(hù)層的材料為非晶硅。第二護(hù)層的材料為氮化硅或氮氧化硅。襯底10的厚度大于P型阱7的厚度，這樣增加穩(wěn)定性。
[0018]第一護(hù)層具導(dǎo)電特性且沉積于金屬層之上，第二護(hù)層具絕緣特性且沉積于第一護(hù)層之上，通過(guò)第一護(hù)層提供金屬鋁的硅濃度，可抑制鋁硅接口刺穿的問(wèn)題，從而不對(duì)功率元件造成損害。另外，通過(guò)第一型護(hù)層的導(dǎo)電特性，可以均勻局部電荷，改善組件因局部高電場(chǎng)崩潰的問(wèn)題。第二護(hù)層通過(guò)第一層護(hù)層提供金屬鋁的硅濃度，抑制鋁硅接口刺穿的問(wèn)題，從而不對(duì)功率元件造成損害。
[0019]以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實(shí)用新型并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1.一種功率元件，其特征在于，包括氧化層、多晶硅柵層、絕緣層、金屬層、第一護(hù)層、第二護(hù)層、P型阱、N+摻雜層、P+摻雜層、襯底、凹槽，P型阱位于襯底的上方，氧化層、多晶硅柵層、N+摻雜層、P+摻雜層都位于絕緣層和P型阱之間，第一護(hù)層位于金屬層和第二護(hù)層之間，凹槽穿過(guò)第一護(hù)層、第二護(hù)層后延伸到金屬層中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述襯底的材料為硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述金屬層的材料是鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述第一護(hù)層的材料為非晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述第二護(hù)層的材料為氮化硅或氮氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率元件，其特征在于，所述襯底的厚度大于P型阱的厚度。
【文檔編號(hào)】H01L23/485GK204257623SQ201420736122
【公開(kāi)日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】廖奇泊, 陳俊峰, 周雯 申請(qǐng)人:上海芯亮電子科技有限公司