一種抗干擾型磁記憶開關(guān)的制作方法
【專利摘要】一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，包括外殼、干簧管，磁性模塊、引線，外殼與干簧管之間設(shè)有屏蔽層，所述屏蔽層為圓柱體形的封閉層，或外殼外包裹有屏蔽層，所述屏蔽層為CO-NETICAA箔材。本實(shí)用新型一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，在確保磁記憶開關(guān)正確動作的前提下，該磁記憶開關(guān)抗電磁干擾的能力增強(qiáng)，動作準(zhǔn)確率高。
【專利說明】一種抗干擾型磁記憶開關(guān)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種磁記憶開關(guān)，特別是一種抗干擾型磁記憶開關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]磁記憶開關(guān)的重要構(gòu)成部件為干簧管，也稱舌簧管或磁簧開關(guān)，是一種磁敏的特殊開關(guān)。干簧管的工作原理:兩片端點(diǎn)處重疊的可磁化的簧片、密封于玻璃管中。兩片簧片分隔的距離僅約幾個微米，玻璃管中裝填有高純度的惰性氣體，在尚未動作時，兩片簧片并未接觸。外加的磁場使兩片簧片端點(diǎn)位置附近產(chǎn)生不同的極性，結(jié)果兩片不同極性的簧片將互相吸引并閉合。目前，浮子式液位計在水電廠中得到較為廣泛的應(yīng)用，主要應(yīng)用在三部軸承油位的測量指示和油位過低、過高故障報警。磁記憶開關(guān)是浮子式液位計的重要組成部分，用于浮子式液位計的位置報警。
[0003]磁記憶開關(guān)中的干簧管是一種磁敏元件，受電磁場影響而接點(diǎn)產(chǎn)生變化。而在水電廠內(nèi)的一些特定場所中，電磁場干擾是無法避免的，所以在一些存在電磁場干擾的場所中，磁記憶開關(guān)的誤動作率增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，在確保磁記憶開關(guān)正確動作的前提下，該磁記憶開關(guān)抗電磁干擾的能力增強(qiáng)，動作準(zhǔn)確率高。
[0005]本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為:一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，包括外殼、干簧管，磁性模塊、引線，外殼與干簧管之間設(shè)有屏蔽層，所述屏蔽層為圓柱體形的封閉層，所述屏蔽層為CO-NETIC AA箔材。
[0006]所述屏蔽層包括頂端面、圓柱體側(cè)面、底端面，頂端面和圓柱體側(cè)面安裝在外殼內(nèi)的安裝孔內(nèi)，干簧管、磁性模塊、引線位于圓柱體側(cè)面內(nèi)，引線從底端面中穿出。
[0007]所述屏蔽層厚度0.1_。
[0008]一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，包括外殼、干簧管，磁性模塊、引線，外殼I外包裹有屏蔽層，所述屏蔽層為CO-NETIC AA箔材。
[0009]本實(shí)用新型一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，有益效果如下:
[0010]I)、當(dāng)磁場的頻率很低:工頻或10KHz以下時，傳統(tǒng)的屏蔽方法幾乎沒有作用。低頻磁場一般由馬達(dá)、發(fā)電機(jī)、變壓器等設(shè)備產(chǎn)生。這些磁場會對利用磁場工作的設(shè)備產(chǎn)生影響。CO-NETIC材料具有極高的導(dǎo)磁率，可以有效衰減低頻磁場干擾，達(dá)到極高磁場屏蔽。CO-NETIC材料有極好的抗磁飽和能力，能在強(qiáng)磁場產(chǎn)生一定衰減。
[0011]2)、頂端面、圓柱體側(cè)面、底端面形成密閉空間，有利于增強(qiáng)屏蔽效果。
[0012]3)、加強(qiáng)磁記憶開關(guān)對低頻磁場的抗干擾能力，減少磁記憶開關(guān)在復(fù)雜環(huán)境下的誤動作率。
【專利附圖】

【附圖說明】[0013]圖1為本實(shí)用新型磁記憶開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2為本實(shí)用新型屏蔽層結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]實(shí)施例1:
[0016]如圖1、圖2所示，一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，包括外殼1、干簧管2，磁性模塊3、引線4，外殼I與干簧管2之間設(shè)有屏蔽層5，所述屏蔽層5為圓柱體形的封閉層，所述屏蔽層5為CO-NETIC AA箔材。所述屏蔽層5厚度0.1mm。所述屏蔽層5包括頂端面5.1、圓柱體側(cè)面5.2、底端面5.3，頂端面5.1和圓柱體側(cè)面5.2安裝在外殼I內(nèi)的安裝孔內(nèi)，干簧管2、磁性模塊3、引線4位于圓柱體側(cè)面5.2內(nèi)，引線4從底端面5.3中穿出。
[0017]將CO-NETIC AA箔材，依照磁記憶開關(guān)內(nèi)安裝孔尺寸，裁減成頂端面5.1、圓柱體側(cè)面5.2、底端面5.3。將頂端面5.1和圓柱體側(cè)面5.2安裝至磁記憶開關(guān)的安裝孔內(nèi)，再將干簧管2及引線4放至屏蔽層5中，將引線4從底端面5.3中穿出，并盡量讓底端面5.3與圓柱體側(cè)面5.2形成密閉空間，這樣有利于增強(qiáng)屏蔽效果。
[0018]實(shí)施例2:
[0019]一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，包括外殼1、干簧管2，磁性模塊3、引線4，外殼I外包裹有屏蔽層，所述屏蔽層為CO-NETIC AA箔材，實(shí)施例2具有與實(shí)施例1相同的技術(shù)效果。
【權(quán)利要求】
1.一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，包括外殼(I)、干簧管(2)，磁性模塊(3)、引線(4)，其特征在于，外殼(I)與干簧管(2)之間設(shè)有屏蔽層(5)，所述屏蔽層(5)為圓柱體形的封閉層，所述屏蔽層(5)為CO-NETIC AA箔材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，其特征在于，所述屏蔽層(5)包括頂端面(5.1)、圓柱體側(cè)面(5.2)、底端面(5.3)，頂端面(5.1)和圓柱體側(cè)面(5.2)安裝在外殼(O內(nèi)的安裝孔內(nèi)，干簧管(2)、磁性模塊(3)、引線(4)位于圓柱體側(cè)面(5.2)內(nèi)，引線(4)從底端面(5.3)中穿出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，其特征在于，所述屏蔽層(5)厚度 0.1mnin
4.一種抗干擾型磁記憶開關(guān)，包括外殼(I)、干簧管(2)，磁性模塊(3)、引線(4)，其特征在于，外殼(I)外包裹有屏蔽層，所述屏蔽層為CO-NETIC AA箔材。
【文檔編號】H01H9/02GK203826286SQ201420241318
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
【發(fā)明者】譚勇, 楊云, 徐亮 申請人:中國長江電力股份有限公司