天線裝置制造方法
【專利摘要】一種天線裝置，包括一底板及多個(gè)天線單元。底板具有貫穿底板的多個(gè)開槽。天線單元以一體不可分離的方式與底板相連。各天線單元的部分體積位于各開槽內(nèi)，且各天線單元的部分體積位于各開槽外且凸出于底板，藉以獲得一體成型的天線裝置。
【專利說明】天線裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種天線，特別涉及一種一體成型的天線裝置。
[0002]

【背景技術(shù)】
[0003]隨著無線通訊科技的發(fā)展，各種應(yīng)用于多頻傳輸?shù)漠a(chǎn)品也孕育而生。如移動電話、平板電腦、全球定位系統(tǒng)(global posit1ning system,GPS)等通訊設(shè)備,常需藉助適合的天線裝置設(shè)計(jì)，藉以達(dá)到最佳的效能。天線裝置是在無線傳輸中用以發(fā)送和接收電磁波能量的重要元件，讓使用者可不受地形及環(huán)境限制，而順利的利用無線通訊系統(tǒng)進(jìn)行信息傳輸。
[0004]目前的天線裝置中，通常會將多個(gè)天線單元鎖固于一基板上，以因應(yīng)多頻段的需求。然而，由于必須考慮到天線裝置增益及阻抗匹配等問題，致使天線裝置及使用其的電子設(shè)備在設(shè)計(jì)及布線上變得相當(dāng)復(fù)雜，進(jìn)而使制造與組裝過程變得復(fù)雜。而且，在組裝繁復(fù)的情況下，容易因組裝公差而造成天線裝置的效能不穩(wěn)定。
[0005]實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于以上的問題，本實(shí)用新型的目的在于提出一種天線裝置，藉以改善設(shè)計(jì)及布線復(fù)雜、組裝繁復(fù)及效能不穩(wěn)定等問題。
[0007]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種天線裝置，其包括:
[0008]一底板，具有貫穿該底板的多個(gè)開槽；以及
[0009]多個(gè)天線單元，以一體不可分離的方式與該底板相連，各該天線單元的部分體積位于各該開槽內(nèi)，且各該天線單元的部分體積位于各該開槽外且凸出于該底板；
[0010]其中各該天線單元包括一阻抗匹配部、一信號饋入部及至少一輻射部，各該阻抗匹配部與形成各該開槽的一端的該底板相連，各該信號饋入部與各該阻抗匹配部相連，各該阻抗匹配部與至少部分的各該信號饋入部位于各該開槽內(nèi)，各該至少一輻射部與各該信號饋入部相連并自各該信號饋入部彎折而位于各該開槽外。
[0011]上述的天線裝置，其中該底板的形狀為六邊形，該些天線單元的數(shù)量為六個(gè)，各該阻抗匹配部具有一延伸方向，各該延伸方向與該底板的各邊長正交。
[0012]上述的天線裝置，其中該些天線單元包括多個(gè)第一天線單元及多個(gè)第二天線單元，該些第一天線單元的外觀與該些第二天線單元的外觀相異，該些開槽包括多個(gè)第一開槽及多個(gè)第二開槽，該些第一開槽的外觀與該些第二開槽的外觀相異，各該第一天線單元的部分體積位于各該第一開槽內(nèi)，各該第二天線單元的部分體積位于各該第二開槽內(nèi)。
[0013]上述的天線裝置，其中該些第一天線單元與該些第二天線單元環(huán)繞于一基準(zhǔn)點(diǎn)且彼此交錯(cuò)設(shè)置于該底板。
[0014]上述的天線裝置，其中各該第一天線單元包括一第一阻抗匹配部、一第一信號饋入部及一第一輻射部，各該第一阻抗匹配部與形成各該第一開槽的一端的該底板相連，各該第一信號饋入部與各該第一阻抗匹配部相連，各該第一阻抗匹配部與至少部分的各該第一信號饋入部位于各該第一開槽內(nèi)，各該第一輻射部與各該第一信號饋入部相連并自各該第一信號饋入部彎折而位于各該第一開槽外，且與該底板夾有一夾角。
[0015]上述的天線裝置，其中各該第一信號饋入部的寬度大于各該第一阻抗匹配部及各該第一輻射部，該些第一天線單元環(huán)繞于一基準(zhǔn)點(diǎn)而設(shè)置于該底板，各該第一輻射部以朝向該基準(zhǔn)點(diǎn)且遠(yuǎn)離該底板的方向延伸,各該第一輻射部與該底板的該夾角小于90度。
[0016]上述的天線裝置，其中各該第二天線單元包括一第二阻抗匹配部、一第二信號饋入部及二個(gè)第二輻射部，各該第二阻抗匹配部與形成各該第二開槽的一端的該底板相連，各該第二信號饋入部與各該第二阻抗匹配部相連，各該第二阻抗匹配部與各該第二信號饋入部位于各該第二開槽內(nèi)，各該二第二輻射部與各該第二信號饋入部相連并自各該第二信號饋入部彎折而位于各該第二開槽外，且與該底板夾有一夾角。
[0017]上述的天線裝置，其中各該第二開槽的形狀為T字形，各該第二信號饋入部以其中央部分與各該第二阻抗匹配部垂直相連而成T字形，各該第二輻射部與該底板的該夾角為90度。
[0018]上述的天線裝置，其中該些第一天線單元的頻帶范圍為2400百萬赫茲至2500百萬赫茲，該些第二天線單元的頻帶范圍為5100百萬赫茲至5900百萬赫茲。
[0019]根據(jù)本實(shí)用新型的天線裝置，能夠藉由天線單元以一體不可分離的方式與底板相連，而各天線單元的部分體積位于各開槽內(nèi)，部分體積位于各開槽外且凸出于底板，以獲得一體成型的天線裝置，進(jìn)一步簡化天線裝置的設(shè)計(jì)、布線、制造與組裝過程，因而能夠得到效能穩(wěn)定的天線裝置。
[0020]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本實(shí)用新型的限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1繪示依照本新型的實(shí)施例的天線裝置的立體圖；
[0022]圖2繪示圖1的天線裝置的俯視圖；
[0023]圖3繪示圖2沿3-3剖面的天線裝置的側(cè)視剖視圖；
[0024]圖4A繪示圖1的第一天線單元的電壓駐波比的數(shù)值分布圖；
[0025]圖4B繪示圖1的第二天線單元的電壓駐波比的數(shù)值分布圖；
[0026]圖5A繪示圖1的第一天線單元間的隔離度測試的曲線圖；
[0027]圖5B繪示圖1的第二天線單元間的隔離度測試的曲線圖；
[0028]圖6A繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0029]圖6B繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0030]圖6C繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0031]圖7A繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0032]圖7B繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0033]圖7C繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0034]圖8A繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0035]圖8B繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0036]圖SC繪示圖1的一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0037]圖9A繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0038]圖9B繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0039]圖9C繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0040]圖1OA繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0041]圖1OB繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0042]圖1OC繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0043]圖1lA繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0044]圖1lB繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0045]圖1lC繪示圖1的另一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0046]圖12A繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0047]圖12B繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0048]圖12C繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0049]圖13A繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0050]圖13B繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0051]圖13C繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0052]圖14A繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0053]圖14B繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0054]圖14C繪示圖1的又一第一天線單元于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0055]圖15A繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0056]圖15B繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0057]圖15C繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0058]圖16A繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0059]圖16B繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0060]圖16C繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0061]圖17A繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0062]圖17B繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0063]圖17C繪示圖1的一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0064]圖18A繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0065]圖18B繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0066]圖18C繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0067]圖19A繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0068]圖19B繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0069]圖19C繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0070]圖20A繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0071]圖20B繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0072]圖20C繪示圖1的另一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0073]圖21A繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0074]圖21B繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0075]圖21C繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；
[0076]圖22A繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0077]圖22B繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察x-z平面的場形圖；
[0078]圖22C繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；
[0079]圖23A繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0080]圖23B繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；
[0081]圖23C繪示圖1的又一第二天線單元于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖。
[0082]其中，附圖標(biāo)記
[0083]I天線裝置
[0084]10 底板
[0085]101 第一開槽
[0086]1la 外端
[0087]1lb 內(nèi)端
[0088]102 第二開槽
[0089]102a 中軸端
[0090]102b 側(cè)端
[0091]103 邊長
[0092]110、110’、110” 第一天線單元
[0093]111 第一阻抗匹配部
[0094]112 第一信號饋入部
[0095]113 第一輻射部
[0096]120、120’、120” 第二天線單元
[0097]121 第二阻抗匹配部
[0098]122 第二信號饋入部
[0099]123 第二輻射部
[0100]C 基準(zhǔn)點(diǎn)
[0101]LI 第一延伸方向
[0102]L2 第二延伸方向
[0103]Θ I 第一夾角
[0104]Θ 2 第二夾角

【具體實(shí)施方式】
[0105]以下在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本實(shí)用新型的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)，其內(nèi)容足以使任何本領(lǐng)域中具通常知識者了解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說明書所揭露的內(nèi)容、權(quán)利要求范圍及附圖，任何本領(lǐng)域中具通常知識者可輕易地理解本實(shí)用新型相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)。以下的實(shí)施例是進(jìn)一步詳細(xì)說明本實(shí)用新型的觀點(diǎn)，但非以任何觀點(diǎn)限制本實(shí)用新型的范疇。
[0106]請參照圖1、圖2及第圖3，圖1繪示依照本實(shí)用新型的實(shí)施例的天線裝置I的立體圖，圖2繪示圖1的天線裝置I的俯視圖，圖3繪示圖2沿3-3剖面的天線裝置I的側(cè)視剖面圖。于本實(shí)施例中，天線裝置I包括一底板10、多個(gè)第一天線單元110、110’、110”及多個(gè)第二天線單元120、120’、120”。第一天線單元110、110’、110”的外觀與第二天線單元120、120’、120”的外觀相異。第一天線單元110、110’、110”的外觀彼此實(shí)質(zhì)上相同，故以下不贅述第一天線單元110’、110”的外觀。第二天線單元120、120’、120”的外觀彼此實(shí)質(zhì)上相同，故以下不贅述第二天線單元120、120’、120”的外觀。
[0107]于本實(shí)施例中，底板10的形狀為正六邊形。底板10具有貫穿底板的多個(gè)第一開槽101及多個(gè)第二開槽102。第一開槽101的外觀與第二開槽102的外觀相異。于本實(shí)施例中，第一開槽101的數(shù)量及第二開槽102的數(shù)量可分別有三個(gè)。以底板10的中心為基準(zhǔn)點(diǎn)C，第一開槽101及第二開槽102環(huán)繞于基準(zhǔn)點(diǎn)C且彼此交錯(cuò)配置?；鶞?zhǔn)點(diǎn)C為配置時(shí)的虛擬點(diǎn)，于底板10上并非必須實(shí)質(zhì)上有此點(diǎn)。
[0108]第一開槽101的形狀為長形且具有一外端1la及一內(nèi)端101b。外端1la背離基準(zhǔn)點(diǎn)C。內(nèi)端1lb朝向基準(zhǔn)點(diǎn)C。第二開槽102的形狀為T字形且具有一個(gè)中軸端102a及二個(gè)側(cè)端102b。中軸端102a背離基準(zhǔn)點(diǎn)C。二個(gè)側(cè)端102b彼此相對，且與基準(zhǔn)點(diǎn)C的距離相同。
[0109]于本實(shí)施例中，第一天線單元110的數(shù)量為三個(gè)。各第一天線單元110包括一第一阻抗匹配部111、一第一信號饋入部112及一第一輻射部113。各第一阻抗匹配部111以一體不可分離的方式與形成各第一開槽101的外端1la的底板10相連。因此，第一天線單元110是隨著第一開槽101環(huán)繞于基準(zhǔn)點(diǎn)C而設(shè)置于底板10。各第一阻抗匹配部111具有一第一延伸方向LI,底板10的邊長103中最接近各第一天線單兀110的各邊長103與各第一延伸方向LI正交。
[0110]各第一信號饋入部112與各第一阻抗匹配部111相連。各第一阻抗匹配部111與至少部分的各第一信號饋入部112位于各第一開槽101內(nèi)。
[0111]各第一輻射部113與各第一信號饋入部112相連。各第一輻射部113自各第一信號饋入部112以朝向基準(zhǔn)點(diǎn)C且遠(yuǎn)離底板10的方向彎折延伸，而位于各第一開槽101外。因此，各第一天線單元110的部分體積位于各第一開槽101內(nèi)，另外的部分體積位于各第一開槽101外且凸出于底板10。各第一輻射部113與底板10夾有一第一夾角Θ1。各第一輻射部113與底板10的第一夾角Θ I小于90度，較佳范圍為45?90度。各第一信號饋入部112的寬度大于各第一阻抗匹配部111及各第一輻射部113。
[0112]于本實(shí)施例中，第二天線單元120的數(shù)量為三個(gè)，即第一天線單元110及第二天線單元120的總數(shù)量為六個(gè)。各第二天線單元120包括一第二阻抗匹配部121、一第二信號饋入部122及二個(gè)第二輻射部123。各第二阻抗匹配部121以一體不可分離的方式與形成各第二開槽102的中軸端102a的底板10相連。因此，第二天線單元120是隨著第二開槽102環(huán)繞于基準(zhǔn)點(diǎn)C而設(shè)置于底板10。第一天線單元110與第二天線單元120也分別隨著第一開槽101及第二開槽102彼此交錯(cuò)配置。各第二阻抗匹配部121具有一第二延伸方向L2，底板10的邊長103中最接近各第二天線單元120的各邊長103與各第二延伸方向L2正交。
[0113]各第二信號饋入部122以其中央部分與各第二阻抗匹配部121的末端垂直相連而成T字形。各第二阻抗匹配部121與各第二信號饋入部122位于各第二開槽102內(nèi)。
[0114]各二個(gè)第二輻射部123分別與各第二信號饋入部122的兩端相連，即每一第二信號饋入部122的兩端分別與一個(gè)第二輻射部123相連。各第二輻射部123的長度小于各第一輻射部113的長度。各第二輻射部123自各第二信號饋入部122以遠(yuǎn)離底板10的方向彎折延伸，而位于各第二開槽102外。因此，各第二天線單元120的部分體積位于各第二開槽102內(nèi)，另外的部分體積位于各第二開槽102外且凸出于底板10。各第二輻射部123與底板10夾有一第二夾角Θ2。各第二輻射部123與底板10的第二夾角Θ 2約為90度。
[0115]天線裝置I還可包括多條同軸電纜線(未繪示)。各同軸電纜線包括一芯線及包圍于芯線外但與之絕緣的一編織網(wǎng)。各芯線可利用焊接的方式電性連接至第一信號饋入部112或第二信號饋入部122。各編織網(wǎng)可利用焊接的方式電性連接至第一信號饋入部112或第二信號饋入部122附近的底板10。
[0116]天線裝置I可由單一片導(dǎo)電板材制成。詳細(xì)而言，可藉由沖壓方式，將此導(dǎo)電板材劃分出底板10、第一開槽101、位于第一開槽101內(nèi)的第一天線單元110的半成品、第二開槽102及位于第二開槽102內(nèi)的第二天線單元120的半成品。再藉由彎折工藝將第一天線單元110的第一輻射部113及第二天線單元120的第二輻射部123彎折凸出于底板10，而完成一體成型的天線裝置I。
[0117]天線裝置I可具有多個(gè)頻段。其中，第一天線單元110的第一輻射部113為低頻輻射部位，其頻段范圍約在2400百萬赫茲(MHz)至2500百萬赫茲(MHz)之間，第二天線單元120的第二輻射部123為高頻輻射部位，其頻段范圍約在5100百萬赫茲(MHz)至5900百萬赫茲(MHz)之間。
[0118]請參照圖4A及第圖4B，圖4A繪示圖1的第一天線單元110、110’、110”經(jīng)由測試后的電壓駐波比(voltage standing wave rat1, VSffR)的數(shù)值分布圖，圖4B繪示圖1的第二天線單元120、120’、120”經(jīng)由測試后的電壓駐波比的數(shù)值分布圖?？v軸是表示電壓駐波比的數(shù)值，每格比值為0.5，且參考基準(zhǔn)REF的比值為2。橫軸是表示測量的頻率范圍，起始頻率為2000百萬赫茲(MHz)，且終止頻率為6000百萬赫茲(MHz)。
[0119]由圖4A得知，第一天線單元110、110，、110”的電壓駐波比，于測試點(diǎn)I的2400百萬赫茲(MHz)時(shí)為1.512，于測試點(diǎn)2的2450百萬赫茲(MHz)時(shí)為1.090，于測試點(diǎn)3的2500百萬赫茲(MHz)時(shí)為1.159，皆小于參考基準(zhǔn)的比值2。由圖4B得知，第二天線單元120、120’、120”的電壓駐波比，于測試點(diǎn)4的5150百萬赫茲(MHz)時(shí)為1.116，于測試點(diǎn)5的5500百萬赫茲(MHz)時(shí)為1.369，于測試點(diǎn)6的5880百萬赫茲(MHz)時(shí)為1.442，皆小于參考基準(zhǔn)的比值2。
[0120]請參照圖5A及第圖5B，圖5A繪示圖1的第一天線單元110、110’、110”間的隔離度測試(isolat1n test)的曲線圖，圖5B繪示圖1的第二天線單元120、120’、120”間的隔離度測試的曲線圖?？v軸是表示能量取對數(shù)(log)后所得的值，單位為分貝(dB)，每格5dB，且參考基準(zhǔn)REF是為-15dB。橫軸是表示測量的頻率范圍，起始頻率為2000百萬赫茲(MHz)，且終止頻率為6000百萬赫茲(MHz)。
[0121]由圖5A得知，第一天線單元110、110’、110”間的隔離度，于測試點(diǎn)I的2400百萬赫茲(MHz)時(shí)為-17.776dB,于測試點(diǎn)2的2450百萬赫茲(MHz)時(shí)為-21.054dB,于測試點(diǎn)3的2500百萬赫茲(MHz)時(shí)為-22.817dB,皆小于參考基準(zhǔn)的_15dB。由圖5B得知，第二天線單元120、120’、120”間的隔離度，于測試點(diǎn)4的5150百萬赫茲(MHz)時(shí)為-27.962dB,于測試點(diǎn)5的5500百萬赫茲(MHz)時(shí)為-30.582dB,于測試點(diǎn)6的5880百萬赫茲(MHz)時(shí)為-41.066dB(測試點(diǎn)6因超出圖示范圍而未繪示),皆小于參考基準(zhǔn)的_15dB。
[0122]圖6A繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖6B繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖6(:繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖7么繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖7B繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖7C繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖8么繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖88繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖8(:繪示圖1的第一天線單元110于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖。
[0123]圖9A繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖9B繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖9(:繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖1OA繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖1OB繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖1OC繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖1lA繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖1lB繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖1lC繪示圖1的第一天線單元110’于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖。
[0124]圖12A繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖12B繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖12C繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖13A繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖13B繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖13C繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖14A繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2400百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖14B繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2450百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖14C繪示圖1的第一天線單元110”于操作頻率為2500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖。
[0125]圖15A繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖15B繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖15C繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖16A繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖16B繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖16C繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖17A繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖17B繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖17C繪示圖1的第二天線單元120于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖。
[0126]圖18A繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖18B繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖18C繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖19A繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖19B繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖19C繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖2(^繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖20B繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖20C繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖。
[0127]圖21A繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖21B繪示圖1的第二天線單元120’于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖21C繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Z方向朝向原點(diǎn)觀察X-Y平面的場形圖；圖22A繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖22B繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖22(:繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正Y方向朝向原點(diǎn)觀察X-Z平面的場形圖；圖23么繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5100百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖23B繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5500百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖；圖23C繪示圖1的第二天線單元120”于操作頻率為5900百萬赫茲時(shí)從正X方向朝向原點(diǎn)觀察Y-Z平面的場形圖。
[0128]圖1、圖2及第圖3所示的天線裝置1，由第一天線單元110及第二天線單元120饋入信號后，其所測量得的表現(xiàn)結(jié)果如下表一及下表二之一至表二之三所示。
[0129]表一
[0130]
頻牛:(MHz)240024502500
天線端H輸入勸:￥- (.antenna
OOO
port ?ηρκ? power) (dBm)丨|
總幅時(shí)功率(total radiat1n

-1.76 -1.28-1.52
power) (dBm)_J_
峰值等效令丨?]福射功率(.peak
cquivalcni isotropically radiat1n3,474.663.93
power) (dBm)___
方內(nèi)性(directivity) (dBi)5.23__5.94__^45_
效(efficiency) (dB)-1.76-1.28__-1.52
效寧(%)__66.7174.55__70.47
培益(gak) (dBi)__3.47__4.66__333_
—f:均增益(dB)_[-1,76 1-1.28__-1.52
[0131]表二之一
[0132]
頻率(MHz)[5100[5200[5300 —
天線端口輸入功率(dBm)_O_O_O_
總幅射功率(dBm)~-l.85~?.68-1.57_
jj值等效全向輻射功率(dBm)7.54 ~ 7.30Τ?0~
方向性(dBi)~9.408?988.77 —
效率(dB)~-1.85~?.68-1.57~
效率(％ )~65.2767.8769.67~
增益(dBi)~7.54~307.20 —
平均增益(dB)1-1.851-1.68|-1.57_
[0133]表二之二
[0134]頻率(MHz)[5400 [5500丨5600 —
天線端口輸入功率(dBm)_O_O_O_
總幅射功率(dBm)~-l.75 ~?.53-1.64_
磉值等效全向輻射功率(dBm)7Γ20~ 7.596~.94
方向性(dBi)~8.96 9?118.57
效率(dB)~-1.75 ~?.53-1.64~
效率(％ )—66.76 70.3668.59~
增益(dBi)~7.20 ~596.94 —
平均增益(dB)1-1.75 1-1.53|-1.64_
[0135]表二之三
[0136]
頻率(MHz)[5700 [5800[5900 —
天線端口輸入功率(dBm)_O_O_O_
總幅射功率(dBm)~-2.16 ~2.33-2.15_
jj值等效全向輻射功率(dBm)7.28 ~ 7.467?39~
方向性(dBi)~9.45 9?809.53 —
效率(dB)~-2.16 ~2.33-2.15~
效率(％ )~60.78 58.4461.02~
增益(dBi)~7.28 ~467.39 —
平均增益(dB)1-2.16 1-2.33|-2.15 一
[0137]綜上所述，本實(shí)用新型的天線裝置，能夠藉由天線單元以一體不可分離的方式與底板相連，而各天線單元的部分體積位于各開槽內(nèi)，部分體積位于各開槽外且凸出于底板，以獲得一體成型的天線裝置。而且，本實(shí)用新型的天線裝置能夠以單一片導(dǎo)電板材，藉由沖壓及彎折工藝，完成具備良好的輻射效能且一體成型的天線裝置。再者，由于天線裝置的零組件數(shù)量極少，而能夠簡化天線裝置的設(shè)計(jì)、布線、制造與組裝過程，使得天線裝置于組裝上更為便利，降低制造成本，還能夠得到效能穩(wěn)定的天線裝置。
[0138]當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種天線裝置，其特征在于，包括: 一底板，具有貫穿該底板的多個(gè)開槽；以及 多個(gè)天線單元，以一體不可分離的方式與該底板相連，各該天線單元的部分體積位于各該開槽內(nèi)，且各該天線單元的部分體積位于各該開槽外且凸出于該底板， 其中，各該天線單元包括一阻抗匹配部、一信號饋入部及至少一輻射部，各該阻抗匹配部與形成各該開槽的一端的該底板相連，各該信號饋入部與各該阻抗匹配部相連，各該阻抗匹配部與至少部分的各該信號饋入部位于各該開槽內(nèi)，各該至少一輻射部與各該信號饋入部相連并自各該信號饋入部彎折而位于各該開槽外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線裝置，其特征在于，該底板的形狀為六邊形，該些天線單元的數(shù)量為六個(gè)，各該阻抗匹配部具有一延伸方向，各該延伸方向與該底板的各邊長正交。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線裝置，其特征在于，該些天線單元包括多個(gè)第一天線單元及多個(gè)第二天線單元，該些第一天線單元的外觀與該些第二天線單元的外觀相異，該些開槽包括多個(gè)第一開槽及多個(gè)第二開槽，該些第一開槽的外觀與該些第二開槽的外觀相異，各該第一天線單元的部分體積位于各該第一開槽內(nèi)，各該第二天線單元的部分體積位于各該第二開槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線裝置，其特征在于，該些第一天線單元與該些第二天線單元環(huán)繞于一基準(zhǔn)點(diǎn)且彼此交錯(cuò)設(shè)置于該底板。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線裝置，其特征在于，各該第一天線單元包括一第一阻抗匹配部、一第一信號饋入部及一第一輻射部，各該第一阻抗匹配部與形成各該第一開槽的一端的該底板相連，各該第一信號饋入部與各該第一阻抗匹配部相連，各該第一阻抗匹配部與至少部分的各該第一信號饋入部位于各該第一開槽內(nèi)，各該第一輻射部與各該第一信號饋入部相連并自各該第一信號饋入部彎折而位于各該第一開槽外，且與該底板夾有一夾角。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線裝置，其特征在于，各該第一信號饋入部的寬度大于各該第一阻抗匹配部及各該第一輻射部，該些第一天線單元環(huán)繞于一基準(zhǔn)點(diǎn)而設(shè)置于該底板，各該第一輻射部以朝向該基準(zhǔn)點(diǎn)且遠(yuǎn)離該底板的方向延伸，各該第一輻射部與該底板的該夾角小于90度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線裝置，其特征在于，各該第二天線單元包括一第二阻抗匹配部、一第二信號饋入部及二個(gè)第二輻射部，各該第二阻抗匹配部與形成各該第二開槽的一端的該底板相連，各該第二信號饋入部與各該第二阻抗匹配部相連，各該第二阻抗匹配部與各該第二信號饋入部位于各該第二開槽內(nèi)，各該第二輻射部與各該第二信號饋入部相連并自各該第二信號饋入部彎折而位于各該第二開槽外，且與該底板夾有一夾角。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線裝置，其特征在于，各該第二開槽的形狀為T字形，各該第二信號饋入部以其中央部分與各該第二阻抗匹配部垂直相連而成T字形，各該第二輻射部與該底板的該夾角為90度。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線裝置，其特征在于，該些第一天線單元的頻帶范圍為2400百萬赫茲至2500百萬赫茲，該些第二天線單元的頻帶范圍為5100百萬赫茲至5900百萬赫茲。
【文檔編號】H01Q1/12GK203950902SQ201420229901
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月6日
【發(fā)明者】林作華, 施仲嘉 申請人:寰波科技股份有限公司