一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，包括第一介質(zhì)板、第二介質(zhì)板、第一金屬片、第二金屬片以及上下兩排金屬通孔，所述上下兩排金屬通孔依次貫穿第一金屬片、第一介質(zhì)板和第二金屬片；所述第二金屬片從左至右依次開有第一槽線、第二槽線、第三槽線、第四槽線和第五槽線，相鄰兩條槽線之間分別構(gòu)成第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器和第四諧振器；所述第二介質(zhì)板的正面設(shè)有第一金屬微帶線和第二金屬微帶線，所述第一金屬微帶線和第二金屬微帶線的兩端分別加載有枝節(jié)。本實用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、性能好的優(yōu)點，通過設(shè)置槽線實現(xiàn)電場耦合，并在電場耦合的基礎(chǔ)上利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合，能很好地滿足現(xiàn)代通訊系統(tǒng)的要求。
【專利說明】—種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種基片集成波導(dǎo)濾波器，尤其是一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，屬于無線通訊領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]無線通訊技術(shù)在現(xiàn)實社會生活中發(fā)揮著越來越重要的作用，作為無線通訊領(lǐng)域的重要組成不跟，帶通濾波器的需求也日益增加。較早的微帶帶通濾波器由于在平面制圖和制板上的方便而被廣泛應(yīng)用，但是這種濾波器的損耗大，特別在高頻的時候會產(chǎn)生很大的能量輻射。隨著通訊技術(shù)的不斷發(fā)展，對濾波器的要求也越來越高。采用金屬波導(dǎo)的毫米波濾波器雖然能夠達到較好的技術(shù)指標(biāo)，但是造價昂貴，不能被廣泛地應(yīng)用；具有EBG(Electromagnetic Band-Gap)結(jié)構(gòu)的毫米波濾波器，能夠很好的滿足現(xiàn)在的技術(shù)指標(biāo)要求，但是這種濾波器體積較大。最近，采用基片集成波導(dǎo)(Substrate IntegratedWaveguide,簡稱SIW)的毫米波濾波器受到很高的重視，它可以實現(xiàn)體積小，成本低的高性能帶通濾波器。它是一種新型波導(dǎo)，具有傳統(tǒng)的金屬波導(dǎo)品質(zhì)因數(shù)高、易于設(shè)計的特點，同時也具有體積小、造價低、易加工等傳統(tǒng)波導(dǎo)所沒有的特點。它的這些優(yōu)點，使得這種結(jié)構(gòu)的濾波器被廣泛應(yīng)用于無線通訊系統(tǒng)。
[0003]基片集成波導(dǎo)濾波器主要是采用磁場耦合結(jié)構(gòu)，也就是利用金屬通孔窗來實現(xiàn)相鄰腔體之間的耦合，同時也可以實現(xiàn)不相鄰腔體之間的交叉耦合，而目前比較少的基片集成波導(dǎo)濾波器采用電場耦合(即在基片集成波導(dǎo)腔體上開槽實現(xiàn)相鄰諧振器之間的耦合)，在電場耦合的基礎(chǔ) 上實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器更是非常罕見。
[0004]據(jù)調(diào)查與了解，已經(jīng)公開的現(xiàn)有技術(shù)如下:
[0005]I) 2010 年，Li Rong-Qiang 等人在 IEEE Microwave and Wireless ComponentsLetters 上發(fā)表題為 ““Design of Substrate Integrated Waveguide Transversal FilterWith High Selectivity，”的文章中，提出了一種利用磁場f禹合以及源負(fù)載f禹合的濾波器器，結(jié)構(gòu)如圖1a所示，腔體之間的金屬通孔窗是用來實現(xiàn)磁場耦合的，同時在源端和負(fù)載端之間引入源負(fù)載耦合，能夠在通帶的兩邊各產(chǎn)生一個零點，改善帶外特性。圖1b是它的仿真結(jié)果。
[0006]2)2013 年，You Chang Jiang 等人在 IEEE Transact1n on Microwave Theory andTechniques 上發(fā)表題為 ^Single-Layered SIff Post-Loaded Electric Coupling-EnhancedStructure and Its Filter Applicat1ns”的文章中，提出了一種在相鄰的腔體中間開槽來實現(xiàn)腔體之間電場耦合，如圖2a所示，這樣，整個濾波器中既有磁場耦合，同時存在電場耦合，使得傳輸零點可以靈活控制，圖2b為其測量和仿真的頻率響應(yīng)結(jié)果。
[0007]3) 2005 年，X.Chen,ff.Hong 等人在 IEEE Eletronic Letters 發(fā)表題為“Substrateintegrated waveguide elliptic filter with transmiss1n line inserted inverter，，的文章提出了利用微帶線實現(xiàn)非相鄰諧振腔之間的耦合，該結(jié)構(gòu)如圖3a所示，在諧振腔I和4之間用微帶線實現(xiàn)交叉耦合，從圖3b所示的仿真結(jié)果可以看出該濾波器能夠產(chǎn)生兩個傳輸零點。
[0008]4)2013 年，Shenffei 等人在 IEEE Transact1n on Components, Packaging andManufacturing Technology 上發(fā)表題為 “Substrate-1ntegrated Waveguide BandpassFilters With Planar Resonators for System-on-Package” 提出了 由微帶線構(gòu)成的諧振器與諧振腔之間實現(xiàn)耦合，它們之間是電場耦合，而諧振腔之間仍然是磁場耦合，如圖4a所示，這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢是用微帶線構(gòu)成的諧振器來代替諧振腔，在達到同樣的效果的基礎(chǔ)上減少了濾波器的尺寸，仿真結(jié)果如圖4b所示。
[0009]上述四種基片集成波導(dǎo)濾波器都是基于磁場耦合的基礎(chǔ)上實現(xiàn)電場耦合和交叉耦合，而磁場耦合是通過相鄰腔體之間的電感窗口進行調(diào)節(jié)的，當(dāng)磁場耦合變化比較大時，通過電感窗口進行調(diào)節(jié)就會顯得相當(dāng)復(fù)雜。
實用新型內(nèi)容
[0010]本實用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種結(jié)構(gòu)簡單、性能好，能很好地滿足現(xiàn)代通訊系統(tǒng)要求的利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器。
[0011]本實用新型的目的可以通過采取如下技術(shù)方案達到:
[0012]一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:包括構(gòu)成基片集成波導(dǎo)的第一介質(zhì)板、第二介質(zhì)板、第一金屬片、第二金屬片以及上下兩排金屬通孔，從底部至頂部按第一金屬片、第一介質(zhì)板、第二金屬片和第二介質(zhì)板的順序依次設(shè)置，所述第一金屬片作為地板，所述上下兩排金屬通孔依次貫穿第一金屬片、第一介質(zhì)板和第二金屬片；所述第二金屬片從左至右依次開有第一槽線、第二槽線、第三槽線、第四槽線和第五槽線，相鄰兩條槽線之間分別構(gòu)成第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器和第四諧振器，所述第一諧振器與第二諧振器之間通過第二槽線實現(xiàn)電場耦合，所述第二諧振器和第三諧振器之間通過第三槽線實現(xiàn)電場耦合，所述第三諧振器與第四諧振器之間通過第四槽線實現(xiàn)電場耦合；所述第二介質(zhì)板的正面設(shè)有第一金屬微帶線和第二金屬微帶線，所述第一金屬微帶線和第二金屬微帶線的兩端分別加載有枝節(jié)，所述第一諧振器與第三諧振器之間通過第一金屬微帶線實現(xiàn)交叉耦合，所述第二諧振器與第四諧振器之間通過第二金屬微帶線實現(xiàn)交叉耦合。
[0013]作為一種優(yōu)選方案，所述第一金屬微帶線的一端設(shè)置在與第一諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第一枝節(jié)，另一端設(shè)置在與第三諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第二枝節(jié)；所述第二金屬微帶線的一端設(shè)置在與第二諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第三枝節(jié)，另一端設(shè)置在與第四諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第四枝節(jié)。
[0014]作為一種優(yōu)選方案，所述第一枝節(jié)、第二枝節(jié)、第三枝節(jié)和第四枝節(jié)均為1/4波導(dǎo)波長的枝節(jié)。
[0015]作為一種優(yōu)選方案，所述第一枝節(jié)、第二枝節(jié)、第三枝節(jié)和第四枝節(jié)均為1/2波導(dǎo)波長的枝節(jié)。
[0016]作為一種優(yōu)選方案，所述第一枝節(jié)和第四枝節(jié)均為1/4波導(dǎo)波長的枝節(jié)，所述第二枝節(jié)和第三枝節(jié)均為1/2波導(dǎo)波長的枝節(jié)。
[0017]作為一種優(yōu)選方案，所述上排金屬通孔設(shè)置在靠近第一金屬片和第二金屬片的上邊緣處，所述下排金屬通孔設(shè)置在靠近第一金屬片和第二金屬片的下邊緣處。[0018]作為一種優(yōu)選方案,所述第二金屬片上設(shè)有輸出端口和輸入端口，所述輸出端口和輸入端口分別設(shè)置在第二金屬片的左右兩端。
[0019]作為一種優(yōu)選方案，所述第一槽線、第二槽線、第三槽線、第四槽線和第五槽線均位于上排金屬通孔與下排金屬通孔之間。
[0020]作為一種優(yōu)選方案，所述第一槽線、第二槽線、第三槽線、第四槽線和第五槽線是形狀為矩形的槽線。
[0021]本實用新型相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下的有益效果:
[0022]1、本實用新型的基片集成波導(dǎo)濾波器具有結(jié)構(gòu)簡單、性能好的優(yōu)點，通過設(shè)置多條槽線實現(xiàn)電場耦合，并在電場耦合的基礎(chǔ)上利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合，能很好地滿足現(xiàn)代通訊系統(tǒng)的要求，有良好的應(yīng)用前景。
[0023]2、本實用新型的基片集成波導(dǎo)濾波器是基于電場耦合而設(shè)計的，而電場耦合大小可以通過槽線的高度和寬度來調(diào)節(jié)，相比現(xiàn)有技術(shù)需要通過電感窗口大小來調(diào)節(jié)更容易。
[0024]3、本實用新型的基片集成波導(dǎo)濾波器在電場耦合的基礎(chǔ)上利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合中，可以在微帶線的兩端加載不同長度的枝節(jié)(如一端加載1/4波導(dǎo)波長，另一端加載1/2波導(dǎo)波長)，這樣能產(chǎn)生更好的匹配，且降低了帶內(nèi)的回波損耗，使得濾波器的帶內(nèi)性能得到改善。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1a為第一種現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖1b為第一種現(xiàn)有技術(shù)的仿真結(jié)果圖。
[0027]圖2a為第二種現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖2b為第二種現(xiàn)有技術(shù)的仿真結(jié)果圖。
[0029]圖3a為第三種現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖3b為第三種現(xiàn)有技術(shù)的仿真結(jié)果圖。
[0031]圖4a為第四種現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖4b為第四種現(xiàn)有技術(shù)的仿真結(jié)果圖。
[0033]圖5為本實用新型實施例1的基片集成波導(dǎo)濾波器的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖6為本實用新型實施例1的基片集成波導(dǎo)濾波器中第二金屬片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖7為本實用新型實施例1的基片集成波導(dǎo)濾波器中第二介質(zhì)板的正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]圖8為本實用新型實施例1的基片集成波導(dǎo)濾波器中第一諧振器與第三諧振器的交叉耦合產(chǎn)生機理示意圖。
[0037]圖9為本實用新型實施例1加載1/4 λ g枝節(jié)的電磁波傳播特性示意圖。
[0038]圖10為本實用新型實施例1的基片集成波導(dǎo)濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]圖11為本實用新型實施例1的耦合矩陣⑴的理論頻率響應(yīng)圖。
[0040]圖12為本實用新型實施例1的耦合系數(shù)K12的變化曲線圖。
[0041]圖13為本實用新型實施例1的耦合系數(shù)K23的變化曲線圖。
[0042]圖14為本實用新型實施例1的耦合系數(shù)K13的變化曲線圖。
[0043]圖15為本實用新型實施例1的品質(zhì)因數(shù)Qe的曲線圖。[0044]圖16為本實用新型實施例1的基片集成波導(dǎo)濾波器優(yōu)化后的S參數(shù)仿真結(jié)果圖。
[0045]圖17為本實用新型實施例2的基片集成波導(dǎo)濾波器中第二介質(zhì)板的正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0046]圖18為本實用新型實施例2加載1/2 λ g枝節(jié)的電磁波傳播特性示意圖。
[0047]圖19為本實用新型實施例2的基片集成波導(dǎo)濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]圖20為本實用新型實施例2的耦合矩陣(5)所得的理論頻率響應(yīng)圖。
[0049]圖21為本實用新型實施例2的耦合系數(shù)K13的變化曲線圖。
[0050]圖22為本實用新型實施例2的基片集成波導(dǎo)濾波器優(yōu)化后的S參數(shù)仿真結(jié)果圖。
[0051]圖23為本實用新型實施例3的基片集成波導(dǎo)濾波器中第二介質(zhì)板的正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0052]圖24為本實用新型實施例3加載1/4 λ g枝節(jié)和1/2 λ g枝節(jié)的電磁波傳播特性示意圖。
[0053]圖25為本實用新型實施例3的基片集成波導(dǎo)濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖。
[0054]圖26為本實用新型實施例3的基片集成波導(dǎo)濾波器優(yōu)化后的S參數(shù)仿真結(jié)果圖。
[0055]圖27為本實用新型實施例3的基片集成波導(dǎo)濾波器設(shè)計完成的整體正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0056]圖28為本實用新型實施例3的基片集成波導(dǎo)濾波器的仿真結(jié)果和測量結(jié)果比較圖。
[0057]其中，1-第一介質(zhì)板，2-第二介質(zhì)板,3-第一金屬片,4-第二金屬片,5-金屬通孔，6-輸出端口，7-輸入端口，8-第一槽線，9-第二槽線，10-第三槽線，11-第四槽線，12-第五槽線，13-第一金屬微帶線，14-第二金屬微帶線，15-第一枝節(jié)，16-第二枝節(jié)，17-第三枝節(jié)，18-第四枝節(jié)，Rl-第一諧振器，R2-第二諧振器，R3-第三諧振器，R4-第四諧振器。
【具體實施方式】
[0058]實施例1:
[0059]如圖5、圖6和圖7所示，本實施例的基片集成波導(dǎo)濾波器，包括構(gòu)成基片集成波導(dǎo)(SIW)的第一介質(zhì)板1、第二介質(zhì)板2、第一金屬片3、第二金屬片4以及上下兩排金屬通孔5，從底部至頂部按第一金屬片3、第一介質(zhì)板1、第二金屬片4和第二介質(zhì)板2的順序依次設(shè)置，所述第一金屬片3作為地板，所述上下兩排金屬通孔5構(gòu)成波導(dǎo)的側(cè)壁，并依次貫穿第一金屬片3、第一介質(zhì)板I和第二金屬片4，其中上排金屬通孔5設(shè)置在靠近第一金屬片3和第二金屬片4的上邊緣處，所述下排金屬通孔5設(shè)置在靠近第一金屬片3和第二金屬片4的下邊緣處；
[0060]所述第二金屬片4上設(shè)有輸出端口 6和輸入端口 7，所述第二金屬片4從左至右依次開有第一槽線8、第二槽線9、第三槽線10、第四槽線11和第五槽線12 ;所述輸出端口6和輸入端口 7分別設(shè)置在第二金屬片4的左右兩端，所述第一槽線8、第二槽線9、第三槽線10、第四槽線11和第五槽線12的形狀為矩形，均位于上排金屬通孔5與下排金屬通孔5之間，相鄰兩條槽線之間分別構(gòu)成第一諧振器R1、第二諧振器R2、第三諧振器R3和第四諧振器R4 (即為四階諧振器)，所述第一諧振器Rl與第二諧振器R2之間通過第二槽線9實現(xiàn)電場耦合，所述第二諧振器R2和第三諧振器R3之間通過第三槽線10實現(xiàn)電場耦合，所述第三諧振器R3與第四諧振器R4之間通過第四槽線11實現(xiàn)電場耦合；
[0061]所述第二介質(zhì)板2的正面設(shè)有第一金屬微帶線13和第二金屬微帶線14(圖5中可以看到第二金屬微帶線14的一部分被第一金屬微帶線13遮擋了)，所述第一金屬微帶線13的一端設(shè)置在與第一諧振器Rl對應(yīng)的位置上且加載有第一枝節(jié)15，另一端設(shè)置在與第三諧振器R3對應(yīng)的位置上且加載有第二枝節(jié)16 ;所述第二金屬微帶線14的一端設(shè)置在與第二諧振器R2對應(yīng)的位置上且加載有第三枝節(jié)17，另一端設(shè)置在與第四諧振器R4對應(yīng)的位置上且加載有第四枝節(jié)18 ;所述第一枝節(jié)15、第二枝節(jié)16、第三枝節(jié)17和第四枝節(jié)18均為1/4波導(dǎo)波長(波導(dǎo)波長用λ g表示，即為1/4 λ g)的枝節(jié)；所述第一諧振器Rl與第三諧振器R3之間通過第一金屬微帶線13實現(xiàn)交叉耦合，所述第二諧振器R2與第四諧振器R4之間通過第二金屬微帶線14實現(xiàn)交叉耦合；
[0062]以第一諧振器Rl與第三諧振器R3的交叉耦合為例，其交叉耦合產(chǎn)生機理如圖8所示，圖中箭頭線是電場分布以及傳播途徑，K12為第一諧振器Rl與第二諧振器R2之間的耦合系數(shù)，K23為第二諧振器R2與第三諧振器R3之間的耦合系數(shù)，K13為第一諧振器Rl與第三諧振器R3之間的耦合系數(shù)，結(jié)合圖6和圖7，所述第一諧振器Rl的能量通過第二槽線9傳送到第一金屬微 帶線13，再由第一金屬微帶線13經(jīng)第三槽線10傳送到第三諧振器R3，實現(xiàn)了第一諧振器Rl與第三諧振器R3之間的交叉耦合；同理，所述第二諧振器R2的能量通過第三槽線10傳送到第二金屬微帶線14，再由第二金屬微帶線14經(jīng)第四槽線11傳送到第四諧振器R4，實現(xiàn)了第二諧振器R2與第四諧振器R4之間的交叉耦合；
[0063]本實施例的基片集成波導(dǎo)濾波器在微帶線的兩端加載了 l/4Xg枝節(jié)，加載1/4 Ag枝節(jié)的電磁波傳播特性如圖9所示，圖中實線箭頭表示入射波，虛線箭頭表示反射波，電磁波傳播時有180度的相位延時，所產(chǎn)生的交叉耦合的符號為負(fù)。
[0064]本實施例的基片集成波導(dǎo)濾波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖10所示，圖中實線表示正耦合，虛線表不負(fù)稱合，S表不源端，L表不負(fù)載端，K12表不第一諧振器Rl與第二諧振器R2之間的率禹合系數(shù)，K23表不第二諧振器R2與第三諧振器R3之間的稱合系數(shù),K34表不第三諧振器R3與第四諧振器R4之間的耦合系數(shù)，K13表示第一諧振器Rl與第三諧振器R3之間的耦合系數(shù)，K24表示第二諧振器R2與第四諧振器R4之間的耦合系數(shù)，Qe表示品質(zhì)因數(shù)，耦合矩陣如下:
【權(quán)利要求】
1.一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:包括構(gòu)成基片集成波導(dǎo)的第一介質(zhì)板、第二介質(zhì)板、第一金屬片、第二金屬片以及上下兩排金屬通孔，從底部至頂部按第一金屬片、第一介質(zhì)板、第二金屬片和第二介質(zhì)板的順序依次設(shè)置，所述第一金屬片作為地板，所述上下兩排金屬通孔依次貫穿第一金屬片、第一介質(zhì)板和第二金屬片；所述第二金屬片從左至右依次開有第一槽線、第二槽線、第三槽線、第四槽線和第五槽線，相鄰兩條槽線之間分別構(gòu)成第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器和第四諧振器，所述第一諧振器與第二諧振器之間通過第二槽線實現(xiàn)電場耦合，所述第二諧振器和第三諧振器之間通過第三槽線實現(xiàn)電場耦合，所述第三諧振器與第四諧振器之間通過第四槽線實現(xiàn)電場耦合；所述第二介質(zhì)板的正面設(shè)有第一金屬微帶線和第二金屬微帶線，所述第一金屬微帶線和第二金屬微帶線的兩端分別加載有枝節(jié)，所述第一諧振器與第三諧振器之間通過第一金屬微帶線實現(xiàn)交叉耦合，所述第二諧振器與第四諧振器之間通過第二金屬微帶線實現(xiàn)交叉耦合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述第一金屬微帶線的一端設(shè)置在與第一諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第一枝節(jié)，另一端設(shè)置在與第三諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第二枝節(jié)；所述第二金屬微帶線的一端設(shè)置在與第二諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第三枝節(jié)，另一端設(shè)置在與第四諧振器對應(yīng)的位置上且加載有第四枝節(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述第一枝節(jié)、第二枝節(jié)、第三枝節(jié)和第四枝節(jié)均為1/4波導(dǎo)波長的枝節(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述第一枝節(jié)、第二枝節(jié)、第三枝節(jié)和第四枝節(jié)均為1/2波導(dǎo)波長的枝節(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述第一枝節(jié)和第四枝節(jié)均為1/4波導(dǎo)波長的枝節(jié)，所述第二枝節(jié)和第三枝節(jié)均為1/2波導(dǎo)波長的枝節(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述上排金屬通孔設(shè)置在靠近第一金屬片和第二金屬片的上邊緣處，所述下排金屬通孔設(shè)置在靠近第一金屬片和第二金屬片的下邊緣處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述第二金屬片上設(shè)有輸出端口和輸入端口，所述輸出端口和輸入端口分別設(shè)置在第二金屬片的左右兩端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述第一槽線、第二槽線、第三槽線、第四槽線和第五槽線均位于上排金屬通孔與下排金屬通孔之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用微帶線實現(xiàn)交叉耦合的基片集成波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述第一槽線、第二槽線、第三槽線、第四槽線和第五槽線是形狀為矩形的槽線。
【文檔編號】H01P1/203GK203826521SQ201420191346
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】王世偉, 陳瑞森, 汪凱, 郭在成, 林景裕, 褚慶昕 申請人:華南理工大學(xué)