用于在晶圓的端子面上生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種用于在晶圓的端子面上生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備。該用于在晶圓的端子面上生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備包括：輸入/輸出站，其用于為設(shè)備配備至少一個輸送保持件，該輸送保持件用于保持多個晶圓；至少一個清潔站；至少一個沉淀站，其處理室用于將鎳沉淀在晶圓的端子面上；至少一個凈化站，其包括用于從晶圓的表面移除可能存在的殘余物的處理室；以及干燥站。所有處理室都配置在工作站的處理側(cè)，該處理側(cè)通過間隔設(shè)備與供給側(cè)相分隔，用于操作和控制發(fā)生在所有這些處理室中的處理的設(shè)備配置在供給側(cè)，間隔設(shè)備包括輸送設(shè)備和配置于輸送設(shè)備的操縱器設(shè)備，用于操作輸送保持件。這樣，允許相應(yīng)晶圓的符合成本效益的生產(chǎn)。
【專利說明】用于在晶圓的端子面上生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種用于在晶圓的端子面上生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在晶片的端子面生產(chǎn)接觸金屬(專業(yè)術(shù)語也稱作凸塊下金屬(UBM))通常發(fā)生在晶圓級別，這意味著形成有多個晶片的整個晶圓在晶片被分開前通過化學(xué)處理，在該處理中，被稱作凸塊下金屬的中間金屬被加到晶片的端子面，晶片在初始狀態(tài)下具有鋁或銅的表面金屬，所述中間金屬作為隨后加上由焊料制成的焊料凸塊用的粘合底漆。晶圓上的晶片僅在已加上焊料凸塊后才被分開。
[0003]為了最大可能程度地排除瑕疵的形成，用于在晶片的端子面上形成接觸金屬的處理必須發(fā)生在清潔室(clean room)條件下。處理特別地包括晶圓的清潔和凈化處理以及接觸金屬的沉淀，以形成接觸金屬，為了執(zhí)行該處理，需要多個設(shè)備，這些設(shè)備一方面允許處理被控制，另一方面提供執(zhí)行該處理必須的介質(zhì)，例如，用于凈化處理的去離子水或用于接觸金屬沉淀的含有金屬的溶液。
[0004]從為了執(zhí)行所述處理而在上面概括出的需求來看，變得清晰的是，使用者必須提供相應(yīng)的適當(dāng)?shù)那鍧嵤?，以便能夠以必要的可靠性來?zhí)行該處理。這伴隨著巨大的結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，其最終還會影響粘合晶片(也就是，設(shè)置有后續(xù)接觸用的焊接凸塊的晶片)的生產(chǎn)成本。
實用新型內(nèi)容
[0005]因此，本實用新型的目標(biāo)是提供一種簡化晶片端子面上的接觸金屬的生產(chǎn)的設(shè)備，因而，允許相應(yīng)晶片的符合成本效益的生產(chǎn)。
[0006]可以通過如下方案來實現(xiàn)本實用新型的上述和/或其它目的。
[0007]—種用于在晶圓的端子面上生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備，其具有沿直線配置的多個工作站，所述設(shè)備包括:
[0008]輸入/輸出站，其用于為所述設(shè)備配備至少一個輸送保持件，所述輸送保持件用于保持多個晶圓；
[0009]至少一個清潔站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件的處理室；
[0010]至少一個沉淀站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件的處理室，
[0011]其中，所述至少一個沉淀站的處理室用于保持鎳溶解于承載液體的溶液，用于將鎳沉淀在晶圓的端子面上；
[0012]至少一個凈化站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件以從晶圓的表面移除可能存在的殘余物的處理室；以及
[0013]干燥站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件的處理室，
[0014]其中，
[0015]所有處理室都配置在所述工作站的處理側(cè)，所述處理側(cè)通過間隔設(shè)備與供給側(cè)相分隔，用于操作和控制發(fā)生在所有這些處理室中的處理的設(shè)備配置在所述供給側(cè)，
[0016]其中，所述間隔設(shè)備包括輸送設(shè)備和配置于所述輸送設(shè)備的操縱器設(shè)備，用于操作所述輸送保持件。
[0017]優(yōu)選地，所述工作站被具體化為設(shè)備模塊，所述設(shè)備模塊至少部分地能裝卸地彼此聯(lián)接。
[0018]優(yōu)選地，所述設(shè)備模塊均包括所述間隔設(shè)備的一部分，所述部分形成為間隔壁。
[0019]優(yōu)選地，所有處理室都形成為池，配置有晶圓的所述輸送保持件能夠從上方插入所述池中。
[0020]優(yōu)選地，所述操縱器設(shè)備包括承載件，所述承載件連接到所述輸送設(shè)備的輸送帶，并且能夠在水平方向上移位，所述操縱器設(shè)備包括能夠相對于所述承載件上下移動的至少一個抓持臂。
[0021]優(yōu)選地，所述干燥站包括形成為池并且包括設(shè)置有熱輻射設(shè)備的蓋的處理室。
[0022]優(yōu)選地，所述干燥站的池設(shè)置有閥裝置，所述閥裝置允許保持在所述池中的熱傳遞液體作為晶圓的測量的表面溫度的函數(shù)而進行規(guī)定的升降。
[0023]通過具有方案I的特征的設(shè)備達(dá)到該目標(biāo)。
[0024]根據(jù)本實用新型的設(shè)備能夠在同一設(shè)備中接合操作和控制處理必須的設(shè)備和在清潔室條件下實施處理的處理室，因而能夠提供在晶片的端子面上生產(chǎn)接觸金屬用的、被打包到最小空間的設(shè)備。根據(jù)本實用新型，在如下設(shè)備中達(dá)到該目標(biāo):該設(shè)備包括一體的間隔設(shè)備，間隔設(shè)備將設(shè)備的供給側(cè)和處理室分隔開，供給側(cè)包括操作和控制發(fā)生在處理室中的處理必須的設(shè)備，在處理室中發(fā)生所述處理。除了具有間隔功能之外，間隔設(shè)備還用作與操縱器設(shè)備協(xié)作的輸送設(shè)備，允許以如下方式處理輸送保持件:生產(chǎn)接觸金屬必須的所有處理步驟以規(guī)定的順序發(fā)生。特別地，操縱器設(shè)備與輸送設(shè)備協(xié)作，允許在輸送方向上以處理室的可選順序配置輸送保持件。
[0025]在設(shè)備的最小構(gòu)造中，設(shè)備包括輸入站、清潔站和沉淀站，例如，借助于硝酸，在清潔站中發(fā)生晶圓的清潔，特別是形成于晶圓上的晶片的端子面的清潔，在沉淀站中，接觸金屬從鎳溶液中被沉淀在晶片的清潔后的端子面上，鎳溶液通常包括溶解在硝酸中的鎳。根據(jù)設(shè)備的設(shè)計，該沉淀處理能夠無電地發(fā)生或有電地發(fā)生。
[0026]此外，設(shè)置至少一個凈化站和干燥站，凈化站允許晶圓表面被凈化，優(yōu)選地，利用去離子水凈化，以移除來自沉淀站的殘余物，晶圓表面在干燥站被干燥。
[0027]如果工作站被具體化為設(shè)備模塊將特別有利，設(shè)備模塊至少部分能裝卸地彼此聯(lián)接。因而，設(shè)備模塊在輸送設(shè)備的輸送方向上至少部分地能交換順序，使得設(shè)備的構(gòu)造能夠容易地適于將執(zhí)行的處理并且避免不必要的技術(shù)裝置。
[0028]如果設(shè)備模塊均包括間隔設(shè)備的一部分，所述部分形成為間隔壁，則能夠以最小可能的付出來結(jié)合各個模塊，而不需要額外付出來增加間隔設(shè)備。
[0029]優(yōu)選地，如果處理室形成為池，配置有晶圓的輸送保持件能夠從上方被插入池中。因而，通過處理室的相同開口能夠?qū)氩⑶乙瞥渲糜芯A的輸送保持件，而不需要必須形成復(fù)雜設(shè)計的處理室，該復(fù)雜設(shè)計例如為具有獨立于輸出側(cè)的輸入側(cè)的通道處理室。
[0030]如果操縱器設(shè)備包括連接到輸送設(shè)備的輸送帶并且能夠水平移動的承載件，操縱器設(shè)備包括能夠相對于承載件上下移動的至少一個抓持臂，則實現(xiàn)具有最小可能數(shù)量的運動軸的輸送保持件的特別容易操縱。因而，為了執(zhí)行處理，除了通過輸送設(shè)備必須獲得的水平軸之外，只需要一個豎直軸。
[0031]為了能夠特別有效地干燥晶圓表面，干燥站可以包括形成為池并且設(shè)置有具有熱輻射設(shè)備的蓋的處理室。
[0032]為了在干燥處理中最小化晶圓上的熱應(yīng)力，干燥站的池可以設(shè)置有閥裝置，閥裝置允許保持在池中的熱傳遞液體作為晶圓的測量的表面溫度的函數(shù)以規(guī)定的方式升降。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]以下，借助于附圖更詳細(xì)地說明設(shè)備的優(yōu)選實施方式。
[0034]在附圖中:
[0035]圖1示出設(shè)備的示意性圖示，以例示處理；
[0036]圖2示出圖1中圖示出的設(shè)備的側(cè)視圖；
[0037]圖3在側(cè)視圖中示出包括操縱器設(shè)備的圖示的、根據(jù)圖1中截面線II1-1II的路徑的設(shè)備的部分截面圖；
[0038]圖4在主視圖中示出操縱器設(shè)備；
[0039]圖5在分解圖示中示出傳輸設(shè)備的等距視圖；
[0040]圖6不出干燥設(shè)備。
【具體實施方式】
[0041]圖1以示意性概略圖示的方式示出用于生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備10，該設(shè)備10是由多個設(shè)備模塊11至21組成的。一起形成設(shè)備10的設(shè)備模塊的數(shù)量和類型能夠與將由設(shè)備10執(zhí)行的相應(yīng)處理相適應(yīng)。在本情況下，設(shè)備10包括設(shè)備模塊11，設(shè)備模塊11形成輸入/輸出站并且用作設(shè)備10的具有輸送保持件22 (參見圖3和圖4)的裝置，輸送保持件22在本情況下形成為保持多個晶圓(未圖示)的艙。輸送保持件22還能夠再從設(shè)備模塊11移除。
[0042]在本情況下，形成為輸入/輸出站的設(shè)備模塊11與設(shè)備模塊12毗連，設(shè)備模塊12包括形成為池的處理室23、24，其中，處理室23形成清潔站并且用于實施第一清潔處理，在第一清潔處理中，保持有晶圓的輸送保持件22被插入到處理室23中，晶圓表面的第一清潔發(fā)生在清潔槽(bath)中。在本情況下，為了凈化晶圓表面，處理室24設(shè)置有去離子水，利用去離子水能夠從晶圓表面移除來自處理室23的清潔液體的殘余物。
[0043]毗連設(shè)備模塊12的設(shè)備模塊13包括同樣形成為池的處理室25和處理室26，其中，在本情況下，處理室25填充有通過循環(huán)泵27循環(huán)的腐蝕性清潔液體，用于清潔晶圓的銅端子面。處理室26包含用于將鈀沉淀在清潔后的銅端子面的靜止液體槽。
[0044]在本情況下，設(shè)備模塊13與設(shè)備模塊14相毗連，設(shè)備模塊14包括處理室28和29，其中，處理室28用于保持通過另一循環(huán)泵27循環(huán)的清潔液體，并且用于清潔晶圓的鋁端子面。處理室29也包含通過循環(huán)泵27循環(huán)的液體槽，并且用于將鋅酸鹽沉淀在清潔后的鋁端子面上。
[0045]在之后的設(shè)備模塊15中，也設(shè)置有形成為池的處理室30、31，其中，在本情況下，處理室30形成與設(shè)備模塊12的處理室24相對應(yīng)的凈化站，并且包括用于凈化晶圓表面的去離子水的液體槽。在本情況下作為清潔站的處理室31包含用于晶圓表面的中間清潔的硝酸(HN03)的槽。
[0046]設(shè)備模塊15與設(shè)備模塊16相毗連，在本情況下，設(shè)備模塊16包括處理室32和處理室33，其中，與前述處理室24和30相對應(yīng)，處理室32填充有用于凈化晶圓表面的去離子水。處理室33形成沉淀站并且填充有通過另一循環(huán)泵27循環(huán)的鎳浴液，用于將鎳沉淀在晶圓的清潔后的端子面上。
[0047]毗連設(shè)備模塊16的設(shè)備模塊17包括處理室34和處理室35，其中，在本情況下，與處理室24、30和32相對應(yīng)，處理室34填充有用于凈化晶圓表面的去離子水的浴液。與前述處理室33相對應(yīng)，處理室35填充有同樣通過循環(huán)泵27循環(huán)的鎳浴液。
[0048]設(shè)備模塊18包括通過另一循環(huán)泵27循環(huán)的鈀槽，用于將鈀沉淀在之前已涂覆有鎳的端子面上。與前述處理室24、30、32和34相對應(yīng)，處理室37填充有用于凈化晶圓表面的去離子水的浴液。
[0049]設(shè)備模塊19包括處理室38和處理室39，兩者均包括液體槽，各槽通過循環(huán)泵27循環(huán)，其中，處理室38包括金槽，處理室39包括銅槽，用于將銅沉淀在晶圓的之前已涂覆有金的端子面上。
[0050]設(shè)備模塊19與包括處理室40和41的設(shè)備模塊20毗連，其中，與處理室24、30、32、34和37相對應(yīng)，處理室40也包括用于凈化晶圓表面的去離子水的槽，處理室41包含通過循環(huán)泵27循環(huán)的銀槽。
[0051]終止設(shè)備10的本示意性實施方式中的設(shè)備模塊11至21的直線狀布置的設(shè)備模塊21包括處理室42和處理室43，其中，與處理室24、30、32、34、37和40相對應(yīng)，處理室42填充有用于凈化晶圓表面的去離子水的浴液，處理室43為干燥站的一部分，干燥站用于在處理室42中的前述最終凈化處理之后干燥晶圓表面。
[0052]如圖1所見的，單個設(shè)備模塊11至21均包括間隔壁44，間隔壁44將設(shè)備模塊11至21的處理側(cè)49與供給側(cè)50分開，在處理側(cè)49，用于多個輸送保持件22的容納表面45至48位于設(shè)備模塊11，處理室23至26以及28至43分別配置在剩下的設(shè)備模塊12至21，在供給側(cè)50，配置控制設(shè)備51、分析設(shè)備52、存儲容器53、54，還順帶著配置循環(huán)泵27，循環(huán)泵27用于將循環(huán)的液體供給到處理室25、28、29、33、35、36、38、39和41。
[0053]在本情況下，控制設(shè)備51位于形成為輸入/輸出站的設(shè)備模塊11的供給側(cè)50。在本示意性實施方式中，設(shè)備模塊15在其供給側(cè)50設(shè)置有分析設(shè)備52，例如，分析設(shè)備52在形成為鎳槽的處理室33和35中提供穩(wěn)定的鎳量，當(dāng)必要時，允許鎳從存儲鎳的存儲容器53供給到鎳槽。在本情況下，保持硝酸的存儲容器54也位于設(shè)備模塊17的供給側(cè)50，其中，一方面，硝酸用于產(chǎn)生鎳浴液，另一方面，硝酸也用于清潔目的，這是存儲容器54連接到例如處理室23的原因。
[0054]如上所述，在本情況下具體化為輸入/輸出站的設(shè)備模塊11包括在處理側(cè)49的四個容納表面45至48，其中，容納表面45和46用于為設(shè)備模塊11配備兩個輸送保持件22，通過圖2中示出的操作者向兩個輸送保持件22填充晶圓，圖2示出設(shè)備10的側(cè)視圖。如圖2進一步示出的，能夠?qū)⒃O(shè)備10作為室壁80的一部分安裝，室壁80以如下方式分隔不同清潔室級別的室:按照設(shè)備模塊11至21的間隔壁44的順序形成于設(shè)備10的間隔設(shè)備81變?yōu)槭冶?0的功能組成部分。[0055]在本情況下，暗室(gray room)82位于室壁80的左側(cè)，清潔室(clean room)83位于室壁80的右側(cè)，與暗室82相比，清潔室83具有較高的清潔室級別，允許操作者在清潔室條件下安裝設(shè)備模塊11。在圖2的暗室82中示出的另一個操作者能夠例如執(zhí)行在設(shè)備10的供給側(cè)50的動力單元或組成部件的維護工作，而不會不利地影響設(shè)備10的處理側(cè)49的處理室23至26以及28至43中的處理流。
[0056]通過操作者裝配有晶圓并且位于容納表面45、46的輸送保持件22借助于圖3和圖5中示出的輸送設(shè)備56輸送和處置，輸送設(shè)備56設(shè)置有圖3和圖4中圖示出的操縱器設(shè)備57，其中，輸送設(shè)備56允許輸送保持件22沿著設(shè)備10的縱向58被輸送，操縱器設(shè)備57允許裝配有晶圓的輸送保持件22被定位在處理室23至26以及28至43中。
[0057]圖3在部分截面圖示中、在通過形成為池的處理室的截面路徑中示出設(shè)備10，其中，在本情況下，該處理室例如是設(shè)備模塊12的處理室23。圖5以等距的分解圖示示出具有在輸送平面59中循環(huán)的輸送帶60的輸送設(shè)備56。如可以從圖3和圖5的概要中得出的，除了輸送帶60，輸送設(shè)備56還包括輸送軌道設(shè)備61，輸送軌道設(shè)備61在設(shè)備10的縱向58上水平延伸，并且具有用于導(dǎo)引承載件64的兩個輸送軌道62、63，承載件64連接到輸送軌道62、63，以借助于滑片65水平地移動。
[0058]特別是，如圖3中可見的，承載件64包括用于連接到輸送帶60的連接設(shè)備66，其中，連接設(shè)備66同時用于以如下方式與操縱器設(shè)備57的連接片67相連接:輸送帶60以夾在連接設(shè)備66、承載件64與操縱器設(shè)備57的連接片67之間的方式被容納。連接設(shè)備66以輸送帶60配置在連接設(shè)備66上的方式穿過輸送槽68，所述槽68在輸送平面59中形成在間隔設(shè)備81中，其中，輸送槽68的寬度大致與輸送帶60的寬度相對應(yīng)，使得保持在沿縱向58延伸的輸送槽68的槽邊緣和輸送帶60的縱向邊緣之間的間隙最小化。
[0059]圖3和圖4分別在沿著設(shè)備10的縱向58的側(cè)視圖中以及在主視圖(圖4)中示出操縱器設(shè)備57，如從圖3和圖4的概要中變得清晰的，操縱器設(shè)備57包括軌道裝置69，軌道裝置69連接到連接片67并且具有彼此平行并且豎直延伸的導(dǎo)引軌道70、71，升降承載件72以可豎直移動的方式配置在導(dǎo)引軌道70、71上，升降承載件72在本情況下具有四個抓持臂73，抓持臂73借助于設(shè)置在所述抓持臂的端部的鉤74抓持輸送保持件22，所述輸送保持件22在圖3和圖4中僅通過輪廓線表示。
[0060]特別地，如從圖3變得易于理解的是，借助于聯(lián)合使用輸送設(shè)備56和操縱器設(shè)備57能夠?qū)⑤斔捅３旨?2定位于處理室23中。為此，首先，通過輸送帶60的輸送運動將操縱器設(shè)備57定位于處理室23的上方。接著，借助于馬達(dá)驅(qū)動器(未圖示出)將操縱器設(shè)備57的升降承載件72降低，使得抓持臂73和懸掛于抓持臂73的鉤74的輸送保持件22降低到處理室23中。一旦輸送保持件22已降落在處理室23的底部75，鉤74脫離與輸送保持件22的接合并且能夠借助于輸送設(shè)備56的最小向前運動而移出接合區(qū)域，接著，能夠通過升降承載件72的上升運動從處理室23移除鉤74，使得現(xiàn)在只有配置有晶圓的輸送保持件22位于處理室23中。
[0061]根據(jù)由控制設(shè)備51 (圖1)預(yù)定的順序控制輸送設(shè)備56和操縱器設(shè)備57，所述順序進而依賴設(shè)備10中將處理的晶圓的類型以及通過設(shè)備10形成于晶圓的端子面的接觸金
屬的結(jié)構(gòu)。
[0062]在本情況下填充有硝酸的處理室23中的晶圓表面的第一清潔之后，利用去離子水在處理室24中接著凈化晶圓表面，根據(jù)晶圓是設(shè)置有銅端子面還是鋁端子面，晶圓端子面能夠在處理室25或處理室28中的清潔槽中清潔。
[0063]對于大部分而言，由于發(fā)生在各個處理室中的處理具有不同的處理持續(xù)時間，在某些情況下，設(shè)置幾次處理運轉(zhuǎn)方面相同的處理室，例如，處理室24、30、32、34、37、40和42，在這些處理室中發(fā)生利用去離子水的凈化，或者處理室33、35，在這兩個處理室中，在預(yù)處理的端子面上發(fā)生無電鎳沉淀。此外，設(shè)備10允許執(zhí)行根本不同的處理，例如，使得具有被導(dǎo)入具體化為輸入/輸出站的設(shè)備模塊11的晶圓的第一輸送保持件22通過處理室的順序與具有第二晶圓的第二輸送保持件22通過處理室的順序不同。在配置在輸送保持件22中的晶圓的處理已經(jīng)完成后，也就是，一旦處理室43的晶圓表面的干燥完成了，借助于聯(lián)合使用輸送設(shè)備56和操縱器設(shè)備57將晶圓輸送回設(shè)備模塊11，在設(shè)備模塊11，晶圓定位于容納表面47、48上，使得操作者能夠從設(shè)備模塊11取出輸送保持件，輸送保持件保持有晶圓，并且該晶圓的端子面現(xiàn)在設(shè)置有所需的接觸金屬。
[0064]作為形成為池的處理室用的示例，圖6示出設(shè)備模塊21的處理室43，在處理室43中發(fā)生晶圓表面的干燥，其中，所述處理室包括具有可旋轉(zhuǎn)蓋77的池76。處理室43設(shè)置有晶圓框架84，晶圓框架84還允許晶圓獨立于輸送保持件22地在池76豎直定位。此外，池76設(shè)置有閥裝置78，閥裝置78允許具有去離子水等的池76作為配置在池76中的液體的液位的函數(shù)的規(guī)定的填充或排放。為此，閥裝置設(shè)置有液位測量設(shè)備79。
[0065]蓋77可以另外設(shè)置有支持干燥處理的熱輻射設(shè)備，其中，一方面為了最小化晶圓上的熱應(yīng)力，另一方面為了加速干燥處理，可以作為晶圓表面的測量的表面溫度的函數(shù)，執(zhí)行熱輻射設(shè)備的操作和/或閥裝置78的操作。
【權(quán)利要求】
1.一種用于在晶圓的端子面上生產(chǎn)接觸金屬的設(shè)備(10)，其具有沿直線配置的多個工作站，所述設(shè)備包括: 輸入/輸出站，其用于為所述設(shè)備配備至少一個輸送保持件(22)，所述輸送保持件(22)用于保持多個晶圓； 至少一個清潔站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件(22)的處理室(23)； 至少一個沉淀站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件(22)的處理室(33、35)， 其中，所述至少一個沉淀站的處理室(33、35)用于保持鎳溶解于承載液體的溶液，用于將鎳沉淀在晶圓的端子面上； 至少一個凈化站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件(22)以從晶圓的表面移除可能存在的殘余物的處理室(24、30、32、34、37、40、42 );以及 干燥站，其包括用于容納保持有晶圓的所述輸送保持件(22)的處理室(43)， 其特征在于， 所有處理室(23、33、35 ;24、30、32、34、37、40、42 ；43)都配置在所述工作站的處理側(cè) (49)，所述處理側(cè)通過間隔設(shè)備(81)與供給側(cè)(50)相分隔，用于操作和控制發(fā)生在所有這些處理室中的處理的設(shè)備配置在所述供給側(cè)， 其中，所述間隔設(shè)備(81)包括輸送設(shè)備(56)和配置于所述輸送設(shè)備(56)的操縱器設(shè)備(57 )，用于操作所述輸送保持件(22 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備， 其特征在于， 所述工作站被具體化為設(shè)備模塊(11至21)，所述設(shè)備模塊(11至21)至少部分地能裝卸地彼此聯(lián)接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備， 其特征在于， 所述設(shè)備模塊(11至21)均包括所述間隔設(shè)備(81)的一部分，所述部分形成為間隔壁(44)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項所述的設(shè)備， 其特征在于， 所有處理室(23至26以及28至43)都形成為池，配置有晶圓的所述輸送保持件(22)能夠從上方插入所述池中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備， 其特征在于， 所述操縱器設(shè)備(57)包括承載件(64)，所述承載件連接到所述輸送設(shè)備(56)的輸送帶(60)，并且能夠在水平方向上移位，所述操縱器設(shè)備(57)包括能夠相對于所述承載件(64)上下移動的至少一個抓持臂(73)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項所述的設(shè)備， 其特征在于， 所述干燥站包括形成為池(76)并且包括設(shè)置有熱輻射設(shè)備的蓋(77)的處理室(43)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于， 所述干燥站的池(76)設(shè)置有閥裝置(78)，所述閥裝置(78)允許保持在所述池中的熱傳遞液體作為晶圓的 測量的表面溫度的函數(shù)而進行規(guī)定的升降。
【文檔編號】H01L21/67GK203760439SQ201420128184
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年3月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月20日
【發(fā)明者】加西姆·阿茲達(dá)什, S·塔布里茲, T·克勞斯 申請人:派克泰克封裝技術(shù)有限公司