一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括有EMC支架、錫膏層、芯片和封裝膠體，其中所述EMC支架上包括有EMC支架金屬層和EMC支架塑膠，芯片倒裝焊接于EMC支架金屬層上，芯片與EMC支架金屬層之間涂有一層錫膏層，芯片的P、N電極分別與錫膏層粘接進行固化，所述芯片與EMC支架之間填充有封裝膠體。該倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)將LED芯片直接固晶于EMC支架金屬層上，省去了傳統(tǒng)倒裝工藝中的基板底板布線、做凸點、凹點和焊金線工藝，降低了工藝難度和材料成本，并且通過回流焊爐將倒裝芯片的P電極和N電極分別與焊膏層粘接進行固化，良品率高。
【專利說明】一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及LED照明及封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說是涉及一種新型的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的正裝LED封裝，LED芯片的PN結(jié)熱量通過藍寶石襯底導出，藍寶石的導熱系數(shù)為35W/mK，比金屬層要差，導熱路徑比較長，LED的熱阻較大，而且這種封裝結(jié)構(gòu)的電極和引線也會擋住部分光線出光，對整個器件的出光效率和散熱性能都不能達到最優(yōu)的效果。為了改善這方面的不足，資歷深厚公司都在研發(fā)倒裝工藝，現(xiàn)有技術(shù)中倒裝結(jié)構(gòu)LED光源散熱基板裝置包括散熱基層、導熱絕緣層、線路層及絕緣反射層，該結(jié)構(gòu)在絕緣反射層上對應每一個LED倒裝芯片位置預留形成兩個孔徑或兩個銅柱，LED倒裝芯片的兩個P電極、N電極安裝在兩個孔徑或銅柱上，與線路層連接，但此封裝工藝中芯片容易跟基板電極焊盤移位，導致焊接失敗，使得封裝產(chǎn)品不良率很高。
[0003]因此，如何研究出一種新型的工藝簡單、良品率高的倒裝工藝結(jié)構(gòu)成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型要解決的技術(shù)問題是克服上述缺陷，提供一種新型的倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]為解決上述問題，本實用新型所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括有EMC支架、錫膏層、芯片和封裝膠體，其中所述EMC支架上包括有EMC支架金屬層和EMC支架塑膠，芯片倒裝焊接于EMC支架金屬層上，芯片與EMC支架金屬層之間涂有一層錫膏層，芯片的P、N電極分別與錫膏層粘接進行固化，所述芯片與EMC支架之間填充有封裝膠體。
[0007]優(yōu)選地，所述芯片與EMC支架金屬層之間為回流焊倒裝焊接。
[0008]優(yōu)選地，所述EMC支架的整體形狀為反射杯EMC支架結(jié)構(gòu)。
[0009]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，該倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)將LED芯片直接固晶于EMC支架金屬層上，省去了傳統(tǒng)倒裝工藝中的基板底板布線、做凸點、凹點和焊金線工藝，降低了工藝難度和材料成本，并且通過回流焊爐將倒裝芯片的P電極和N電極分別與焊膏層粘接進行固化，良品率高。此外，EMC支架塑膠具有良好的耐高溫性能以及持久的高反射率，芯片的熱量可直接從電極導入EMC支架，同時避免EMC支架在回流焊爐焊接過程中因高溫引起支架發(fā)黃變形的現(xiàn)象。本實用新型用焊錫膏層替代了助焊劑，因此EMC支架金屬層無需選用AU/SN合金，降低了產(chǎn)品成本。
[0010]同時下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】[0011]圖1為本實用新型的剖面示意圖。
[0012]其中，圖中:1-EMC支架；2_EMC支架金屬層；3_EMC支架塑膠；4_錫膏層；5-芯片；6-芯片的P、N電極；7_封裝膠體。
【具體實施方式】
[0013]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。
[0014]如圖1所示，本實用新型提供了一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括有EMC支架1、錫膏層4、芯片5和封裝膠體7，其中所述EMC支架I上包括有EMC支架金屬層2和EMC支架塑膠3，芯片5倒裝焊接于EMC支架金屬層2上，芯片5與EMC支架金屬層2之間涂有一層錫膏層4，芯片的P、N電極6分別與錫膏層4粘接進行固化，所述芯片5與EMC支架I之間填充有封裝膠體7。所述芯片5與EMC支架金屬層2之間為回流焊倒裝焊接。所述EMC支架I的整體形狀為反射杯EMC支架結(jié)構(gòu)。
[0015]該倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)將LED芯片5直接固晶于EMC支架金屬層2上，省去了傳統(tǒng)倒裝工藝中的基板底板布線、做凸點、凹點和焊金線工藝，降低了工藝難度和材料成本。EMC支架塑膠3具有良好的耐高溫性能以及持久的高反射率，芯片5的熱量可直接從電極導入EMC支架1，同時避免EMC支架I在回流焊爐焊接過程中因高溫引起支架發(fā)黃變形的現(xiàn)象。
[0016]本實用新型用錫膏層4替代了助焊劑，因此EMC支架金屬層2無需選用AU/SN合金，降低了產(chǎn)品成本。芯片5與EMC支架金屬層2之間通過回流焊爐倒裝焊接，具有無鉛環(huán)保獨立設(shè)計、全電腦自動控制、動能監(jiān)控的功能，大大地提高了工作效率。
[0017]對所公開的實施例的上述說明的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，任何人應該得知在本實用新型的啟示下做出的結(jié)構(gòu)變化，凡是與本實用新型具有相同或者相近似的技術(shù)方案，均屬于本實用新型的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括有EMC支架、錫膏層、芯片和封裝膠體，其中所述EMC支架上包括有EMC支架金屬層和EMC支架塑膠，芯片倒裝焊接于EMC支架金屬層上，芯片與EMC支架金屬層之間涂有一層錫膏層，芯片的P、N電極分別與錫膏層粘接進行固化，所述芯片與EMC支架之間填充有封裝膠體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述芯片與EMC支架金屬層之間為回流焊倒裝焊接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中一種倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述EMC支架的整體形狀為反射杯EMC支架結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L33/62GK203787456SQ201420123220
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月19日
【發(fā)明者】龔文 申請人:深圳市晶臺股份有限公司