大功率整流器件的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種大功率整流器件，包括二極管芯片、第一銅引線和第二銅引線；二極管芯片包括具有P區(qū)和N區(qū)的硅片襯底，P區(qū)周邊覆蓋保護膜層，P區(qū)中央為正極金屬層，N區(qū)下表面為負極金屬層，P區(qū)與N區(qū)為弧形接觸面，二極管芯片為八角形狀；位于第一焊接區(qū)一端的第一圓形引線端頭通過焊膏層與所述二極管芯片的正極金屬層連接，位于第二焊接區(qū)一端的第二圓形引線端頭通過焊膏層與所述二極管芯片的負極金屬層連接；一環(huán)氧封裝體包覆所述二極管芯片、第一焊接區(qū)、第二焊接區(qū)。本實用新型大功率整流器件增加了PN結(jié)有效面積，從而顯著降低二極管在電路中應用時的功耗，且增加器件的電流。
【專利說明】大功率整流器件
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種大功率整流器件，屬于半導體元器件領域。
【背景技術】
[0002]整流器件是最基本的半導體器件，主要作用為將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?，廣泛應用于各種電子線路?，F(xiàn)有的整流二極管器件體積較大，安裝不方便，且安裝時，容易造成環(huán)氧封裝體與銅引線開裂，以及影響二極管芯片與銅引線焊接牢度。因此，如何設計一種安裝方便且可靠性高的整流二極管器件，是本實用新型研究的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本實用新型提供一種大功率整流器件，該大功率整流器件增加了 PN結(jié)有效面積，從而顯著降低二極管在電路中應用時的功耗，且增加器件的電流。
[0004]為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種大功率整流器件，包括二極管芯片、第一銅引線和第二銅引線；
[0005]所述二極管芯片包括具有P區(qū)和N區(qū)的硅片襯底，所述P區(qū)周邊覆蓋保護膜層，P區(qū)中央為正極金屬層，N區(qū)下表面為負極金屬層，所述P區(qū)與N區(qū)為弧形接觸面，所述二極管芯片為八角形狀；
[0006]所述第一銅引線，此第一銅引線一端為第一焊接區(qū)，此第一銅引線另一端作為整流二極管器件的陽極端子區(qū)；
[0007]所述第二銅引線，此第二銅引線一端為第二焊接區(qū)，此第二銅引線另一端作為整流二極管器件的陰極端子區(qū)；
[0008]位于第一焊接區(qū)一端的第一圓形引線端頭通過焊膏層與所述二極管芯片的正極金屬層連接，位于第二焊接區(qū)一端的第二圓形引線端頭通過焊膏層與所述二極管芯片的負極金屬層連接；
[0009]一環(huán)氧封裝體包覆所述二極管芯片、第一焊接區(qū)、第二焊接區(qū)和凸條。
[0010]上述技術方案中進一步改進的方案如下:
[0011]上述方案中，所述第一銅引線的第一焊接區(qū)、第二銅引線的第二焊接區(qū)中部均設有凸條。
[0012]由于上述技術方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點:
[0013]本實用新型大功率整流器件，其P區(qū)與N區(qū)之間的接觸面呈弧形，增加了 PN結(jié)有效面積，從而顯著降低二極管在電路中應用時的功耗；其次，二極管芯片為八角形狀，并采用圓形引線端頭，減小了器件面積并增加了電流；再次，其第一銅引線的第一焊接區(qū)、第二銅引線的第二焊接區(qū)中部均設有凸條，一環(huán)氧封裝體包覆所述二極管芯片、第一焊接區(qū)和第二焊接區(qū)，大大減低了環(huán)氧封裝體與銅引線之間開裂，以及大大減少后續(xù)使用中導致二極管芯片與銅引線焊接不牢的風險?！緦＠綀D】
【附圖說明】
[0014]附圖1為本實用新型大功率整流器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]附圖2為本實用新型大功率整流器件中二極管芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]附圖3為本實用新型大功率整流器件中二極管芯片局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]以上附圖中:1、二極管芯片；2、第一銅引線；21、第一焊接區(qū)；22、陽極端子區(qū)；3、第二銅引線；31、第二焊接區(qū)；32、陰極端子區(qū)；4、第一圓形引線端頭；5、焊膏層；6、第二圓形引線端頭；7、環(huán)氧封裝體；8、凸條；9、硅片襯底；91、P區(qū)；92、N區(qū)；10、保護膜層；11、弧形接觸面。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0019]實施例:一種大功率整流器件，包括二極管芯片1、第一銅引線2和第二銅引線3 ；
[0020]所述二極管芯片I包括具有P區(qū)91和N區(qū)92的硅片襯底9，所述P區(qū)91周邊覆蓋保護膜層10，P區(qū)91中央為正極金屬層，N區(qū)92下表面為負極金屬層，所述P區(qū)91與N區(qū)92為弧形接觸面11，所述二極管芯片I為八角形狀；
[0021]所述第一銅引線2，此第一銅引線2 —端為第一焊接區(qū)21，此第一銅引線2另一端作為整流二極管器件的陽極端子區(qū)22 ；
[0022]所述第二銅引線3，此第二銅引線3 —端為第二焊接區(qū)31，此第二銅引線3另一端作為整流二極管器件的陰極端子區(qū)32 ；
[0023]位于第一焊接區(qū)21 —端的第一圓形引線端頭4通過焊膏層5與所述二極管芯片I的正極金屬層連接，位于第二焊接區(qū)31 —端的第二圓形引線端頭6通過焊膏層5與所述二極管芯片I的負極金屬層連接；
[0024]所述第一銅引線2的第一焊接區(qū)21、第二銅引線3的第二焊接區(qū)31中部均設有凸條8 ；
[0025]一環(huán)氧封裝體7包覆所述二極管芯片2、第一焊接區(qū)21、第二焊接區(qū)31和凸條8。
[0026]采用上述大功率整流器件時，其P區(qū)與N區(qū)之間的接觸面呈弧形，增加了 PN結(jié)有效面積，從而顯著降低二極管在電路中應用時的功耗；其次，二極管芯片為八角形狀，并采用圓形引線端頭，減小了器件面積并增加了電流；再次，其第一銅引線的第一焊接區(qū)、第二銅引線的第二焊接區(qū)中部均設有凸條，一環(huán)氧封裝體包覆所述二極管芯片、第一焊接區(qū)和第二焊接區(qū)，大大減低了環(huán)氧封裝體與銅引線之間開裂，以及大大減少后續(xù)使用中導致二極管芯片與銅引線焊接不牢的風險。
[0027]上述實施例只為說明本實用新型的技術構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種大功率整流器件，其特征在于:包括二極管芯片(I)、第一銅引線(2)和第二銅引線(3)； 所述二極管芯片(I)包括具有P區(qū)(91)和N區(qū)(92 )的硅片襯底(9 )，所述P區(qū)(91)周邊覆蓋保護膜層(10)，P區(qū)(91)中央為正極金屬層，N區(qū)(92)下表面為負極金屬層，所述P區(qū)(91)與N區(qū)(92)為弧形接觸面(11)，所述二極管芯片(I)為八角形狀； 所述第一銅引線(2)，此第一銅引線(2)—端為第一焊接區(qū)(21)，此第一銅引線(2)另一端作為整流二極管器件的陽極端子區(qū)(22)； 所述第二銅引線(3)，此第二銅引線(3)—端為第二焊接區(qū)(31)，此第二銅引線(3)另一端作為整流二極管器件的陰極端子區(qū)(32)； 位于第一焊接區(qū)(21)—端的第一圓形引線端頭(4)通過焊膏層(5)與所述二極管芯片(I)的正極金屬層連接，位于第二焊接區(qū)(31)—端的第二圓形引線端頭(6)通過焊膏層(5)與所述二極管芯片(I)的負極金屬層連接； 一環(huán)氧封裝體(7)包覆所述二極管芯片(2)、第一焊接區(qū)(21)、第二焊接區(qū)(31)。
2.根據(jù)權利要求1所述的大功率整流器件，其特征在于:所述第一銅引線(2)的第一焊接區(qū)(21)、第二銅引線(3)的第二焊接區(qū)(31)中部均設有凸條(8)。
【文檔編號】H01L23/49GK203774337SQ201420073789
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年2月21日 優(yōu)先權日:2014年2月21日
【發(fā)明者】羅偉忠, 華國銘, 張建平 申請人:蘇州锝耀電子有限公司