一種柔性基底的低電阻復(fù)合導(dǎo)電膜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種高可見光透過率和低面電阻的柔性基底的低電阻復(fù)合導(dǎo)電膜。它包括有由PET塑料或PC塑料材料制成的基底層，在所述基底層表面上濺射鍍有厚度為25nm-35nm的ITO第一導(dǎo)電層，在ITO第一導(dǎo)電層表面上覆蓋濺射鍍有厚度為8nm-12nm的AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層；在AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層表面上濺射鍍有厚度為25nm-35nm的ITO第二導(dǎo)電層。與目前廣泛使用的ITO透明導(dǎo)電膜比較，本實(shí)用新型的復(fù)合導(dǎo)電膜在保持其高可見光透過率的同時(shí)，導(dǎo)電性更好，表現(xiàn)為其面電阻可以達(dá)到10ohm左右。
【專利說明】—種柔性基底的低電阻復(fù)合導(dǎo)電膜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及用于手機(jī)貼膜的【技術(shù)領(lǐng)域】，特指一種高可見光透過率和低面電阻的一種柔性基底的低電阻復(fù)合導(dǎo)電膜。

【背景技術(shù)】
[0002]在透明的PET薄膜等柔性基底的材料上層積一層ITO (銦錫氧化物)導(dǎo)電層，形成的ΙΤ0/ΡΕΤ柔性導(dǎo)電膜是一種在電子信息產(chǎn)品制造中廣泛使用的材料，其面電阻一般在100ohnT400ohm之間，同時(shí)，對透過率一般有嚴(yán)格的要求，大部分的基本使用條件是> 86%，而且是越高越好。隨著其用途的不斷擴(kuò)展與關(guān)聯(lián)技術(shù)的發(fā)展，越來越多的應(yīng)用提出在保持高透過率的同時(shí)，要求降低面電阻，有些要求降低至10hm以內(nèi)。對于目前普遍采用的在PET材料上的ITO低溫沉積成膜技術(shù)，這是無法實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)镮TO層的特性是厚度增加，面電阻降低，(RO =P/ d, P:導(dǎo)電率；d:膜層厚度)，同時(shí)透過率降低。我們可以通過改變成膜條件，得到更低P的ITO層，但由于受制于基底材料的有機(jī)特性，關(guān)鍵成膜條件的成膜溫度受到限制，一般不能高于150°C，因此我們在柔性基材上無法得到低電阻需要的低P的ITO層。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本新型的目的就是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種高可見光透過率和低面電阻的柔性基底的低電阻復(fù)合導(dǎo)電膜。
[0004]為達(dá)到上述目的，本新型的技術(shù)方案是:一種柔性基底的低電阻復(fù)合導(dǎo)電膜，包括有由PET塑料或PC塑料材料制成的基底層，在所述基底層表面上濺射鍍有厚度為25nm-35nm的ITO第一導(dǎo)電層，在ITO第一導(dǎo)電層表面上覆蓋濺射鍍有厚度為8nm_12nm的低面電阻層；在低面電阻層表面上濺射鍍有厚度為25nm-35nm的ITO第二導(dǎo)電層。所述低面電阻層定義為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員均知的低面電阻和高光通過率物質(zhì)=AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層。
[0005]所述AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層中的Ag占AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層的質(zhì)量百份比在10%-35%之間，AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層的其余成份均為AgO。
[0006]采用上述結(jié)構(gòu)后，本新型專利產(chǎn)品充分理解產(chǎn)品在透過率與面電阻方面的要求及二者之間的關(guān)系，利用 申請人:在多層薄膜沉積方面的技術(shù)與設(shè)備，采用多層ITO通過中間結(jié)構(gòu)層層疊成一復(fù)合層的方式，開發(fā)了本專利產(chǎn)品:柔性基底高透低阻ITO/AgO復(fù)合膜，與目前廣泛使用的ITO透明導(dǎo)電膜比較，本新型的復(fù)合導(dǎo)電膜在保持其高可見光透過率的同時(shí)，導(dǎo)電性更好，表現(xiàn)為其面電阻可以達(dá)到10hm左右。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本新型結(jié)構(gòu)原理示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0008]如圖1所示，本新型的產(chǎn)品實(shí)施例通過卷繞式鍍膜機(jī)上制成；
[0009]實(shí)施例一，
[0010]基底層10的材料選用PET塑料，這里基底層10的材料不限于PET塑料，包括PC塑料等柔性有機(jī)薄膜材料，首先在真空狀態(tài)下對材料表面進(jìn)行鍍膜前等離子表面處理；
[0011]在所述基底層10表面上濺射鍍有ITO第一導(dǎo)電層20，厚度30nm;表面電阻:95ohm ;透過率:83% ；
[0012]然后在ITO第一導(dǎo)電層20表面上覆蓋派射鍍有AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30，厚度1nm ；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30的其余成份為AgO ；
[0013]最后，在AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30表面上濺射鍍有ITO第二導(dǎo)電層40，鍍膜條件與鍍制第I層ITO層保持一致；
[0014]得到的復(fù)合膜層的參數(shù)是:厚度:70nm ;表面電阻:12ohm ;透過率:87% ；
[0015]反射率:7.5%。
[0016]調(diào)整ITO鍍層厚度后的實(shí)施例二，
[0017]在所述基底層10表面上濺射鍍有ITO第一導(dǎo)電層20，厚度25nm ；
[0018]然后在ITO第一導(dǎo)電層表面20上覆蓋派射鍍有AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30，厚度1nm ；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30的其余成份為AgO ；
[0019]最后，在AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30表面上濺射鍍有ITO第二導(dǎo)電層40，鍍膜條件與鍍制第I層ITO層保持一致；
[0020]得到的復(fù)合膜層的參數(shù)是:厚度:60nm ;表面電阻:15ohm ;透過率:88% ；
[0021]反射率:6.6%。
[0022]調(diào)整ITO鍍層厚度后的實(shí)施例三，
[0023]在所述基底層10表面上濺射鍍有ITO第一導(dǎo)電層20，厚度35nm ；
[0024]然后在ITO第一導(dǎo)電層20表面上覆蓋濺射鍍有AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30，厚度1nm ；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30的其余成份為AgO ；
[0025]最后，在AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30表面上濺射鍍有ITO第二導(dǎo)電層40，鍍膜條件與鍍制第I層ITO層保持一致；
[0026]得到的復(fù)合膜層的參數(shù)是:厚度:80nm ;表面電阻:9.5ohm ;透過率:85% ；
[0027]反射率:8.2%。
[0028]調(diào)整AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層厚度后的實(shí)施例四，
[0029]在所述基底層10表面上濺射鍍有ITO第一導(dǎo)電層20，厚度30nm;表面電阻:95ohm ;透過率:83% ；
[0030]然后在ITO第一導(dǎo)電層表面20上覆蓋派射鍍有AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30，厚度8nm ；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30的其余成份為AgO ；
[0031 ] 最后，在AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30表面上濺射鍍有ITO第二導(dǎo)電層40，鍍膜條件與鍍制第I層ITO層保持一致；
[0032]得到的復(fù)合膜層的參數(shù)是:厚度:68nm ;表面電阻:12.6ohm ;透過率:87% ；
[0033]反射率:7.5%。
[0034]調(diào)整AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層厚度后的實(shí)施例五，
[0035]在所述基底層10表面上濺射鍍有ITO第一導(dǎo)電層20，厚度30nm;表面電阻:95ohm ;透過率:83% ；
[0036]然后在ITO第一導(dǎo)電層表面20上覆蓋派射鍍有AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30，厚度12nm ；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30的其余成份為AgO ；
[0037]最后，在AgO和Ag混合后的中間結(jié)構(gòu)層30表面上濺射鍍有ITO第二導(dǎo)電層40，鍍膜條件與鍍制第I層ITO層保持一致；
[0038]得到的復(fù)合膜層的參數(shù)是:厚度:72nm ;表面電阻:11.6ohm ;透過率:86.5% ；
[0039]反射率:8%。
[0040]與目前廣泛使用的ITO透明導(dǎo)電膜比較，本新型的復(fù)合導(dǎo)電膜在保持其高可見光透過率的同時(shí)，導(dǎo)電性更好，表現(xiàn)為其面電阻可以達(dá)到10hm左右。
【權(quán)利要求】
1.一種柔性基底的低電阻復(fù)合導(dǎo)電膜，包括有由PET塑料或PC塑料材料制成的基底層，其特征在于:在所述基底層表面上派射鍍有厚度為25nm-35nm的ITO第一導(dǎo)電層，在ITO第一導(dǎo)電層表面上覆蓋濺射鍍有厚度為8nm-12nm的低面電阻層；在低面電阻層表面上濺射鍍有厚度為25nm-35nm的ITO第二導(dǎo)電層。
【文檔編號】H01B5/14GK204087844SQ201420050050
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月26日
【發(fā)明者】金烈 申請人:深圳市金凱新瑞光電有限公司