刻蝕裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種刻蝕裝置，包括：刻蝕槽；噴嘴，用以向所述刻蝕槽內(nèi)噴灑刻蝕液；刻蝕液儲(chǔ)存單元，通過(guò)管道與所述噴嘴相連通，所述刻蝕液儲(chǔ)存單元與所述刻蝕槽之間還設(shè)置有用來(lái)回收使用過(guò)的刻蝕液的回收管路；鹽酸添加裝置，用以向所述刻蝕槽內(nèi)加入鹽酸溶液；及氯化銀過(guò)濾單元，設(shè)置在所述回收管路中?？涛g槽與刻蝕液儲(chǔ)存單元連通以回收蝕刻液，且二者之間設(shè)有氯化銀過(guò)濾單元，刻蝕裝置還包括用以向刻蝕槽中注入鹽酸溶液的鹽酸添加裝置，鹽酸溶液與刻蝕液中的銀離子，生成氯化銀固體，混合有氯化銀固體的刻蝕液經(jīng)過(guò)濾單元過(guò)濾后返回刻蝕液儲(chǔ)存單元，如此蝕刻液中的銀離子的濃度得以控制，延長(zhǎng)了使用壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】刻蝕裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及刻蝕【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種刻蝕裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]在AMOLED顯示器的制造領(lǐng)域，會(huì)使用到銀金屬作為T(mén)FT的陽(yáng)極，一般都會(huì)使用藥液來(lái)刻蝕銀薄膜，然而銀刻蝕后進(jìn)入到藥液中，會(huì)產(chǎn)生銀離子。隨著刻蝕的進(jìn)程，刻蝕藥液中的銀離子濃度會(huì)升高，析出的粒子將影響后續(xù)的清洗效果，在陽(yáng)極進(jìn)一步刻蝕中會(huì)影響刻蝕效果，降低刻蝕液的使用壽命，即刻蝕液會(huì)因?yàn)殂y離子濃度增加到一定值后而報(bào)廢。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要提供一種能延長(zhǎng)刻蝕液使用壽命的刻蝕裝置。
[0004]—種刻蝕裝置，包括:刻蝕槽；噴嘴，用以向所述刻蝕槽內(nèi)噴灑刻蝕液；刻蝕液儲(chǔ)存單元，通過(guò)管道與所述噴嘴相連通；所述刻蝕液儲(chǔ)存單元與所述刻蝕槽之間還設(shè)置有用來(lái)回收使用過(guò)的刻蝕液的回收管路；鹽酸添加裝置，用以向所述刻蝕槽內(nèi)加入鹽酸溶液；及氯化銀過(guò)濾單元，設(shè)置在所述回收管路中。
[0005]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述刻蝕裝置還包括銀離子濃度管理器，所述銀離子濃度管理器監(jiān)控過(guò)濾后的使用過(guò)的刻蝕液中的銀離子濃度，當(dāng)銀離子濃度大于設(shè)定值后，所述銀離子濃度管理器控制所述鹽酸添加裝置向所述刻蝕槽中添加鹽酸溶液。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氯化銀過(guò)濾單元包括毛刷通道及與所述毛刷通道相連通的沉淀槽，所述毛刷通道通過(guò)所述回收管路與所述刻蝕槽連通，所述沉淀槽與所述刻蝕液儲(chǔ)存單元相連通。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述沉淀槽的內(nèi)側(cè)壁上還設(shè)置有多個(gè)阻擋件，所述沉淀槽與所述刻蝕液儲(chǔ)存單元相連通的位置設(shè)置在所述毛刷通道與所述阻擋件之間。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)阻擋件在所述沉淀槽的中心線(xiàn)兩側(cè)斜向交錯(cuò)設(shè)置。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述沉淀槽與所述刻蝕液儲(chǔ)存單元相連通的位置設(shè)置在沉淀槽的側(cè)面的頂部。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述沉淀槽的底部設(shè)置有控制閥門(mén)。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述刻蝕槽底部的中央位置設(shè)置有排液口，所述刻蝕槽底部于所述排液口的四周形成有向上的坡度。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述坡度通過(guò)在所述刻蝕槽的底部安裝擋板形成。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述刻蝕液儲(chǔ)存單元與所述噴嘴之間通過(guò)管路連通，且管路中設(shè)置有抽取刻蝕液的泵。
[0014]上述刻蝕裝置，刻蝕槽與刻蝕液儲(chǔ)存單元連通以回收蝕刻液，且二者之間設(shè)有氯化銀過(guò)濾單元，刻蝕裝置還包括用以向刻蝕槽中注入鹽酸溶液的鹽酸添加裝置，鹽酸溶液與刻蝕液中的銀離子，生成氯化銀固體，混合有氯化銀固體的刻蝕液經(jīng)過(guò)濾單元過(guò)濾后返回刻蝕液儲(chǔ)存單元，如此蝕刻液中的銀離子的濃度得以控制，延長(zhǎng)了使用壽命。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明的刻蝕裝置的系統(tǒng)框架圖；
[0016]圖2為刻蝕裝置中氯化銀過(guò)濾單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0018]需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱(chēng)為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。相反，當(dāng)元件被稱(chēng)作“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類(lèi)似的表述只是為了說(shuō)明的目的。
[0019]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0020]下面結(jié)合附圖，說(shuō)明刻蝕裝置的較佳實(shí)施方式。
[0021]如圖1所示，一實(shí)施例的刻蝕裝置，包括刻蝕液儲(chǔ)存單元110、刻蝕槽120、噴嘴130、連通刻蝕液儲(chǔ)存單元110與噴嘴130的進(jìn)液管路140，以及連通刻蝕槽120與刻蝕液儲(chǔ)存單元110的回收管路150。需要進(jìn)行刻蝕作業(yè)的AMOLED基板是在刻蝕槽120中進(jìn)行刻蝕。進(jìn)液管路140中還設(shè)置有用來(lái)抽取刻蝕液的泵142?？涛g液儲(chǔ)存單元110中的刻蝕液經(jīng)由進(jìn)液管路140進(jìn)入噴嘴130，進(jìn)而通過(guò)噴嘴130向刻蝕槽120內(nèi)噴灑刻蝕液，以對(duì)AMOLED基板進(jìn)行刻蝕。
[0022]AMOLED基板上會(huì)使用到銀金屬作為T(mén)FT的陽(yáng)極，故會(huì)使用藥液來(lái)刻蝕銀薄膜，然而銀刻蝕后進(jìn)入到藥液中，會(huì)產(chǎn)生銀離子，會(huì)影響清洗效果，甚至刻蝕液會(huì)因?yàn)殂y離子濃度增加到一定值后而報(bào)廢。
[0023]為了解決此問(wèn)題，本發(fā)明的刻蝕裝置還設(shè)置了鹽酸添加裝置160和氯化銀過(guò)濾單元170。其中，鹽酸添加裝置160用以向刻蝕槽120內(nèi)添加鹽酸溶液。添加鹽酸溶液后，銀離子和氯離子生成氯化銀顆粒，從而使用過(guò)的刻蝕液中的游離的銀離子濃度就得以控制。氯化銀過(guò)濾單元170設(shè)置在回收管路150中?；旌嫌新然y固體的刻蝕液在流經(jīng)氯化銀過(guò)濾單元170時(shí)，氯化銀顆粒被過(guò)濾掉，刻蝕液則返回到刻蝕液儲(chǔ)存單元110中以供循環(huán)使用，從而刻蝕液儲(chǔ)存單元110內(nèi)刻蝕液中的銀離子的濃度得以控制，延長(zhǎng)了使用壽命。
[0024]請(qǐng)參考圖2，氯化銀過(guò)濾單元170包括毛刷通道172及與毛刷通道172相連通的沉淀槽174。其中，毛刷通道172通過(guò)回收管路150與刻蝕槽120連通，沉淀槽174則與刻蝕液儲(chǔ)存單元110相連通?；旌嫌新然y固體的刻蝕液在流經(jīng)氯化銀過(guò)濾單元170時(shí)，先經(jīng)過(guò)毛刷通道172，毛刷通道172中的毛刷或類(lèi)似元件將吸附細(xì)小的氯化銀顆粒。細(xì)小的氯化銀顆粒，在奧斯特瓦爾德熟化機(jī)理作用下，細(xì)小的氯化銀顆粒溶解并再次在沉淀槽174中形成氯化銀固體。
[0025]沉淀槽174的內(nèi)側(cè)壁上還設(shè)置有多個(gè)阻擋件1742，而沉淀槽174與刻蝕液儲(chǔ)存單元110相連通的出口位置1744設(shè)置在阻擋件1742與毛刷通道172之間。這樣，阻擋件1742可防止沉淀槽174中沉積的氯化銀固體在刻蝕液的沖刷下翻騰后仍隨同刻蝕液經(jīng)由刻蝕液儲(chǔ)存單元110進(jìn)入刻蝕液儲(chǔ)存單元110。多個(gè)阻擋件1742則分布在沉淀槽174的中心線(xiàn)X兩側(cè)，且多個(gè)阻擋件1742斜向交錯(cuò)設(shè)置，既不影響氯化銀固體的沉積，又可避免氯化銀固體向上翻騰。本實(shí)施例中，沉淀槽174與刻蝕液儲(chǔ)存單元110相連通的出口位置1744設(shè)置在沉淀槽174的側(cè)面的頂部。當(dāng)然，連通的位置并非一定要開(kāi)設(shè)在沉淀槽174的側(cè)面的頂部，如可以是中部靠上位置，使阻擋件1742能夠起到作用即可。
[0026]沉淀槽174底部還設(shè)置有控制閥門(mén)176，故可以定期回收沉淀槽174中收集的氯化銀固體，避免沉淀槽174中沉積過(guò)多的氯化銀固體而影響刻蝕液的回收效率，避免影響后續(xù)的刻蝕。
[0027]請(qǐng)參考圖1,刻蝕槽120的底部的中央位置設(shè)置有連通回收管路150的排液口122。排液口 122四周形成向上的坡度，便于使用過(guò)的刻蝕液流向排液口 122，進(jìn)而流入回收管路150。坡度通過(guò)在刻蝕槽120的底部增加擋板124實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，也可以直接將刻蝕槽120的底部設(shè)置成有坡度的結(jié)構(gòu)。增加擋板124便于后期改造，可以不對(duì)原有刻蝕槽120進(jìn)行大的變動(dòng)。由于設(shè)置了擋板124，形成坡度，刻蝕液很流暢地沿圖1中箭頭所示方向流向排液口 122。
[0028]本發(fā)明的刻蝕裝置，通過(guò)鹽酸添加裝置160向刻蝕槽120內(nèi)添加鹽酸溶液，可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)手動(dòng)控制添加。為了實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制，刻蝕裝置還包括銀離子濃度管理器180。銀離子濃度管理器180監(jiān)控刻蝕液儲(chǔ)存單元110前端的銀離子濃度，也即監(jiān)控過(guò)濾后的使用過(guò)的刻蝕液中的銀離子濃度。當(dāng)銀離子濃度大于設(shè)定值后，銀離子濃度管理器180控制鹽酸添加裝置160向刻蝕槽120中添加鹽酸溶液。
[0029]本發(fā)明的刻蝕裝置，刻蝕槽120與刻蝕液儲(chǔ)存單元110連通以回收蝕刻液，且二者之間設(shè)有氯化銀過(guò)濾單元170，刻蝕裝置還包括用以向刻蝕槽中注入鹽酸溶液的鹽酸添加裝置160，鹽酸溶液與刻蝕液中的銀離子，生成氯化銀固體，混合有氯化銀固體的刻蝕液經(jīng)氯化銀過(guò)濾單元170過(guò)濾后返回刻蝕液儲(chǔ)存單元110，如此可有效的控制刻蝕液中的銀離子濃度，提高清洗效果，提高刻蝕工藝穩(wěn)定性及延長(zhǎng)刻蝕液壽命。
[0030]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種刻蝕裝置，其特征在于，包括: 刻蝕槽； 噴嘴，用以向所述刻蝕槽內(nèi)噴灑刻蝕液； 刻蝕液儲(chǔ)存單元，通過(guò)管道與所述噴嘴相連通，所述刻蝕液儲(chǔ)存單元與所述刻蝕槽之間還設(shè)置有用來(lái)回收使用過(guò)的刻蝕液的回收管路； 鹽酸添加裝置，用以向所述刻蝕槽內(nèi)加入鹽酸溶液；及 氯化銀過(guò)濾單元，設(shè)置在所述回收管路中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置還包括銀離子濃度管理器，所述銀離子濃度管理器監(jiān)控過(guò)濾后的使用過(guò)的刻蝕液中的銀離子濃度，當(dāng)銀離子濃度大于設(shè)定值后，所述銀離子濃度管理器控制所述鹽酸添加裝置向所述刻蝕槽中添加鹽酸溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述氯化銀過(guò)濾單元包括毛刷通道及與所述毛刷通道相連通的沉淀槽，所述毛刷通道通過(guò)所述回收管路與所述刻蝕槽連通，所述沉淀槽與所述刻蝕液儲(chǔ)存單元相連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述沉淀槽的內(nèi)側(cè)壁上還設(shè)置有多個(gè)阻擋件，所述沉淀槽與所述刻蝕液儲(chǔ)存單元相連通的位置設(shè)置在所述毛刷通道與所述阻擋件之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述多個(gè)阻擋件在所述沉淀槽的中心線(xiàn)兩側(cè)斜向交錯(cuò)設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述沉淀槽與所述刻蝕液儲(chǔ)存單元相連通的位置設(shè)置在沉淀槽的側(cè)面的頂部。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述沉淀槽的底部設(shè)置有控制閥門(mén)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕槽底部的中央位置設(shè)置有排液口，所述亥IJ蝕槽底部于所述排液口的四周形成有向上的坡度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述坡度通過(guò)在所述刻蝕槽的底部安裝擋板形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕液儲(chǔ)存單元與所述噴嘴之間通過(guò)管路連通，且管路中設(shè)置有抽取刻蝕液的泵。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK104409398SQ201410723359
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月2日
【發(fā)明者】鐘立華, 張?zhí)锍? 吳蘊(yùn)澤, 黃繼平 申請(qǐng)人:昆山國(guó)顯光電有限公司