一種熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法，包括：制備鉭酸鋰晶片襯底；在鉭酸鋰晶片襯底的第一表面上形成鉻金屬薄膜；在鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜；在鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層并刻蝕形成上電極；在鉭酸鋰晶片襯底的第二表面上形成第二鉻鎳合金層并刻蝕形成下電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法制造的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的吸收層具有附著牢固、重復(fù)性好、吸收波段寬、光譜平坦、吸收率高、比熱容小、傳熱性能優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)吸收層可兼做電極，適合作為熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層。
【專利說(shuō)明】一種熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及熱釋電紅外探測(cè)器【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元及其制造方法。
[0002]

【背景技術(shù)】
[0003]熱釋電紅外探測(cè)器具有室溫工作、功耗小、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、光譜響應(yīng)寬且光譜平坦、工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、抗干擾性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于軍事國(guó)防、工業(yè)、醫(yī)藥衛(wèi)生、環(huán)境監(jiān)測(cè)和科學(xué)研究等領(lǐng)域，例如可用于紅外制導(dǎo)和入侵報(bào)警、安全監(jiān)視、防火報(bào)警、工業(yè)生產(chǎn)監(jiān)控、飛機(jī)車量輔助駕駛、醫(yī)療診斷、光譜分析、地球大氣監(jiān)測(cè)等諸多方面。
[0004]當(dāng)紅外輻射入射到熱釋電紅外探測(cè)器上時(shí)，紅外輻射被探測(cè)器吸收而引起探測(cè)器溫度變化，溫度的變化會(huì)引起探測(cè)器自發(fā)極化強(qiáng)度發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)紅外輻射的探測(cè)。非熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層對(duì)紅外輻射的吸收特性，不僅直接影響探測(cè)器響應(yīng)率和探測(cè)率，還決定了探測(cè)器的光譜響應(yīng)特性。
[0005]目前熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層存在著附著不牢固或吸收波段窄、與標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝不兼容、難以用于制備高性能熱釋電紅外探測(cè)器等缺點(diǎn)。
[0006]


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的之一是提供一種工藝簡(jiǎn)單、制造出的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的吸收層附著牢固、吸收波段寬的制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法。
[0008]本發(fā)明的目的之一是提供一種吸收層附著牢固、吸收波段寬的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元。
[0009]本發(fā)明公開(kāi)的技術(shù)方案包括:
提供了一種制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法，其特征在于，包括:制備鉭酸鋰晶片襯底，所述鉭酸鋰晶片襯底包括第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，并在所述第一表面上形成第一圖形；在所述第一表面上形成鉻金屬薄膜；在所述鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜，并在所述鎳金屬薄膜上形成第二圖形；在所述鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層，并在所述第一鉻鎳合金層上形成第三圖形；在所述第一鉻鎳合金層上刻蝕形成上電極；在所述第二表面上形成第二鉻鎳合金層，并在所述第二鉻鎳合金層上形成第四圖形；在所述第二鉻鎳合金層上刻蝕形成下電極。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述制備鉭酸鋰晶片襯底的步驟包括:對(duì)所述第一表面和第二表面進(jìn)行機(jī)械減薄拋光和化學(xué)腐蝕處理。
[0011]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一表面上形成鉻金屬薄膜的步驟包括:使用磁控濺射方法在所述第一表面上形成厚度為15至25納米的鉻金屬薄膜。
[0012]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜的步驟包括:使用磁控濺射方法在所述鉻金屬薄膜上形成厚度為55至65納米的鎳金屬薄膜。
[0013]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層的步驟包括:使用磁控濺射方法或者熱蒸發(fā)方法在所述鎳金屬薄膜上形成所述第一鉻鎳合金層，所述第一鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第一鉻鎳合金層的厚度為8至15納米。
[0014]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第二表面上形成第二鉻鎳合金層的步驟包括:使用磁控濺射方法或者熱蒸發(fā)方法在所述第二表面上形成所述第二鉻鎳合金層，所述第二鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第二鉻鎳合金層的厚度為90至100納米。
[0015]本發(fā)明的實(shí)施例中還提供了一種熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元，其特征在于，包括:鉭酸鋰晶片襯底，所述鉭酸鋰晶片襯底包括第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，并且所述第一表面上形成有第一圖形；鉻金屬薄膜，所述鉻金屬薄膜形成在所述第一表面上；鎳金屬薄膜，所述鎳金屬薄膜形成在所述鉻金屬薄膜上，并且所述鎳金屬薄膜上形成有第二圖形；第一鉻鎳合金層，所述第一鉻鎳合金層形成在所述鎳金屬薄膜上，所述第一鉻鎳合金層上形成有第三圖形，并且所述第一鉻鎳合金層上刻蝕形成上電極；第二鉻鎳合金層，所述第二鉻鎳合金層形成在所述第二表面上，所述第二鉻鎳合金層上形成由第四圖形，并且所述第二鉻鎳合金層上刻蝕形成下電極。
[0016]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述鉻金屬薄膜的厚度為15至25納米；所述鎳金屬薄膜的厚度為55至65納米。
[0017]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第一鉻鎳合金層的厚度為8至15納米。
[0018]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第二鉻鎳合金層的厚度為90至100納米。
[0019]本發(fā)明的實(shí)施例中的方法工藝簡(jiǎn)單，利于工藝整合，適用于單元、線列熱釋電紅外探測(cè)器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法制造的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的吸收層具有附著牢固、重復(fù)性好、吸收波段寬、光譜平坦、吸收率高、比熱容小、傳熱性能優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)吸收層可兼做電極，適合作為熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層。
[0020]

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法的流程示意圖。
[0022]圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]

【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法的具體步驟及制造的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的結(jié)構(gòu)。
[0025]圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法的流程示意圖。
[0026]如圖1所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在步驟10，首先制備鉭酸鋰晶片襯底。例如，可以使用鉭酸鋰晶片獲得鉭酸鋰晶片襯底。鉭酸鋰晶片可以包括第一表面(例如，上表面)和與第一表面相反的第二表面(例如，下表面)。本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，可以對(duì)鉭酸鋰晶片的第一表面和第二表面進(jìn)行機(jī)械減薄拋光和化學(xué)腐蝕等處理，以去除第一表面和第二表面上的缺陷和損傷，從而獲得鉭酸鋰晶片襯底。
[0027]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在鉭酸鋰晶片襯底的第一表面上形成第一圖形。該第一圖形可以是能夠增加對(duì)紅外輻射的吸收的具有預(yù)先確定的結(jié)構(gòu)、形狀和/或尺寸的圖形。
[0028]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，鉭酸鋰晶片襯底的厚度可以為100微米。
[0029]然后，在步驟12中，可以在鉭酸鋰晶片襯底的第一表面上形成鉻金屬薄膜。例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以使用磁控濺射方法在鉭酸鋰晶片襯底的第一表面上形成鉻金屬薄膜，形成的鉻金屬薄膜的厚度可以為15至25納米。
[0030]形成了鉻金屬薄膜之后，在步驟14中，可以在鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜。例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以使用磁控濺射方法在鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜，形成的鎳金屬薄膜的厚度可以為55至65納米。
[0031 ] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在鎳金屬薄膜上形成第二圖形。該第二圖形可以是能夠增加對(duì)紅外輻射的吸收的具有預(yù)先確定的結(jié)構(gòu)、形狀和/或尺寸的圖形。
[0032]形成了鎳金屬薄膜之后，在步驟16中，可以在鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層。例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以使用磁控濺射方法或者熱蒸發(fā)方法在該鎳金屬薄膜上形成該第一鉻鎳合金層，并清洗。形成的該第一鉻鎳合金層的方塊電阻可以為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且該第一鉻鎳合金層的厚度可以為8至15納米。
[0033]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在第一鉻鎳合金層上形成第三圖形。該第三圖形可以是能夠增加對(duì)紅外輻射的吸收的具有預(yù)先確定的結(jié)構(gòu)、形狀和/或尺寸的圖形。
[0034]然后，在該第一鉻鎳合金層上進(jìn)行刻蝕，形成上電極。例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以在第一鉻鎳合金層上光刻形成刻蝕掩膜，然后用氬離子刻蝕方法在第一鉻鎳合金層上刻蝕形成預(yù)定結(jié)構(gòu)、形狀和/或大小的上電極。
[0035]在步驟10中制備了鉭酸鋰晶片襯底之后，在步驟18中，可以在鉭酸鋰晶片襯底的第二表面上形成第二鉻鎳合金層。例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以使用磁控濺射方法或者熱蒸發(fā)方法在該第二表面上形成該第二鉻鎳合金層，并清洗。形成的該第二鉻鎳合金層的方塊電阻可以為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且該第二鉻鎳合金層的厚度可以為90至100納米。
[0036]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在第二鉻鎳合金層上形成第四圖形。該第四圖形可以是能夠增加對(duì)紅外輻射的吸收的具有預(yù)先確定的結(jié)構(gòu)、形狀和/或尺寸的圖形。
[0037]然后，在該第二鉻鎳合金層上進(jìn)行刻蝕，形成下電極。例如，一個(gè)實(shí)施例中，可以在第二鉻鎳合金層上光刻形成刻蝕掩膜，然后用氬離子刻蝕方法在該第二鉻鎳合金層上刻蝕形成預(yù)定結(jié)構(gòu)、形狀和/或大小的下電極。
[0038]本發(fā)明的實(shí)施例中，前述的第一圖形、第二圖形、第三圖形和/或第四圖形之間可以是相同的。
[0039]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，前述的第一圖形、第二圖形、第三圖形和/或第四圖形可以用MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))形成。
[0040]經(jīng)過(guò)前述步驟，即可制成需要的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元。
[0041]圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，該熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元包括鉭酸鋰晶片襯底4、鉻金屬薄膜3、鎳金屬薄膜2、第一鉻鎳合金層I和第二鉻鎳合金層5。
[0042]鉭酸鋰晶片襯底4包括第一表現(xiàn)和與第一表面相反的第二表面，第一表面上形成有第一圖形。鉻金屬薄膜3形成在鉭酸鋰晶片襯底4的第一表面上，其厚度可以為15至25納米；鎳金屬薄膜2形成在鉻金屬薄膜3上，其厚度可以為55至65納米，并且鎳金屬薄膜2上形成有第二圖形。
[0043]第一鉻鎳合金層I形成在鎳金屬薄膜2上,第一鉻鎳合金層I上形成有第三圖形，并且該第一鉻鎳合金層I上刻蝕形成有上電極。該第一鉻鎳合金層I的方塊電阻可以為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，厚度可以為8至15納米。
[0044]第二鉻鎳合金層5形成在鉭酸鋰晶片襯底4的第二表面上，第二鉻鎳合金層5上形成有第四圖形，并且該第二鉻鎳合金層5上刻蝕形成有下電極。該第二鉻鎳合金層5的方塊電阻可以為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，厚度可以為90至100納米。
[0045]下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的幾個(gè)具體的實(shí)例。
[0046]實(shí)例一:
(一)鉭酸鋰(LiTaO3)晶體表面處理
1)清洗LiTaO3晶片。對(duì)LiTaO3晶片A面(第一表面)和B面(第二表面)進(jìn)行機(jī)械減薄拋光及化學(xué)腐蝕。濕法腐蝕LiTaO3晶片以去除減薄拋光產(chǎn)生的缺陷和損傷。
[0047](二)淀積紅外吸收層并刻蝕形成電極結(jié)構(gòu)
2)清洗LiTaO3晶片，在A面光刻圖形化(即形成前文所述的圖形)。
[0048]3)在LiTaO3晶片A面采用磁控濺射的工藝淀積鉻金屬薄膜和鎳金屬薄膜。浮膠清洗。其中鉻金屬薄膜厚度15nm，鎳金屬膜厚度60nm。
[0049]4)在LiTaO3晶片A面光刻圖形化。
[0050]5)在LiTaO3晶片A面采用磁控濺射的工藝淀積鉻鎳合金吸收層，鉻鎳合金吸收層方塊電阻為9.5歐姆/塊，厚度為10nm，浮膠清洗。
[0051]6)在LiTaO3晶片表面光刻圖形化，形成刻蝕掩模。
[0052]7)在LiTaO3晶片A面采用氬離子刻蝕的工藝刻蝕出電極的結(jié)構(gòu)及大小，浮膠清洗。
[0053]8)在LiTaO3晶片B面采用磁控濺射的工藝淀積鉻鎳合金吸收層，鉻鎳合金吸收層方塊電阻為9.5歐姆/塊，厚度為lOOnm，浮膠清洗。
[0054]9)在LiTaO3晶片表面光刻圖形化，形成刻蝕掩模。
[0055]10)在LiTaO3晶片B面采用氬離子刻蝕的工藝刻蝕出下電極的結(jié)構(gòu)及大小，浮膠清洗。
[0056]實(shí)例二:
(一)LiTaO3表面處理
I)清洗LiTaO3晶片。對(duì)LiTaO3晶片A面(第一表面)和B面(第二表面)進(jìn)行機(jī)械減薄拋光及化學(xué)腐蝕。濕法腐蝕LiTaO3晶片以去除減薄拋光產(chǎn)生的缺陷和損傷。
[0057]( 二)淀積紅外吸收層并刻蝕形成電極結(jié)構(gòu)
2)清洗LiTaO3晶片，在A面光刻圖形化。
[0058]3)在LiTaO3晶片A面采用磁控濺射的工藝淀積鉻金屬薄膜和鎳金屬薄膜，浮膠清洗。其中鉻金屬薄膜厚度20nm，鎳金屬膜厚度65nm。
[0059]4)在LiTaO3晶片A面光刻圖形化。
[0060]5)在LiTaO3晶片A面采用熱蒸發(fā)的工藝淀積鉻鎳合金吸收層，鉻鎳合金吸收層方塊電阻為10.0歐姆/塊，厚度為12nm，浮膠清洗。
[0061]6)在LiTaO3晶片表面光刻圖形化，形成刻蝕掩模。
[0062]7)在LiTaO3晶片A面采用氬離子刻蝕的工藝電極的結(jié)構(gòu)及大小。浮膠清洗。
[0063]8)在LiTaO3晶片B面采用磁控濺射的工藝淀積鉻鎳合金吸收層，鉻鎳合金吸收層方塊電阻為9.5歐姆/塊，厚度為95nm，浮膠清洗。
[0064]9)在LiTaO3晶片表面光刻圖形化，形成刻蝕掩模。
[0065]10)在LiTaO3晶片B面采用氬離子刻蝕的工藝刻蝕出下電極的結(jié)構(gòu)及大小，浮膠清洗。
[0066]本發(fā)明的實(shí)施例中的方法工藝簡(jiǎn)單，利于工藝整合，適用于單元、線列熱釋電紅外探測(cè)器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法制造的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的吸收層具有附著牢固、重復(fù)性好、吸收波段寬、光譜平坦、吸收率高、比熱容小、傳熱性能優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)吸收層可兼做電極，適合作為熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層。
[0067]以上通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于這些具體的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，還可以對(duì)本發(fā)明做各種修改、等同替換、變化等等，這些變換只要未背離本發(fā)明的精神，都應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，以上多處所述的“一個(gè)實(shí)施例”表示不同的實(shí)施例，當(dāng)然也可以將其全部或部分結(jié)合在一個(gè)實(shí)施例中。
【權(quán)利要求】
1.一種制造熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元的方法，其特征在于，包括: 制備鉭酸鋰晶片襯底，所述鉭酸鋰晶片襯底包括第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，并在所述第一表面上形成第一圖形； 在所述第一表面上形成鉻金屬薄膜； 在所述鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜，并在所述鎳金屬薄膜上形成第二圖形； 在所述鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層，并在所述第一鉻鎳合金層上形成第三圖形； 在所述第一鉻鎳合金層上刻蝕形成上電極； 在所述第二表面上形成第二鉻鎳合金層，并在所述第二鉻鎳合金層上形成第四圖形； 在所述第二鉻鎳合金層上刻蝕形成下電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述制備鉭酸鋰晶片襯底的步驟包括:對(duì)所述第一表面和第二表面進(jìn)行機(jī)械減薄拋光和化學(xué)腐蝕處理。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一表面上形成鉻金屬薄膜的步驟包括:使用磁控濺射方法在所述第一表面上形成厚度為15至25納米的鉻金屬薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述在所述鉻金屬薄膜上形成鎳金屬薄膜的步驟包括:使用磁控濺射方法在所述鉻金屬薄膜上形成厚度為55至65納米的鎳金屬薄膜。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:所述在所述鎳金屬薄膜上形成第一鉻鎳合金層的步驟包括:使用磁控濺射方法或者熱蒸發(fā)方法在所述鎳金屬薄膜上形成所述第一鉻鎳合金層，所述第一鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第一鉻鎳合金層的厚度為8至15納米。
6.如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:所述在所述第二表面上形成第二鉻鎳合金層的步驟包括:使用磁控濺射方法或者熱蒸發(fā)方法在所述第二表面上形成所述第二鉻鎳合金層，所述第二鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第二鉻鎳合金層的厚度為90至100納米。
7.一種熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元，其特征在于，包括: 鉭酸鋰晶片襯底，所述鉭酸鋰晶片襯底包括第一表面和與所述第一表面相反的第二表面，并且所述第一表面上形成有第一圖形； 鉻金屬薄膜，所述鉻金屬薄膜形成在所述第一表面上； 鎳金屬薄膜，所述鎳金屬薄膜形成在所述鉻金屬薄膜上，并且所述鎳金屬薄膜上形成有第二圖形； 第一鉻鎳合金層，所述第一鉻鎳合金層形成在所述鎳金屬薄膜上，所述第一鉻鎳合金層上形成有第三圖形，并且所述第一鉻鎳合金層上刻蝕形成上電極； 第二鉻鎳合金層，所述第二鉻鎳合金層形成在所述第二表面上，所述第二鉻鎳合金層上形成由第四圖形，并且所述第二鉻鎳合金層上刻蝕形成下電極。
8.如權(quán)利要求7所述的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元，其特征在于:所述鉻金屬薄膜的厚度為15至25納米；所述鎳金屬薄膜的厚度為55至65納米。
9.如權(quán)利要求7或者8所述的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元，其特征在于:所述第一鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第一鉻鎳合金層的厚度為8至15納米。
10.如權(quán)利要求7至9中任意一項(xiàng)所述的熱釋電紅外探測(cè)器敏感單元，其特征在于:所述第二鉻鎳合金層的方塊電阻為9.5歐姆/塊至10.0歐姆/塊，并且所述第二鉻鎳合金層的厚度為90至100納米。
【文檔編號(hào)】H01L31/101GK104465851SQ201410701417
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】劉子驥, 梁志清, 王濤, 黎威志, 于賀, 王軍 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)