技術特征：
1.一種基于鋁/納晶硅/銅薄膜的熱電材料，其特征在于它由下述方法制備得到：(1)利用熱蒸發(fā)法在玻璃襯底上沉積一層厚度為60～140nm的鋁薄膜；(2)利用等離子增強化學氣相沉積法在鋁薄膜上沉積一層厚度為150～350nm的氫化非晶硅薄膜；(3)利用熱蒸發(fā)法在氫化非晶硅薄膜上沉積一層厚度為35～90nm的銅薄膜，得到鋁/氫化非晶硅/銅薄膜材料；(4)將鋁/氫化非晶硅/銅薄膜材料在氮氣氣氛中500～600℃退火40～60分鐘，得到基于鋁/納晶硅/銅薄膜的熱電材料。2.根據(jù)權利要求1所述的基于鋁/納晶硅/銅薄膜的熱電材料，其特征在于：所述的步驟(1)中，利用熱蒸發(fā)法在玻璃襯底上沉積一層厚度為80nm的鋁薄膜，熱蒸發(fā)法的系統(tǒng)本底真空為3×10-4Pa。3.根據(jù)權利要求2所述的基于鋁/納晶硅/銅薄膜的熱電材料，其特征在于：所述的步驟(2)中，利用等離子增強化學氣相沉積法在鋁薄膜上沉積一層厚度為200nm的氫化非晶硅薄膜，等離子增強化學氣相沉積法的系統(tǒng)本底真空為2×10-4Pa，沉積時電極間距為1.9cm，襯底溫度為160℃，工作壓強為60Pa，功率為8W，SiH4流量為9sccm，H2流量為60sccm。4.根據(jù)權利要求3所述的基于鋁/納晶硅/銅薄膜的熱電材料，其特征在于：所述的步驟(3)中，利用熱蒸發(fā)法在氫化非晶硅薄膜上沉積一層厚度為50nm的銅薄膜，熱蒸發(fā)法的系統(tǒng)本底真空為3×10-4Pa，得到鋁/氫化非晶硅/銅薄膜材料。5.根據(jù)權利要求1所述的基于鋁/納晶硅/銅薄膜的熱電材料，其特征在于：所述的銅薄膜面積小于氫化非晶硅薄膜面積。