圖形化襯底及其制備方法、外延片制作方法及外延片的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種圖形化襯底及其制備方法、外延片制作方法及外延片，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述方法包括采用光刻膠掩膜在藍(lán)寶石襯底上形成多個(gè)光刻膠凸起，多個(gè)所述光刻膠凸起為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種；在設(shè)置有所述光刻膠凸起的藍(lán)寶石襯底上沉積一層二氧化硅層；采用光刻膠掩膜及刻蝕工藝刻蝕所述二氧化硅層直至裸露出部分藍(lán)寶石襯底，形成多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)所述二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)所述光刻膠凸起，多個(gè)所述二氧化硅凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種；利用顯影工藝將所述二氧化硅凸起內(nèi)部的光刻膠凸起去除。
【專(zhuān)利說(shuō)明】圖形化襯底及其制備方法、外延片制作方法及外延片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管(Light Emitting D1de,簡(jiǎn)稱(chēng)“LED”)領(lǐng)域,特別涉及一種圖形化襯底及其制備方法、外延片制作方法及外延片。

【背景技術(shù)】
[0002]圖形化藍(lán)寶石襯底(Patterned Sapphire Substrate,簡(jiǎn)稱(chēng)“PSS”)技術(shù)是目前異質(zhì)襯底氮化鎵材料生長(zhǎng)領(lǐng)域較為成熟的技術(shù)方案。其中，采用PSS技術(shù)可以較好地緩解藍(lán)寶石襯底和氮化鎵外延生長(zhǎng)中的應(yīng)力，降低氮化鎵外延中的缺陷密度，提高外延材料的晶體質(zhì)量。
[0003]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0004]當(dāng)光從有源層進(jìn)入圖形化的藍(lán)寶石襯底時(shí)，由于藍(lán)寶石的折射率(1.7?1.8)與氮化鎵的折射率(2.5) 二者之間相差較小，光較容易在藍(lán)寶石襯底的界面上發(fā)生透射，而使光的反射率不高，從而導(dǎo)致發(fā)光二極管的光提取效率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中光較容易在藍(lán)寶石襯底的界面上發(fā)生透射，而使光的反射率不高的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種圖形化襯底及其制備方法、外延片制作方法及外延片。所述技術(shù)方案如下:
[0006]一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種圖形化襯底制備方法，所述方法包括:
[0007]采用光刻膠掩膜在藍(lán)寶石襯底上形成多個(gè)光刻膠凸起，多個(gè)所述光刻膠凸起為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種；
[0008]在設(shè)置有所述光刻膠凸起的藍(lán)寶石襯底上沉積一層二氧化硅層；
[0009]采用光刻膠掩膜及刻蝕工藝刻蝕所述二氧化硅層直至裸露出部分藍(lán)寶石襯底，形成多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)所述二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)所述光刻膠凸起，多個(gè)所述二氧化硅凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種；
[0010]利用顯影工藝將所述二氧化硅凸起內(nèi)部的所述光刻膠凸起去除。
[0011]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述在設(shè)置有所述光刻膠凸起的藍(lán)寶石襯底上沉積一層二氧化娃層，包括:
[0012]采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或溶膠凝膠法在所述藍(lán)寶石襯底上沉積所述二氧化硅層。
[0013]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，多個(gè)所述光刻膠凸起按陣列方式分布在所述藍(lán)寶石襯底上。
[0014]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，多個(gè)所述光刻膠凸起為圓柱結(jié)構(gòu)、圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、橢圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、棱臺(tái)結(jié)構(gòu)、圓錐結(jié)構(gòu)和多棱錐結(jié)構(gòu)中的一種或多種。
[0015]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述光刻膠凸起的頂面半徑或?qū)挾葹镺?
0.5um，所述光刻膠凸起的底面半徑或?qū)挾葹?.5?10um，所述光刻膠凸起的高度為0.5?5um。
[0016]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，多個(gè)所述二氧化硅凸起為圓柱結(jié)構(gòu)、圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、橢圓臺(tái)結(jié)構(gòu)和棱臺(tái)結(jié)構(gòu)中的一種或多種。
[0017]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述二氧化硅凸起的頂面半徑或?qū)挾葹?br> 0.02?0.5um,所述二氧化硅凸起的底面半徑或?qū)挾葹?.5?10um，所述二氧化硅凸起的高度為0.5?5umο
[0018]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種外延片制作方法，所述方法包括:
[0019]按上述的方法制備圖形化襯底；
[0020]在所述圖形化襯底上依次生長(zhǎng)η型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，制成外延片。
[0021]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種圖形化襯底，所述襯底包括:
[0022]藍(lán)寶石襯底和設(shè)于所述藍(lán)寶石襯底上的多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)所述二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)空心結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述二氧化娃凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種，多個(gè)所述空心結(jié)構(gòu)為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
[0023]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種外延片，所述外延片包括:
[0024]圖形化襯底、以及依次覆蓋在所述圖形化襯底上的η型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述圖形化襯底包括藍(lán)寶石襯底和設(shè)于所述藍(lán)寶石襯底上的多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)所述二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)空心結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述二氧化硅凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種，多個(gè)所述空心結(jié)構(gòu)為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0026]通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上形成光刻膠單元，然后再生成一層二氧化硅，并在二氧化硅層上刻蝕出多個(gè)二氧化硅單元，最后將二氧化硅單元內(nèi)的光刻膠單元去掉，形成了帶有空心結(jié)構(gòu)的二氧化硅單元，使得采用該襯底制成的外延片，氮化鎵層與藍(lán)寶石襯底之間具有空心的二氧化硅圖形單元，氮化鎵材料折射率為2.5，二氧化硅材料折射率為1.5，空氣作為最低折射率的材料，使光在氮化鎵、氮化鋁、空氣藍(lán)寶石襯底界面處不易被透射更易被反射，可產(chǎn)生更高的反射率，從而提高了發(fā)光二極管的光提取效率。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的圖形化襯底制備方法的流程圖；
[0029]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的圖形化襯底制備過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的圖形化襯底制備過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的圖形化襯底制備過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5是本發(fā)明實(shí)施例一提供的圖形化襯底制備過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖6是本發(fā)明實(shí)施例二提供的外延片制作方法的流程圖；
[0034]圖7是本發(fā)明實(shí)施例三提供的圖形化襯底的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖8是本發(fā)明實(shí)施例四提供的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0037]實(shí)施例一
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種圖形化襯底制備方法，參見(jiàn)圖1，該方法包括:
[0039]步驟101:采用光刻膠掩膜在藍(lán)寶石襯底上形成多個(gè)光刻膠凸起，多個(gè)光刻膠凸起為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
[0040]多個(gè)光刻膠凸起按陣列方式分布在藍(lán)寶石襯底上。按陣列分布的形成光刻膠凸起工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，同時(shí)使整個(gè)面的反射率基本一致，從而使得制成的LED發(fā)出的光更加均勻。
[0041]多個(gè)光刻膠凸起為圓柱結(jié)構(gòu)、圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、橢圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、棱臺(tái)結(jié)構(gòu)、圓錐結(jié)構(gòu)和多棱錐結(jié)構(gòu)中的一種或多種。
[0042]光刻膠凸起的頂面半徑或?qū)挾葹镺?0.5um,光刻膠凸起的底面半徑或?qū)挾葹?.5?1um,光刻膠凸起的高度為0.5?5um。
[0043]如圖2所示，藍(lán)寶石襯底11上生長(zhǎng)有多個(gè)光刻膠凸起12。
[0044]步驟102:在設(shè)置有光刻膠凸起的藍(lán)寶石襯底上沉積一層二氧化硅層。
[0045]具體地，步驟102可以采用下述方式實(shí)現(xiàn):
[0046]采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或溶膠凝膠法在藍(lán)寶石襯底上沉積二氧化硅層。
[0047]如圖3所示，藍(lán)寶石襯底11上生長(zhǎng)有多個(gè)光刻膠凸起12，在光刻膠凸起12的表面覆蓋有一層二氧化娃層13。
[0048]步驟103:采用光刻膠掩膜及刻蝕工藝刻蝕二氧化硅層直至裸露出部分藍(lán)寶石襯底，形成多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)光刻膠凸起，多個(gè)二氧化硅凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
[0049]具體地，在本步驟中，形成的多個(gè)二氧化硅凸起的頂面與光刻膠凸起的頂面齊平，或者二氧化硅凸起的頂面比光刻膠凸起的頂面稍矮，這兩種情況都能保證后續(xù)步驟的正常進(jìn)行。
[0050]多個(gè)二氧化硅凸起為圓柱結(jié)構(gòu)、圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、橢圓臺(tái)結(jié)構(gòu)和棱臺(tái)結(jié)構(gòu)中的一種或多種。
[0051]二氧化硅凸起的頂面半徑或?qū)挾葹?.02?0.5um，二氧化硅凸起的底面半徑或?qū)挾葹?.5?1um, 二氧化娃凸起的高度為0.5?5um。
[0052]在進(jìn)行軟件模擬及工藝試驗(yàn)時(shí)，采用上述光刻膠凸起和二氧化硅凸起的尺寸制的圖形化襯底，能夠得到最大的反射率，從而獲得較大的發(fā)光效率。
[0053]如圖4所示，藍(lán)寶石襯底11上生長(zhǎng)有多個(gè)光刻膠凸起12，在每個(gè)光刻膠凸起12的外覆蓋有一個(gè)二氧化硅凸起14。
[0054]步驟104:利用顯影工藝將二氧化硅凸起內(nèi)部的光刻膠凸起去除。
[0055]在步驟104中，采用無(wú)色有機(jī)堿性溶液作為顯影劑去除二氧化硅凸起內(nèi)部的光刻膠凸起。
[0056]如圖5所示，藍(lán)寶石襯底11上生長(zhǎng)有多個(gè)二氧化硅凸起14，每個(gè)二氧化硅凸起14內(nèi)部有一個(gè)空心結(jié)構(gòu)15。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上形成光刻膠單元，然后再生成一層二氧化硅，并在二氧化硅層上刻蝕出多個(gè)二氧化硅單元，最后將二氧化硅單元內(nèi)的光刻膠單元去掉，形成了帶有空心結(jié)構(gòu)的二氧化硅單元，使得采用該襯底制成的外延片，氮化鎵層與藍(lán)寶石襯底之間具有空心的二氧化硅圖形單元，氮化鎵材料折射率為2.5，二氧化硅材料折射率為1.5，空氣作為最低折射率的材料，使光在氮化鎵、氮化鋁、空氣藍(lán)寶石襯底界面處不易被透射更易被反射，可產(chǎn)生更高的反射率，從而提高了發(fā)光二極管的光提取效率。
[0058]實(shí)施例二
[0059]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種外延片制作方法，參見(jiàn)圖6，該方法包括:
[0060]步驟201:按實(shí)施例一所述的方法制備圖形化襯底。
[0061]步驟202:在圖形化襯底上依次生長(zhǎng)η型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，制成外延片。
[0062]具體地，采用側(cè)向外延生長(zhǎng)法在圖形化襯底上依次生長(zhǎng)η型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，制成外延片。
[0063]由于光刻膠凸起的頂面半徑或?qū)挾葹镺?0.5um,因此去除光刻膠凸起后二氧化硅凸起內(nèi)的空心結(jié)構(gòu)的頂面半徑或?qū)挾葹镺?0.5um,即二氧化硅凸起內(nèi)的空心結(jié)構(gòu)的開(kāi)口很小，生長(zhǎng)η型氮化鎵層時(shí)，氮化鎵材料很難落入其中，同時(shí)由于采用了側(cè)向外延生長(zhǎng)法在圖形化襯底上生成η型氮化鎵層，進(jìn)一步保證了氮化鎵難以落入其中。
[0064]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上形成光刻膠單元，然后再生成一層二氧化硅，并在二氧化硅層上刻蝕出多個(gè)二氧化硅單元，最后將二氧化硅單元內(nèi)的光刻膠單元去掉，形成了帶有空心結(jié)構(gòu)的二氧化硅單元，使得采用該襯底制成的外延片，氮化鎵層與藍(lán)寶石襯底之間具有空心的二氧化硅圖形單元，氮化鎵材料折射率為2.5，二氧化硅材料折射率為1.5，空氣作為最低折射率的材料，使光在氮化鎵、氮化鋁、空氣藍(lán)寶石襯底界面處不易被透射更易被反射，可產(chǎn)生更高的反射率，從而提高了發(fā)光二極管的光提取效率。
[0065]實(shí)施例三
[0066]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種圖形化襯底，參見(jiàn)圖7，該襯底包括:
[0067]藍(lán)寶石襯底301和設(shè)于藍(lán)寶石襯底301上的多個(gè)二氧化硅凸起302，每個(gè)二氧化硅凸起302內(nèi)部包含一個(gè)空心結(jié)構(gòu)303，多個(gè)二氧化硅凸起302為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種，多個(gè)空心結(jié)構(gòu)303為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
[0068]二氧化硅凸起302的頂面半徑或?qū)挾葹?.02?0.5um, 二氧化硅凸起302的底面半徑或?qū)挾葹?.5?10um，二氧化硅凸起302的高度為0.5?5um。
[0069]空心結(jié)構(gòu)303的頂面半徑或?qū)挾葹镺?0.5um,空心結(jié)構(gòu)303的底面半徑或?qū)挾葹?br> 0.5?1um,空心結(jié)構(gòu)303的高度為0.5?5um。
[0070]在本實(shí)施例中，多個(gè)空心結(jié)構(gòu)303按矩陣排列，構(gòu)成周期性圖形陣列。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上形成光刻膠單元，然后再生成一層二氧化硅，并在二氧化硅層上刻蝕出多個(gè)二氧化硅單元，最后將二氧化硅單元內(nèi)的光刻膠單元去掉，形成了帶有空心結(jié)構(gòu)的二氧化硅單元，使得采用該襯底制成的外延片，氮化鎵層與藍(lán)寶石襯底之間具有空心的二氧化硅圖形單元，氮化鎵材料折射率為2.5，二氧化硅材料折射率為1.5，空氣作為最低折射率的材料，使光在氮化鎵、氮化鋁、空氣藍(lán)寶石襯底界面處不易被透射更易被反射，可產(chǎn)生更高的反射率，從而提高了發(fā)光二極管的光提取效率。
[0072]實(shí)施例四
[0073]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種外延片，參見(jiàn)圖8，該外延片包括:
[0074]圖形化襯底401、以及依次覆蓋在圖形化襯底401上的η型氮化鎵層402、多量子阱層403和P型氮化鎵層404，圖形化襯底401包括藍(lán)寶石襯底4011和設(shè)于藍(lán)寶石襯底4011上的多個(gè)二氧化硅凸起4012，每個(gè)二氧化硅凸起4012內(nèi)部包含一個(gè)空心結(jié)構(gòu)4013，多個(gè)二氧化硅凸起4012為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種，多個(gè)空心結(jié)構(gòu)4013為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
[0075]二氧化硅凸起4012的頂面半徑或?qū)挾葹?.02?0.5um, 二氧化硅凸起4012的底面半徑或?qū)挾葹?.5?10um，二氧化硅凸起4012的高度為0.5?5um。
[0076]空心結(jié)構(gòu)4013的頂面半徑或?qū)挾葹镺?0.5um,空心結(jié)構(gòu)4013的底面半徑或?qū)挾葹?.5?1um,空心結(jié)構(gòu)4013的高度為0.5?5um。
[0077]在本實(shí)施例中，多個(gè)空心結(jié)構(gòu)4013按矩陣排列，構(gòu)成周期性圖形陣列。
[0078]如圖8所示，η型氮化鎵層402填滿(mǎn)了二氧化硅凸起4012間的空隙。
[0079]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上形成光刻膠單元，然后再生成一層二氧化硅，并在二氧化硅層上刻蝕出多個(gè)二氧化硅單元，最后將二氧化硅單元內(nèi)的光刻膠單元去掉，形成了帶有空心結(jié)構(gòu)的二氧化硅單元，使得采用該襯底制成的外延片，氮化鎵層與藍(lán)寶石襯底之間具有空心的二氧化硅圖形單元，氮化鎵材料折射率為2.5，二氧化硅材料折射率為
1.5，空氣作為最低折射率的材料，使光在氮化鎵、氮化鋁、空氣藍(lán)寶石襯底界面處不易被透射更易被反射，可產(chǎn)生更高的反射率，從而提高了發(fā)光二極管的光提取效率。
[0080]上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0081 ] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種圖形化襯底制備方法，其特征在于，所述方法包括: 采用光刻膠掩膜在藍(lán)寶石襯底上形成多個(gè)光刻膠凸起，多個(gè)所述光刻膠凸起為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種； 在設(shè)置有所述光刻膠凸起的藍(lán)寶石襯底上沉積一層二氧化硅層； 采用光刻膠掩膜及刻蝕工藝刻蝕所述二氧化硅層直至裸露出部分藍(lán)寶石襯底，形成多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)所述二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)所述光刻膠凸起，多個(gè)所述二氧化硅凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種； 利用顯影工藝將所述二氧化硅凸起內(nèi)部的所述光刻膠凸起去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在設(shè)置有所述光刻膠凸起的藍(lán)寶石襯底上沉積一層二氧化娃層，包括: 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或溶膠凝膠法在所述藍(lán)寶石襯底上沉積所述二氧化娃層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，多個(gè)所述光刻膠凸起按陣列方式分布在所述藍(lán)寶石襯底上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，多個(gè)所述光刻膠凸起為圓柱結(jié)構(gòu)、圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、橢圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、棱臺(tái)結(jié)構(gòu)、圓錐結(jié)構(gòu)和多棱錐結(jié)構(gòu)中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻膠凸起的頂面半徑或?qū)挾葹镺?0.5um，所述光刻膠凸起的底面半徑或?qū)挾葹?.5?10um，所述光刻膠凸起的高度為0.5?5um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，多個(gè)所述二氧化硅凸起為圓柱結(jié)構(gòu)、圓臺(tái)結(jié)構(gòu)、橢圓臺(tái)結(jié)構(gòu)和棱臺(tái)結(jié)構(gòu)中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅凸起的頂面半徑或?qū)挾葹?.02?0.5um,所述二氧化硅凸起的底面半徑或?qū)挾葹?.5?10um，所述二氧化硅凸起的高度為0.5?5umο
8.—種外延片制作方法，其特征在于，所述方法包括: 按權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的方法制備圖形化襯底； 在所述圖形化襯底上依次生長(zhǎng)η型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，制成外延片。
9.一種圖形化襯底，其特征在于，所述襯底包括: 藍(lán)寶石襯底和設(shè)于所述藍(lán)寶石襯底上的多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)所述二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)空心結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述二氧化硅凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種，多個(gè)所述空心結(jié)構(gòu)為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
10.一種外延片，其特征在于，所述外延片包括: 圖形化襯底、以及依次覆蓋在所述圖形化襯底上的η型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述圖形化襯底包括藍(lán)寶石襯底和設(shè)于所述藍(lán)寶石襯底上的多個(gè)二氧化硅凸起，每個(gè)所述二氧化硅凸起內(nèi)部包含一個(gè)空心結(jié)構(gòu)，多個(gè)所述二氧化硅凸起為柱體結(jié)構(gòu)和臺(tái)體結(jié)構(gòu)中的至少一種，多個(gè)所述空心結(jié)構(gòu)為柱體結(jié)構(gòu)、臺(tái)體結(jié)構(gòu)和錐體結(jié)構(gòu)中的至少一種。
【文檔編號(hào)】H01L33/22GK104319329SQ201410603031
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月29日
【發(fā)明者】桂宇暢, 張建寶 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司