背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)及封裝工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)及封裝工藝，包括影像芯片和IC芯片，影像芯片的正面具有影像功能面，IC芯片的正面具有IC功能面，影像功能面與IC功能面相對設(shè)置，并通過若干個凸點直接焊接在一起或通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起；影像功能面與IC功能面直接焊接在一起時，影像功能面與IC功能面之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠；影像功能面與IC功能面通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起時，影像功能面與無源轉(zhuǎn)接板之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠。本發(fā)明實現(xiàn)了影像芯片與IC芯片的面對面的堆疊封裝，它不需要在晶圓生產(chǎn)過程中，改變晶圓內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，且能夠降低背對面堆疊封裝需要制作不同深度的TSV孔的難度。
【專利說明】背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)及封裝工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體影像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及封裝工藝，尤其涉及一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝及封裝工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]影像傳感器又稱感光器件，是攝影機和數(shù)碼相機的核心。而影像傳感器的作用是將光進行轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)化為電壓信息最終成像。傳統(tǒng)影像傳感器結(jié)構(gòu)中，感光二極管位于整個芯片的最下層，光線通過微透鏡后還需要經(jīng)過色濾層和電路層才能到達受光面，中途光線必然會遭到部分損失。08年誕生了一種背照式影像傳感器，它的封裝方式是通過晶圓在制作過程中，將感光二極管放于影像芯片的最上層，這種結(jié)構(gòu)下，通過背面微透鏡和色彩濾鏡進來的光線就可以最大限度地被二極管利用，要制作出這種結(jié)構(gòu)需要很精密的設(shè)備與精湛的工藝。同時，由于一般影像芯片包含有感光區(qū)和集成電路區(qū)，集成電路區(qū)所占面積隨著像素增加而增加，一般可超過感光區(qū)，這樣將造成感光區(qū)效率低，芯片整體面積過大，導(dǎo)致封裝成本上升和良率下降。為了克服這個缺點，Sony在2012年采用了將感光區(qū)與集成電路區(qū)分成兩個獨立的芯片，分開制作，再通過封裝的方式堆疊在一起形成三維封裝的影像傳感器，從而大大地提高了面積利用率，提升了良率。但是，這種結(jié)構(gòu)采用背對面(back-to-face)的堆疊方式，需要在感光芯片上制作不同深度的TSV孔，難度很大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述技術(shù)問題，降低封裝難度，本發(fā)明提出了一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)及封裝工藝，實現(xiàn)了影像芯片與IC芯片的面對面的堆疊封裝，它不需要在晶圓生產(chǎn)過程中，改變晶圓內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，且能夠降低背對面堆疊封裝需要制作不同深度的TSV孔的難度。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0005]一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括影像芯片和IC芯片，所述影像芯片的正面具有影像功能面，所述IC芯片的正面具有IC功能面，所述影像功能面與所述IC功能面相對設(shè)置，并通過若干個凸點直接焊接在一起或通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起；所述影像功能面與所述IC功能面直接焊接在一起時，所述影像功能面與所述IC功能面之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠；所述影像功能面與所述IC功能面通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起時，所述影像功能面與所述無源轉(zhuǎn)接板之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠。
[0006]作為本發(fā)明的進一步改進，所述影像功能面與所述IC功能面直接焊接在一起的結(jié)構(gòu)是:所述影像芯片包括第一硅片，所述影像功能面包括第一氧化層和形成于所述第一氧化層和所述第一硅片之間的第一線路層，所述第一線路層上形成有若干個第一 PIN腳；所述IC芯片包括第二硅片，所述IC功能面包括第二氧化層和形成于所述第二氧化層和所述第二硅片之間的第二線路層，所述第二氧化層中形成有若干個與所述第一 PIN腳一一對應(yīng)的第二 PIN腳，所述第一 PIN腳與所述第二 PIN腳之間通過所述凸點焊接在一起。
[0007]作為本發(fā)明的進一步改進，所述第二硅片的背面依次鋪設(shè)有第一鈍化層、用于連接外部電路或作為RDL層的第一金屬布線層和第一保護層，所述第二娃片內(nèi)形成有若干個電聯(lián)通所述第一金屬布線層和所述第二線路層的第一導(dǎo)電通孔，每個所述第一導(dǎo)電通孔包括一通孔、依次鋪設(shè)于該通孔內(nèi)的第二鈍化層、第一金屬層和第二保護層，所述金屬層通過金屬弓I腳連接所述第二線路層。
[0008]作為本發(fā)明的進一步改進，所述第一金屬布線層上形成有LGA或/和焊球，所述影像芯片的背面上形成有微透鏡。
[0009]作為本發(fā)明的進一步改進，所述第一導(dǎo)電通孔的形狀是上下直徑相等的直孔或上下直徑不等的斜孔。
[0010]作為本發(fā)明的進一步改進，所述凸點為銅凸點、金凸點和錫凸點中的一種。
[0011]作為本發(fā)明的進一步改進，所述影像功能面與所述IC功能面通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起的結(jié)構(gòu)是:所述影像芯片包括第一硅片，所述影像功能面包括第一氧化層和形成于所述第一氧化層和所述第一硅片之間的第一線路層，所述第一線路層上形成有若干個第一 PIN腳；所述無源轉(zhuǎn)接板包括第三硅片，所述第三硅片的正面依次鋪設(shè)有第三鈍化層、第二金屬布線層和第三保護層，第二金屬布線層上形成有若干個與所述第一 PIN腳一一對應(yīng)的第三PIN腳，所述第一 PIN腳與所述第三PIN腳之間通過所述凸點焊接在一起；所述第三硅片的背面依次鋪設(shè)有第四鈍化層、第三金屬布線層和第四保護層，所述第三金屬布線層與所述IC芯片的所述IC功能面通過所述凸點焊接在一起；所述第三硅片中形成有電聯(lián)通所述第二金屬布線層和所述第三金屬布線層的若干個第二導(dǎo)電通孔，每個所述第二導(dǎo)電通孔包括一通孔、依次鋪設(shè)于該通孔內(nèi)的第五鈍化層、第二金屬層和有機絕緣材料。
[0012]作為本發(fā)明的進一步改進，所述第三金屬布線層上形成有焊球，所述影像芯片的背面上形成有微透鏡。
[0013]一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝，主要封裝工藝流程如下:
[0014]I)提供一個正面具有影像功能面的影像芯片和一個正面具有IC功能面的IC芯片;
[0015]2)在所述影像芯片的影像功能面或所述IC芯片的IC功能面做凸點；
[0016]3)將步驟2)中影像芯片的影像功能面和IC芯片的IC功能面面對面對準(zhǔn)后進行回流焊，使其電聯(lián)通；
[0017]4)在步驟3)形成于所述影像功能面與所述IC功能面之間的空隙內(nèi)填充底部填充膠；
[0018]5)在影像芯片的背面進行研磨,研磨到2um_3um ；
[0019]6)在研磨后的影像芯片上做微透鏡；
[0020]7)在IC芯片的背面做通孔；
[0021]8)在IC芯片的背面依次鋪設(shè)第一鈍化層、用于連接外部電路或作為RDL層的第一金屬布線層，在通孔內(nèi)依次鋪設(shè)第二鈍化層和第一金屬層；
[0022]9)在IC芯片的背面的第一金屬布線層上做LGA或焊球；
[0023]10)在IC芯片的通孔內(nèi)和背面的第一金屬布線層上涂覆一層用于保護線路被氧化腐蝕的第一保護層。
[0024]一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝，主要封裝工藝流程如下:
[0025]I)提供一個正面具有影像功能面的影像芯片、一個正面具有IC功能面的IC芯片和一無源轉(zhuǎn)接板；
[0026]2)在無源轉(zhuǎn)接板中做通孔，在該通孔內(nèi)依次鋪設(shè)第五鈍化層、第二金屬層和有機絕緣材料，同時，在無源轉(zhuǎn)接板的正面依次鋪設(shè)第三鈍化層、第二金屬布線層和第三保護層；在無源轉(zhuǎn)接板的背面依次鋪設(shè)第四鈍化層、第三金屬布線層和第四保護層；
[0027]3)在無源轉(zhuǎn)接板的正面或影像芯片的影像功能面上做凸點；
[0028]4)將步驟I)中影像芯片的影像功能面與步驟3)中無源轉(zhuǎn)接板的正面對準(zhǔn)后進行回流焊，使其電聯(lián)通；
[0029]5)在步驟4)中形成于影像功能面與無源轉(zhuǎn)接板之間的空隙內(nèi)填充底部填充膠；
[0030]6)在影像芯片的背面進行研磨，研磨到2um_3um ；
[0031]7)在研磨后的影像芯片上做微透鏡；
[0032]8)在無源轉(zhuǎn)接板的背面的同樣地與IC芯片進行回流焊，并植焊球。
[0033]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)及封裝工藝。它是面對面(face-to-face)的堆疊方式，一方面，它不需要在晶圓生產(chǎn)過程中，改變晶圓內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，而只是通過改變封裝方式，使之達到與背照式影像傳感器的效果；另一方面，它降低了背對面(back-to-face)堆疊方式中需要制作不同深度的TSV孔的難度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1為本發(fā)明優(yōu)選實施例1結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明優(yōu)選實施例2結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]結(jié)合附圖，作以下說明:
[0037]I—影像芯片11—影像功能面
[0038]111——第一氧化層112——第一線路層
[0039]113-第一 PIN 腳12-第一硅片
[0040]2——IC芯片21——IC功能面
[0041]211——第二氧化層212——第二線路層
[0042]213-第二 PIN 腳22-第二硅片
[0043]221——第二鈍化層222——第一金屬層
[0044]223——第二保護層231——第一鈍化層
[0045]232——第一金屬布線層233——第一保護層
[0046]3——凸點4——無源轉(zhuǎn)接板
[0047]41——第三硅片42——第三鈍化層
[0048]43—第二金屬布線層44——第三保護層
[0049]45——第三PIN腳46——第四鈍化層
[0050]47—第三金屬布線層48—第四保護層
[0051]411——第五鈍化層412——第二金屬層
[0052]413——有機絕緣材料
[0053]5——底部填充膠6——LGA
[0054]7——焊球8——微透鏡

【具體實施方式】
[0055]實施例1
[0056]如圖1所示，1、一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括影像芯片I和IC芯片2，所述影像芯片的正面具有影像功能面11，所述IC芯片的正面具有IC功能面21，所述影像功能面與所述IC功能面相對設(shè)置，并通過若干個凸點3直接焊接在一起，所述影像功能面與所述IC功能面之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠5。該實施方式主要應(yīng)用于影像芯片與IC芯片的尺寸和位置相匹配，影像芯片的功能面內(nèi)的金屬引腳與IC芯片的功能面內(nèi)的金屬引腳一一對應(yīng)的情形。上述結(jié)構(gòu)形成的背照式影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，是一種面對面的三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，它實現(xiàn)了影像芯片與IC芯片的面對面的堆疊封裝，其在晶圓生產(chǎn)過程中，不需要改變晶圓內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，且能夠降低背對面堆疊封裝需要制作不同深度的TSV孔的難度。
[0057]優(yōu)選的，所述影像功能面與所述IC功能面直接焊接在一起的結(jié)構(gòu)是:所述影像芯片包括第一硅片12，所述影像功能面包括第一氧化層111和形成于所述第一氧化層和所述第一硅片之間的第一線路層112，所述第一線路層上形成有若干個第一 PIN腳113 ;所述IC芯片包括第二硅片22，所述IC功能面包括第二氧化層211和形成于所述第二氧化層和所述第二硅片之間的第二線路層212，所述第二氧化層中形成有若干個與所述第一 PIN腳一一對應(yīng)的第二 PIN腳213，所述第一 PIN腳與所述第二 PIN腳之間通過所述凸點焊接在一起。
[0058]優(yōu)選的，所述第二硅片的背面依次鋪設(shè)有第一鈍化層231、用于連接外部電路或作為RDL層的第一金屬布線層232和第一保護層233,所述第二娃片內(nèi)形成有若干個電聯(lián)通所述第一金屬布線層和所述第二線路層的第一導(dǎo)電通孔，每個所述第一導(dǎo)電通孔包括一通孔、依次鋪設(shè)于該通孔內(nèi)的第二鈍化層221、第一金屬層222和第二保護層223，所述金屬層通過金屬弓I腳連接所述第二線路層。
[0059]優(yōu)選的，所述第一金屬布線層上形成有LGA6或/和焊球7，所述影像芯片的背面上形成有微透鏡8。
[0060]優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電通孔的形狀是上下直徑相等的直孔或上下直徑不等的斜孔。
[0061]優(yōu)選的，所述凸點為銅凸點、金凸點和錫凸點中的一種。
[0062]上述背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝，主要包括如下流程:
[0063]I)提供一個正面具有影像功能面的影像芯片I和一個正面具有IC功能面的IC芯片2 ；
[0064]2)在所述影像芯片的影像功能面或所述IC芯片的IC功能面做凸點3 ；
[0065]3)將步驟2)中影像芯片的影像功能面和IC芯片的IC功能面面對面對準(zhǔn)后進行回流焊，使其電聯(lián)通；
[0066]4)在步驟3)形成于所述影像功能面與所述IC功能面之間的空隙內(nèi)填充底部填充膠；
[0067]5)在影像芯片的背面進行研磨，研磨到2um_3um ；
[0068]6)在研磨后的影像芯片上做微透鏡；
[0069]7)在IC芯片的背面做通孔；
[0070]8)在IC芯片的背面依次鋪設(shè)第一鈍化層、用于連接外部電路或作為RDL層的第一金屬布線層，在通孔內(nèi)依次鋪設(shè)第二鈍化層和第一金屬層；
[0071]9)在IC芯片的背面的第一金屬布線層上做LGA或焊球；
[0072]10)在IC芯片的通孔內(nèi)和背面的第一金屬布線層上涂覆一層用于保護線路被氧化腐蝕的第一保護層。
[0073]實施例2
[0074]如圖2所示，一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，包括影像芯片1、IC芯片2和無源轉(zhuǎn)接板4，所述影像芯片的正面具有影像功能面11，所述IC芯片的正面具有IC功能面21，所述影像功能面與所述IC功能面相對設(shè)置，影像芯片的的影像功能面與無源轉(zhuǎn)接板之間，以及無源轉(zhuǎn)接板與IC芯片的功能面之間通過若干個凸點3焊接在一起；所述影像功能面與所述無源轉(zhuǎn)接板之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠5。該實施方式主要應(yīng)用于影像芯片與IC芯片的尺寸和位置不匹配，影像芯片的功能面內(nèi)的金屬引腳與IC芯片的功能面內(nèi)的金屬引腳無法一一對應(yīng)的情形。通過上述結(jié)構(gòu)形成的背照式影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，是一種面對面的三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，它實現(xiàn)了影像芯片與IC芯片的面對面的堆疊封裝，其在晶圓生產(chǎn)過程中，不需要改變晶圓內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，且能夠降低背對面堆疊封裝需要制作不同深度的TSV孔的難度。
[0075]優(yōu)選的，所述影像功能面與所述IC功能面通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起的結(jié)構(gòu)是:所述影像芯片包括第一硅片12，所述影像功能面包括第一氧化層111和形成于所述第一氧化層和所述第一硅片之間的第一線路層112，所述第一線路層上形成有若干個第一 PIN腳113 ;所述無源轉(zhuǎn)接板包括第三硅片41，所述第三硅片的正面依次鋪設(shè)有第三鈍化層42、第二金屬布線層43和第三保護層44，第二金屬布線層上形成有若干個與所述第一PIN腳一一對應(yīng)的第三PIN腳45，所述第一 PIN腳與所述第三PIN腳之間通過所述凸點焊接在一起；所述第三硅片的背面依次鋪設(shè)有第四鈍化層46、第三金屬布線層47和第四保護層48，所述第三金屬布線層與所述IC芯片的所述IC功能面通過所述凸點焊接在一起；所述第三硅片中形成有電聯(lián)通所述第二金屬布線層和所述第三金屬布線層的若干個第二導(dǎo)電通孔，每個所述第二導(dǎo)電通孔包括一通孔、依次鋪設(shè)于該通孔內(nèi)的第五鈍化層411、第二金屬層412和有機絕緣材料413。
[0076]優(yōu)選的，所述第三金屬布線層上形成有焊球7，所述影像芯片的背面上形成有微透鏡8。
[0077]優(yōu)選的，所述第二導(dǎo)電通孔的形狀是上下直徑相等的直孔或上下直徑不等的斜孔。
[0078]優(yōu)選的，所述凸點為銅凸點、金凸點和錫凸點中的一種。
[0079]上述背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝的主要流程如下:
[0080]上述背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝，主要封裝工藝流程如下:
[0081]I)提供一個正面具有影像功能面的影像芯片、一個正面具有IC功能面的IC芯片和一無源轉(zhuǎn)接板；
[0082]2)在無源轉(zhuǎn)接板中做通孔，在該通孔內(nèi)依次鋪設(shè)第五鈍化層、第二金屬層和有機絕緣材料，同時，在無源轉(zhuǎn)接板的正面依次鋪設(shè)第三鈍化層、第二金屬布線層和第三保護層；在無源轉(zhuǎn)接板的背面依次鋪設(shè)第四鈍化層、第三金屬布線層和第四保護層；
[0083]3)在無源轉(zhuǎn)接板的正面或影像芯片的影像功能面上做凸點；
[0084]4)將步驟I)中影像芯片的影像功能面與步驟3)中無源轉(zhuǎn)接板的正面對準(zhǔn)后進行回流焊，使其電聯(lián)通；
[0085]5)在步驟4)中形成于影像功能面與無源轉(zhuǎn)接板之間的空隙內(nèi)填充底部填充膠；
[0086]6)在影像芯片的背面進行研磨，研磨到2um_3um ；
[0087]7)在研磨后的影像芯片上做微透鏡；
[0088]8)在無源轉(zhuǎn)接板的背面的同樣地與IC芯片進行回流焊，并植焊球。
[0089]以上實施例是參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細說明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過對上述實施例進行各種形式上的修改或變更，但不背離本發(fā)明的實質(zhì)的情況下，都落在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括影像芯片(1)和X芯片(2),所述影像芯片的正面具有影像功能面(11),所述X芯片的正面具有X功能面(21),所述影像功能面與所述X功能面相對設(shè)置，并通過若干個凸點(3)直接焊接在一起或通過無源轉(zhuǎn)接板(4)轉(zhuǎn)接后焊接在一起；所述影像功能面與所述X功能面直接焊接在一起時，所述影像功能面與所述X功能面之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠(5)；所述影像功能面與所述冗功能面通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起時，所述影像功能面與所述無源轉(zhuǎn)接板之間的空隙內(nèi)填充有底部填充膠(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述影像功能面與所述X功能面直接焊接在一起的結(jié)構(gòu)是:所述影像芯片包括第一硅片(12),所述影像功能面包括第一氧化層(111)和形成于所述第一氧化層和所述第一硅片之間的第一線路層(112),所述第一線路層上形成有若干個第一？爪腳(113)；所述X芯片包括第二硅片(22),所述X功能面包括第二氧化層(211)和形成于所述第二氧化層和所述第二硅片之間的第二線路層(212),所述第二氧化層中形成有若干個與所述第一？爪腳一一對應(yīng)的第二 ？爪腳(213)，所述第一 ？爪腳與所述第二 ？爪腳之間通過所述凸點焊接在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二硅片的背面依次鋪設(shè)有第一鈍化層(231)、用于連接外部電路或作為層的第一金屬布線層(232)和第一保護層(233),所述第二硅片內(nèi)形成有若干個電聯(lián)通所述第一金屬布線層和所述第二線路層的第一導(dǎo)電通孔，每個所述第一導(dǎo)電通孔包括一通孔、依次鋪設(shè)于該通孔內(nèi)的第二鈍化層(221)、第一金屬層(222)和第二保護層(223),所述金屬層通過金屬引腳連接所述第二線路層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一金屬布線層上形成有⑷八(6)或/和焊球(7),所述影像芯片的背面上形成有微透鏡(8)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一導(dǎo)電通孔的形狀是上下直徑相等的直孔或上下直徑不等的斜孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凸點為銅凸點、金凸點和錫凸點中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述影像功能面與所述冗功能面通過無源轉(zhuǎn)接板轉(zhuǎn)接后焊接在一起的結(jié)構(gòu)是:所述影像芯片包括第一硅片(12),所述影像功能面包括第一氧化層(111)和形成于所述第一氧化層和所述第一硅片之間的第一線路層(112),所述第一線路層上形成有若干個第一？爪腳(113)；所述無源轉(zhuǎn)接板包括第三硅片(41),所述第三硅片的正面依次鋪設(shè)有第三鈍化層(42),第二金屬布線層(43)和第三保護層(44),第二金屬布線層上形成有若干個與所述第一？爪腳一一對應(yīng)的第三腳(45)，所述第一 ？爪腳與所述第三？爪腳之間通過所述凸點焊接在一起；所述第三硅片的背面依次鋪設(shè)有第四鈍化層(46),第三金屬布線層(47)和第四保護層(48)，所述第三金屬布線層與所述X芯片的所述X功能面通過所述凸點焊接在一起；所述第三硅片中形成有電聯(lián)通所述第二金屬布線層和所述第三金屬布線層的若干個第二導(dǎo)電通孔，每個所述第二導(dǎo)電通孔包括一通孔、依次鋪設(shè)于該通孔內(nèi)的第五鈍化層(411)、第二金屬層(412)和有機絕緣材料(413)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第三金屬布線層上形成有焊球(7),所述影像芯片的背面上形成有微透鏡(8)。
9.一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝，其特征在于:主要封裝工藝流程如下: 1)提供一個正面具有影像功能面的影像芯片(1)和一個正面具有X功能面的I。芯片(2)； 2)在所述影像芯片的影像功能面或所述X芯片的X功能面做凸點(3)； 3)將步驟2)中影像芯片的影像功能面和X芯片的X功能面面對面對準(zhǔn)后進行回流焊，使其電聯(lián)通； 4)在步驟3)形成于所述影像功能面與所述X功能面之間的空隙內(nèi)填充底部填充膠； 5)在影像芯片的背面進行研磨，研磨到2110-3110； 6)在研磨后的影像芯片上做微透鏡； 7)在X芯片的背面做通孔； 8)在X芯片的背面依次鋪設(shè)第一鈍化層、用于連接外部電路或作為層的第一金屬布線層，在通孔內(nèi)依次鋪設(shè)第二鈍化層和第一金屬層； 9)在X芯片的背面的第一金屬布線層上做⑷八或焊球； 10)在X芯片的通孔內(nèi)和背面的第一金屬布線層上涂覆一層用于保護線路被氧化腐蝕的第一保護層。
10.一種背照式影像傳感器三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝，其特征在于:主要封裝工藝流程如下: 1)提供一個正面具有影像功能面的影像芯片、一個正面具有X功能面的X芯片和一無源轉(zhuǎn)接板； 2)在無源轉(zhuǎn)接板中做通孔，在該通孔內(nèi)依次鋪設(shè)第五鈍化層、第二金屬層和有機絕緣材料，同時，在無源轉(zhuǎn)接板的正面依次鋪設(shè)第三鈍化層、第二金屬布線層和第三保護層；在無源轉(zhuǎn)接板的背面依次鋪設(shè)第四鈍化層、第三金屬布線層和第四保護層； 3)在無源轉(zhuǎn)接板的正面或影像芯片的影像功能面上做凸點； 4)將步驟1)中影像芯片的影像功能面與步驟3)中無源轉(zhuǎn)接板的正面對準(zhǔn)后進行回流焊，使其電聯(lián)通； 5)在步驟4)中形成于影像功能面與無源轉(zhuǎn)接板之間的空隙內(nèi)填充底部填充膠； 6)在影像芯片的背面進行研磨，研磨到2110-3110； 7)在研磨后的影像芯片上做微透鏡； 8)在無源轉(zhuǎn)接板的背面的同樣地與X芯片進行回流焊，并植焊球。
【文檔編號】H01L27/146GK104505393SQ201410471194
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月16日
【發(fā)明者】萬里兮, 韓磊, 黃小花, 王曄曄, 沈建樹, 錢靜嫻 申請人:華天科技（昆山）電子有限公司