制造顯示設(shè)備的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種制造顯示設(shè)備的方法，該制造顯示設(shè)備的方法包括下述步驟：通過濺射工藝在發(fā)射單元形成在其上的第一基底上形成第一無機(jī)層；以非接觸方式通過吸收從第一無機(jī)層形成在其上的第一基底發(fā)射的輻射來使第一基底冷卻；通過有機(jī)沉積工藝在第一無機(jī)層上形成第一有機(jī)層；在第一有機(jī)層上形成第二無機(jī)層。
【專利說明】制造顯示設(shè)備的方法
[0001]本申請要求于2013年8月27日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0102002號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的一個或更多個實施例涉及一種利用薄膜包封制造裝置的顯示裝置制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]近來，已變得廣泛地應(yīng)用移動電子裝置。除了諸如移動電話的緊湊型電子裝置以夕卜，平板個人計算機(jī)(PC)近來也已經(jīng)變得廣泛地用作移動電子裝置。
[0004]為了提供各種功能，移動電子裝置包括顯示設(shè)備以向用戶提供諸如圖像的視覺信息。近來，由于用于驅(qū)動顯示裝置的組件已經(jīng)變得緊湊，因此顯示裝置占據(jù)電子裝置的比例逐漸增大。也已經(jīng)研發(fā)了從平面態(tài)可彎曲直至成一定角度(例如，直至成預(yù)定角度)的顯示裝置。
[0005]具體地，可以利用多層薄膜來包封柔性顯示裝置的發(fā)光單元，以增加顯示裝置的壽命或使用期限。在這種情況下，最近正在對在包封期間形成的包封薄膜進(jìn)行研究。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一個或更多個實施例的多個方面涉及一種利用薄膜包封制造設(shè)備的顯示設(shè)備制造方法，其能夠調(diào)整有機(jī)層和無機(jī)層的厚度并且維持(例如，均勻地維持)各種薄膜設(shè)備的真空度。
[0007]下面的描述中將部分地闡述附加方面和特征，并且附加方面和特征部分地將通過描述而清楚，或者可以通過給出的實施例的實施而了解。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種制造顯示設(shè)備的方法包括下述步驟:通過利用濺射工藝在發(fā)射單元形成在其上的第一基底上形成第一無機(jī)層；以非接觸方式通過吸收從第一無機(jī)層形成在其上的第一基底發(fā)射的輻射來使第一基底冷卻；通過有機(jī)沉積工藝在第一無機(jī)層上形成第一有機(jī)層；在第一有機(jī)層上形成第二無機(jī)層。
[0009]可以在使第一基底翻轉(zhuǎn)之后形成第二無機(jī)層。
[0010]所述方法還可以包括以非接觸方式使第一有機(jī)層形成在其上的第一基底冷卻。
[0011]可以分別在第一簇件的多個第一處理室、第二簇件的多個第二處理室和第三簇件的多個第三處理室中形成第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。
[0012]可以確定第一簇件的所述多個第一處理室、第二簇件的所述多個第二處理室和第三簇件的所述多個第三處理室的順序，可以根據(jù)確定的順序分別在第一簇件的所述多個第一處理室中的第一個第一處理室、第二簇件的所述多個第二處理室中的第一個第二處理室和第三簇件的所述多個第三處理室中的第一個第三處理室中形成第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。
[0013]第一簇件和第二簇件可以通過第一連接模塊結(jié)合，第一連接模塊被構(gòu)造成將第一基底從第一簇件輸送至第二簇件，當(dāng)輸送第一基底時，第一簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)與第一連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)可以基本相同，或者第一連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)與第二簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)可以基本相同。
[0014]第二簇件和第三簇件可以通過第二連接模塊結(jié)合，第二連接模塊被構(gòu)造成將第一基底從第二簇件輸送至第三簇件，當(dāng)輸送第一基底時，第二簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)與第二連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)可以基本相同，或者第二連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)與第三簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)可以基本相同。
[0015]可以順序地執(zhí)行第一基底的冷卻步驟、第一有機(jī)層的形成步驟和第二無機(jī)層的形成步驟，使得第一有機(jī)層和第二無機(jī)層交替地堆疊在第一無機(jī)層上。
[0016]可以通過向下沉積來形成第一無機(jī)層和第一有機(jī)層，可以通過向上沉積來形成第二無機(jī)層。
[0017]在形成第一無機(jī)層之前，可以通過裝載簇件從外部接收其上形成有發(fā)射單元的第一基底。
[0018]可以通過與第一基底分開的第二基底冷卻單元來使第一基底冷卻，第二基底冷卻單元可以包括:第二冷卻板，與第一基底分開；第二冷卻器，與第二冷卻板結(jié)合并且使第二冷卻板冷卻。
[0019]第二制冷劑通道可以形成在第二冷卻板中，通過第二冷卻器循環(huán)的第二制冷劑通過第二制冷劑通道流動。
[0020]所述方法還可以包括以非接觸方式使第一有機(jī)層形成在其上的第一基底冷卻。
[0021]可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝或等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝來形成第二無機(jī)層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]通過下面結(jié)合附圖對實施例的描述，這些和/或其他方面和特征將變得清楚且更容易被理解，在附圖中:
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜包封制造設(shè)備的構(gòu)思圖；
[0024]圖2是利用在圖1中示出的薄膜包封制造設(shè)備制造的顯示設(shè)備的剖視圖；
[0025]圖3是在圖1中示出的第二輸送室的平面圖；
[0026]圖4是在圖1中示出的第二輸送室的剖視圖；
[0027]圖5是在圖1中示出的第三輸送室的剖視圖；
[0028]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜包封制造設(shè)備的構(gòu)思圖；
[0029]圖7是利用在圖6中示出的薄膜包封制造設(shè)備制造的顯示設(shè)備的剖視圖；
[0030]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜包封制造設(shè)備的構(gòu)思圖；
[0031]圖9是利用在圖8中示出的薄膜包封制造設(shè)備制造的顯示設(shè)備的剖視圖。

【具體實施方式】
[0032]現(xiàn)在將詳細(xì)地參照示例實施例,其示例在附圖中示出，其中，相同的參考標(biāo)號始終指示相同的元件。在這種情況下，本實施例可以具有不同的形式且不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的描述。因此，僅在下面通過參照附圖來描述實施例，以說明本發(fā)明的多個方面。這里使用的術(shù)語僅出于描述具體示例實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明構(gòu)思。如這里所用的，除非上下文另外明確地指明，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解的是，術(shù)語“包含”和/或“包括”用在本說明書中時說明存在陳述的特征、整體、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征、整體、操作、元件、組件和/或它們的組。將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項的任意組合和全部組合。當(dāng)諸如“至少一個(種)”的表述放在一系列元件(要素)之后時，修飾整個系列的元件(要素)，而不是修飾所述系列中的單個元件(要素)。另外，在描述本發(fā)明的實施例時使用“可以”表示“本發(fā)明的一個或更多個實施例”。
[0033]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜包封制造設(shè)備100的概念圖。圖2是利用在圖1中示出的薄膜包封制造設(shè)備100制造的顯示設(shè)備200的剖視圖。圖3是在圖1中示出的第二輸送室P2的平面圖。圖4是在圖1中示出的第二輸送室P2的剖視圖。圖5是在圖1中示出的第三輸送室P3的剖視圖。
[0034]參照圖1至圖5，薄膜包封制造設(shè)備100可以包括裝載簇件110、第一輸送室P1、第一簇件120、第一連接模塊Ml、第二簇件130、第二連接模塊M2、第三簇件140、第二轉(zhuǎn)向模塊室T2、第四輸送室P4以及卸載簇件150。
[0035]裝載簇件110可以從外部接收發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210，并將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210供應(yīng)到第一簇件120。例如，可以將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210供應(yīng)到裝載簇件110，其中，發(fā)光單元220包括隨后將描述的有機(jī)發(fā)光器件(228，0LED)?？梢栽诎l(fā)光單元220上形成包括例如隨后將進(jìn)一步描述的氟化鋰(LiF)的鹵化金屬層。
[0036]裝載簇件110可以包括從外部接收(例如，被構(gòu)造成接收)發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210并且儲存(例如，被構(gòu)造成儲存)第一基底210的裝載室112。例如，裝載簇件110可以包括多個裝載室112。多個裝載室112中的每個可以儲存發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210。裝載簇件110還可以包括連接至裝載室112的第一傳送室111。多個裝載室112均可以連接至第一傳送室111。
[0037]第一輸送室Pl可以連接裝載簇件110和第一簇件120。在這種情況下，第一輸送室Pl可以將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210從裝載簇件110輸送(例如，被構(gòu)造成輸送)至第一簇件120。在這種情況下，第一輸送室Pl可以包括第一基底冷卻單元。第一基底冷卻單元可以以例如非接觸的方式使從裝載簇件110輸送至第一簇件120的第一基底210冷卻。
[0038]第一基底冷卻單元可以包括被安裝成與第一基底210分開(例如，分隔開)的第一冷卻板和使第一冷卻板冷卻(例如，被構(gòu)造成冷卻)的第一冷卻器。例如，第一冷卻板可以設(shè)置在第一基底210上方并且與第一基底210分開。在這種情況下，第一冷卻器可以使第一制冷劑在第一冷卻板內(nèi)或者穿過第一冷卻板而循環(huán)，以使第一冷卻板的表面溫度下降或降低。在這種情況下，第一基底冷卻單元可以以與隨后將進(jìn)一步描述的第二基底冷卻單元R2(參照圖3)相同或相似的方式形成，并且可以被包括在第一輸送室Pl中或者可以不被包括在第一輸送室Pl中。為了便于說明，下面將詳細(xì)描述第一基底冷卻單兀未被包括在第一輸送室Pl中的示例實施例。
[0039]第一簇件120可以包括第二傳送室121。第一簇件120可以包括連接至第二傳送室121的第一濺射室122，并且第一簇件120可以是用于執(zhí)行(例如，被構(gòu)造成執(zhí)行)濺射工藝的第一處理室。在這種情況下，第一簇件120可以包括多個第一濺射室122。多個第一濺射室122中的每個可以連接至第二傳送室121。例如，每個第一濺射室122可以對發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210執(zhí)行沉積第一無機(jī)層231的工藝。
[0040]第一簇件120可以另外包括儲存(例如，被構(gòu)造成儲存)用于濺射工藝(例如，濺射工藝所必需)的掩模的第一掩模貯存室123。在這種情況下，第一掩模貯存室123可以將儲存在其中的掩模供應(yīng)(例如，自動地供應(yīng)或者可以被構(gòu)造成供應(yīng))至第一濺射室122。
[0041]第一連接模塊Ml可以包括第二輸送室P2。在這種情況下，第二輸送室P2可以使第一簇件120與第二簇件130連接，并且可以將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210從第一簇件120輸送至第二簇件130。
[0042]第二輸送室P2可以包括用來輸送發(fā)光單兀220形成在其上的第一基底210的第二穿梭件S2(參照圖3)。第二穿梭件S2可以在第二輸送室P2中執(zhí)行(例如，被構(gòu)造成執(zhí)行)線性運(yùn)動以將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210從第一簇件120輸送至第二簇件 130。
[0043]第一連接模塊Ml可以包括安裝在第二輸送室P2中的第二基底冷卻單元R2(參照圖3)。第二基底冷卻單兀R2可以安裝成與第二穿梭件S2分開(例如，分隔開)(例如，分隔開預(yù)定的間隙)。例如，第二基底冷卻單元R2可以包括安裝在第二輸送室P2中的第二冷卻板R2b。在這種情況下，第二冷卻板R2b可以安裝成與發(fā)光單元220形成在其上并且置于第二穿梭件S2上或置于第二穿梭件S2中的第一基底210分開(例如，分隔開)間隙(例如，預(yù)定的間隙)。例如，第二冷卻板R2b與發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210之間的距離可以小于大約20mm。在這種情況下，當(dāng)?shù)诙鋮s板R2b與發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210之間的距離超過大約20mm時，冷卻效率會劣化(例如，會迅速劣化)，當(dāng)形成第一有機(jī)層232時這會影響第一有機(jī)層232的質(zhì)量。
[0044]第二冷卻板R2b可以因由隨后將進(jìn)一步描述的第二冷卻器R2a供應(yīng)的第二制冷劑的循環(huán)而冷卻。冷卻后的第二冷卻板R2b可以與發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210交換熱(即，可以使發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210冷卻)。例如，第二冷卻板R2b可以由金屬材料(例如，銅)形成。第二冷卻板R2b的表面可以涂覆有黑體材料。在這種情況下，黑體材料可以包括例如石墨或氧化鋯。然而，第二冷卻板R2b不限于此，并且第二冷卻板R2b可以包括吸收輻射能量的所有材料和/或可以包括吸收輻射能量的黑體材料。
[0045]第二制冷劑可以包括各種元素。例如，第二制冷劑可以包括諸如氦、氬的惰性氣體以及二氧化碳、氮等。
[0046]第二冷卻板R2b的面積(例如，表面面積)可以與第一基底210的面積相同或不同。例如，第二冷卻板R2b的面積可以比第一基底210的面積大。在這種情況下，第二冷卻板R2b可以完全地覆蓋或圍繞第一基底210，因此第二冷卻板R2b和第一基底210可以更有效地交換熱(例如，第一基底210可以被有效地冷卻)。
[0047]第二基底冷卻單元R2可以包括連接至第二冷卻板R2b的第二冷卻器R2a。在這種情況下，第二冷卻器R2a可以利用第二制冷劑使第二冷卻板R2b冷卻。例如，可以在第二冷卻板R2b中形成第二制冷劑循環(huán)通路R2c，從而第二制冷劑可以通過第二制冷劑循環(huán)通路R2c循環(huán)。例如，第二制冷劑循環(huán)通路R2c可以是用于使第二制冷劑在第二冷卻板R2b內(nèi)或者圍繞第二冷卻板R2b循環(huán)的空間，并且可以連接至第二冷卻器R2a。單獨的管可以安裝在第二冷卻板R2b中。
[0048]第一連接模塊Ml可以包括多個第二基底冷卻單元R2。第二基底冷卻單元R2可以安裝成彼此分開(例如，分隔開)間隙(例如，預(yù)定間隙)。例如，第二基底冷卻單元R2可以安裝在一個平面上并且彼此分開(例如，分隔開)。第二冷卻器R2a可以分別連接至第二冷卻板R2b，從而第二制冷劑可以被供應(yīng)至第二冷卻板R2b并且在第二冷卻板R2b內(nèi)或者圍繞第二冷卻板R2b循環(huán)。
[0049]第二簇件130可以包括儲存(例如，臨時儲存)發(fā)光單元220形成在其上的并且通過第二輸送室P2被輸送的第一基底210的第三傳送室131。第二簇件130可以包括連接至第三傳送室131并且作為執(zhí)行(例如，被構(gòu)造成執(zhí)行)有機(jī)沉積工藝的第二處理室的第一單體沉積室132。在這種情況下，第二簇件130可以包括多個第一單體沉積室132。第一單體沉積室132中的每個可以連接(例如，輻射狀地連接)至第三傳送室131。例如，在第一單體沉積室132中，第一有機(jī)層232可以形成在第一無機(jī)層231上。如上所述，用于形成第一有機(jī)層232的有機(jī)沉積工藝可以利用不同的工藝方法。例如，有機(jī)沉積工藝可以包括閃蒸。
[0050]第二簇件130可以包括儲存(例如，被構(gòu)造成儲存)將用在每個第一單體沉積室132中(例如，在每個第一單體沉積室132中需要)的掩模的第二掩模貯存室133。在這種情況下，第二掩模貯存室133可以儲存多個掩模，并且可以供應(yīng)將用在每個第一單體沉積室132中(例如，在每個第一單體沉積室132中需要)的掩模。
[0051]同時，第二連接模塊M2可以安裝在第二簇件130和第三簇件140之間。在這種情況下，第二連接模塊M2可以包括第三輸送室P3和第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl。在這種情況下，第三輸送室P3將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210從第二簇件130輸送(例如，被構(gòu)造成輸送)至第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl,第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl可以形成為翻轉(zhuǎn)室，以使發(fā)光單兀220形成在其上的第一基底210對齊并且反轉(zhuǎn)(例如，被構(gòu)造成對齊且反轉(zhuǎn))。例如，可以制備發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210，從而在第一簇件120和第二簇件130中執(zhí)行向下沉積，然后在第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl中通過使發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210反轉(zhuǎn)并將第一基底210供應(yīng)至第三簇件140來在第三簇件140中執(zhí)行向上沉積。在這種情況下，向上沉積包括將形成在第一基底210上的發(fā)光單元220放置成面對每個室的底表面、使沉積材料從每個室的底側(cè)朝著每個室的頂側(cè)移動以及將沉積材料沉積到發(fā)光單元220上的工藝，反之，向下沉積包括將形成在第一基底210上的發(fā)光單元220放置成面對每個室的頂表面、使沉積材料從每個室的頂側(cè)朝著每個室的底側(cè)移動以及將沉積材料沉積到發(fā)光單元220上的工藝。
[0052]第二連接模塊M2可以包括使從第二簇件130抽出(例如，從第二簇件130移除)并被輸送至第三簇件140的第一基底210冷卻的第三基底冷卻單元R3 (參照圖5)。在這種情況下，第三基底冷卻單元R3可以安裝在第三輸送室P3和第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl中的至少一個中。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述第三基底冷卻單元R3安裝在第三輸送室P3中的示例實施例。
[0053]在這種情況下，第三基底冷卻單元R3和第三輸送室P3可以以與上面描述的第二基底冷卻單元R2和第二輸送室P2相同或相似的方式形成。例如，第三基底冷卻單元R3可以包括被安裝成與發(fā)光單元220形成在其上并且被置于第三輸送室P3的第三穿梭件S3上的第一基底210分開(例如，分隔開)間隙(例如，預(yù)定間隙)的第三冷卻板R3b，第三冷卻器R3a可以連接至第三冷卻板R3b。在這種情況下，第三冷卻板R3b和第三冷卻器R3a分別與上面描述的第二冷卻板R2b和第二冷卻器R2a相同或相似，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0054]第三簇件140可以包括連接至第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl的第四傳送室141。在這種情況下，第四傳送室141可以包括作為用于設(shè)置或形成(例如，堆疊)第二無機(jī)層233的第三處理室的第一化學(xué)氣相室142。例如，第四傳送室141可以包括多個第一化學(xué)氣相室142。第一化學(xué)氣相室142中的每個可以安裝(例如，輻射狀地安裝)在第四傳送室141處并且彼此分開(例如，分隔開)(例如，分隔開預(yù)定間隙)。
[0055]第二無機(jī)層233可以通過例如普通化學(xué)氣相沉積(CVD)或等離子體加強(qiáng)CVD(PECVD)在第一化學(xué)氣相室142中形成。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述利用普通CVD在第一化學(xué)氣相室142中形成第二無機(jī)層233的示例實施例。
[0056]第三簇件140可以包括供應(yīng)將在第一化學(xué)氣相室142中使用(例如，在第一化學(xué)氣相室142中需要)的掩模的第三掩模貯存室143。在這種情況下，第三掩模貯存室143可以儲存用于工藝(例如，工藝所必需)的掩模，然后將掩模供應(yīng)至在其中執(zhí)行該工藝的每個第一化學(xué)氣相室142。
[0057]同時，第二轉(zhuǎn)向模塊室T2可以連接至如上面描述地形成的第三簇件140。例如，第二轉(zhuǎn)向模塊室T2可以連接至第四傳送室141并且可以使發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210反轉(zhuǎn)(例如，翻轉(zhuǎn))并輸送發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210。例如，第二轉(zhuǎn)向模塊室T2可以是與上面描述的第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl相似的翻轉(zhuǎn)室。
[0058]第四輸送室P4可以連接至第二轉(zhuǎn)向模塊室T2。第四輸送室P4可以將發(fā)光單元220形成在其上并且已經(jīng)完成薄膜包封工藝的第一基底210輸送至卸載簇件150。
[0059]卸載簇件150可以包括第五傳送室151。卸載簇件150可以包括卸載室152，其中，卸載室152將從第五傳送室151輸送的并且發(fā)光單兀220形成在其上的第一基底210移(例如，運(yùn)出)至外部。在這種情況下，卸載簇件150可以包括多個卸載室152。卸載室152可以安裝(例如，輻射狀地安裝)在第五傳送室151處。
[0060]下面將詳細(xì)描述利用薄膜包封制造設(shè)備100執(zhí)行薄膜包封工藝的方法和顯示設(shè)備 200。
[0061]顯示設(shè)備200可以具有(例如，形成為具有)不同的形式。例如，顯示設(shè)備200可以包括液晶顯示(IXD)設(shè)備、等離子體顯示設(shè)備和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備等。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述顯示設(shè)備200包括有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示例實施例。
[0062]可以在第一基底210上形成發(fā)光單元220。在這種情況下，發(fā)光單元220可以包括薄膜晶體管(TFT)?？梢栽诎l(fā)光單元220中形成鈍化層221以覆蓋TFT?？梢栽阝g化層
221上形成 OLED 228。
[0063]第一基底210可以由玻璃材料形成，但是不限于此，并且也可以由塑料材料或諸如不銹鋼(SUS)或鈦(Ti)的金屬材料形成。
[0064]可以在第一基底210的上表面上進(jìn)一步形成由有機(jī)化合物和/或無機(jī)化合物形成的緩沖層222，緩沖層222可以由例如氧化硅(S1x(X彡I))或氮化硅(SiNx(x彡I))形成。
[0065]可以在緩沖層222上形成以圖案(例如，預(yù)定圖案)布置的有源層223，然后通過柵極絕緣層224覆蓋(例如，掩埋)有源層223。有源層223包括源區(qū)223a和漏區(qū)223c，并且進(jìn)一步包括位于源區(qū)223a和漏區(qū)223c之間的溝道區(qū)223b。在這種情況下，有源層223可以由非晶硅形成，但是不限于此，并且也可以由氧化物半導(dǎo)體形成。例如，氧化物半導(dǎo)體可以包括由從諸如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)和它們的組合的12族、13族和14族金屬元素組成的組中選擇的材料形成的氧化物。例如，由半導(dǎo)體形成的有源層 223 可以包括 G-1-Z-O[a (In2O3) b(Ga203) c (ZnO)] (a、b 和 c 是滿足 a 彡 O、b 彡 O 且 c> O的條件的實數(shù))。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述有源層223由非晶硅形成的示例實施例。
[0066]可以通過在緩沖層222上形成非晶硅層、使非晶硅層結(jié)晶化、形成多晶硅層以及使多晶硅層圖案化來形成有源層223。有源層223可以包括根據(jù)TFT類型(例如，驅(qū)動TFT或開關(guān)TFT)摻雜有雜質(zhì)的源區(qū)223a和漏區(qū)223c。
[0067]可以在柵極絕緣層224上形成與有源層223相對應(yīng)的柵電極225和覆蓋柵電極225的層間絕緣層226。
[0068]在層間絕緣層226和柵極絕緣層224中形成接觸孔之后，可以在層間絕緣層226上形成源電極227a和漏電極227b，以分別接觸源區(qū)223a和漏區(qū)223c。
[0069]同時，由于在如上所述地形成源電極227a/漏電極227b的同時形成反射層，因此源電極227a/漏電極227b可以由具有能夠使光反射的厚度的導(dǎo)電(例如，高導(dǎo)電)材料形成。源電極227a/漏電極227b可以由諸如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)的金屬材料或它們的化合物形成。
[0070]可以在如上所述地形成的反射層和TFT上形成鈍化層221。在鈍化層221上形成OLED 228的像素電極228a。像素電極228a通過形成在鈍化層221中的通孔接觸TFT的漏電極227b。鈍化層221可以由無機(jī)材料和/或有機(jī)材料形成并且成單層結(jié)構(gòu)或包括至少兩層的結(jié)構(gòu)，鈍化層221可以形成為平坦化層，使得無論下層的彎曲或形狀如何，鈍化層221的上表面都被平面化，然而鈍化層221可以沿(例如，對應(yīng)于)下層的曲線彎曲。鈍化層221可以由透明絕緣材料形成，以實現(xiàn)共振效果(例如，光學(xué)共振)。
[0071 ] 在鈍化層221上形成像素電極228a之后，可以由有機(jī)材料和/或無機(jī)材料形成像素限定層229，以覆蓋像素電極228a和鈍化層221，像素限定層229敞開以暴露像素電極228a。
[0072]至少在像素電極228a上形成有機(jī)層228b和相對電極228c。
[0073]像素電極228a可以用作陽極，相對電極228c可以用作陰極，然而，可以轉(zhuǎn)換像素電極228a和相對電極228c的極性。
[0074]像素電極228a可以由具有高功函數(shù)的材料(例如，諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)的透明導(dǎo)體)形成。
[0075]相對電極228c 可以由諸如 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca 的金屬或它們的化合物形成；例如，相對電極228c可以由厚度小的Mg、Ag或Al形成，以成為半透反射層，從而在光學(xué)共振之后光可以通過相對電極228c傳播。
[0076]像素電極228a和相對電極228c通過有機(jī)層228b彼此絕緣，從而通過將相反極性的電壓施加至有機(jī)層228b而使光從有機(jī)發(fā)射層發(fā)射。
[0077]有機(jī)層228b可以包括有機(jī)發(fā)射層。在這種情況下，有機(jī)層228b可以由低分子或聚合物有機(jī)層形成。當(dāng)有機(jī)層228b由低分子層形成時，有機(jī)層228b可以具有其中除了發(fā)射層(EML)以外還以單層或多層結(jié)構(gòu)堆疊有空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)的結(jié)構(gòu)，可以使用諸如CuPc (銅酞菁)、NPB (N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺)、Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁)等的各種有機(jī)材料?？梢岳谜婵粘练e來形成低分子有機(jī)層。在這種情況下，HIL、HTL、ETL和EIL是可以共同地應(yīng)用于紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素的公共層。因此，公共層可以形成為像相對電極228c —樣覆蓋整個像素。
[0078]當(dāng)有機(jī)層228b由聚合物有機(jī)層形成時，聚合物有機(jī)層可以由HTL和EML形成。在這種情況下，PEDOT(聚(3，4-乙烯二氧噻吩))可以用作HTL，諸如聚苯撐乙烯撐類材料或聚芴類材料的聚合物有機(jī)材料用作EML，EML可以通過利用絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、精細(xì)金屬掩模工藝或激光熱轉(zhuǎn)印工藝等形成。
[0079]同時，如上所述的EML可以具有(例如，形成為具有)各種形式。例如，可以在每個子像素中形成藍(lán)色EML、綠色EML和紅色EML以形成單個單元像素。另外，除了如上所述的藍(lán)色EML、綠色EML和紅色EML以外，還可以在子像素中形成其他顏色的EML。例如，除藍(lán)色EML、綠色EML和紅色EML之外，還可以層疊(例如，堆疊)藍(lán)色EML、綠色EML和紅色EML以形成白色EML作為子像素，從而形成單個單元像素。
[0080]此外，盡管上面描述了在每個像素中由額外的發(fā)光材料形成的EML，但是本發(fā)明不限于此?？梢圆豢紤]像素的位置而在整個像素中共同地形成EML。在這種情況下，可以通過垂直地堆疊或混合包括發(fā)射例如紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光材料的層來形成EML。只要發(fā)射白光，則其他顏色的組合也是可能的。還可以包括將發(fā)射的白光轉(zhuǎn)換成某一顏色(例如，預(yù)定的顏色)的顏色轉(zhuǎn)換層或濾色器。
[0081]有機(jī)層228b不限于此，也可以應(yīng)用有機(jī)層228b的其他各種示例。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述藍(lán)色EML、綠色EML和紅色EML形成為子像素以形成單個單元像素的示例實施例。
[0082]同時，在制備發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210之后，可以在第一基底210進(jìn)入薄膜包封制造設(shè)備100時形成包封單元230。在這種情況下，可以通過堆疊(例如，順序地堆疊)如上所述的第一無機(jī)層231、第一有機(jī)層232和第二無機(jī)層233來形成包封單元230。
[0083]例如，第一有機(jī)層232可以由聚合物形成，并且也可以為由例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種形成的單層或多層(例如，堆疊層)。第一有機(jī)層232也可以由聚丙烯酸酯形成；例如，第一有機(jī)層232可以包括具有二丙烯酸酯單體或三丙烯酸酯單體的聚合單體成分。單體成分還可以包括單丙烯酸酯單體。單體成分還可以包括諸如熱塑性聚烯烴(TPO)的合適的光引發(fā)劑，但是不限于此。
[0084]第一無機(jī)層231和第二無機(jī)層233可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，第一無機(jī)層231和第二無機(jī)層233可以包括氮化硅(例如，SiNx)、氧化鋁(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，S12)和氧化鈦(例如，T12)中的一種。在這種情況下，第二無機(jī)層233可以形成為或被構(gòu)造成防止或減少濕氣滲透進(jìn)入發(fā)光單元220內(nèi)。
[0085]同時，還可以在發(fā)光單元220和第一無機(jī)層231之間包括含有例如氟化鋰(例如，LiF)的鹵化金屬層。鹵化金屬層可以防止或減少在利用濺射工藝形成第一無機(jī)層231時對發(fā)光單元220造成的損壞。
[0086]第一有機(jī)層232可以比第二無機(jī)層233小，例如，可以具有比第二無機(jī)層233小的表面面積。在這種情況下，第一有機(jī)層232可以被第二無機(jī)層233覆蓋(例如，完全覆蓋)。
[0087]如上所述地形成包封單元230的方法還可以包括將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210裝載到裝載室112內(nèi)。在這種情況下，可以使用各種裝載方法。例如，可以將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210裝載到盒子內(nèi)，然后可以將盒子裝載到裝載室112內(nèi)。也可以通過輸送單元(例如，外部機(jī)械手臂)來將發(fā)光單元220形成在其上的第一基底210供應(yīng)至或移至裝載室112中。
[0088]同時，可以將如上所述供應(yīng)的第一基底210從裝載室112供應(yīng)至或移至第一傳送室111。在這種情況下，機(jī)械手臂等可以安裝在第一傳送室111中來移動第一基底210。例如，在將第一基底210從裝載室112輸送至第一傳送室111之前，可以將裝載室112和第一傳送室111中的壓強(qiáng)或裝載室112和第一傳送室111的壓強(qiáng)控制成彼此基本相等(例如，可以使壓強(qiáng)相等)。
[0089]可以將如上所述地輸送至第一傳送室111的第一基底210再從第一傳送室111輸送至第一輸送室Pl。在這種情況下，當(dāng)輸送第一基底210時,可以將第一傳送室111和第一輸送室Pl的內(nèi)部壓強(qiáng)控制成一致(例如，可以使內(nèi)部壓強(qiáng)相等)。
[0090]在第一基底冷卻單元安裝在第一輸送室Pl中的示例實施例中，第一基底冷卻單元可以例如以非接觸方式使進(jìn)入第一輸送室Pl的第一基底210冷卻。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述沒有安裝第一基底冷卻單元的示例實施例，即，在沒有使第一基底210冷卻的情況下，使第一基底210經(jīng)由第一輸送室Pl供應(yīng)至第一簇件120的情況。
[0091]第一輸送室Pl可以將第一基底210輸送至第一簇件120的第二傳送室121。在這種情況下，在輸送第一基底210時,可以使第一輸送室Pl和第二傳送室121的內(nèi)部壓強(qiáng)維持基本一致(例如，可以使內(nèi)部壓強(qiáng)相等)。
[0092]可以將如上所述地輸送的第一基底210從第二傳送室121裝載到多個第一濺射室122中的一個內(nèi)。在這種情況下，可以確定(例如，預(yù)先確定或預(yù)確定)多個第一濺射室122中的第一基底210被裝載到其中的一個第一濺射室122。例如，可以沿一個方向確定第一濺射室122的順序或次序(例如，每個第一濺射室122可以根據(jù)第一簇件120上的位置被排序或排列)。可以對每個第一濺射室122或者對第一基底210做出標(biāo)識(ID)。然而，確定第一濺射室122的順序或次序的方法不限于此，而是可以以各種方式來確定。為了便于描述，下面將描述沿一個方向確定順序的示例實施例。
[0093]可以將第一基底210裝載至多個第一濺射室122中的第一個第一濺射室內(nèi)，其中，根據(jù)對多個第一濺射室122中的每個或者對第一基底210做出的ID來確定所述多個第一濺射室122的順序或次序。例如，可以將第一基底210裝載至第一濺射室122中的一個第一濺射室122內(nèi)，使得第一基底210的ID與所述一個第一濺射室122的順序或次序彼此對應(yīng)或彼此一致。
[0094]同時，當(dāng)利用如上所述的濺射工藝來形成第一無機(jī)層231時，可以將濺射工藝中使用的掩模從第一掩模貯存室123輸送至將在其中執(zhí)行濺射工藝的第一濺射室122。在這種情況下，掩?？梢赃M(jìn)入并被儲存在多個第一掩模貯存室123中的至少一個中。例如，可以確定掩模進(jìn)入的順序，使得在第一基底210進(jìn)入將在其中執(zhí)行濺射工藝的第一濺射室122前面(例如，在第一基底210進(jìn)入將在其中執(zhí)行濺射工藝的第一濺射室122之前)將掩模輸送至第一派射室122。然而,本發(fā)明不限于此,掩?？梢耘c第一基底210—起(例如，同時)進(jìn)入。
[0095]同時，在第一基底210進(jìn)入多個第一濺射室122中的一個之后，所述一個第一濺射室122可以在發(fā)光單元220上形成第一無機(jī)層231。在這種情況下，第一無機(jī)層231可以與上面描述的相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0096]當(dāng)如上所述地形成(例如，完全形成)第一無機(jī)層231時，然后可以將第一基底210從第一濺射室122輸送至第二傳送室121。在這種情況下，可以將第一濺射室122與第二傳送室121的壓強(qiáng)控制成基本相同或相等。
[0097]第二傳送室121可以將第一無機(jī)層231形成在其上的第一基底210輸送至第二輸送室P2。在這種情況下，可以通過例如機(jī)械手臂將第一基底210輸送至第二穿梭件S2。例如，可以在將第二傳送室121和第二輸送室P2的內(nèi)部壓強(qiáng)維持一致或基本相等的同時，將第一基底210從第二傳送室121輸送至第二輸送室P2。
[0098]在第一基底210的輸送期間，可以通過第二基底冷卻單元R2使第一基底210在第二輸送室P2中冷卻。例如，當(dāng)?shù)谝换?10被置于第二穿梭件S2上或中時，第二冷卻器R2a可以通過使第二制冷劑在第二冷卻板R2b中或者穿過第二冷卻板R2b循環(huán)而使第二冷卻板R2b冷卻。當(dāng)?shù)诙鋮s板R2b的表面溫度下降(例如，降低)時，從具有比第二冷卻板R2b的溫度高的溫度的第一無機(jī)層231、發(fā)光單元220和第一基底210發(fā)射的輻射能量到達(dá)第二冷卻板R2b并進(jìn)行熱交換(例如，被吸收)，因此第一基底210的溫度可以下降(例如，可以降低)。在這種情況下，盡管第二冷卻器R2a可以在第一基底210如上所述地進(jìn)入第二輸送室P2時運(yùn)行，但是第二制冷劑可以被持續(xù)地供應(yīng)至第二冷卻板R2b。為了便于描述，下面將描述在第一基底210進(jìn)入第二輸送室P2時第二冷卻器R2a運(yùn)行的示例實施例。
[0099]當(dāng)完成上述工藝時，可以將第一基底210輸送至第二簇件130。在這種情況下，可以將第一基底210輸送至連接到第二輸送室P2的第三傳送室131，當(dāng)輸送第一基底210時，可以將第二輸送室P2和第三傳送室131的壓強(qiáng)維持為基本相同或相等。
[0100]可以將如上所述地輸送至第三傳送室131的第一基底210從第三傳送室131進(jìn)一步輸送至第一單體沉積室132。在這種情況下，將第一基底210輸送至多個第一單體沉積室132中的一個的方法可以與如上所述的將第一基底210輸送至多個第一濺射室122中的一個的方法相似或相同。例如，可以以與多個第一濺射室122的順序或次序相同的順序或次序?qū)Χ鄠€第一單體沉積室132進(jìn)行編號。例如，如在多個第一濺射室122中的第一個第一濺射室中形成第一無機(jī)層231 —樣，可以在多個第一單體沉積室132中的第一個第一單體沉積室中形成第一有機(jī)層232。
[0101]第三傳送室131和第一單體沉積室132可以具有(例如，被設(shè)置成具有)相同或基本相同的壓強(qiáng)。第一單體沉積室132可以在第一無機(jī)層231上形成第一有機(jī)層232。例如，當(dāng)?shù)谝换?10被裝載到第一單體沉積室132內(nèi)時，可以利用閃蒸來沉積可通過施加紫外(UV)線或熱而聚合的單體和光引發(fā)劑。
[0102]當(dāng)完成上述工藝時，可以通過對單體沉積在其上的表面施加UV線或熱并且使單體聚合以增加其硬度，來形成包括例如聚合物的第一有機(jī)層232。例如，第一有機(jī)層232可以與上面描述的第一有機(jī)層相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0103]在這種情況下，用于形成第一有機(jī)層232的掩模在被儲存在第二掩模貯存室133之后，可以被供應(yīng)至第一單體沉積室132。在這種情況下，將掩模從第二掩模貯存室133供應(yīng)至第一單體沉積室132的方法可以與將掩模從第一掩模貯存室123供應(yīng)至第一濺射室122的方法相似，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0104]同時，在第一無機(jī)層231上形成第一有機(jī)層232之后，可以將輸送至第三傳送室131的第一基底210從第三傳送室131進(jìn)一步輸送至第二連接模塊M2。例如，第一基底210可以從第三傳送室131被輸送至第三輸送室P3。在這種情況下，當(dāng)?shù)谝换?10被輸送時，第三輸送室P3的內(nèi)部壓強(qiáng)和第三傳送室131的內(nèi)部壓強(qiáng)可以被控制成基本相同或相等。
[0105]第三穿梭件S3可以設(shè)置在第三輸送室P3內(nèi)并且可以輸送第一基底210。在這種情況下，安裝在第三輸送室P3內(nèi)的第三基底冷卻單元R3可以運(yùn)行，使得第一基底210的溫度(例如，表面溫度)可以降低或下降。在這種情況下，使第三基底冷卻單元R3運(yùn)行的方法可以與使第二基底冷卻單元R2運(yùn)行的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0106]當(dāng)完成上述工藝時，可以將第一基底210從第三輸送室P3供應(yīng)至第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl。在這種情況下，第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl可以使第一基底210反轉(zhuǎn)例如180度(例如，可以使第一基底210的方向反轉(zhuǎn)或者使第一基底210翻轉(zhuǎn))。例如，第一簇件120和第二簇件130可以利用向下沉積來沉積第一無機(jī)層231和第一有機(jī)層232，第三簇件140可以利用向上沉積來沉積第二無機(jī)層233，其中，在向下沉積中沿向下方向提供沉積材料(例如，使沉積材料向下移動)，在向上沉積中沿向上方向提供沉積材料(例如，使沉積材料向上移動)。因此，對于向上沉積，第一基底210可以反轉(zhuǎn)180度。即，當(dāng)?shù)谝换?10被反轉(zhuǎn)時，設(shè)置在第一基底210上的第一無機(jī)層231和第一有機(jī)層232可以被設(shè)置成朝向向下方向(例如，第一基底210可以被定位成使得第一無機(jī)層231可以在第一有機(jī)層232上方)。
[0107]在第一基底210如上所述地在第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl中被反轉(zhuǎn)之后,可以將第一基底210供應(yīng)至第四傳送室141。在這種情況下，第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第四傳送室141的內(nèi)部壓強(qiáng)可以被控制成基本相同或相等。
[0108]同時，輸送至第四傳送室141的第一基底210可以進(jìn)一步被輸送至第一化學(xué)氣相室142。在這種情況下，第四傳送室141的內(nèi)部壓強(qiáng)和第一化學(xué)氣相室142的內(nèi)部壓強(qiáng)可以被控制成基本相同或相等。
[0109]當(dāng)如上所述地沉積第二無機(jī)層233時，可以從第三掩模貯存室143供應(yīng)在第一化學(xué)氣相室142中使用(例如，在第一化學(xué)氣相室142中所必需)的掩模。在這種情況下，第三掩模貯存室143的操作可以與第一掩模貯存室123或第二掩模貯存室133的操作相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0110]同時，當(dāng)如上所述地沉積(例如，完全沉積)第二無機(jī)層233時，可以將顯示設(shè)備200從第四傳送室141輸送至第二轉(zhuǎn)向模塊室T2。在這種情況下，第二轉(zhuǎn)向模塊室T2可以通過使顯示設(shè)備200反轉(zhuǎn)例如180度來使顯示設(shè)備200恢復(fù)至最初方向(例如，最初狀態(tài))。
[0111]可以將如上所述恢復(fù)至最初方向的顯示設(shè)備200通過第四輸送室P4從第二轉(zhuǎn)向模塊室T2輸送至第五傳送室151。在這種情況下,在第二轉(zhuǎn)向模塊室T2的內(nèi)部壓強(qiáng)和第四輸送室P4的內(nèi)部壓強(qiáng)維持基本一致(例如，維持相等或基本相等)的同時將顯示設(shè)備200從第二轉(zhuǎn)向模塊室T2輸送至第四輸送室P4之后，可以通過使第四輸送室P4的內(nèi)部壓強(qiáng)和第五傳送室151的內(nèi)部壓強(qiáng)維持基本一致(例如，維持相等)來將顯示設(shè)備200從第四輸送室P4輸送至第五傳送室151。
[0112]可以將如上所述制造的顯示設(shè)備200從第五傳送室151裝載到卸載室152中并且儲存在一個卸載室152中。在這種情況下，當(dāng)?shù)谖鍌魉褪?51的內(nèi)部壓強(qiáng)和卸載室152的內(nèi)部壓強(qiáng)被控制成基本相同(例如，當(dāng)內(nèi)部壓強(qiáng)相等或基本相等)時，可以輸送顯示設(shè)備200。
[0113]同時，可以具有各種方法將如上所述的顯示設(shè)備200裝載到卸載室152內(nèi)。例如，可以通過設(shè)置卸載室152的順序或次序(例如，預(yù)先設(shè)置卸載室152的順序或次序)來控制卸載室152，并且當(dāng)將顯示設(shè)備200裝載(例如，完全裝載)到隨機(jī)選擇的一個卸載室152中時，可以控制其他卸載室152來儲存其他顯示設(shè)備200。一個顯示設(shè)備200可以被儲存在多個卸載室152中的一個卸載室152中，并且可以從第五傳送室151隨機(jī)輸送至多個卸載室152中的被確定為其中沒有儲存顯示設(shè)備200的一個卸載室152。
[0114]如上所述，薄膜包封制造設(shè)備100可以執(zhí)行順列(in-line)薄膜包封，從而最優(yōu)化或減少執(zhí)行薄膜包封所需的時間。
[0115]當(dāng)形成多層薄膜包封時，薄膜包封制造設(shè)備100可以調(diào)整每層的厚度，可以執(zhí)行(例如，同時執(zhí)行)向上和向下的膜形成，從而便于形成多層薄膜包封。
[0116]例如，薄膜包封制造設(shè)備100可以包括裝載簇件110和卸載簇件150，因此，可以順序地(in one line)形成薄膜包封,從而提高產(chǎn)率。
[0117]薄膜包封制造設(shè)備100可以在執(zhí)行每個工藝之前降低或減小第一基底210的溫度，因此可以減小或防止因每個工藝而由第一基底210的溫度升高或溫度增大產(chǎn)生的影響(例如，因素)，從而確保促進(jìn)和/或完成薄膜包封。
[0118]此外，薄膜包封制造設(shè)備100可以在形成第一有機(jī)層232之前降低或減小第一基底210的溫度，從而在形成第一無機(jī)層231之后改善形成的第一有機(jī)層232的質(zhì)量。
[0119]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜包封制造設(shè)備300的構(gòu)思圖。圖7是利用在圖6中示出的薄膜包封制造設(shè)備300制造的顯示設(shè)備400的剖視圖。
[0120]參照圖6和圖7，薄膜包封制造設(shè)備300可以包括裝載簇件、第一輸送室P1、第一簇件320、第一連接模塊Ml、第二簇件330、第二連接模塊M2和第三簇件340。在這種情況下，可以安裝(例如，順序地安裝)第一連接模塊Ml、第二簇件330、第二連接模塊M2和第三簇件340。第一連接模塊Ml、第二簇件330、第二連接模塊M2和第三簇件340可以形成單個有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S。多個有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S可以形成并包括連接至第一簇件320的第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊SI和連接至第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊SI的第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2。
[0121]第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊SI和第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2可以交替地形成(例如，順序地形成)第一有機(jī)層432和第二無機(jī)層433，因此可以形成隨后將進(jìn)一步描述的第一有機(jī)層432、第二無機(jī)層433、第二有機(jī)層434和第三無機(jī)層435。
[0122]裝載簇件、第一輸送室P1、第一簇件320及第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊SI的第一連接模塊Ml、第二簇件330、第二連接模塊M2和第三簇件340可以彼此連接(例如，順序地連接)。第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2的第一連接模塊、第二簇件、第二連接模塊和第三簇件可以連接(例如，順序地連接)至第三簇件340。然而，為了避免描述的混亂，將連接至第三簇件340的第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2的第一連接模塊、第二簇件、第二連接模塊和第三簇件分別重新命名為第三連接模塊M3、第四簇件360、第四連接模塊M4和第五簇件370，下面將對其進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0123]薄膜包封制造設(shè)備300可以包括裝載簇件、第一輸送室P1、第一簇件320、第一連接模塊Ml、第二簇件330、第二連接模塊M2、第三簇件340、第三連接模塊M3、第四簇件360、第四連接模塊M4、第五簇件370、第十輸送室P10、第五轉(zhuǎn)向模塊室T5、第^ 輸送室Pll和卸載簇件。
[0124]第一輸送室Pl可以包括第一基底冷卻單元。第一基底冷卻單元可以例如以非接觸方式使向第一簇件320輸送的第一基底410冷卻。在這種情況下，第一基底冷卻單元可以與上面描述的第一基底冷卻單元相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述第一輸送室Pl中不包括第一基底冷卻單元的示例實施例。
[0125]同時，第一連接模塊Ml和第二連接模塊M2可以以與參照圖1和圖2描述的第一連接模塊Ml和第二連接模塊M2相同或相似方式形成。例如，第一連接模塊Ml可以包括第二輸送室P2、第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第三輸送室P3。第一連接模塊Ml可以包括例如以非接觸方式使第一基底410冷卻的第二基底冷卻單元。在這種情況下，第二基底冷卻單元可以安裝在第二輸送室P2、第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第三輸送室P3中的至少一個中。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述第二基底冷卻單元安裝在第二輸送室P2和第三輸送室P3中的每個中的示例實施例。
[0126]上面描述的第二基底冷卻單元可以包括第二冷卻板和第二冷卻器。在這種情況下，第二冷卻板和第二冷卻器可以與參照圖1和圖2描述的冷卻板和冷卻器相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0127]第二連接模塊M2可以包括第四輸送室P4、第二轉(zhuǎn)向模塊室T2和第五輸送室P5。第二連接模塊M2可以包括安裝在第四輸送室P4、第二轉(zhuǎn)向模塊室T2和第五輸送室P5中的至少一個中的第三基底冷卻單元。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述第三基底冷卻單元安裝在第四輸送室P4和第五輸送室P5中的每個中的示例實施例。
[0128]第三連接模塊M3可以包括第六輸送室P6、第三轉(zhuǎn)向模塊室T3和第七輸送室P7。第三連接模塊M3可以包括安裝在第六輸送室P6、第三轉(zhuǎn)向模塊室T3和第七輸送室P7中的至少一個中的第四基底冷卻單元。在這種情況下，第四基底冷卻單元可以以與第二基底冷卻單元相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0129]第四連接模塊M4可以包括第八輸送室P8、第四轉(zhuǎn)向模塊室T4和第九輸送室P9。第四連接模塊M4可以包括安裝在第八輸送室P8、第四轉(zhuǎn)向模塊室T4和第九輸送室P9中的至少一個中的第五基底冷卻單元。在這種情況下，第五基底冷卻單元可以以與第三基底冷卻單元相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0130]上面描述的薄膜包封制造設(shè)備300可以選擇性地包括第二基底冷卻單元至第五基底冷卻單元。例如，第三基底冷卻單元和第五基底冷卻單元可以不被安裝在薄膜包封制造設(shè)備300中。為了便于描述，下面將更詳細(xì)地描述薄膜包封制造設(shè)備300包括第二基底冷卻單元至第五基底冷卻單元中的每個的示例實施例。
[0131]同時，上面描述的第一輸送室Pl至第十一輸送室Pll可以以與上面參照圖1和圖2描述的第一輸送室Pl至第四輸送室P4相同或相似的方式形成,可以以相同的方式或者以相似的方式輸送發(fā)光單兀420形成在其上的第一基底410,因此,這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0132]第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl至第五轉(zhuǎn)向模塊室T5可以以與上面參照圖1和圖2描述的第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第二轉(zhuǎn)向模塊室T2相同或相似的方式形成，發(fā)光單元420形成在其上的第一基底410可以以相同的方式或以相似的方式對齊或反轉(zhuǎn)并被輸送，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0133]同時，可以以與上面參照圖1和圖2描述的相同或相似的方式形成裝載簇件和卸載簇件，因此下面省略了對其的詳細(xì)描述。裝載簇件和卸載簇件可以被包括或者可以不被包括在薄膜包封制造設(shè)備300中，因此，為了便于描述，下面將詳細(xì)描述不包括裝載簇件和卸載簇件的示例實施例。
[0134]第一簇件320可以包括第二傳送室321、第一濺射室322和第一掩模貯存室323。在這種情況下，第一簇件320可以以與上面參照圖1和圖2描述的方式相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0135]第二簇件330可以包括第三傳送室331、第一單體沉積室332和第二掩模貯存室333。在這種情況下，第二簇件330可以以與上面參照圖1和圖2描述的方式相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0136]第三簇件340可以包括第四傳送室341、第一化學(xué)氣相室342和第三掩模貯存室343。在這種情況下，第三簇件340可以以與上面參照圖1和圖2描述的方式相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述利用PECVD在第一化學(xué)氣相室342中形成第二無機(jī)層433的示例實施例。
[0137]同時，第四簇件360可以包括第六傳送室361、第二單體沉積室362和第四掩模貯存室363。在這種情況下，第四簇件360可以在第二無機(jī)層433上形成第二有機(jī)層434。例如，第四簇件360可以以與第二簇件330相同或相似的方式形成，第二有機(jī)層434可以以與第一有機(jī)層432相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0138]第五簇件370可以包括第七傳送室371、第二化學(xué)氣相室372和第五掩模貯存室373。在這種情況下，第五簇件370可以在第二有機(jī)層434上形成第三無機(jī)層435。例如，第五簇件370可以以與第三簇件340相同或相似的方式形成，第三無機(jī)層435可以以與第二無機(jī)層433相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0139]同時，下面將詳細(xì)描述通過利用薄膜包封制造設(shè)備300執(zhí)行薄膜包封工藝的方法和顯示設(shè)備400的結(jié)構(gòu)。
[0140]首先，可以制造發(fā)光單元420形成在其上的第一基底410。在這種情況下，第一基底410和發(fā)光單元420可以與上面參照圖1和圖2描述的第一基底210和發(fā)光單元220分別相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0141]同時，在制備發(fā)光單元420形成在其上的第一基底410之后，可以在第一基底410進(jìn)入薄膜包封制造設(shè)備300時形成包封單元430。在這種情況下，包封單元430可以包括至少一層有機(jī)層形成(例如，插入)在至少兩層無機(jī)層之間的至少一種結(jié)構(gòu)(例如，三明治結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu))?？蛇x擇地，包封單元430可以包括至少一層無機(jī)層形成(例如，插入)在至少兩層有機(jī)層之間的至少一種結(jié)構(gòu)(例如，三明治結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu))。
[0142]例如，可以通過如上所述地堆疊(例如，順序地堆疊)第一無機(jī)層431、第一有機(jī)層
432、第二無機(jī)層433、第二有機(jī)層434和第三無機(jī)層435來形成包封單元430。
[0143]例如，第一有機(jī)層432和第二有機(jī)層434可以由聚合物形成，并且可以是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種形成的單層或堆疊層。第一有機(jī)層432和第二有機(jī)層434可以由聚丙烯酸酯形成，詳細(xì)地講，可以包括包含二丙烯酸酯單體或三丙烯酸酯單體的聚合的單體成分。單體成分還可以包括單丙烯酸酯單體。諸如TPO的合適的光引發(fā)劑還可以被包括在單體成分中，但是不限于此。
[0144]第一無機(jī)層431、第二無機(jī)層433和第三無機(jī)層435可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，第一無機(jī)層431、第二無機(jī)層433和第三無機(jī)層435可以包括氮化硅(例如，SiNx)、氧化鋁(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，S12)和氧化鈦(例如，T12)中的一種。在這種情況下，第三無機(jī)層435可以形成為防止或者減少濕氣滲透到發(fā)光單元420 中。
[0145]同時，包括例如氟化鋰(例如，LiF)的鹵化金屬層還可以包括在發(fā)光單元420和第一無機(jī)層431之間。鹵化金屬層可以防止或者減少在利用濺射工藝形成第一無機(jī)層431時對發(fā)光單元420造成的損壞。
[0146]第一有機(jī)層432可以比第二無機(jī)層433小(例如，第一有機(jī)層432的表面面積可以比第二無機(jī)層433的表面面積小)，第二有機(jī)層434可以比第三無機(jī)層435小(例如，第二有機(jī)層434的表面面積可以比第三無機(jī)層435的表面面積小)。在這種情況下，第一有機(jī)層432可以被第二無機(jī)層433覆蓋(例如，完全覆蓋)，第二有機(jī)層434可以被第三無機(jī)層435覆蓋(例如，完全覆蓋)。
[0147]形成如上所述的包封單元430的方法可以包括:將薄膜包封設(shè)備300的真空度(例如，整個真空度)維持在5E-4Pa或更小(即，5 X 10_4Pa或更小);利用例如機(jī)械手臂將掩模分別從第一掩模貯存室323、第二掩模貯存室333、第三掩模貯存室343、第四掩模貯存室363和第五掩模貯存室373移至第一濺射室322、第一單體沉積室332、第一化學(xué)氣相室342、第二單體沉積室362和第二化學(xué)氣相室372內(nèi)；在每個室內(nèi)安裝掩模。
[0148]當(dāng)執(zhí)行上述工藝時，可以將發(fā)光單元420形成在其上的第一基底410安裝在第一輸送室Pl中，并且可以將第一輸送室Pl的真空度維持成與第二傳送室321的真空度基本相同或相等，然后可以打開閘門閥以將第一基底410移至第二傳送室321。在這種情況下，可以通過例如機(jī)器人來移動第一基底410。在這種情況下，如上所述，在發(fā)光單元420上可以形成或者可以不形成包括例如氟化鋰(例如，LiF)的鹵化金屬層，以防止或減少在濺射工藝期間對發(fā)光單元420造成的損壞。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述在發(fā)光單元420上不形成鹵化金屬層但是形成有第一無機(jī)層431的示例實施例。
[0149]當(dāng)?shù)谝换桌鋮s單元安裝在第一輸送室Pl中時，可以通過第一基底冷卻單元例如以非接觸方式使進(jìn)入第一輸送室Pl的第一基底410冷卻。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述沒有安裝第一基底冷卻單元的示例實施例，即，通過第一輸送室Pl將第一基底410供應(yīng)至第一簇件320而沒有使第一基底410冷卻的情況。
[0150]同時，當(dāng)?shù)诙魉褪?21的真空度與第一濺射室322中的在其中執(zhí)行濺射工藝以形成第一無機(jī)層431的一個第一濺射室322的真空度基本相同或相等時，可以打開閘門閥以將第一基底410移至第一濺射室322。在將第一基底410裝載在掩模(例如，預(yù)先安裝的掩模)和基底保持器之間之后，可以通過利用第一基底410上的標(biāo)記和掩模上的開口標(biāo)記或掩模中的開口空間并通過利用連接有可視單元的對齊工具使第一基底410對齊(例如，精確地對齊)，然后可以使第一基底410和掩模彼此連接(例如，附著)。
[0151]同時，可以將用于濺射工藝的工藝氣體注入至第一濺射室322中以將真空度維持在IE-1Pa至lE-2Pa(即，I X KT1Pa至I X I(T2Pa)，然后可以通過向陰極施加電壓來產(chǎn)生等離子體放電。在這種情況下，可以在第一基底410或陰極位于第一濺射室322中時執(zhí)行膜形成。
[0152]在上述工藝期間，當(dāng)實現(xiàn)第一無機(jī)層431的目標(biāo)厚度時，可以將第一基底410或陰極移至備用區(qū)域以停止在第一基底410上沉積材料，可以停止工藝氣體的注入以控制真空放電系統(tǒng)的流導(dǎo)(即，流動)，因此將第一濺射室322的真空度維持成與第二傳送室321的真空度基本相同或相等。在這種情況下，可以將第一基底410和掩模彼此分開(例如，分離)，并且可以將第一基底410和掩模移至可以從其排出第一基底410的位置。
[0153]當(dāng)完成上述工藝時，可以將第一基底410從第一濺射室322移至第二傳送室321。可以將第一基底410從第二傳送室321輸送至第一連接模塊Ml。
[0154]例如，當(dāng)?shù)诙魉褪?21的真空度與第二輸送室P2的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410從第二傳送室321移至第二輸送室P2。
[0155]在這種情況下，可以通過運(yùn)行第二基底冷卻單元來使發(fā)光單元420形成在其上的第一基底410冷卻。例如，第二冷卻器可以通過使第二制冷劑在第二冷卻板中循環(huán)或者穿過第二冷卻板循環(huán)來冷卻第二冷卻板，并且可以通過在冷卻的第二冷卻板、第一無機(jī)層431、發(fā)光單元420和第一基底410之間交換熱來降低或減小第一基底410的溫度。第二冷卻器可以在第一基底410被裝載在第二冷卻板上時以與上面描述的方式相同或相似的方式運(yùn)行，或者可以以與上面描述的方式相同或相似的方式持續(xù)地運(yùn)行而無論第一基底410是否被裝載在第二冷卻板上。
[0156]當(dāng)?shù)谝换?10被充分冷卻(例如，完全冷卻)時，在將第二輸送室P2的真空度和第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl的真空度維持成基本相同或相等或者使第二輸送室P2的真空度和第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl的真空度基本相同或相等之后，可以將第一基底410移至第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl中并且在第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl中將第一基底410旋轉(zhuǎn)(例如，翻轉(zhuǎn))例如180度，因此可以防止第一基底410的沉積側(cè)的改變(例如，可以防止第一單體沉積室332和第二簇件330的注入位置的改變)。
[0157]同時，當(dāng)如上所述完成第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl的操作并且將第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl的真空度和第三輸送室P3的真空度控制成基本相同或相等時，可以將第一基底410移至第三輸送室P3。第三輸送室P3的第二基底冷卻單元可以冷卻(例如，進(jìn)一步冷卻)第一基底410。在這種情況下，使第一基底410冷卻的方法可以與上面描述的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0158]在將第三輸送室P3的真空度和第三傳送室331的真空度維持為基本相同或相等或者使第三輸送室P3的真空度和第三傳送室331的真空度基本相同或相等之后，可以打開閘門閥以將第一基底410移至第三傳送室331。在這種情況下，可以通過利用例如機(jī)器人來移動第一基底410。
[0159]當(dāng)完成上述工藝時，當(dāng)?shù)谌齻魉褪?31的真空度與多個第一單體沉積室332中的在其中執(zhí)行形成第一有機(jī)層432的有機(jī)沉積工藝的一個第一單體沉積室332的真空度基本相同或相等時，可以打開閘門閥以將第一基底410移至多個第一單體沉積室332中的一個。在這種情況下，在將第一基底410裝載在掩模(例如，預(yù)先安裝的掩模)和基底保持器之間之后，可以通過利用第一基底410上的標(biāo)記和掩模上的開口標(biāo)記或掩模中的開口空間并利用連接有可視單元的對齊工具使第一基底410對齊(例如，精確地對齊)，然后可以將第一基底410與掩模彼此連接(例如，附著)。
[0160]可以將用于有機(jī)沉積工藝的工藝氣體注入至在其中執(zhí)行有機(jī)沉積工藝的第一單體沉積室332中，以將真空度維持在例如IE-1Pa至lE_2Pa ( S卩，I X KT1Pa至I X 10_2Pa)，然后可以打開包含蒸發(fā)的有機(jī)材料的蒸發(fā)器的噴嘴單元。在這種情況下，在輸送第一基底410或源單元(例如，使第一基底410或源單元相對于另一個移動)的同時，在第一單體沉積室332中執(zhí)行膜形成和硬化。
[0161]例如，如上所述，當(dāng)將第一基底410裝載到第一單體沉積室332中時，可以通過例如閃蒸來沉積可通過施加UV線或熱而聚合的單體和光引發(fā)劑。
[0162]當(dāng)完成上述工藝時，可以通過對單體沉積在其上的第一基底410的表面施加UV線或熱來使表面硬化，因此可以使單體聚合以形成包括聚合物的第一有機(jī)層432。
[0163]同時，在上述工藝期間，當(dāng)實現(xiàn)第一有機(jī)層432的目標(biāo)厚度時，可以將第一基底410或源單元移至備用區(qū)域以關(guān)閉噴嘴單元并停止注入工藝氣體，然后可以控制真空放電系統(tǒng)的流導(dǎo)(例如，流動)以將第一單體沉積室332的真空度維持成與第三傳送室331的真空度基本相同或相等。在這種情況下，可以將第一基底410和掩模彼此分離(例如，分開)，并且移至可以從其排出第一基底410的位置。
[0164]如上所述，當(dāng)?shù)谝粏误w沉積室332的真空度與第三傳送室331的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410從第一單體沉積室332移至第三傳送室331。然后可以進(jìn)一步將第一基底410從第三傳送室331移至第二連接模塊M2。
[0165]例如，當(dāng)?shù)谌齻魉褪?31的真空度和第四輸送室P4的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410從第三傳送室331移至第四輸送室P4。當(dāng)?shù)谝换?10進(jìn)入第四輸送室P4時，第三基底冷卻單元可以使第一基底410冷卻。在這種情況下，第三基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法可以與上面描述的第二基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0166]同時，當(dāng)?shù)谒妮斔褪襊4的真空度與第二轉(zhuǎn)向模塊室T2的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410移至第二轉(zhuǎn)向模塊室T2并且使第一基底410在第二轉(zhuǎn)向模塊室T2中旋轉(zhuǎn)(例如，翻轉(zhuǎn))例如180度，因此可以防止第一基底410的沉積側(cè)的改變(例如，可以防止第一化學(xué)氣相室342和第三簇件340的注入位置的改變)。
[0167]當(dāng)完成上述工藝時，當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)向模塊室T2的真空度和第五輸送室P5的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410移至第五輸送室P5。第五輸送室P5的第三基底冷卻單元可以使第一基底410冷卻。在這種情況下，第三基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法可以與上面描述的第二基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0168]在將第五輸送室P5的真空度與第三簇件340的真空度維持為基本相同或相等之后，可以打開閘門閥以將第一基底410移至第三簇件340。例如，可以將第一基底410從第五輸送室P5移至第四傳送室341。在這種情況下，可以通過例如機(jī)器人來移動第一基底410。
[0169]如上所述，當(dāng)通過利用例如時間空間劃分(time spatial divis1n)控制真空放電系統(tǒng)的流導(dǎo)(例如，流動)，使第四傳送室341的真空度與多個第一化學(xué)氣相室342中的在其中執(zhí)行形成第二無機(jī)層433的PECVD工藝的第一化學(xué)氣相室342的真空度基本相同或相等時，可以打開閘門閥以將第一基底410移至第一化學(xué)氣相室342。在將第一基底410裝載在掩模(例如，預(yù)先安裝的掩模)和基底保持器之間之后，可以通過利用第一基底410上的標(biāo)記和掩模上的開口標(biāo)記或掩模中的開口空間并利用連接有可視單元的對齊工具使第一基底410對齊(例如，精確對齊)，然后可以使第一基底410與掩模彼此連接(例如，附著)。
[0170]其后，在可以完全關(guān)閉用于控制流導(dǎo)的可以連接至高真空泵的閥之后，等離子體產(chǎn)生單元可以通過注入作為放電氣體的氬氣(Ar)來產(chǎn)生等離子體，以維持或設(shè)置例如IPa至200Pa的壓強(qiáng)，然后可以將功率級增大至例如3W/cm2至5W/cm2。
[0171]在這種情況下，可以通過供應(yīng)反應(yīng)材料、反應(yīng)氣體和/或輸送氣體并利用等離子體產(chǎn)生源來調(diào)整例如IPa至200Pa的壓強(qiáng)?？梢詫⒎磻?yīng)材料注入到等離子體區(qū)域中以形成自由基(radical)(例如，中性等離子體種類)。例如，可以利用氮化娃(例如，SiN)產(chǎn)生氣體，或者可以利用SiH4/NH3/N2/H2/Ar。在上面描述的環(huán)境中，可以執(zhí)行膜形成工藝。在這種情況下，可以將膜形成速度維持或設(shè)置在200nm/min或更小，可以供應(yīng)(例如，持續(xù)地供應(yīng))包括例如 SiH4(50-500sccm)/NH3(300-2000sccm)/N2(300-2000sccm)的氣體。
[0172]同時，當(dāng)通過執(zhí)行上述工藝實現(xiàn)第二無機(jī)層433的目標(biāo)厚度時，可以通過包括停止供應(yīng)有助于反應(yīng)的氣體的多個步驟使等離子體功率降至lW/cm2。其后，可以將第一基底410和掩模彼此分開(例如，分離)，并移至可以從其排出第一基底410的位置?？梢酝ㄟ^時間空間劃分控制來打開(例如，在第一基底410與掩模分開時同時打開)用于控制流導(dǎo)的安裝在高真空泵中的閥，然后可以將第一化學(xué)氣相室342的真空度維持成與第四傳送室341的真空度基本相同或相等。在這種情況下，可以將第一基底410從第一化學(xué)氣相室342移至第四傳送室341。
[0173]同時，當(dāng)完成上述工藝時，可以將第一基底410從第四傳送室341移至第三連接模塊M3。例如，當(dāng)?shù)谒膫魉褪?41的真空度與第六輸送室P6的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410從第四傳送室341移至第六輸送室P6。第一基底410的溫度可以因包括在第六輸送室P6中的第四基底冷卻單元而下降或降低。在這種情況下，第四基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法可以與上面描述的第二基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0174]當(dāng)?shù)诹斔褪襊6的真空度與第三轉(zhuǎn)向模塊室T3的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410移至第三轉(zhuǎn)向模塊室T3并且使第一基底410在第三轉(zhuǎn)向模塊室T3中旋轉(zhuǎn)(例如，翻轉(zhuǎn))例如180度，因此可以防止第一基底410的沉積側(cè)的改變(例如，可以防止第二單體沉積室362和/或第四簇件360的注入位置的改變)。
[0175]在這種情況下，當(dāng)?shù)谌D(zhuǎn)向模塊室T3的真空度和第七輸送室P7的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410移至第七輸送室P7。例如，當(dāng)將第一基底410裝載到第七輸送室P7中時，第一基底410的溫度可以因第四基底冷卻單元的使用而下降或降低。在這種情況下，使第七輸送室P7的第四基底冷卻單元運(yùn)行的方法可以與上面描述的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0176]在將第七輸送室P7的真空度和第六傳送室361的真空度維持或設(shè)置成基本相同或相等之后，可以打開閘門閥以將第一基底410移至第六傳送室361。在這種情況下，可以通過例如機(jī)器人來移動第一基底410。
[0177]同時，當(dāng)?shù)诹鶄魉褪?61的真空度與多個第二單體沉積室362中的在其中執(zhí)行形成第二有機(jī)層434的有機(jī)沉積工藝的第二單體沉積室362的真空度基本相同或相等時，可以打開閘門閥以將發(fā)光單元420形成在其上的第一基底410移至第二單體沉積室362。在這種情況下，形成第二有機(jī)層434的方法可以與形成第一有機(jī)層432的方法相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0178]當(dāng)實現(xiàn)第二有機(jī)層434的目標(biāo)厚度時，可以將第一基底410或源單元移至備用區(qū)域以關(guān)閉噴嘴單元并停止注入工藝氣體，然后可以通過控制真空放電系統(tǒng)的流導(dǎo)將第二單體沉積室362的真空度維持或設(shè)置成與第六傳送室361基本相同或相等。在這種情況下，可以將第一基底410和掩模彼此分開(例如，分離)，并且移至可以從其排出第一基底410的位置。
[0179]同時，如上所述，可以將第一基底410從第二單體沉積室362移至第六傳送室361，然后可以將第一基底410移至第四連接模塊M4。
[0180]例如，當(dāng)?shù)诹鶄魉褪?61的真空度與第八輸送室P8的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410從第六傳送室361移至第八輸送室P8。在這種情況下,第八輸送室P8的第五基底冷卻單元可以使第一基底410冷卻。在這種情況下，第五基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法可以與上面描述的第二基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0181]當(dāng)?shù)诎溯斔褪襊8的真空度與第四轉(zhuǎn)向模塊室T4的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410移至第四轉(zhuǎn)向模塊室T4并且使第一基底410在第四轉(zhuǎn)向模塊室T4中旋轉(zhuǎn)(例如，翻轉(zhuǎn))例如180度，因此可以防止第一基底410的沉積側(cè)的改變(例如，可以防止第二化學(xué)氣相室372和第五簇件370的注入位置的改變)。
[0182]當(dāng)完成上述工藝時，當(dāng)?shù)谒霓D(zhuǎn)向模塊室T4的真空度與第九輸送室P9的真空度基本相同或相等時，可以將第一基底410移至第九輸送室P9。在這種情況下，第九輸送室P9的第五基底冷卻單元可以使第一基底410冷卻。在這種情況下，第五基底冷卻單元使第一基底410冷卻的方法可以與上面描述的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0183]當(dāng)充分冷卻(例如，完全冷卻)第一基底410時，在將第九輸送室P9的真空度和第七傳送室371的真空度維持或設(shè)置為基本相同或相等之后，可以打開閘門閥以將第一基底410移至第七傳送室371。在這種情況下，可以通過例如機(jī)器人來移動第一基底410。
[0184]當(dāng)完成上述工藝時，當(dāng)通過利用時間空間劃分控制真空放電系統(tǒng)的流導(dǎo)來使第七傳送室371的真空度與多個第二化學(xué)氣相室372中的在其中執(zhí)行用于形成第三無機(jī)層435的PECVD工藝的第二化學(xué)氣相室372的真空度基本相同或相等時，可以打開閘門閥以使第一基底410移至第二化學(xué)氣相室372。在這種情況下,在使第一基底410與掩模對齊之后形成第三無機(jī)層435的方法可以與上面描述的形成第二無機(jī)層433的方法相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0185]同時，當(dāng)完成該工藝時，即，當(dāng)實現(xiàn)第三無機(jī)層435的目標(biāo)厚度時，可以將發(fā)光單元420形成在其上的第一基底410和掩模彼此分開(例如，分離)，并且移至可以從其排出第一基底410的位置。可以打開(例如，可以在將第一基底410與掩模分開時一起或同時打開)用于控制流導(dǎo)的安裝在高真空泵中并且通過時間空間控制來控制的閥，然后可以將第二化學(xué)氣相室372的真空度維持或設(shè)置成與第七傳送室371的真空度基本相同或相等。
[0186]當(dāng)完成上述工藝時，可以將顯示設(shè)備400從第二化學(xué)氣相室372輸送至第七傳送室371。當(dāng)?shù)谄邆魉褪?71的真空度與第十輸送室PlO的真空度基本相同或相等時，可以將顯示設(shè)備400從第七傳送室371移至第十輸送室P10。
[0187]同時，當(dāng)完成上述工藝時，可以將顯示設(shè)備400從第十輸送室PlO輸送至第五轉(zhuǎn)向模塊室T5，在第五轉(zhuǎn)向模塊室T5中旋轉(zhuǎn)例如180度并對齊，然后輸送至第i^一輸送室PlI。
[0188]在這種情況下，用戶可以通過將從第十一輸送室Pll排出的顯示設(shè)備400移到外部來完成工藝。例如，可以通過例如機(jī)器人來取出第十一輸送室Pll中的顯示設(shè)備400。
[0189]因此，薄膜包封制造設(shè)備300可以在形成包括有機(jī)層和無機(jī)層的堆疊且多層的薄膜時控制每個層的厚度，可以形成順列簇件并且可以利用PECVD工藝的時間空間劃分真空控制來將各種薄膜工藝設(shè)備的真空度維持成基本相同或相等。薄膜包封制造設(shè)備300可以形成順列簇件，從而按照順列方式執(zhí)行濺射、有機(jī)沉積和PECVD。
[0190]在執(zhí)行每個工藝之前，薄膜包封制造設(shè)備300可以使第一基底410的溫度降低或下降，因此可以防止或減少因每個工藝而由第一基底410的溫度升高或增大而導(dǎo)致的影響或因素(例如，產(chǎn)距時間(takt time)增大)，從而確保促進(jìn)薄膜包封。
[0191]此外，薄膜包封制造設(shè)備300可以在形成包括例如第一有機(jī)層432、第二無機(jī)層
433、第二有機(jī)層434和第三無機(jī)層435的膜之前使第一基底410的溫度降低或下降，從而提高第一有機(jī)層432、第二無機(jī)層433、第二有機(jī)層434和第三無機(jī)層435的質(zhì)量。
[0192]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜包封制造設(shè)備500的構(gòu)思圖。圖9是利用在圖8中示出的薄膜包封制造設(shè)備500制造的顯示設(shè)備600的剖視圖。
[0193]參照圖8和圖9，薄膜包封制造設(shè)備500可以包括裝載簇件、第一輸送室P1、第一簇件520、第一連接模塊Ml、第二簇件530、第二連接模塊M2和第三簇件540。在這種情況下，可以安裝(例如，順序地安裝)第一連接模塊Ml、第二簇件530、第二連接模塊M2和第三簇件540。在這種情況下，第一連接模塊Ml、第二簇件530、第二連接模塊M2和第三簇件540可以形成單個有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S?？梢孕纬啥鄠€有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S，多個有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S可以包括連接至第一簇件520的第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊SI和連接至第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊SI的第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2。多個有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S可以包括連接至第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2的第三有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S3。
[0194]第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S1、第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2和第三有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S3可以交替地形成(例如，順序地形成)第一有機(jī)層632和第二無機(jī)層633。這樣，可以形成將在后面進(jìn)一步描述的第一有機(jī)層632、第二無機(jī)層633、第二有機(jī)層634、第三無機(jī)層635、第三有機(jī)層636和第四無機(jī)層637。
[0195]薄膜包封制造設(shè)備500的裝載簇件、第一輸送室P1、第一簇件520及第一有機(jī)/無機(jī)層形成模塊SI的第一連接模塊Ml、第二簇件530、第二連接模塊M2和第三簇件540可以彼此連接(例如，順序地連接)。第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2的第一連接模塊、第二簇件、第二連接模塊和第三簇件可以連接至(例如，順序地連接至)第三簇件540。然而，為了避免描述的混亂，將連接至(例如，順序地連接至)第三簇件540的第二有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S2的第一連接模塊、第二簇件、第二連接模塊和第三簇件分別重新命名為第三連接模塊M3、第四簇件560、第四連接模塊M4和第五簇件570，下面將對此進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0196]為了避免描述的混亂，將連接(例如，順序地連接)至第五簇件570的第三有機(jī)/無機(jī)層形成模塊S3的第一連接模塊、第二簇件、第二連接模塊和第三簇件分別重新命名為第五連接模塊M5、第六簇件580、第六連接模塊M6和第七簇件590，下面將對此進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0197]例如，薄膜包封制造設(shè)備500可以包括裝載簇件、第一輸送室P1、第一簇件520、第一連接模塊Ml、第二簇件530、第二連接模塊M2、第三簇件540、第三連接模塊M3、第四簇件560、第四連接模塊M4、第五簇件570、第五連接模塊M5、第六簇件580、第六連接模塊M6、第七簇件590、第十四輸送室P14、第七轉(zhuǎn)向模塊室T7、第十五輸送室P15和卸載簇件。
[0198]在這種情況下，第一輸送室Pl可以包括第一基底冷卻單元。第一基底冷卻單元可以例如以非接觸方式使輸送至第一簇件520的第一基底610冷卻。在這種情況下，第一基底冷卻單元可以與上面描述的基底冷卻單元相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述第一輸送室Pl中不包括第一基底冷卻單元的示例實施例。
[0199]同時，第一連接模塊Ml和第二連接模塊M2可以以與參照圖1和圖2描述的第一連接模塊Ml和第二連接模塊M2相似的方式形成。例如，第一連接模塊Ml可以包括第二輸送室P2、第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第三輸送室P3。第二連接模塊M2可以包括第四輸送室P4、第二轉(zhuǎn)向模塊室T2和第五輸送室P5。
[0200]第一連接模塊Ml可以包括例如以非接觸方式使第一基底610冷卻的第二基底冷卻單元。在這種情況下，第二連接模塊M2可以包括第三基底冷卻單元。下面將進(jìn)一步詳細(xì)地描述其中第二連接模塊M2不包括第三基底冷卻單元的示例實施例。
[0201]第二基底冷卻單元可以安裝在第二輸送室P2、第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第三輸送室P3中的至少一個中。為了便于描述，下面將進(jìn)一步詳細(xì)地描述其中第二基底冷卻單元安裝在輸送室P2和P3中的每個中的示例實施例。
[0202]如上所述，第二基底冷卻單元可以包括第二冷卻板和第二冷卻器。第二冷卻板和第二冷卻器可以與參照圖1和圖2描述的冷卻板和冷卻器相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0203]同時，可以以與第一連接模塊Ml相同或相似的方式形成第三連接模塊M3和第五連接模塊M5，可以以與第二連接模塊M2相同或相似的方式形成第四連接模塊M4和第六連接模塊M6。
[0204]例如,第三連接模塊M3可以包括第六輸送室P6、第三轉(zhuǎn)向模塊室T3和第七輸送室P7。第四連接模塊M4可以包括第八輸送室P8、第四轉(zhuǎn)向模塊室T4和第九輸送室P9。第五連接模塊M5可以包括第十輸送室P10、第五轉(zhuǎn)向模塊室T5和第^^一輸送室PlI。第六連接模塊M6可以包括第十二輸送室P12、第六轉(zhuǎn)向模塊室T6和第十三輸送室P13。
[0205]第三連接模塊M3可以包括第四基底冷卻單元。第五連接模塊M5可以包括第六基底冷卻單元。在這種情況下，第四基底冷卻單元和第六基底冷卻單元可以以與第二基底冷卻單元相同或相似的方式形成，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0206]同時，第一輸送室Pl至第十五輸送室P15可以以與上面參照圖1和圖2描述的第一輸送室Pl至第四輸送室P4相同或相似的方式形成,可以以相同的方式或者以相似的方式輸送發(fā)光單兀620形成在其上的第一基底610,因此,這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0207]第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl至第七轉(zhuǎn)向模塊室T7可以以與上面參照圖1和圖2描述的第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第二轉(zhuǎn)向模塊室T2相同的方式,或者以與上面參照圖1和圖2描述的第一轉(zhuǎn)向模塊室Tl和第二轉(zhuǎn)向模塊室T2相似的方式形成,可以以相同的方式或者以相似的方式輸送發(fā)光單兀620形成在其上的第一基底610,因此,這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0208]同時，裝載簇件和卸載簇件可以以與上面參照圖1和圖2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。裝載簇件和卸載簇件可以被包括在薄膜包封制造設(shè)備500中或者可以不被包括在薄膜包封制造設(shè)備500中，因此，為了便于描述，下面將進(jìn)一步詳細(xì)地描述不包括裝載簇件和卸載簇件的示例實施例。
[0209]第一簇件520可以包括第二傳送室521、第一濺射室522和第一掩模貯存室523。第一簇件520可以以與上面參照圖1和圖2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0210]第二簇件530可以包括第三傳送室531、第一單體沉積室532和第二掩模貯存室533。在這種情況下，第二簇件530可以以與上面參照圖1和圖2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0211]第三簇件540可以包括第四傳送室541、第一化學(xué)氣相室542和第三掩模貯存室543。在這種情況下，第三簇件540可以以與上面參照圖1和圖2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。為了便于描述，下面將進(jìn)一步詳細(xì)地描述利用PECVD工藝在第一化學(xué)氣相室542中形成第二無機(jī)層633的示例實施例。
[0212]同時，第四簇件560可以包括第六傳送室561、第二單體沉積室562和第四掩模貯存室563。在這種情況下，第四簇件560可以在第二無機(jī)層633上形成第二有機(jī)層634。例如，第四簇件560可以以與第二簇件530相似的方式形成，第二有機(jī)層634可以以與第一有機(jī)層632相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0213]第五簇件570可以包括第七傳送室571、第二化學(xué)氣相室572和第五掩模貯存室573。在這種情況下，第五簇件570可以在第二有機(jī)層634上形成第三無機(jī)層635。例如，第五簇件570可以以與第三簇件540相似的方式形成，第三無機(jī)層635可以以與第二無機(jī)層633相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0214]同時，第六簇件580可以包括第八傳送室581、第三單體沉積室582和第六掩模貯存室583。在這種情況下，第六簇件580可以在第三無機(jī)層635上形成第三有機(jī)層636。例如，第六簇件580可以以與第二簇件530相似的方式形成，第三有機(jī)層636可以以與第一有機(jī)層632相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0215]第七簇件590可以包括第九傳送室591、第三化學(xué)氣相室592和第七掩模貯存室593。在這種情況下，第七簇件590可以在第三有機(jī)層636上形成第四無機(jī)層637。例如，第七簇件590可以以與第三簇件540相似的方式形成，第四無機(jī)層637可以以與第二無機(jī)層633相同或相似的方式形成，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0216]同時，下面將進(jìn)一步詳細(xì)地描述利用薄膜包封制造設(shè)備500執(zhí)行薄膜包封工藝的方法和第一基底610的結(jié)構(gòu)。
[0217]顯示設(shè)備600可以包括第一基底610和形成在其上的發(fā)光單元620。在這種情況下，第一基底610和發(fā)光單兀620分別與上面參照圖1和圖2描述的第一基底210和發(fā)光單元220相同或相似，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0218]同時，在制備發(fā)光單元620形成在其上的第一基底610之后，可以在第一基底610進(jìn)入薄膜包封制造設(shè)備500時形成包封單元630。在這種情況下，包封單元630可以包括至少一層有機(jī)層形成在至少兩層無機(jī)層之間(例如，至少一層有機(jī)層插入在至少兩層無機(jī)層之間)的至少一種結(jié)構(gòu)(例如，三明治結(jié)構(gòu)或?qū)訝罱Y(jié)構(gòu))。包封單元630可以包括至少一層無機(jī)層形成在至少兩層有機(jī)層之間(例如，至少一層無機(jī)層插入在至少兩層有機(jī)層之間)的至少一種結(jié)構(gòu)(例如，三明治結(jié)構(gòu)或?qū)訝罱Y(jié)構(gòu))。
[0219]例如，可以通過如上所述地堆疊(例如，順序地堆疊)第一無機(jī)層631、第一有機(jī)層632、第二無機(jī)層633、第二有機(jī)層634、第三無機(jī)層635、第三有機(jī)層636和第四無機(jī)層637來形成包封單元630。
[0220]例如，第一有機(jī)層632、第二有機(jī)層634和第三有機(jī)層636可以由聚合物形成，并且可以是由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一種形成的單層或堆疊層。第一有機(jī)層632、第二有機(jī)層634和第三有機(jī)層636可以由例如聚丙烯酸酯形成，并且可以包括包含二丙烯酸酯單體和三丙烯酸酯單體的聚合的單體成分。單體成分還可以包括單聚丙烯酸酯單體。諸如熱塑性聚烯烴(TPO)的合適的光引發(fā)劑可以進(jìn)一步包括在單體成分中，但是不限于此。
[0221]第一無機(jī)層631、第二無機(jī)層633、第三無機(jī)層635和第四無機(jī)層637可以是包括例如金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。例如，第一無機(jī)層631、第二無機(jī)層633、第三無機(jī)層635和第四無機(jī)層637可以包括氮化硅(例如，SiNx)、氧化鋁(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，S12)和氧化鈦(例如，T12)中的一種。在這種情況下，第四無機(jī)層637可以形成為防止或減少水分滲透到發(fā)光單元620中。
[0222]同時，在發(fā)光單元620和第一無機(jī)層631之間還可以包括包含例如氟化鋰(例如，LiF)的鹵化金屬層。鹵化金屬層可以在利用濺射工藝形成第一無機(jī)層631時防止或減少對發(fā)光單元620的損壞。
[0223]第一有機(jī)層632可以比第二無機(jī)層633小(例如，第一有機(jī)層632的表面面積可以比第二無機(jī)層633的表面面積小)，第二有機(jī)層634也可以比第三無機(jī)層635小(例如，第二有機(jī)層634的表面面積可以比第三無機(jī)層635的表面面積小)。第三有機(jī)層636也可以比第四無機(jī)層637小(例如，第三有機(jī)層636的表面面積也可以比第四無機(jī)層637的表面面積小)。
[0224]在這種情況下，第二無機(jī)層633可以覆蓋(例如，完全覆蓋)第一有機(jī)層632，第三無機(jī)層635也可以覆蓋(例如，完全覆蓋)第二有機(jī)層634。第四無機(jī)層637也可以覆蓋(例如，完全覆蓋)第三有機(jī)層636。
[0225]形成如上所述的包封單元630的方法可以包括:將薄膜包封設(shè)備500的真空度維持在例如5E-4Pa或更小(即，5X10_4Pa或更小)；利用例如機(jī)械手臂將掩模從第一掩模貯存室523、第二掩模貯存室533、第三掩膜貯存室543、第四掩模貯存室563和第五掩模貯存室573分別移至第一濺射室522、第一單體沉積室532、第一化學(xué)氣相室542、第二單體沉積室562和第二化學(xué)氣相室572中；將掩模安裝在各個相應(yīng)的室中。
[0226]當(dāng)完成上述工藝時，可以在發(fā)光單元620上形成(例如，順序地形成)第一無機(jī)層
631、第一有機(jī)層632、第二無機(jī)層633、第二有機(jī)層634和第三無機(jī)層635。在這種情況下，形成第一無機(jī)層631、第一有機(jī)層632、第二無機(jī)層633、第二有機(jī)層634和第三無機(jī)層635的方法可以與上面參照圖6和圖7描述的方法相同或相似，因此，這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0227]在這種情況下，如上所述，可以在發(fā)光單元620上形成包括例如氟化鋰(例如，LiF)的鹵化金屬層，以防止或減少在形成第一無機(jī)層631之前的濺射工藝期間對發(fā)光單元620的損壞，或者可以不形成包括例如氟化鋰(例如，LiF)的鹵化金屬層。為了便于描述，下面將詳細(xì)描述在發(fā)光單兀620上沒有形成齒化金屬層而形成第一無機(jī)層631的不例實施例。
[0228]當(dāng)將第一基底冷卻單元安裝在第一輸送室Pl中時，可以通過第一基底冷卻單元例如以非接觸方式使進(jìn)入第一輸送室Pl的第一基底610冷卻。為了便于描述，下面將詳細(xì)地描述沒有安裝第一基底冷卻單元的示例實施例，即，通過第一輸送室Pl將第一基底610供應(yīng)至第一簇件520而沒有使第一基底610冷卻的情況。
[0229]同時,在形成第一無機(jī)層631之后,輸送至第一連接模塊Ml的第一基底610的溫度可以因第二基底冷卻單元而下降或降低，然后可以將第一基底610輸送至第二簇件530，因此可以形成第一有機(jī)層632。例如，穿過第二輸送室P2和第三輸送室P3的第一基底610的溫度可以根據(jù)安裝在第二輸送室P2和第三輸送室P3中的每個中的第二基底冷卻單元的運(yùn)行而下降或降低。在這種情況下，使第二基底冷卻單元運(yùn)行的方法可以與上面描述的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0230]在第三簇件540在第一有機(jī)層632上形成第二無機(jī)層633之后，可以將第一基底610從第三簇件540移至第三連接模塊M3。在這種情況下，當(dāng)?shù)谝换?10的溫度因包括在第三連接模塊M3中的第四基底冷卻單元而下降或降低時，可以將第一基底610供應(yīng)至第四簇件560。使第四基底冷卻單元運(yùn)行的方法可以與上面描述的使第二基底冷卻單元運(yùn)行的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0231 ] 可以在如上所述地輸送至第四簇件560的第一基底610上形成第二有機(jī)層634，然后使第一基底610經(jīng)由第四連接模塊M4移至第五簇件570，從而可以形成第三無機(jī)層635。
[0232]當(dāng)完成上述工藝時，可以使第一基底610經(jīng)由第五連接模塊M5從第五簇件570移至第六簇件580。例如，第一基底610可以經(jīng)由第十輸送室P10、第五轉(zhuǎn)向模塊室T5和第十一輸送室Pll從第五簇件570進(jìn)入第六簇件580。例如，當(dāng)?shù)谝换?10穿過第五連接模塊M5時，可以通過安裝在第十輸送室PlO和第i^一輸送室Pll中的每個中的第六基底冷卻單元使第一基底610冷卻，可以將第一基底610供應(yīng)至第六簇件580。在這種情況下，使第六基底冷卻單元運(yùn)行的方法可以與如上面描述的使第二基底冷卻單元運(yùn)行的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0233]可以在第六簇件580中利用有機(jī)沉積工藝在第三無機(jī)層635上形成第三有機(jī)層636。在這種情況下，使第六簇件580運(yùn)行的方法可以與上述的使第二簇件530和第四簇件560運(yùn)行的方法相同或相似，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0234]當(dāng)完成上述工藝時，可以使第一基底610經(jīng)由第十二輸送室P12、第六轉(zhuǎn)向模塊室T6和第十三輸送室P13從第六簇件580移至第七簇件590。
[0235]在這種情況下，可以在第七簇件590中在第三有機(jī)層636上形成第四無機(jī)層637。例如，可以在第七簇件590中利用例如PECVD工藝形成第四無機(jī)層637。在這種情況下，第七簇件590可以以與第三簇件540和第五簇件570相似的方式運(yùn)行，因此這里將省略對其的詳細(xì)描述。
[0236]在如上所述地形成第四無機(jī)層637之后，可以將發(fā)光單元620形成在其上的第一基底610經(jīng)由第十四輸送室P14、第七轉(zhuǎn)向模塊室T7和第十五輸送室P15從第七簇件590拉出至外部(例如，從第七簇件590中去除)。
[0237]同時，如上面描述地形成的包封單元630不限于此，并且可以通過在第一無機(jī)層631上交替地形成第一有機(jī)層632和第二無機(jī)層633來形成。
[0238]因此，薄膜包封制造設(shè)備500可以在形成包括有機(jī)層和無機(jī)層的堆疊且多層的薄膜時控制每個層的厚度，可以包括順列型的簇件布置，并且可以利用PECVD工藝的時間空間劃分真空控制來將各種薄膜工藝設(shè)備的真空度維持成基本相同或相等。薄膜包封制造設(shè)備500可以形成順列型的簇件布置，從而按照順列方式執(zhí)行濺射、有機(jī)沉積和PECVD。
[0239]在執(zhí)行每個工藝之前，薄膜包封制造設(shè)備500可以使第一基底610的溫度下降或降低，因此可以防止或減少因每個工藝而由第一基底610的溫度升高或增大而產(chǎn)生的影響(例如，因素)，從而確保促進(jìn)薄膜包封。
[0240]此外，薄膜包封制造設(shè)備500可以在形成包括例如第一有機(jī)層632、第二有機(jī)層634和第三有機(jī)層636的膜之前使第一基底610的溫度下降或降低，從而提高第一有機(jī)層
632、第二有機(jī)層634和第三有機(jī)層636的質(zhì)量。
[0241]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個上面的實施例，當(dāng)形成包括有機(jī)層和無機(jī)層的堆疊且多層的薄膜時，可以控制每個層的厚度。也可以形成順列型的簇件布置，順列型的簇件布置可以通過利用PECVD的時間空間劃分真空控制將各種薄膜工藝設(shè)備的真空度維持成基本相同或相等?？梢孕纬身樍行偷拇丶瑥亩凑枕樍蟹绞綀?zhí)行濺射、有機(jī)沉積和PECVD0
[0242]應(yīng)該理解的是，這里描述的示例實施例應(yīng)該僅以描述性含義被考慮，而不是出于限制的目的。在每個實施例中對特征和/或方面的描述通常應(yīng)當(dāng)被看作可適用于其他實施例中的其他相似特征和/或方面。
[0243]盡管已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的一個或更多個示例實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種制造顯示設(shè)備的方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟: 通過濺射工藝在發(fā)射單元形成在其上的第一基底上形成第一無機(jī)層； 以非接觸方式通過吸收從第一無機(jī)層形成在其上的第一基底發(fā)射的輻射來使第一基底冷卻； 通過有機(jī)沉積工藝在第一無機(jī)層上形成第一有機(jī)層；以及 在第一有機(jī)層上形成第二無機(jī)層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在使第一基底翻轉(zhuǎn)之后形成第二無機(jī)層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以非接觸方式使第一有機(jī)層形成在其上的第一基底冷卻。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，分別在第一簇件的多個第一處理室、第二簇件的多個第二處理室和第三簇件的多個第三處理室中形成第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，確定第一簇件的所述多個第一處理室、第二簇件的所述多個第二處理室和第三簇件的所述多個第三處理室的順序，根據(jù)確定的順序分別在第一簇件的所述多個第一處理室中的第一個第一處理室、第二簇件的所述多個第二處理室中的第一個第二處理室和第三簇件的所述多個第三處理室中的第一個第三處理室中形成第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于， 第一簇件和第二簇件通過第一連接模塊結(jié)合，第一連接模塊被構(gòu)造成將第一基底從第一簇件輸送至第二簇件， 當(dāng)輸送第一基底時，第一簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)與第一連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)基本相同，或者第一連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)與第二簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)基本相同。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于， 第二簇件和第三簇件通過第二連接模塊結(jié)合，第二連接模塊被構(gòu)造成將第一基底從第二簇件輸送至第三簇件， 當(dāng)輸送第一基底時，第二簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)與第二連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)基本相同，或者第二連接模塊的內(nèi)部壓強(qiáng)與第三簇件的內(nèi)部壓強(qiáng)基本相同。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，順序地執(zhí)行第一基底的冷卻步驟、第一有機(jī)層的形成步驟和第二無機(jī)層的形成步驟，使得第一有機(jī)層和第二無機(jī)層交替地堆疊在第一無機(jī)層上。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過向下沉積來形成第一無機(jī)層和第一有機(jī)層，通過向上沉積來形成第二無機(jī)層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成第一無機(jī)層之前，通過裝載簇件從外部接收其上形成有發(fā)射單元的第一基底。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 通過與第一基底分開的第二基底冷卻單元使第一基底冷卻， 第二基底冷卻單元包括: 第二冷卻板，與第一基底分開；以及 第二冷卻器，與第二冷卻板結(jié)合并且使第二冷卻板冷卻。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，第二制冷劑通道形成在第二冷卻板中，通過第二冷卻器循環(huán)的第二制冷劑通過第二制冷劑通道流動。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以非接觸方式使第一有機(jī)層形成在其上的第一基底冷卻。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過化學(xué)氣相沉積工藝或等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝來形成第二無機(jī)層。
【文檔編號】H01L51/52GK104425772SQ201410428092
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】許明洙, 尹泰承, 李正浩 申請人:三星顯示有限公司