一種oled發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供了一種OLED發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，可以減小由于光形成金屬表面等離子體電磁波而導致的損耗，提高光的輸出效率。該OLED發(fā)光器件包括：襯底基板，依次設置在所述襯底基板上第一電極、有機材料功能層、以及第二電極；進一步所述OLED器件還包括：設置在所述第一電極和所述襯底基板之間的非平坦層，且所述非平坦層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面非平坦；其中，位于所述OLED發(fā)光器件出光側的第一電極和/或第二電極包括金屬層。用于需要減小由于光形成金屬表面等離子體電磁波而導致的損耗，提高光的輸出效率的OLED發(fā)光器件和顯示裝置、及其制造。
【專利說明】—種OLED發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種OLED發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱0LED)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、易形成柔性結構、視角寬等優(yōu)點；因此，利用有機發(fā)光二極管的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。
[0003]目前，OLED的光輸出效率比較低，一般來說，只有很少的光能可以出射到空氣中，其一方面原因是從發(fā)光層發(fā)出的光入射到平坦的金屬電極表面時，形成表面等離子體電磁波沿金屬表面橫向傳播而無法出射到空氣中。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種OLED發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置，可以減小由于光形成金屬表面等離子體電磁波而導致的損耗，提高光的輸出效率。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0006]—方面，提供一種OLED發(fā)光器件,包括:襯底基板，依次設置在所述襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、以及第二電極；所述OLED器件還包括:設置在所述第一電極和所述襯底基板之間的非平坦層，且所述非平坦層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面非平坦；
[0007]其中，其中，位于所述OLED發(fā)光器件出光側的第一電極和/或第二電極包括金屬層。
[0008]可選的，所述非平坦層為摻雜有微小顆粒的光刻膠層；
[0009]其中，所述光刻膠層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面露出所述微小顆粒。
[0010]進一步可選的，所述微小顆粒的粒徑小于10nm。
[0011]可選的，所述微小顆粒包括:微小的陶瓷顆粒、或微小的金屬顆粒；
[0012]在所述微小顆粒包括微小的金屬顆粒的情況下，所述OLED發(fā)光器件還包括設置在所述光刻膠層和所述第一電極之間的絕緣層。
[0013]可選的，所述非平坦層與所述第一電極對應部分包括多晶硅；
[0014]其中，所述多晶硅是對非晶硅進行晶化處理得到的。
[0015]基于上述，優(yōu)選的，所述第一電極包括不透明的金屬層，所述第二電極包括半透明
金屬層。
[0016]另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的OLED發(fā)光器件。
[0017]優(yōu)選的，所述顯示裝置還包括設置在襯底基板和所述OLED發(fā)光器件的非平坦層之間的薄膜晶體管；[0018]其中，所述薄膜晶體管的漏極與所述OLED發(fā)光器件的第一電極電連接。
[0019]進一步優(yōu)選的，在所述非平坦層為摻雜有微小顆粒的光刻膠層的情況下，所述微小顆粒的摻雜濃度在80%?90%之間。
[0020]再一方面，提供一種OLED發(fā)光器件的制備方法，包括:在襯底基板上依次形成第一電極、有機材料功能層、以及第二電極；所述方法還包括:在所述第一電極和所述襯底基板之間形成非平坦層，且所述非平坦層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面非平坦；
[0021]其中,位于所述OLED發(fā)光器件出光側的第一電極和/或第二電極包括金屬層。
[0022]可選的，所述非平坦層為摻雜有微小顆粒的光刻膠層；其中，所述光刻膠層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面露出所述微小顆粒；
[0023]形成所述光刻膠層包括:
[0024]在所述襯底基板上形成摻雜有微小顆粒的光刻膠薄膜；
[0025]采用半階或灰階掩模板對形成有所述光刻膠薄膜的基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分；其中，所述光刻膠半保留部分與所述第一電極的區(qū)域對應，且所述光刻膠半保留部分的表面露出摻雜在其中的所述微小顆粒，所述光刻膠完全保留部分與其余區(qū)域對應，形成所述光刻膠層。
[0026]可選的，所述非平坦層與所述第一電極對應部分包括多晶硅；
[0027]所述形成所述非平坦層包括:
[0028]在所述襯底基板上形成非晶硅薄膜；
[0029]對所述非晶硅薄膜與所述第一電極對應的區(qū)域進行晶化處理，使非晶硅轉換為多晶硅，形成所述非平坦層。
[0030]基于上述，所述第一電極包括不透明的金屬層，所述第二電極包括半透明金屬層
[0031]本發(fā)明的實施例提供一種OLED發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置，該OLED發(fā)光器件，包括:襯底基板，依次設置在所述襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極、以及設置在所述第一電極和所述襯底基板之間的非平坦層，且所述非平坦層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面非平坦；其中，位于所述OLED發(fā)光器件出光側的第一電極和/或第二電極包括金屬層。
[0032]由于非平坦層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面非平坦，使得在其上制備的第一電極和第二電極均為非平坦的電極層，這樣當從有機材料功能層出射的光入射到可透過的第一電極和/或第二電極時，可以減少由于光形成金屬表面等離子體電磁波而導致的損耗，提高光的輸出效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種OLED發(fā)光器件的結構不意圖一；
[0035]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種OLED發(fā)光器件的結構示意圖二 ；[0036]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種OLED發(fā)光器件的結構不意圖三；
[0037]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種OLED顯示裝置的結構示意圖；
[0038]圖5-6為本發(fā)明實施例提供的制備光刻膠層的過程示意圖。
[0039]附圖標記:
[0040]10-0LED發(fā)光器件；20_灰階掩模板；100_襯底基板；200_第一電極；300_有機材料功能層；400_第二電極；500_非平坦層；500a-光刻膠層；500b_微小顆粒；5001_光刻膠薄膜；5001a-光刻膠半保留部分；5001b-光刻膠完全保留部分；600_絕緣層；700_薄膜晶體管；800_封裝基板；900_平坦層。
【具體實施方式】
[0041]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0042]本發(fā)明實施例提供一種OLED發(fā)光器件10，如圖1至圖3所示，該OLED發(fā)光器件10包括:襯底基板100，依次設置在所述襯底基板上第一電極200、有機材料功能層300、以及第二電極400 ;進一步所述OLED器件10還包括:設置在所述第一電極200和所述襯底基板100之間的非平坦層500，且所述非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦。
[0043]其中，位于所述OLED發(fā)光器件10出光側的第一電極200和/或第二電極400包
括金屬層。
[0044]需要說明的是，第一，不對所述非平坦層500的材料以及結構進行限定，只要能使其與所述第一電極200對應部分且遠離襯底基板100 —側的表面非平坦即可。
[0045]當所述非平坦層500中包括導電材料時，需在該非平坦層500和第一電極200之間設置絕緣層。
[0046]第二，由于所述非平坦層500位于所述第一電極200的下方，即:位于下方的非平坦層500需先制備形成，位于上方的第一電極200后制備形成，因此，在非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦的情況下，在其上方形成第一電極200也隨著非平坦層500對應部分的上表面的變化而變化，同理位于所述第一電極200上方的有機材料功能層300和第二電極400也隨著變化，這樣就使得所述第一電極200和第二電極400具有非平坦的表面。
[0047]第三，第一電極200可以為陰極或陽極，第二電極400可以為陽極或陰極。即:若第一電極200為陰極，則第二電極400為陽極；若第一電極200為陽極，則第二電極400為陰極。
[0048]對于所述有機材料功能層300，其可以至少包括發(fā)光層，在此基礎上為了能夠提高電子和空穴注入發(fā)光層的效率，所述有機材料功能層300進一步還可以包括電子傳輸層、空穴傳輸層和設置在陰極與所述電子傳輸層之間的電子注入層，以及設置在所述空穴傳輸層與陽極之間的空穴注入層等功能層。
[0049]基于此，當向陽極和陰極施加工作電壓時，陽極中的空穴和陰極中的電子均注入到所述發(fā)光層中；空穴和電子在所述發(fā)光層中相遇，二者復合在一起形成電子-空穴對、并釋放出能量；該能量以光的形式發(fā)出，經過所述發(fā)光層中的不同發(fā)光分子而顯示為不同顏色的光，并從所述有機材料功能層300的兩側均勻的射出。
[0050]其中，所述發(fā)光層可以包括紅光、綠光、藍光的發(fā)光分子；當然，所述發(fā)光層也可以僅包括白光的發(fā)光分子，在此不做限定。
[0051]第四，本發(fā)明實施例中，由于主要解決的是光入射到平坦的金屬層表面導致的無法出射的問題，因此，基于本發(fā)明的結構，需保證位于有機材料功能層300出光側的電極包括金屬層；其中，需合理設置該金屬層的厚度，以使光能透過該金屬層而出射到空氣中。
[0052]基于此，所述OLED發(fā)光器件10例如可以為頂發(fā)光型，即:所述第二電極400包括半透明(即厚度相對較薄)的金屬層，所述第一電極200包括不透明(即厚度相對較厚)的金屬層?；蛘?，所述OLED發(fā)光器件10也可以為底發(fā)光型，S卩:所述第一電極200包括半透明(即厚度相對較薄)的金屬層，所述第二電極400包括不透明(即厚度相對較厚)的金屬層。當然，所述OLED發(fā)光器件10也可以為雙面發(fā)光型，S卩:所述第二電極400和所述第一電極200均包括半透明(即厚度相對較薄)的金屬層。
[0053]其中，不透明導電材料例如可以為厚度相對較厚的銀(Ag)，半透明導電材料例如可以為厚度相對較薄的銀。
[0054]第五，本發(fā)明所有實施例的附圖均示意性的繪示出與發(fā)明點有關的圖案層，對于與發(fā)明點無關的圖案層不進行繪示或僅繪示出部分。
[0055]本發(fā)明實施例提供了 一種OLED發(fā)光器件10，包括:襯底基板100，依次設置在所述襯底基板上第一電極200、有機材料功能層300、以及第二電極400 ;進一步所述OLED器件10還包括:設置在所述第一電極200和所述襯底基板100之間的非平坦層500，且所述非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦。其中，位于所述OLED發(fā)光器件出光側的第一電極200和/或第二電極400包括金屬層。
[0056]由于非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦，使得在其上制備的第一電極200和第二電極400均為非平坦的電極層，這樣當從有機材料功能層300出射的光入射到可透過的金屬材料的第一電極200和/或第二電極400時，可以減少由于光形成金屬表面等離子體電磁波而導致的損耗，提高光的輸出效率。
[0057]優(yōu)選的，所述第一電極200包括不透明的金屬層，所述第二電極400包括半透明金屬層。
[0058]由于不透明的第一電極200、有機材料功能層300、半透明的第二電極400可以構成一個微腔，因此，可以利用光在微腔內的干涉效應(微腔效應)來進一步提高光的輸出效率。在此基礎上，將所述第一電極200設置為不透明電極，可以增加光在第一電極200和第二電極400之間的反射，從而可進一步利用光在微腔內的干涉效應來提高光的輸出效率。
[0059]可選的，由于多晶硅的表面粗糙度相對較大，因此，如圖1所示，所述非平坦層500與所述第一電極200對應部分包括多晶硅。其中，所述多晶硅可以是對非晶硅進行晶化處理得到的。
[0060]這樣，可以通過僅對與所述第一電極200對應部分的非晶硅薄膜進行晶化處理得到多晶硅而使該部分具有相對較大的粗糙度，其余部分由于沒有進行晶化處理，可以保持非晶硅薄膜原有的平坦性。[0061]可選的，如圖2所示，所述非平坦層500為摻雜有微小顆粒500b的光刻膠層500a。
[0062]其中，所述光刻膠層500a與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100一側的表面露出所述微小顆粒500b。
[0063]這樣，只要通過選擇適當刻蝕選擇比的光刻膠材料和作為微小顆粒的材料，便可以在與所述第一電極200對應的區(qū)域，很方便的通過刻蝕掉一部分光刻膠材料，微小顆粒500b由于不被刻蝕而暴露出來，形成非平坦的表面。
[0064]此外，由于每個微小顆粒500b具有不規(guī)則的形狀，即使所有微小顆粒500b緊密排列，在所述光刻膠層500a遠離所述襯底基板100的表面仍然會由于微小顆粒500b的不規(guī)則形狀而使其變的非平坦。
[0065]這里，在形成所述光刻膠層500a時，可以將與所述第一電極200對應的區(qū)域與光刻膠半保留部分對應，其余部分與光刻膠完全保留部分對應，然后在顯影后，使光刻膠半保留部分的所述微小顆粒500b露出，從而在該區(qū)域形成非平坦的表面。
[0066]進一步的，為了保證所述光刻膠層500a的表面具有很好的非平坦效果，例如使所述光刻膠層500a的表面為褶皺形，所述微小顆粒500b之間的間隙則不能太大，這就需要所述微小顆粒500b的摻雜濃度不能太低且粒徑不能太大，因此，本發(fā)明實施例中優(yōu)選為所述微小顆粒500b的摻雜濃度在80%?100%之間，所述微小顆粒的粒徑在IOnm范圍內。
[0067]在此基礎上，還可以將微小顆粒500b的粒徑設置為大小不同來進一步減小顆粒之間的間隙。
[0068]可選的，所述微小顆粒500b包括:微小的陶瓷顆粒、或微小的金屬顆粒。
[0069]這里，通過選擇適當微小顆粒500b的材料，便可以使上述微小顆粒和光刻膠的化學性質不同，這樣在將位于第一電極200下方的摻雜有微小顆粒500b的光刻膠薄膜中的光刻膠去除掉一部分時，便不會對位于其中的微小顆粒500b產生影響。
[0070]進一步的，如圖3所示，在所述微小顆粒500b包括微小的金屬顆粒的情況下，所述OLED發(fā)光器件10還包括設置在所述光刻膠層500a和所述第一電極200之間的絕緣層600，以使所述光刻膠層500a中的導電的金屬顆粒與所述第一電極200絕緣。
[0071]其中，所述絕緣層600的材料可以為二氧化硅、氮化硅等。
[0072]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的OLED發(fā)光器件10。
[0073]此處，所述OLED發(fā)光器件10可以適用無源矩陣型顯示裝置，也可以適用有源矩陣顯示裝置，在此不做限定。
[0074]本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括上述的OLED發(fā)光器件10。由于非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦，使得在其上制備的第一電極200和第二電極400均為非平坦的電極層，這樣當從有機材料功能層300出射的光入射到可透過的金屬材料的第一電極200和/或第二電極400時，可以減少由于光形成金屬表面等離子體電磁波而導致的損耗，提高光的輸出效率。
[0075]考慮到無源矩陣應用于大尺寸顯示裝置時有其不足的一面，優(yōu)選的，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置為有源矩陣型顯示裝置，即，如圖4所示，所述顯示裝置還包括設置在襯底基板100和所述OLED發(fā)光器件10的非平坦層500之間的薄膜晶體管700。
[0076]其中，所述薄膜晶體管700包括柵極、柵絕緣層、半導體有源層、源極和漏極；所述薄膜晶體管700可以是頂柵型，也可以是底柵型。[0077]進一步的，考慮到若使漏極與所述第二電極400電連接，勢必需要所述第二電極400穿過位于有機材料功能層300和第一電極200，來與漏極電連接，這樣一方面可能導致第二電極400與第一電極200發(fā)生短路，另一方面由于有機材料功能層300材料的特殊性，制備工藝相對也復雜?；诖?，本發(fā)明實施例優(yōu)選為，將所述薄膜晶體管700的漏極與所述第一電極200電連接。
[0078]這里，若將第一電極200作為陽極，則作為陰極的第二電極400的電壓為恒定；若將第一電極200作為陰極，則作為陽極的第二電極400的電壓為恒定。
[0079]當然,如圖4所示,對于所述OLED顯示裝置,還應包括設置在所述第二電極400上方的封裝基板800。
[0080]進一步的，考慮到所述第一電極200需要通過設置在所述非平坦層500上的過孔與所述薄膜晶體管700的漏極電連接，因此，在所述非平坦層500為摻雜有微小顆粒500b的光刻膠層500a的情況下，所述微小顆粒500b的摻雜濃度不能太高，否則不容易在光刻膠層500a上形成過孔?；诖?，本發(fā)明實施例優(yōu)選為，所述微小顆粒500b的摻雜濃度在80%?90%之間。
[0081]優(yōu)選的，參考圖4所示，在所述薄膜晶體管700和所述非平坦層500之間還設置有平坦層900，這樣在后續(xù)形成所述非平坦層500、第一電極200等時，便可避免由于下方的薄膜晶體管700具有高度差而導致斷線等現(xiàn)象。
[0082]本發(fā)明實施例還提供了一種OLED發(fā)光器件的制備方法，參考圖1所示，該方法包括:在襯底基板100上依次形成第一電極200、有機材料功能層300、以及第二電極400 ;進一步所述方法還包括:在所述第一電極200和所述襯底基板100之間形成非平坦層500，且所述非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦。
[0083]其中，位于所述OLED發(fā)光器件10出光側的第一電極200和/或第二電極400包
括金屬層。
[0084]需要說明的是，由于所述非平坦層500位于所述第一電極200的下方，即:位于下方的非平坦層500需先制備形成，位于上方的第一電極200后制備形成，因此，在非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦的情況下，在其上方形成第一電極200也隨著非平坦層500對應部分的上表面的變化而變化，同理位于所述第一電極200上方的有機材料功能層300和第二電極400也隨著變化，這樣就使得所述第一電極200和第二電極400具有非平坦的表面。
[0085]本發(fā)明實施例提供了一種OLED發(fā)光器件的制備方法，由于非平坦層500與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面非平坦，使得在其上制備的第一電極200和第二電極400均為非平坦的電極層，這樣當從有機材料功能層300出射的光入射到可透過的金屬材料的第一電極200和/或第二電極400時,可以減少由于光形成金屬表面等離子體電磁波而導致的損耗，提高光的輸出效率。
[0086]優(yōu)選的，所述第一電極200包括不透明的金屬層，所述第二電極400包括半透明金屬層。
[0087]由于不透明的第一電極200、有機材料功能層300、半透明的第二電極400可以構成一個微腔，因此，可以利用光在微腔內的干涉效應(微腔效應)來進一步提高光的輸出效率。在此基礎上，將所述第一電極200設置為不透明電極，可以增加光在第一電極200和第二電極400之間的反射，從而可進一步利用光在微腔內的干涉效應來提高光的輸出效率。
[0088]可選的，參考圖1所示，所述非平坦層500與所述第一電極200對應部分包括多晶硅。在此情況下，形成所述非平坦層500具體包括:
[0089]在所述襯底基板100上例如采用等離子增強化學氣相沉積法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,簡稱PECVD)沉積一層形成非晶娃薄膜；
[0090]對所述非晶硅薄膜與所述第一電極200對應的區(qū)域進行晶化處理，使非晶硅轉換為多晶硅，形成所述非平坦層500。
[0091]其中，晶化處理可以包括:激光退火工藝(ELA)、金屬誘導結晶工藝(MIC)、固相結晶工藝(SPC)等結晶化手段。
[0092]此外，在晶化處理前，還可以采用高溫烤箱對非晶硅薄膜進行脫氫工藝處理，以防止在晶化過程中出現(xiàn)氫爆現(xiàn)象以及降低晶化后薄膜內部的缺陷態(tài)密度作用。
[0093]可選的，參考圖2所示，所述非平坦層500為摻雜有微小顆粒500b的光刻膠層500a ;其中，所述光刻膠層500a與所述第一電極200對應部分且遠離所述襯底基板100 —側的表面露出所述微小顆粒500b。在此情況下，形成所述光刻膠層500a具體包括:
[0094]S101、如圖5所示，在所述襯底基板100上形成摻雜有微小顆粒500b的光刻膠薄膜 5001。
[0095]S102、如圖6所示，采用半階或灰階掩模板20對形成有所述光刻膠薄膜5001的基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠半保留部分5001a和光刻膠完全保留部分5001b;其中，所述光刻膠半保留部分5001a與所述第一電極200的區(qū)域對應，且所述光刻膠半保留部分5001a的表面露出摻雜在其中的所述微小顆粒500b，所述光刻膠完全保留部分5001b與其余區(qū)域對應，形成所述光刻膠層500a。
[0096]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種OLED發(fā)光器件,包括:襯底基板,依次設置在所述襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、以及第二電極；其特征在于， 所述OLED器件還包括:設置在所述第一電極和所述襯底基板之間的非平坦層，且所述非平坦層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面非平坦； 其中，位于所述OLED發(fā)光器件出光側的第一電極和/或第二電極包括金屬層。
2.根據權利要求1所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述非平坦層為摻雜有微小顆粒的光刻膠層； 其中，所述光刻膠層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面露出所述微小顆粒。
3.根據權利要求2所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述微小顆粒的粒徑小于1Onm0
4.根據權 利要求2所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述微小顆粒包括:微小的陶瓷顆粒、或微小的金屬顆粒； 在所述微小顆粒包括微小的金屬顆粒的情況下，所述OLED發(fā)光器件還包括設置在所述光刻膠層和所述第一電極之間的絕緣層。
5.根據權利要求1所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述非平坦層與所述第一電極對應部分包括多晶硅； 其中，所述多晶硅是對非晶硅進行晶化處理得到的。
6.根據權利要求1至5任一項所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極包括不透明的金屬層，所述第二電極包括半透明金屬層。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1至6任一項所述的OLED發(fā)光器件。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，還包括設置在襯底基板和所述OLED發(fā)光器件的非平坦層之間的薄膜晶體管； 其中，所述薄膜晶體管的漏極與所述OLED發(fā)光器件的第一電極電連接。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，在所述非平坦層為摻雜有微小顆粒的光刻膠層的情況下，所述微小顆粒的摻雜濃度在80%~90%之間。
10.一種OLED發(fā)光器件的制備方法,包括:在襯底基板上依次形成第一電極、有機材料功能層、以及第二電極；其特征在于， 所述方法還包括:在所述第一電極和所述襯底基板之間形成非平坦層，且所述非平坦層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面非平坦； 其中，位于所述OLED發(fā)光器件出光側的第一電極和/或第二電極包括金屬層。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述非平坦層為摻雜有微小顆粒的光刻膠層；其中，所述光刻膠層與所述第一電極對應部分且遠離所述襯底基板一側的表面露出所述微小顆粒； 形成所述光刻膠層包括: 在所述襯底基板上形成摻雜有微小顆粒的光刻膠薄膜； 采用半階或灰階掩模板對形成有所述光刻膠薄膜的基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分；其中，所述光刻膠半保留部分與所述第一電極的區(qū)域對應，且所述光刻膠半保留部分的表面露出摻雜在其中的所述微小顆粒，所述光刻膠完全保留部分與其余區(qū)域對應，形成所述光刻膠層。
12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述非平坦層與所述第一電極對應部分包括多晶硅； 所述形成所述非平坦層包括: 在所述襯底基板上形成非晶硅薄膜； 對所述非晶硅薄膜與所述第一電極對應的區(qū)域進行晶化處理，使非晶硅轉換為多晶硅，形成所述非平坦層。
13.根據權利要求10至12任一項所述的方法，其特征在于，所述第一電極包括不透明的金屬層，所述第二電極包括半透明金屬層。
【文檔編號】H01L51/56GK103972423SQ201410191777
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月8日 優(yōu)先權日:2014年5月8日
【發(fā)明者】馬文昱 申請人:京東方科技集團股份有限公司