無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無源集成轉(zhuǎn)接板。本發(fā)明通過先采用前道工藝在轉(zhuǎn)接板的第一表面?zhèn)戎谱鳠o源模塊及無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，由于前道工藝的光刻參數(shù)精準(zhǔn)，工藝嚴(yán)格，可以制作出精度高和可靠性好的無源模塊，同時(shí)采用高阻的轉(zhuǎn)接板材料，制作的無源模塊可以滿足高Q低損耗；再通過采用后道工藝在轉(zhuǎn)接板的第一表面?zhèn)戎谱饔糜谂c外部連接的第一凸點(diǎn)以及在轉(zhuǎn)接板的第二表面?zhèn)韧瓿赏椎闹谱骱陀糜谂c外部連接的第二凸點(diǎn)，這種集成無源模塊和通孔連接的方法既可以保證無源模塊的性能優(yōu)良，又可以降低集成成本。
【專利說明】無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無源集成轉(zhuǎn)接板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)接板集成【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無源集成轉(zhuǎn)接板。
【背景技術(shù)】
[0002]在先進(jìn)封裝中，各種轉(zhuǎn)接板技術(shù)，例如基于硅通孔的硅基轉(zhuǎn)接板，還有玻璃轉(zhuǎn)接板都應(yīng)用地越來越多。然而，由于單純只有通孔的用于互聯(lián)的轉(zhuǎn)接板越來越不能夠滿足先進(jìn)的電子產(chǎn)品要求，因此，應(yīng)用于先進(jìn)封裝中的轉(zhuǎn)接板都會(huì)集成相應(yīng)的無源模塊，以滿足小型化的電學(xué)性能的要求。這樣自然會(huì)形成多種無源模塊的集成方法，以實(shí)現(xiàn)將無源模塊集成在轉(zhuǎn)接板上。
[0003]以硅轉(zhuǎn)接板為例，現(xiàn)有的技術(shù)，一種集成方法是在前道工藝中先制作TSV(Through-Silicon-Via,娃通孔)互聯(lián)結(jié)構(gòu),然后在轉(zhuǎn)接板表面制作無源模塊。這種集成方法制得的無源模塊具有高Q(或稱高品質(zhì)因數(shù))和高質(zhì)量，但是集成成本較高；另一種集成方法是在后道工藝中先做好轉(zhuǎn)接板上的無源模塊，再制作TSV互聯(lián)結(jié)構(gòu)，并且都是在轉(zhuǎn)接板的同一面進(jìn)行制作，這種方法制作的無源模塊很難具有高Q和高質(zhì)量，導(dǎo)致無源模塊的可靠性低，并且工藝難度大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無源集成轉(zhuǎn)接板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中單純采用前道工藝集成無源模塊和通孔連接導(dǎo)致集成成本較高以及單純采用后道工藝集成無源模塊和通孔連接導(dǎo)致無源模塊的可靠性低且工藝難度大的技術(shù)問題。
[0005]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法，包括:
[0006]采用前道工藝，在轉(zhuǎn)接板的第一表面上形成第一絕緣層；
[0007]采用前道工藝，在第一絕緣層中形成無源模塊及無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括第一金屬電極；
[0008]采用后道工藝，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)，其中，所述第一凸點(diǎn)與所述第一金屬電極直接接觸；
[0009]將所述轉(zhuǎn)接板倒置，從與所述第一表面相對(duì)的第二表面將所述轉(zhuǎn)接板減薄至預(yù)定的厚度，并從減薄后的所述轉(zhuǎn)接板的第二表面沿縱向刻蝕所述轉(zhuǎn)接板、所述第一絕緣層至所述第一金屬電極，形成通孔；
[0010]在所述通孔中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)；
[0011]在所述第二表面上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)的互聯(lián)層以及在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)，其中，所述第二凸點(diǎn)與所述第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)直接接觸。
[0012]進(jìn)一步地，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)之后，還包括:
[0013]在所述第一凸點(diǎn)上固定一鍵合片。[0014]進(jìn)一步地，在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)之后，還包括:
[0015]去除所述鍵合片。
[0016]進(jìn)一步地，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)，包括:
[0017]在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層；
[0018]對(duì)所述第一鈍化層進(jìn)行光刻，以露出部分所述第一金屬電極；
[0019]在露出的部分所述第一金屬電極上形成第一凸點(diǎn)。
[0020]進(jìn)一步地，在所述通孔中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括:
[0021]在所述通孔的側(cè)壁上形成線性層；
[0022]在形成所述線性層的通孔中填充導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電層。
[0023]進(jìn)一步地，在所述第二表面上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)的互聯(lián)層，包括:
[0024]在所述第二表面上形成第二絕緣層；以及
[0025]在所述第二絕緣層中形成包括第二金屬電極和第三金屬電極的第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二金屬電極將所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)和所述第三金屬電極連接起來。
[0026]進(jìn)一步地，在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)，包括:
[0027]在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層；
[0028]對(duì)所述第二鈍化層進(jìn)行光刻，露出部分所述第三金屬電極；
[0029]在露出的部分所述第三金屬電極上形成第二凸點(diǎn)。
[0030]進(jìn)一步地,所述預(yù)定的厚度為50 μ m到500 μ m。
[0031]進(jìn)一步地,所述轉(zhuǎn)接板的材料包括:娃、玻璃和陶瓷。
[0032]進(jìn)一步地，所述無源模塊包括電阻、電容和電感及其陣列以及由電阻、電容和電感組成的濾波器、耦合器和功分器。
[0033]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種無源集成轉(zhuǎn)接板，所述無源集成轉(zhuǎn)接板由上述第一方面所述的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法制得。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無源集成轉(zhuǎn)接板，通過先采用前道工藝在轉(zhuǎn)接板的第一表面?zhèn)戎谱鳠o源模塊及無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，由于前道工藝的光刻參數(shù)精準(zhǔn)，工藝嚴(yán)格，可以制作出精度高和可靠性好的無源模塊，同時(shí)采用高阻的轉(zhuǎn)接板材料，制作的無源模塊可以滿足高Q低損耗；再通過采用后道工藝在轉(zhuǎn)接板的第一表面?zhèn)戎谱饔糜谂c外部連接的第一凸點(diǎn)以及在轉(zhuǎn)接板的第二表面?zhèn)韧瓿赏椎闹谱骱陀糜谂c外部連接的第二凸點(diǎn)，這種集成無源模塊和通孔連接的方法既可以保證無源模塊的性能優(yōu)良，又可以降低集成成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0036]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法的流程圖；
[0037]圖2a_圖2i是本發(fā)明實(shí)施例的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法的各階段對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0038]圖3是與圖1中步驟S102對(duì)應(yīng)的另一種結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0039]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的無源模塊所包含的電容的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；[0040]圖5a-圖5b是實(shí)現(xiàn)圖1中的步驟S103的各階段的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0041]圖中的附圖標(biāo)記所分別指代的技術(shù)特征為:
[0042]11、轉(zhuǎn)接板；121、第一絕緣層；131、第一金屬電極；141、第一鈍化層；142、第二鈍化層；151、第一凸點(diǎn)；152、第二凸點(diǎn)；16、鍵合片；17、通孔；18、第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)；181、線性層；182、導(dǎo)電層；19、互聯(lián)層；191、第二絕緣層；192、第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)；192a、第二金屬電極；192b、第三金屬電極；21、電容；22、電感；23、電阻；A1、第一表面；A2、第二表面。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供一種無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法。圖1是本發(fā)明實(shí)施例的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法的流程圖；圖2a_圖2i是本發(fā)明實(shí)施例的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法的各階段對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖1和圖2a_圖2i所示，無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法包括:
[0045]S101、采用前道工藝，在轉(zhuǎn)接板11的第一表面Al上形成第一絕緣層121。
[0046]在本發(fā)明實(shí)施例中，參見圖2a，采用前道工藝，在轉(zhuǎn)接板11的第一表面Al上形成第一絕緣層121。所述轉(zhuǎn)接板11的材料包括但不限于硅、玻璃、陶瓷和其他化合物材料。第一絕緣層121的材料可以是氮化硅或者二氧化硅等；以及第一絕緣層121可以利用本領(lǐng)域公知的沉積或者外延生長(zhǎng)等技術(shù)形成，其中，沉積包括但不限于物理氣相沉積(PhysicalVapor Deposition,簡(jiǎn)稱PVD)或者化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱 CVD)。
[0047]需要說明的是，在圖2a中，標(biāo)記A2表示與轉(zhuǎn)接板11的第一表面Al相對(duì)的轉(zhuǎn)接板11的第二表面。
[0048]S102、采用前道工藝，在第一絕緣層121中形成無源模塊及無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括第一金屬電極131。
[0049]在本發(fā)明實(shí)施例中，參見圖2b，采用前道工藝，在第一絕緣層121中形成無源模塊及無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括第一金屬電極131。在圖2b中，所述無源模塊包括一電容21和一電感22。需要說明的是，圖2b僅僅是本發(fā)明實(shí)施例關(guān)于本步驟的一個(gè)具體的示例。在其他的具體示例中，所述無源模塊也可以包括電阻、由電阻、電容或者電感組成的陣列以及由電阻、電容和電感組成的濾波器、耦合器和功分器等。圖3是與圖1中步驟S102對(duì)應(yīng)的另一種結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見圖3，所述無源模塊包括一電阻23和一電感22。在本發(fā)明實(shí)施例的后續(xù)步驟中，以包括一電容21和一電感22的無源模塊為例進(jìn)行說明，關(guān)于其他的無源模塊通過本發(fā)明的制作方法在轉(zhuǎn)接板上形成相應(yīng)的無源模塊的互聯(lián)結(jié)構(gòu)以及與外部連接的凸點(diǎn)等結(jié)構(gòu)，與包括一電容21和一電感22的無源模塊的情況相似，在此以及接下來的步驟中不再一一贅述。
[0050]在圖2b中的電容21采用金屬-絕緣體-金屬的結(jié)構(gòu)(Metal-1nsulator-Metal,簡(jiǎn)稱MIM)。圖4是本發(fā)明實(shí)施例的無源模塊所包含的電容的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。參見圖4，電容21包括第一極板211、第二極板213和位于第一極板211和第二極板213之間的介質(zhì)層212。其中，第一極板211和第二極板213可以采用金屬電極沉積的方式來形成，介質(zhì)層212可以采用物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD)等方式來形成；介質(zhì)層212的材料可以選擇氮化硅、二氧化硅或者陶瓷等。
[0051]電感22由金屬線圈構(gòu)成，可以采用電鍍或者金屬濺射的方式來形成金屬線圈。此夕卜，第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的第一金屬電極131可以米用金屬電極沉積的方式來形成。
[0052]通過本步驟和上述步驟S101，經(jīng)前道工藝完成了在轉(zhuǎn)接板11上設(shè)置無源模塊和和無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)。由于前道工藝的光刻參數(shù)精準(zhǔn)，工藝嚴(yán)格，可以制作出精度高和可靠性好的無源模塊，同時(shí)采用高阻的材料作為轉(zhuǎn)接板11的材料(例如，轉(zhuǎn)接板11的材料可以為硅、玻璃和陶瓷等)，制作的無源模塊可以滿足高Q低損耗。
[0053]S103、米用后道工藝,在第一絕緣層121上形成第一鈍化層141和第一凸點(diǎn)151,其中，第一凸點(diǎn)151與第一金屬電極131直接接觸。
[0054]在本發(fā)明實(shí)施例中，參見圖2c，在第一絕緣層121上形成第一鈍化層141和第一凸點(diǎn)151,其中,第一凸點(diǎn)151與第一金屬電極131直接接觸。
[0055]圖5a-圖5b是實(shí)現(xiàn)圖1中的步驟S103的各階段的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。進(jìn)一步地，參見圖5a-圖5b和圖2c，在第一絕緣層121上形成第一鈍化層141和第一凸點(diǎn)151，具體可以包括:在第一絕緣層121上形成第一鈍化層141，參見圖5a ;對(duì)第一鈍化層141進(jìn)行光亥1J，以露出部分第一金屬電極131,參見圖5b ;在露出的部分第一金屬電極131上形成第一凸點(diǎn)151,參見圖2c。其中，第一鈍化層141可以米用旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成,第一凸點(diǎn)151可以采用在第一金屬電極131上生長(zhǎng)的方式形成。需要說明的是，通過第一凸點(diǎn)151直接形成在第一金屬電極131上,實(shí)現(xiàn)了第一凸點(diǎn)151與第一金屬電極131的直接接觸。
[0056]具體地，在步驟S102中形成了無源模塊和相應(yīng)無源模塊的包括第一金屬電極131的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，則相應(yīng)的無源模塊通過其第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)中的第一金屬電極131與第一凸點(diǎn)151連接，再通過第一凸點(diǎn)151實(shí)現(xiàn)與外部連接。
[0057]可選地，參見圖2d，在第一絕緣層121上形成第一鈍化層141和第一凸點(diǎn)151之后，還可以包括:在第一凸點(diǎn)151上固定一鍵合片16。通過將一鍵合片16固定在第一凸點(diǎn)151上，在接下來的步驟S104中對(duì)轉(zhuǎn)接板11進(jìn)行倒置以及后續(xù)的步驟中，對(duì)在上述步驟中已經(jīng)在轉(zhuǎn)接板11上形成的結(jié)構(gòu)起到承載板的作用。并且，在接下來的步驟中，以在第一凸點(diǎn)151上固定鍵合片16為例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0058]需要說明的是，在本步驟中，開始采用后道工藝在已經(jīng)集成了無源模塊及其第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接板11上形成使無源模塊與外部連接的第一凸點(diǎn)151，在后續(xù)的步驟中，仍然繼續(xù)采用后道工藝，在轉(zhuǎn)接板11上集成其他的結(jié)構(gòu)。
[0059]S104、將轉(zhuǎn)接板11倒置，從與第一表面Al相對(duì)的第二表面A2將轉(zhuǎn)接板11減薄至預(yù)定的厚度，并從減薄后的轉(zhuǎn)接板11的第二表面A2沿縱向刻蝕轉(zhuǎn)接板11、第一絕緣層121至第一金屬電極131，形成通孔17。
[0060]在本發(fā)明實(shí)施例中，參見圖2e，將轉(zhuǎn)接板11倒置，從與第一表面Al相對(duì)的第二表面A2將轉(zhuǎn)接板11減薄至預(yù)定的厚度，接著參見圖2f，從減薄后的轉(zhuǎn)接板11的第二表面A2沿縱向刻蝕轉(zhuǎn)接板11、第一絕緣層121至第一金屬電極131，形成通孔17。
[0061]需要說明的是，從減薄后的轉(zhuǎn)接板11的第二表面A2沿縱向刻蝕轉(zhuǎn)接板11、第一絕緣層121至第一金屬電極131中的“縱向”是指從第二表面A2到第一表面Al并與第二表面A2垂直的方向。[0062]可選地，轉(zhuǎn)接板11的預(yù)定的厚度為50 μ m到500 μ m。轉(zhuǎn)接板11的預(yù)定的厚度可以根據(jù)實(shí)際需求在50 μ m到500 μ m的范圍內(nèi)進(jìn)行選定。
[0063]可選地，從與第一表面Al相對(duì)的第二表面A2將轉(zhuǎn)接板11減薄至預(yù)定的厚度之后，可以對(duì)減薄后的轉(zhuǎn)接板11的第二表面A2進(jìn)行拋光。
[0064]S105、在通孔17中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)18。
[0065]在本發(fā)明實(shí)施例中，參見圖2g，在通孔17中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)18。
[0066]進(jìn)一步地，在通孔17中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)18，具體可以包括:在通孔17的側(cè)壁上形成線性層181 ;在形成線性層181的通孔17中填充導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電層182。其中，線性層181可以包括氮化硅、鉭或者氮化鉭以及銅種子層等，且線性層181可以采用沉積或者濺射的方式形成，沉積包括但不限于物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD);填充導(dǎo)電材料可以采用金屬電鍍的方式，其中，導(dǎo)電材料可以為銅或者其他的金屬材料。
[0067]需要說明的是，在圖2g中的第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)18構(gòu)成了通孔互聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0068]S106、在第二表面A2上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192的互聯(lián)層19以及在互聯(lián)層19上形成第二鈍化層142和第二凸點(diǎn)152，其中，第二凸點(diǎn)142與第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192直接接觸。
[0069]在本發(fā)明實(shí)施例中，參見圖2h，在第二表面A2上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192的互聯(lián)層19以及在互聯(lián)層19上形成第二鈍化層142和第二凸點(diǎn)152，其中，第二凸點(diǎn)142與第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192直接接觸。
[0070]需要說明的是，在上述步驟和本步驟中，依次形成了的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)、第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)18和第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192，這三個(gè)互聯(lián)結(jié)構(gòu)一起構(gòu)成了無源模塊在轉(zhuǎn)接板11上的互聯(lián)結(jié)構(gòu)。一方面，無源模塊通過第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)與第一凸點(diǎn)151連接，使無源模塊實(shí)現(xiàn)與轉(zhuǎn)接板11的第一表面Al側(cè)的外部的連接，然而對(duì)于其他的無源模塊，第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)還可以實(shí)現(xiàn)無源模塊內(nèi)部的連接，例如由電阻、電容和電感組成的濾波器，電阻、電容和電感之間的連接可以通過第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。另一方面，無源模塊依次通過第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)18和第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192實(shí)現(xiàn)與第二凸點(diǎn)152的連接，從而使無源模塊實(shí)現(xiàn)與轉(zhuǎn)接板11的第二表面A2側(cè)的外部的連接。
[0071]進(jìn)一步地，在第二表面A2上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192的互聯(lián)層19，具體可以包括:在第二表面A2上形成第二絕緣層191 ;以及在第二絕緣層191中形成包括第二金屬電極192a和第三金屬電極192b的第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192，其中，第二金屬電極192a將第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)18和第三金屬電極192b連接起來。所述第二絕緣層191的材料可以是氮化硅或者二氧化硅等，以及第二絕緣層191可以利用本領(lǐng)域公知的沉積或者外延生長(zhǎng)等技術(shù)形成，其中，沉積包括但不限于物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD)。所述第二金屬電極192a和第三金屬電極192b可以通過金屬電極沉積的方式來形成。
[0072]進(jìn)一步地，在互聯(lián)層19上形成第二鈍化層142和第二凸點(diǎn)152，具體可以包括:在互聯(lián)層19上形成第二鈍化層142 ;對(duì)第二鈍化層進(jìn)行光刻142，露出部分第三金屬電極192b ;在露出的部分第三金屬電極192b上形成第二凸點(diǎn)152。所述第二鈍化層142可以采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成，第二凸點(diǎn)151可以采用在第三金屬電極192b上生長(zhǎng)的方式形成。由于在互聯(lián)層19上形成第二鈍化層142和第二凸點(diǎn)152所包括的具體步驟與在第一絕緣層121上形成第一鈍化層141和第一凸點(diǎn)151所包括的具體步驟相似，因此，在互聯(lián)層19上形成第二鈍化層142和第二凸點(diǎn)152所包括的具體步驟所對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖面示意圖可以參照?qǐng)D5a-圖5b。通過在第三金屬電極192b上形成第二凸點(diǎn)152，實(shí)現(xiàn)了第二凸點(diǎn)152與第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)192直接接觸。
[0073]在互聯(lián)層19上形成第二鈍化層142和第二凸點(diǎn)152之后，還包括:去除鍵合片16，參見圖2i。去除鍵合片16之后，就形成了在轉(zhuǎn)接板11上集成無源模塊和通孔連接的結(jié)構(gòu)。
[0074]通過上述步驟S103到步驟S106，采用后道工藝，在轉(zhuǎn)接板11的第一表面Al側(cè)完成用于與外部連接的第一凸點(diǎn)151以及在轉(zhuǎn)接板11的第二表面A2側(cè)完成通孔17的制作和用于與外部連接的第二凸點(diǎn)152。該后道工藝與集成無源模塊及其互聯(lián)結(jié)構(gòu)的前道工藝相結(jié)合，使得集成無源模塊和通孔連接的方法既可以保證無源模塊的性能優(yōu)良，又可以降低集成成本。
[0075]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種無源集成轉(zhuǎn)接板。所述無源集成轉(zhuǎn)接板可以由上述的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法制得。
[0076]本發(fā)明實(shí)施例提供的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無源集成轉(zhuǎn)接板，通過先采用前道工藝在轉(zhuǎn)接板的第一表面?zhèn)戎谱鳠o源模塊及無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，由于前道工藝的光刻參數(shù)精準(zhǔn)，工藝嚴(yán)格，可以制作出精度高和可靠性好的無源模塊，同時(shí)采用高阻的轉(zhuǎn)接板材料，制作的無源模塊可以滿足高Q低損耗；再通過采用后道工藝在轉(zhuǎn)接板的第一表面?zhèn)戎谱饔糜谂c外部連接的第一凸點(diǎn)以及在轉(zhuǎn)接板的第二表面?zhèn)韧瓿赏椎闹谱骱陀糜谂c外部連接的第二凸點(diǎn)，這種集成無源模塊和通孔連接的方法既可以保證無源模塊的性能優(yōu)良，又可以降低集成成本。
[0077]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法，其特征在于，包括: 采用前道工藝，在轉(zhuǎn)接板的第一表面上形成第一絕緣層； 采用前道工藝，在第一絕緣層中形成無源模塊及無源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括第一金屬電極； 采用后道工藝，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)，其中，所述第一凸點(diǎn)與所述第一金屬電極直接接觸； 將所述轉(zhuǎn)接板倒置，從與所述第一表面相對(duì)的第二表面將所述轉(zhuǎn)接板減薄至預(yù)定的厚度，并從減薄后的所述轉(zhuǎn)接板的第二表面沿縱向刻蝕所述轉(zhuǎn)接板、所述第一絕緣層至所述第一金屬電極，形成通孔； 在所述通孔中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)； 在所述第二表面上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)的互聯(lián)層以及在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)，其中，所述第二凸點(diǎn)與所述第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)之后，還包括: 在所述第一凸點(diǎn)上固定一鍵合片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)之后，還包括: 去除所述鍵合片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)，包括: 在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層； 對(duì)所述第一鈍化層進(jìn)行光刻，以露出部分所述第一金屬電極； 在露出的部分所述第一金屬電極上形成第一凸點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述通孔中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括: 在所述通孔的側(cè)壁上形成線性層； 在形成所述線性層的通孔中填充導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二表面上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)的互聯(lián)層，包括: 在所述第二表面上形成第二絕緣層；以及 在所述第二絕緣層中形成包括第二金屬電極和第三金屬電極的第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二金屬電極將所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)和所述第三金屬電極連接起來。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)，包括: 在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層； 對(duì)所述第二鈍化層進(jìn)行光刻，露出部分所述第三金屬電極； 在露出的部分所述第三金屬電極上形成第二凸點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述預(yù)定的厚度為50μ m到500 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接板的材料包括:硅、玻璃和陶瓷。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述無源模塊包括電阻、電容和電感及其陣列以及由電阻、電容和電感組成的濾波器、耦合器和功分器。
11.一種無源集成轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述無源集成轉(zhuǎn)接板由上述權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的無源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法制得。
【文檔編號(hào)】H01L21/48GK103956326SQ201410179187
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月29日
【發(fā)明者】王惠娟 申請(qǐng)人:華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司