有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠提高無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜之間的附著程度，保證OLED器件的壽命。該有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括：用于承托所述有機(jī)電致發(fā)光器件的襯底基板；位于所述襯底基板上的所述有機(jī)電致發(fā)光器件；覆蓋所述有機(jī)電致發(fā)光器件的至少一層第一薄膜封裝層，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是指一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件,又稱(chēng)有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)OLED)器件，是一種全新的顯示技術(shù)，OLED器件因其發(fā)光亮度高、色彩豐富、低壓直流驅(qū)動(dòng)、制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，成為顯示裝置市場(chǎng)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
[0003]一般的，OLED器件采用剛性的玻璃基板或者柔性的聚合物基板作為載體，通過(guò)沉積陽(yáng)極、陰極以及夾在二者之間的有機(jī)發(fā)光層構(gòu)成。有機(jī)發(fā)光層一般包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層等。有機(jī)發(fā)光層對(duì)氧氣和水汽非常敏感，如果氧氣和水汽滲入有機(jī)發(fā)光層內(nèi)部會(huì)引起諸如黑點(diǎn)、針孔、電極氧化、有機(jī)材料化學(xué)反應(yīng)等不良現(xiàn)象，從而嚴(yán)重影響OLED器件壽命。因此，封裝技術(shù)是實(shí)現(xiàn)OLED產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵之一。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，常用的封裝技術(shù)為薄膜封裝技術(shù)，是基于真空鍍膜工藝制備的有機(jī)聚合物薄膜和無(wú)機(jī)薄膜交替的多層膜結(jié)構(gòu)，其中，無(wú)機(jī)薄膜具有較高的致密性，是主要的水氧阻隔層。但是無(wú)機(jī)薄膜的彈性較小、內(nèi)應(yīng)力較大，而有機(jī)聚合物薄膜具有較高的彈性，導(dǎo)致無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜之間很容易產(chǎn)生剝離，導(dǎo)致水氧侵入有機(jī)發(fā)光層，從而嚴(yán)重影響OLED器件壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置，能夠提高無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜之間的附著程度，保證OLED器件的壽命。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明第一方面提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0008]用于承托所述有機(jī)電致發(fā)光器件的襯底基板；
[0009]位于所述襯底基板上的所述有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0010]覆蓋所述有機(jī)電致發(fā)光器件的至少一層第一薄膜封裝層，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成。
[0011]所述的封裝結(jié)構(gòu)還包括第二薄膜封裝層，所述第二薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜組成，所述第二薄膜封裝層位于第一薄膜封裝層之上或之下。
[0012]所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為I?20。
[0013]所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為3?5。
[0014]所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為I?20。
[0015]所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為3?5。[0016]所述無(wú)機(jī)薄膜由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成,所述納米級(jí)棒狀薄膜由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成。
[0017]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，有機(jī)電致發(fā)光器件之上覆蓋有的至少一層第一薄膜封裝層，具體的，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成，納米級(jí)棒狀薄膜直接制作形成在無(wú)機(jī)薄膜之上，且均為利用無(wú)機(jī)粒子流入射形成的同種或者化學(xué)及物理性質(zhì)相似的材料薄膜層，因此，納米級(jí)棒狀薄膜與無(wú)機(jī)薄膜的結(jié)合較為緊密。同時(shí)，由于納米級(jí)棒狀薄膜的粗糙表面和粒子之間松散的排列情況，使得納米級(jí)棒狀薄膜與有機(jī)聚合物薄膜有效接觸面積更大且部分彼此貫穿，可有效地提高納米級(jí)棒狀薄膜和有機(jī)聚合物薄膜之間的結(jié)合程度，從而防止無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜之間發(fā)生剝離，保證OLED器件的壽命。
[0018]本發(fā)明第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)。
[0019]本發(fā)明第三方面提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，包括:
[0020]提供襯底基板；
[0021]在所述襯底基板上制備所述有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0022]在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成至少一層第一薄膜封裝層，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成。
[0023]所述在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成第一薄膜封裝層包括:
[0024]在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成所述無(wú)機(jī)薄膜；
[0025]在所述無(wú)機(jī)薄膜上形成所述納米級(jí)棒狀薄膜；
[0026]在所述納米級(jí)棒狀薄膜上形成所述有機(jī)聚合物薄膜。
[0027]所述在所述無(wú)機(jī)薄膜上形成納米級(jí)棒狀薄膜包括:
[0028]采用真空蒸鍍、離子束濺射、磁控濺射沉積、或原子層沉積在所述無(wú)機(jī)薄膜形成所述納米級(jí)棒狀薄膜，其中，形成所述納米級(jí)棒狀薄膜的入射粒子流與所述無(wú)機(jī)薄膜的法線(xiàn)的夾角為40°?85°。
[0029]所述的封裝方法還包括:在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成第二薄膜封裝層，其中，所述第二薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜組成。
[0030]所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為I?20。
[0031]所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為3?5。
[0032]所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為I?20。
[0033]所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為3?5。
[0034]所述無(wú)機(jī)薄膜由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成，所述納米級(jí)棒狀薄膜由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0036]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖一；
[0037]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖二 ；
[0038]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖三；
[0039]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法的示意圖一；
[0040]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法的示意圖二。
[0041]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0042]I一襯底基板； 2—有機(jī)電致發(fā)光器件；3—第一薄膜封裝層；
[0043]31—無(wú)機(jī)薄膜； 32—有機(jī)聚合物薄膜； 33—納米級(jí)棒狀薄膜；
[0044]4 一第二薄膜封裝層。
【具體實(shí)施方式】
[0045]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046]實(shí)施例一
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，如圖1所示，該封裝結(jié)構(gòu)包括:
[0048]用于承托所述有機(jī)電致發(fā)光器件2的襯底基板I ;位于所述襯底基板I上的所述有機(jī)電致發(fā)光器件2 ;以及覆蓋所述有機(jī)電致發(fā)光器件2的至少一層第一薄膜封裝層3，具體的，所述第一薄膜封裝層3由無(wú)機(jī)薄膜31、有機(jī)聚合物薄膜32和位于所述無(wú)機(jī)薄膜31和所述有機(jī)聚合物薄膜32之間的納米級(jí)棒狀薄膜33組成。
[0049]其中，納米級(jí)棒狀薄膜33與無(wú)機(jī)薄膜31相似，均可采用真空蒸鍍、離子束濺射、磁控濺射沉積、或原子層沉積等制備方法形成，不同的是，形成無(wú)機(jī)薄膜31時(shí)，入射粒子流與襯底基板的法線(xiàn)的夾角為0°，使得粒子能夠均勻地沉積在襯底基板上，形成表面平滑、排列致密的無(wú)機(jī)薄膜；而形成納米級(jí)棒狀薄膜33時(shí)，入射粒子流與襯底基板的法線(xiàn)的夾角為40°?85°，相比無(wú)機(jī)薄膜31而言，納米級(jí)棒狀薄膜33的表面較為粗糙，粒子的排列較為松散。
[0050]顯然，納米級(jí)棒狀薄膜33直接制作形成在無(wú)機(jī)薄膜31之上，且均為利用無(wú)機(jī)粒子流入射形成的同種或者化學(xué)及物理性質(zhì)相似的材料薄膜層，因此，納米級(jí)棒狀薄膜33與無(wú)機(jī)薄膜31的結(jié)合較為緊密。同時(shí)，由于納米級(jí)棒狀薄膜33的粗糙表面和粒子之間松散的排列情況，使得納米級(jí)棒狀薄膜33與有機(jī)聚合物薄膜有效接觸面積更大且部分彼此貫穿，可有效地提高納米級(jí)棒狀薄膜33和有機(jī)聚合物薄膜32之間的結(jié)合，這樣無(wú)機(jī)薄膜31，有機(jī)聚合物薄膜32及納米級(jí)棒狀薄膜33形成一個(gè)結(jié)合緊密的整體，從而防止無(wú)機(jī)薄膜31和有機(jī)聚合物薄膜32之間發(fā)生剝離。
[0051]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，有機(jī)電致發(fā)光器件之上覆蓋有的至少一層第一薄膜封裝層，具體的，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成，納米級(jí)棒狀薄膜直接制作形成在無(wú)機(jī)薄膜之上，且均為利用無(wú)機(jī)粒子流入射形成的同種或者化學(xué)及物理性質(zhì)相似的材料薄膜層，因此，納米級(jí)棒狀薄膜與無(wú)機(jī)薄膜的結(jié)合較為緊密。同時(shí)，由于納米級(jí)棒狀薄膜的粗糙表面和粒子之間松散的排列情況，使得納米級(jí)棒狀薄膜與有機(jī)聚合物薄膜有效接觸面積更大且部分彼此貫穿，可有效地提高納米級(jí)棒狀薄膜和有機(jī)聚合物薄膜之間的結(jié)合程度，從而防止無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜之間發(fā)生剝離，保證OLED器件的壽命。
[0052]另外，納米級(jí)棒狀薄膜33還具有較好的透光率，可以提高OLED器件的出光強(qiáng)度，提高OLED顯示裝置的顯示效果。
[0053]進(jìn)一步的，為了簡(jiǎn)化該封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)流程、降低該封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝，其中，該封裝結(jié)構(gòu)還包括第二薄膜封裝層4，所述第二薄膜封裝層4由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜組成，所述第二薄膜封裝層位于第一薄膜封裝層之上或之下。即第二薄膜封裝層4不設(shè)置有納米級(jí)棒狀薄膜，通過(guò)實(shí)驗(yàn)、選擇匹配程度較高的無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜，可在一定程度上降低第二薄膜封裝層4中的無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜的附著程度。
[0054]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一薄膜封裝層3和第二薄膜封裝層4統(tǒng)稱(chēng)為薄膜封裝層。
[0055]其中，OLED器件上可以根據(jù)實(shí)際需要覆蓋一層或多層薄膜封裝層，具體地，在兼顧阻水阻氧能力和輕薄化的情況下，OLED器件上可以覆蓋I?20層薄膜封裝層，即僅有第一薄膜封裝層3時(shí)，所述第一薄膜封裝層4的層數(shù)為I?20 ;包括第一薄膜封裝層3和第二薄膜封裝層4時(shí)，所述第一薄膜封裝層3和所述第二薄膜封裝層4的層數(shù)之和為I?20。如圖2或圖3所示，多個(gè)薄膜封裝層互相疊加覆蓋在OLED器件上。
[0056]但是薄膜封裝層的層數(shù)過(guò)多時(shí)，可能會(huì)影響到顯示裝置的出光程度，降低顯示裝置的顯示效果，但層數(shù)過(guò)少，OLED器件的密封性有可能無(wú)法保證，因此優(yōu)選的，第一薄膜封裝層3的層數(shù)為3?5層，此時(shí)，顯示裝置的出光程度較好，同時(shí)還保證了 OLED器件的密封性。類(lèi)似的，所述第一薄膜封裝層3和所述第二薄膜封裝層4的層數(shù)之和優(yōu)選為3?5層。
[0057]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述納米棒狀薄膜33的材料可為金屬氧化物或金屬硫化物或金屬氮化物，具體的，金屬氧化物包括氧化鈣、五氧化二鉭、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化銅、氧化鋅、三氧化二招、三氧化二鉻、二氧化錫、氧化鎳、五氧化二鋪；金屬硫化物包括二硫化鈦、硫化鐵、三硫化二鉻、硫化銅、硫化鋅、二硫化錫、硫化鎳、三硫化二鈷、三硫化二銻、硫化鉛、三硫化二鑭、硫化鈰、二硫化鋯等，金屬氮化物包括氮化硅、氮化鋁等。類(lèi)似的，所述無(wú)機(jī)薄膜31也由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成。
[0058]具體的，同一第一薄膜封裝層3中的無(wú)機(jī)薄膜31和納米棒狀薄膜33的材料可以相同，也可以根據(jù)實(shí)際情況自由組合，并且，每一薄膜封裝層中的無(wú)機(jī)薄膜31的材料可以各不相同，類(lèi)似的，每一封裝薄膜層中的納米棒狀薄膜33的材料也可以各不相同。
[0059]進(jìn)一步的，所述有機(jī)聚合物薄膜32的材料是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚砜(PS0)、聚對(duì)苯二乙基砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚硅氧烷(Silicone)、聚酰胺(PA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯?醋酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯?乙烯醇共聚物(EVAL)、聚丙烯腈(PAN)、聚乙酸乙烯酯(PVAC)、聚對(duì)二甲苯基(Parylene)、聚脲(Polyurea)或聚四氟乙烯(PTFE)、環(huán)氧樹(shù)月旨(epoxy resin)等。[0060]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，顯然該顯示裝置為OLED顯示裝置，可為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、電視等顯示裝置。
[0061]實(shí)施例二
[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，如圖4所示，該封裝方法包括:
[0063]步驟SlOl、提供襯底基板。
[0064]步驟S102、在所述襯底基板上制備所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0065]步驟S103、在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成至少一層第一薄膜封裝層，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成。
[0066]進(jìn)一步的，如圖5所示，步驟S103包括:
[0067]步驟S1031、在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成所述無(wú)機(jī)薄膜。
[0068]步驟S1032、在所述無(wú)機(jī)薄膜上形成所述納米級(jí)棒狀薄膜。
[0069]步驟S1033、在所述納米級(jí)棒狀薄膜上形成所述有機(jī)聚合物薄膜。
[0070]具體的，步驟S1031包括:
[0071]采用真空蒸鍍、離子束濺射、磁控濺射沉積、或原子層沉積在所述無(wú)機(jī)薄膜形成所述納米級(jí)棒狀薄膜，其中，形成所述納米級(jí)棒狀薄膜的入射粒子流與所述無(wú)機(jī)薄膜的法線(xiàn)的夾角為40°?85°。
[0072]其中，OLED器件上可以根據(jù)實(shí)際需要覆蓋一層或多層薄膜封裝層，具體地，在兼顧阻水阻氧能力和輕薄化的情況下，OLED器件上可以覆蓋I?20層第一薄膜封裝層。
[0073]為了簡(jiǎn)化該封裝方法的生產(chǎn)流程、降低該封裝方法的制作成本，在本發(fā)明實(shí)施例中，還可包括:在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成第二薄膜封裝層，其中，所述第二薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜組成。即在本發(fā)明實(shí)施例中，類(lèi)似的，在兼顧阻水阻氧能力和輕薄化的情況下，所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為I?20。
[0074]但是薄膜封裝層的層數(shù)過(guò)多時(shí)，可能會(huì)影響到顯示裝置的出光程度，降低顯示裝置的顯示效果，但層數(shù)過(guò)少，OLED器件的密封性有可能無(wú)法保證，因此優(yōu)選的，第一薄膜封裝層3的層數(shù)為3?5層，此時(shí)，顯示裝置的出光程度較好，同時(shí)還保證了 OLED器件的密封性。類(lèi)似的，所述第一薄膜封裝層3和所述第二薄膜封裝層4的層數(shù)之和優(yōu)選為3?5層。
[0075]在本發(fā)明實(shí)施例中，所述納米棒狀薄膜33的材料可為金屬氧化物或金屬硫化物或金屬氮化物，類(lèi)似的，所述無(wú)機(jī)薄膜31也由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成。
[0076]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 用于承托所述有機(jī)電致發(fā)光器件的襯底基板； 位于所述襯底基板上的所述有機(jī)電致發(fā)光器件； 覆蓋所述有機(jī)電致發(fā)光器件的至少一層第一薄膜封裝層，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二薄膜封裝層，所述第二薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜組成，所述第二薄膜封裝層位于第一薄膜封裝層之上或之下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為I~20。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為3~5。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為I~20。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為3~5。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)，所述無(wú)機(jī)薄膜由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成，所述納米級(jí)棒狀薄膜由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成。
8.—種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,包括: 提供襯底基板； 在所述襯底基板上制備所述有機(jī)電致發(fā)光器件； 在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成至少一層第一薄膜封裝層，所述第一薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜、有機(jī)聚合物薄膜和位于所述無(wú)機(jī)薄膜和所述有機(jī)聚合物薄膜之間的納米級(jí)棒狀薄膜組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成第一薄膜封裝層包括: 在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成所述無(wú)機(jī)薄膜； 在所述無(wú)機(jī)薄膜上形成所述納米級(jí)棒狀薄膜； 在所述納米級(jí)棒狀薄膜上形成所述有機(jī)聚合物薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述無(wú)機(jī)薄膜上形成納米級(jí)棒狀薄膜包括: 采用真空蒸鍍、離子束濺射、磁控濺射沉積、或原子層沉積在所述無(wú)機(jī)薄膜形成所述納米級(jí)棒狀薄膜，其中，形成所述納米級(jí)棒狀薄膜的入射粒子流與所述無(wú)機(jī)薄膜的法線(xiàn)的夾角為40。~85。。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝方法，其特征在于，還包括:在所述有機(jī)電致發(fā)光器件上形成第二薄膜封裝層，其中，所述第二薄膜封裝層由無(wú)機(jī)薄膜和有機(jī)聚合物薄膜組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝方法，其特征在于， 所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為I~20。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝方法，其特征在于， 所述第一薄膜封裝層的層數(shù)為3~5。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝方法，其特征在于， 所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為I~20。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝方法，其特征在于， 所述第一薄膜封裝層和所述第二薄膜封裝層的層數(shù)之和為3~5。
17.根據(jù)權(quán)利要求9-16任一項(xiàng)所述的封裝方法，其特征在于， 所述無(wú)機(jī)薄膜由金屬氧化物、金屬硫化物和金屬氮化物之一形成，所述納米級(jí)棒狀薄膜由金屬氧化物、金屬硫 化物和金屬氮化物之一形成。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103972422SQ201410177534
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月29日
【發(fā)明者】閆光 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司