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有機電致發(fā)光器件的制作方法

文檔序號:7047264閱讀:115來源:國知局
有機電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件,包含陽極,陰極和一層或多層有機層,有機層至少包含一種具有如下化學式I所述結(jié)構(gòu)式的材料,采用該有機發(fā)光材料制作的有機電致發(fā)光器件具有電致發(fā)光效率良好和色純度優(yōu)異以及壽命長的優(yōu)點?;瘜W式I。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及新型的有機電子材料,可以通過真空蒸渡沉積或者旋涂成薄膜,應用 在有機電致發(fā)光二極管上,屬于有機電致發(fā)光器件領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件作為一種新型的顯示技術(shù),具有自發(fā)光、寬視角、低能耗、效率 高、薄、色彩豐富、響應速度快、適用溫度范圍廣、低驅(qū)動電壓、可制作柔性可彎曲與透明的 顯示面板以及環(huán)境友好等獨特優(yōu)點,因此,有機電致發(fā)光器件技術(shù)可以應用在平板顯示器 和新一代照明上,也可以作為IXD的背光源。
[0003] 有機電致發(fā)光器件為在兩個金屬電極之間通過旋涂或者真空蒸渡沉積一層有機 材料而制備的器件,一個經(jīng)典的三層有機電致發(fā)光器件包含空穴傳輸層,發(fā)光層和電子傳 輸層。由陽極產(chǎn)生的空穴經(jīng)空穴傳輸層跟由陰極產(chǎn)生的電子經(jīng)電子傳輸層結(jié)合在發(fā)光層 形成激子,而后發(fā)光。有機電致發(fā)光器件可以通過改變發(fā)光層的材料來發(fā)射紅光,綠光和藍 光。也可以通過在發(fā)光層進行材料搭配,使器件發(fā)射白光。
[0004] 可是,現(xiàn)在的0LED器件由于效率低,使用壽命短等因素制約其應用,因此要改善 這些條件的限制。其中,降低空穴注入/傳輸材料與發(fā)光材料之間的能壘和提到空穴傳輸 材料的熱穩(wěn)定性有助于改善0LED器件的效率和提高使用壽命。另外,由于小分子的空穴注 入/傳輸材料的溶解性比較差,只能通過蒸渡來制備器件,不利于商品化使用,因此發(fā)展良 好溶解性的高空穴遷移率的材料實現(xiàn)旋涂或者噴墨打印有利于大面積應用。
[0005] 已有使用的空穴注入材料copper phthalocyanine (CuPc),其降解慢,制備耗能 高,不利于環(huán)境保護。而常見的空穴傳輸材料為TH)和NPB,盡管具有很好的空穴遷移率,分 別是1. 0*10_3和5. NlO'mVS'但是這兩個材料的玻璃化溫度分別為65°C和98°C,其穩(wěn) 定性還是遠遠不能滿足oled的應用需求。因而,需要發(fā)展高效和穩(wěn)定性的有機電致發(fā)光材 料,才能制備聞效穩(wěn)定的有機電致發(fā)光器件。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明就是克服上面化合物的缺陷,提供一系列具有較好熱穩(wěn)定性,高空穴遷移 率和良好溶解性的空穴傳輸、注入材料,并通過這些材料制備制具有電致發(fā)光效率良好和 色純度優(yōu)異以及壽命長的有機電致發(fā)光器件。
[0007] 本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件,該器件包含陽極,陰極和一層或多層有機層。所 述有機層可以包括空穴注入層,空穴傳輸層,發(fā)光層,空穴阻擋層,電子傳輸層和電子注入 層。需要特別指出,上述有機層可以根據(jù)需要,不必每層都存在。
[0008] -種有機電致發(fā)光器件,包含陽極,陰極和一層或多層有機層,有機層中至少有一 層包含一種具有如下化學式I所述結(jié)構(gòu)式的材料:
[0009]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件,包含陽極,陰極和一層或多層有機層,有機層中至少有一層 包含一種具有如下化學式I所述結(jié)構(gòu)式的材料:
其中,Ri-R3獨立地表示為氫,氘原子,鹵素,氰基,硝基,胺基,C1-C8烷基、C1-C8烷氧 基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的芳基,C3-C30的含一個或者多個取代 基R或者未取代的含有一個或者多個的雜原子芳基,C2-C8的含一個或者多個取代基R或 者未取代的烯烷基,C2-C8的含一個或者多個取代基R取代或者未取代的炔烷基,C8-C30的 含一個或者多個取代基R取代或者未取代的二芳乙烯基,C8-C30的含一個或者多個取代基 R取代或者未取代的二芳乙炔基,三烷基硅,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代 的三芳香硅基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的二芳香氧磷基、C6-C30的 含一個或者多個取代基R或者未取代的芳香羰基、C6-C30的含一個或者多個取代基R或者 未取代的芳硫基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的芳香稠環(huán)基,C6-C30的 含雜原子的取代或者未取代的芳香稠環(huán)基,C6-C30含一個或者多個取代基R或者未取代的 咔唑基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的二芳香胺基,或者兩個R 2基團之 間形成螺結(jié)構(gòu),所述雜原子為B,0, S,N,Se ; Ari-Ar2獨立地表示為C6-C30的含有一個或者多個取代基R的芳基,含一個或者多個 取代基R或者未取代的芳香稠環(huán)基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的咔唑 基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的三芳香胺基, 其中R獨立地表示烷基,五元或六元環(huán)的芳基,烷氧基,氘,鹵素,氰基,硝基,胺基。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其中Ri-R3獨立地選自氫,鹵素、C1-C8 烷基,C6-C30的含有一個或者多個取代基R或者未取代的苯基,含有一個或者多個取代基 R或者未取代的二芳香胺基,C6-C30的含有一個或者多個取代基R或者未取代的芳香稠環(huán) 基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的咔唑基,或者兩個R 2形成螺芴結(jié)構(gòu); Ari-Ar2獨立地表示為含有一個或者多個取代基R的芳基,C6-C30的含一個或者多個取代 基R或者未取代的芳香稠環(huán)基,C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的咔唑基, C6-C30的含一個或者多個取代基R或者未取代的三芳香胺基,其中R獨立地表不燒基,五兀 或六元環(huán)的芳基,烷氧基,鹵素。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光器件,其中Ri-R3獨立地選自氫,C1-C8烷基, 一個或者多個C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、芳香基取代的或者未取代的苯基,一個或者多個 C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、芳香基取代的或者未取代的萘基,一個或者多個C1-C3烷基、 C1-C3烷氧基、芳香基取代的或者未取代的二芳香胺基,含有一個或者多個C1-C3烷基、 C1-C3烷氧基、芳香基取代或者未取代的咔唑基,或者兩個R 2基團之間形成螺結(jié)構(gòu)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件,其中Rp R2獨立地選自氫,甲基,乙基,丙 基,異丙基,丁基,叔丁基,正戊基,異戊基,正己基,異己基,環(huán)己基,正辛基,異辛基,C1-C3 烷基取代或未取代的苯基,C1-C3烷氧基取代或未取代的苯基,萘基,或者兩個R 2基團之間 形成螺結(jié)構(gòu),一個或者多個甲基、苯基取代或者未取代的二芳香胺基,一個或者多個甲基、 苯基取代或者未取代的咔唑基,&獨立地選自氫,C1-C8的烷基,C1-C3取代或者未取代的 苯基。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件,其中Rp R2獨立地選自氫,甲基,乙基,丙 基,異丙基,丁基,叔丁基,正戊基,異戊基,正己基,異己基,環(huán)己基,正辛基,異辛基,苯基, 甲苯基,其中民獨立地選自氫,C1-C3烷基,C1-C3烷基取代或未取代的苯基。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件,其中R3優(yōu)選為氫,甲基,苯基,Ri、R2獨立 地選自氫,甲基,叔丁基,苯基或者兩個R 2基團之間形成螺結(jié)構(gòu),Ari-Ar2獨立的表示為下列 表中任一基團。



8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光器件,其中Ri、R2、R3獨立地選自氫,甲基,苯基, Ar rAr2獨立的表示苯基、萘基或聯(lián)苯基。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的有機電致發(fā)光器件,所述一層或多層有機層分別為空 穴注入層,空穴傳輸層,發(fā)光層,空穴阻擋層和電子傳輸層中一種或多層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件,所述式(I)所述的材料應用于空穴注入 層,空穴傳輸層和/或發(fā)光層中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機電致發(fā)光器件,所述式(I)所述的材料作為空穴注入 材料或者空穴傳輸材料時,可以單一材料作為一層,也可以多種材料搭配組成一層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機電致發(fā)光器件,所述式(I)所述的材料作為發(fā)光層時, 可以作為單一發(fā)光層或者摻雜其他材料作為發(fā)光層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1-12所述的有機電致發(fā)光器件,所述有機層可以通過蒸渡或旋涂制 備成薄膜。
【文檔編號】H01L51/50GK104119274SQ201410169455
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月27日
【發(fā)明者】黃錦海, 蔡麗菲, 戴雷, 魯錦鴻 申請人:廣東阿格蕾雅光電材料有限公司, 北京阿格蕾雅科技發(fā)展有限公司
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