片式電子組件及其制造方法
【專利摘要】提供了一種用于片式電子組件的磁性膏組合物、一種片式電子組件及一種制造片式電子組件的方法。該片式電子組件包括：磁性體，包括絕緣基板；內(nèi)導(dǎo)體圖案，形成在絕緣基板的一個(gè)或更多個(gè)表面上。外電極形成在磁性體的外表面上并且連接到內(nèi)導(dǎo)體圖案。磁性體包括第一磁性顆粒和第二磁性顆粒。第一磁性顆粒和第二磁性由包含鐵的非晶金屬形成。第一磁性顆粒是具有15μm或更大的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的粗粉體顆粒，第二磁性顆粒是具有5μm或更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的細(xì)粉體顆粒。該片式電子組件能夠被制造在薄膜中以使其纖薄并且微型化，從而防止其即使在高頻率和高電流條件下因芯損耗而降低效率。該片式電子組件通過降低孔隙率而展示出高磁導(dǎo)率、高效率和高Isat值。
【專利說明】片式電子組件及其制造方法
[0001] 本申請(qǐng)要求于2013年7月29日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0089619號(hào) 韓國(guó)專利申請(qǐng)以及于2013年10月14日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0122004號(hào) 韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，上述專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用被包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本公開涉及一種片式電子組件，更具體地說，涉及一種設(shè)置在信息技術(shù)裝置等中 并且能夠消除噪聲的片式電子組件。

【背景技術(shù)】
[0003] 作為片式電子組件的電感器是與電阻器和電容器一起構(gòu)成電路以消除噪聲的代 表性無源元件。電感器可以被用于構(gòu)造諧振電路、濾波器電路等，通過使用電磁特性與電容 器結(jié)合放大特定頻帶中的信號(hào)。
[0004] 諸如移動(dòng)電話、筆記本PC等的數(shù)字裝置以及諸如多媒體產(chǎn)品等的各種電氣和電 子信息通信裝置的趨勢(shì)為微型化、輕質(zhì)量和纖薄。電感器也已經(jīng)迅速地演化成為小的并且 能夠被用于高密度自動(dòng)表面安裝的芯片。因此，已經(jīng)開發(fā)了一種通過在使用鍍覆工藝設(shè)置 的線圈布線上混合磁性粉體和樹脂而形成的薄膜電感器。
[0005] 除了逐漸微型化、輕質(zhì)量和纖薄的趨勢(shì)外，已經(jīng)需求一種具有高電感L或微容 (microcapacity)、高品質(zhì)因素Q、高自共振頻率（SRF)、低直流電阻（Rdc)以及高額定電流 的產(chǎn)品。
[0006] 為了從預(yù)定的單元體積獲得高電感，需要具有高磁導(dǎo)率的材料。通常，為了獲得高 磁導(dǎo)率，使用具有大顆粒尺寸的磁性物質(zhì)。
[0007] 這里，如上面提到的大的顆粒會(huì)由于隨著頻率和使用的電流變大導(dǎo)致的芯損耗而 降低效率。因此，為了防止在高頻率下效率降低，需要減小顆粒尺寸。
[0008] 然而，在使用具有小尺寸的顆粒的情況下，由于小尺寸顆粒的磁導(dǎo)率比大尺寸顆 粒的磁導(dǎo)率低，因此會(huì)降低電感。因此，必須通過增加密度來增加磁導(dǎo)率。圖1示出了根據(jù) 現(xiàn)有技術(shù)的薄膜電感器的截面圖。由于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的薄膜電感器使用具有均勻顆粒尺寸 的磁性物質(zhì)，因此其密度低且孔隙率高，從而不能獲得足夠的磁導(dǎo)率。
[0009] 第2008-166455號(hào)日本專利特開公布（JP2008-166455)公開了一種使用由顆粒 尺寸分布為5μm到30μm的金屬磁性粉體形成的磁性層的線圈設(shè)備。然而，由于根據(jù)在 JP2008-166455中公開的現(xiàn)有技術(shù)的磁性層由具有均勻顆粒尺寸的磁性物質(zhì)顆粒構(gòu)成，因 此其不會(huì)確保足夠的密度且不能充分提高磁導(dǎo)率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本公開的方面提供了一種片式電子組件及其制造方法，所述片式電子組件能夠被 制造在薄膜中以使得其厚度小并且微型化，同時(shí)通過增加密度、降低孔隙率而具有高磁導(dǎo) 率、高效率和高Isat值。 toon] 根據(jù)本公開的一方面，一種片式電子組件可以包括：磁性體，包括絕緣基板；內(nèi)導(dǎo) 體圖案，形成在絕緣基板的一個(gè)或更多個(gè)表面上。外電極形成在磁性體的外表面上并且連 接到內(nèi)導(dǎo)體圖案部。磁性體包括第一磁性顆粒和第二磁性顆粒。第一磁性顆粒和第二磁性 顆粒由包含鐵（Fe)的非晶金屬形成。第一磁性顆粒是具有15μπι或更大的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的粗 粉體顆粒，第二磁性顆粒是具有5μm或更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的細(xì)粉體顆粒。
[0012] 第一磁性顆粒和第二磁性顆粒可以由除了鐵（Fe)之外還包含至少三種金屬的非 晶金屬形成。
[0013] 第一磁性顆粒和第二磁性顆?？梢杂砂x自于由鐵（Fe)、硅（Si)、硼⑶、鉻 (Cr)、鎳（Ni)、鈷（Co)和鋁（Al)組成的組的至少三種金屬的非晶金屬形成。
[0014] 第一磁性顆粒和第二磁性顆粒可以由非晶Fe-Si-B-Cr基金屬形成。
[0015] 當(dāng)觀察磁性體的橫截面時(shí)，第一磁性顆粒與第二磁性顆粒的橫截面面積比可以為 10:1 到 18:1。
[0016] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以是第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl的4倍 到13. 5倍。
[0017] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以為18μm到22μm。
[0018] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以比第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl大 15μm至丨J18μm〇
[0019] 第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以為2μm到4μm。
[0020] 第一磁性顆粒和第二磁性顆?？梢砸?:4到8:2的重量比彼此混合。
[0021] 磁性體可以具有20%或更低的孔隙率。
[0022] 根據(jù)本公開的另一方面，一種片式電子組件的制造方法包括：在絕緣基板的一個(gè) 或更多個(gè)表面上形成內(nèi)導(dǎo)體圖案；以及通過在其上形成有內(nèi)導(dǎo)體圖案的絕緣基板的上表面 和下表面上堆疊磁性層并且按壓堆疊的磁性層來形成磁性體。在磁性體的外表面上形成外 電極，以連接到內(nèi)導(dǎo)體圖案。磁性體通過混合第一磁性顆粒和第二磁性顆粒而形成；第一磁 性顆粒和第二磁性由包含鐵（Fe)的非晶金屬形成。第一磁性顆粒是具有15μm或更大的 長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的粗粉體顆粒，第二磁性顆粒是具有5μm或更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的細(xì)粉體顆粒。
[0023] 第一磁性顆粒和第二磁性顆?？梢杂砂x自于由鐵（Fe)、硅（Si)、硼（B)、鉻 (Cr)、鎳（Ni)、鈷（Co)和鋁（Al)組成的組的至少三種金屬的非晶金屬形成。
[0024] 第一磁性顆粒和第二磁性顆?？梢杂煞蔷e-Si-B-Cr基金屬形成。
[0025] 第一磁性顆粒和第二磁性顆粒可以以6:4到8:2的重量比彼此混合。
[0026] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以是第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl的4倍 到13. 5倍。
[0027] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以為18μm到22μm。
[0028] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以比第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl大 15μm至丨J18μm〇
[0029] 第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以為2μm到4μm。
[0030]根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種片式電子組件，所述片式電子組件包括磁性 體，磁性體包括具有第一主表面和相對(duì)的第二主表面的絕緣基板。第一線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案 形成在絕緣基板的第一主表面上。第二線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案形成在絕緣基板的第二主表面 上。第一線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案和第二線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案通過絕緣基板中的導(dǎo)電通孔彼此電連 接。第一外電極形成在磁性體的第一外表面上并且連接到第一內(nèi)導(dǎo)體圖案。第二外電極形 成在磁性體的第二外表面上以與第一外電極相對(duì)。磁性體包括第一磁性顆粒和第二磁性顆 粒。第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由包含鐵（Fe)的非晶金屬形成。第一磁性顆粒的顆粒 尺寸分布D5tl是第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl的4倍到13. 5倍。
[0031] 第一磁性顆?？梢跃哂?5μm或更大的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度，第二磁性顆?？梢跃哂?μm或 更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度。
[0032] 第一線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案和第二線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案還可以包括填充有第一磁性顆 粒和第二磁性顆粒的中央芯部分。
[0033] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以為18μm到22μm。
[0034] 第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以比第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl大 15μm至丨J18μm〇
[0035] 第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布D5tl可以為2μm到4μm。
[0036] 第一磁性顆粒和第二磁性顆?？梢砸?:4到8:2的重量比彼此混合。
[0037] 磁性體可以具有20%或更低的孔隙率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038] 通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的上述和其它方面、特點(diǎn)和其它優(yōu)點(diǎn) 將被更清楚地理解。
[0039] 圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的片式電子組件的剖視圖。
[0040] 圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的透視圖。
[0041] 圖3是沿圖2中的Ι-Γ線截取的剖視圖。
[0042] 圖4A到圖4D是示意性地描述圖2中的片式電子組件的制造方法的視圖。
[0043] 圖5是使用掃描電子顯微鏡（SEM)在2000倍的放大倍率下沿寬度-厚度（W-T) 方向截取的根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的截面部分的照片。
[0044] 圖6是使用掃描電子顯微鏡（SEM)在2000倍的放大倍率下沿寬度-厚度（W-T) 方向截取的根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的片式電子組件的截面部分的照片。

【具體實(shí)施方式】
[0045] 現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)地描述本公開的示例性實(shí)施例。
[0046] 然而，本公開可以以許多不同的形式舉例說明，并且不應(yīng)被解釋為局限于這里闡 述的特定實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的，并且這些實(shí)施例 將把本公開的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0047] 在附圖中，為了清楚起見，可以夸大元件的形狀和尺寸，相同的標(biāo)號(hào)將始終用于指 示相同或相似的元件。
[0048] 片式電子纟目件
[0049] 圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的透視圖，圖3是沿圖2中的 Ι-Γ線截取的剖視圖。
[0050] 參照?qǐng)D2和圖3,以示例的方式將用于供電電路的功率線的薄膜電感器10作為片 式電子組件的例子。除了片式電感器之外，可以適當(dāng)?shù)厥褂闷酱胖?、片式濾波器等作為片 式電子組件。
[0051] 薄膜電感器10可以包括磁性體50、絕緣基板23、內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44以及外電極 80 〇
[0052] 磁性體50可以具有六面體的形狀，并且圖2中示出的L、W和T分別指的是磁性體 50的長(zhǎng)度方向、寬度方向和厚度方向。
[0053] 磁性體50可以包括沿厚度方向的兩個(gè)表面、沿長(zhǎng)度方向的兩個(gè)端表面和沿寬度 方向的兩個(gè)表面。磁性體50可以具有其長(zhǎng)度大于其寬度的矩形平行六面體的形狀。
[0054] 形成在磁性體50中的絕緣基板23的材料不受具體地限制，只要其可以通過電鍍 工藝形成內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44即可，并且絕緣基板23可以形成為包括環(huán)氧樹脂等的薄膜。
[0055] 具有線圈狀圖案的內(nèi)導(dǎo)體圖案部42可以形成在絕緣基板23的一個(gè)表面上，具有 線圈狀圖案的內(nèi)導(dǎo)體圖案部44還可以形成在絕緣基板23的另一表面上。形成在絕緣基板 23的一個(gè)表面上的內(nèi)導(dǎo)體圖案部42的一個(gè)邊緣可以沿長(zhǎng)度方向暴露于磁性體50的一個(gè)端 表面，形成在絕緣基板23的另一表面上的內(nèi)導(dǎo)體圖案部44可以沿長(zhǎng)度方向暴露于磁性體 50的另一端表面。
[0056] 另外，形成在絕緣基板23的一個(gè)表面上的內(nèi)導(dǎo)體圖案部42以及形成在絕緣基板 23的另一表面上的內(nèi)導(dǎo)體圖案部44可以通過形成在絕緣基板23中的通孔電極46彼此電 連接。
[0057] 貫穿絕緣基板23的孔可以形成在絕緣基板23的中央部分中，并且該孔可以填充 有形成磁性體從而形成芯部71的磁性物質(zhì)（諸如金屬基軟磁材料等）?？梢酝ㄟ^形成填充 有磁性物質(zhì)的芯部71而提商電感。
[0058] 外電極80可以沿長(zhǎng)度方向形成在磁性體50的兩個(gè)端表面上，以連接到內(nèi)導(dǎo)體圖 案部42和44的暴露部分。內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44、通孔電極46以及外電極80可以由具有優(yōu) 異的導(dǎo)電率的金屬形成，并且可以例如由銀（Ag)、銅（Cu)、鎳（Ni)、鋁（Al)或它們的合金形 成。
[0059] 同時(shí)，磁性體50可以包括第一磁性顆粒52和第二磁性顆粒53,并且在這種情況 下，第一磁性顆粒52和第二磁性顆粒53可以由包含鐵（Fe)的非晶（態(tài)）金屬形成。第 一磁性顆?？梢允蔷哂?5μm或更大的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的粗粉體顆粒，第二磁性顆粒可以是具有 5μm或更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的細(xì)粉體顆粒。
[0060] 參照?qǐng)D3,圖3示出了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的薄膜電感器10的剖視圖，磁性 體50可以通過混合作為粗粉體顆粒的第一磁性顆粒52和作為細(xì)粉體顆粒的第二磁性顆粒 53而形成。
[0061] 磁性體50可以通過混合具有不同顆粒尺寸分布的第一磁性顆粒52和第二磁性 顆粒53而形成，從而可以提高組件的密度，并且可以顯著提高其磁導(dǎo)率，從而使得電感和 Isat值增大。
[0062] 第一磁性顆粒52和第二磁性顆粒53可以由除了鐵（Fe)之外還包含至少三種金 屬的非晶金屬形成。
[0063] 作為粗粉體顆粒的第一磁性顆粒52和作為細(xì)粉體顆粒的第二磁性顆粒53由非晶 金屬形成，從而可以提高諸如電感等的性能。此外，在顆粒由非晶金屬形成的情況下，顆粒 可以形成為具有球形形狀，從而提高密度并降低孔隙率。
[0064]第一磁性顆粒52和第二磁性顆粒53可以由包含選自于由鐵（Fe)、硅（Si)、硼 (B)、鉻（Cr)、鎳（Ni)、鈷（Co)和鋁（Al)組成的組的至少三種金屬的非晶金屬形成，并且可 以由例如非晶Fe-Si-B-Cr基金屬形成。
[0065] 第一磁性顆粒52和第二磁性顆粒53可以由相同種類的非晶金屬形成，也可以由 不同種類的非晶金屬形成。
[0066] 第一磁性顆粒52的顆粒尺寸分布D5tl可以是第二磁性顆粒53的顆粒尺寸分布D5q 的4倍到13. 5倍。
[0067] 這里，當(dāng)使用掃描電子顯微鏡（SEM)以1000倍的放大倍率成像的圖片的每視場(chǎng)面 積為12. 5μm2時(shí)，計(jì)算出存在于與組件的橫截面對(duì)應(yīng)的面積中的磁性顆粒的顆粒尺寸并按 顆粒尺寸的遞增次序布置，然后相應(yīng)的顆粒尺寸的累積達(dá)到總視場(chǎng)的50%的級(jí)別的顆粒尺 寸被定義為顆粒尺寸分布D5tl。
[0068] 當(dāng)?shù)谝淮判灶w粒52的顆粒尺寸分布D5tl是第二磁性顆粒53的顆粒尺寸分布D5tl的 4倍到13. 5倍時(shí)，密度可以顯著提高、孔隙度降低并且磁導(dǎo)率可以增大，使得電感顯著增大 (見表3)。
[0069] 更具體地說，第一磁性顆粒52的顆粒尺寸分布D5tl可以比第二磁性顆粒53的顆粒 尺寸分布D5tl大15μm到18μm。在第一磁性顆粒52的顆粒尺寸分布D5tl和第二磁性顆粒 53的顆粒尺寸分布D5tl之間的差小于15μm或大于18μm的情況下，密度增加不顯著，從而 電感的提高會(huì)降低。
[0070] 第一磁性顆粒52的顆粒尺寸分布D5tl可以為18μm到22μm。當(dāng)?shù)谝淮判灶w粒52 的顆粒尺寸分布D5tl為18μm到22μm時(shí)，在高頻下的芯損耗會(huì)小并且可以保證高磁導(dǎo)率。 當(dāng)?shù)谝淮判灶w粒52的顆粒尺寸分布D5tl小于18μm時(shí)，不能保證足夠的磁導(dǎo)率，而當(dāng)?shù)谝淮?性顆粒52的顆粒尺寸分布D5tl大于22μm時(shí)，會(huì)顯著降低組件在高頻率和高電流條件下的 效率。
[0071] 另外，第二磁性顆粒53的顆粒尺寸分布D5tl可以為2μm到4μm。當(dāng)?shù)诙判灶w 粒53的顆粒尺寸分布D5tl為2μm到4μm時(shí)，第二磁性顆粒53可以與第一磁性顆粒52混 合，從而可以顯著提高密度，并且可以顯著提高磁導(dǎo)率。當(dāng)?shù)诙判灶w粒53的顆粒尺寸分 布D5tl小于2μm或大于4μm時(shí)，密度會(huì)無明顯提高，并且磁導(dǎo)率會(huì)降低。
[0072] 第一磁性顆粒和第二磁性顆?？梢砸?:4到8:2的重量比彼此混合，從而形成磁 性體50。
[0073] 在這種情況下，當(dāng)觀察磁性體50的橫截面時(shí)，第一磁性顆粒52 (粗粉體顆粒）與 第二磁性顆粒53(細(xì)粉體顆粒）的橫截面面積比可以為10:1到18:1。當(dāng)?shù)谝淮判灶w粒52 與第二磁性顆粒53的橫截面面積比在上述范圍內(nèi)時(shí)，密度可以顯著提高并且可以展示出 高的磁導(dǎo)率。
[0074] 根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的磁性體50可以滿足20%或更低的孔隙率。
[0075] 在顆粒尺度分布D5tl為3μm的磁性顆粒均勻地形成的情況下（對(duì)比例1)，孔隙率 的倒數(shù)（1/孔隙率）僅為62. 7 %，但是在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的顆粒尺度分布D5tl為 20μm的第一磁性顆粒與顆粒尺度分布D5tl為3μm的第二磁性顆粒以7:3的重量比混合的 情況下（發(fā)明示例5)，孔隙率的倒數(shù)為76. 1%，與對(duì)比例1相比（見表1)，提高大約14% 或更大。
[0076] 因此，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的薄膜電感器10可以提供高磁導(dǎo)率、高效率和 高的Isat值（見表2)。
[0077] 片式電子纟目件的制誥方法
[0078] 圖4A到圖4D是示意性地描述圖2中的片式電子組件的制造方法的視圖。
[0079] 參照?qǐng)D4A，在絕緣基板23的一個(gè)主表面上和另一相對(duì)的主表面上形成內(nèi)導(dǎo)體圖 案42和44?？梢允褂米鳛橛糜谟∷㈦娐钒宓闹圃旃に嚨墓に嚕ㄖT如鍍覆、蝕刻、印刷、轉(zhuǎn)印 工藝等）作為形成內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44的方法。在特定的實(shí)施例中，可以使用鍍覆來形成 具有增大的厚度的內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44。內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44可以由具有優(yōu)異的導(dǎo)電率的 金屬形成，并且可以例如由銀（Ag)、銅（Cu)、鎳（Ni)、鋁（Al)或它們的合金形成。
[0080] 孔形成在絕緣基板23的一部分中并且填充有導(dǎo)電材料，從而可以形成通孔電極 46,并且形成在絕緣基板23的一個(gè)主表面上和另一相對(duì)的主表面上的內(nèi)導(dǎo)體圖案部42和 44可以通過通孔電極46彼此電連接。
[0081] 孔70可以形成在絕緣基板23的中央部分中，以貫穿絕緣基板23。可以通過鉆孔、 激光處理、噴砂、穿孔等形成孔70,但是不限于此。
[0082] 參照?qǐng)D4B，形成在絕緣基板23的一個(gè)表面和另一表面上的內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44可 以涂覆有絕緣層27。
[0083] 接下來，參照?qǐng)D4C，可以通過在其上形成有內(nèi)導(dǎo)體圖案部42和44的絕緣基板23 的上表面和下表面上堆疊磁性層來形成磁性體50?？梢酝ㄟ^在絕緣基板23的兩個(gè)表面上 堆疊磁性層并且通過層壓或靜壓工藝按壓堆疊的磁性層來形成磁性體50。在這種情況下， 孔70可以填充有磁性物質(zhì)，從而形成芯部71。
[0084] 在這種情況下，磁性體50可以包括第一磁性顆粒和第二磁性顆粒，并且在這種情 況下，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由包含鐵（Fe)的非晶金屬形成。第一磁性顆?？梢允?具有15μm或更大的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的粗粉體顆粒，第二磁性顆?？梢允蔷哂?μm或更小的長(zhǎng)軸 長(zhǎng)度的細(xì)粉體顆粒。
[0085] 在下文中，將省略按照與前面實(shí)施例的第一磁性顆粒和第二磁性顆粒相同的方式 應(yīng)用于根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的片式電子組件的制造方法的第一磁性顆粒和第二磁 性顆粒的詳細(xì)描述。
[0086] 最后，參照?qǐng)D4D，可以通過沿長(zhǎng)度方向在磁性體50的兩個(gè)端表面上形成外電極80 來制造薄膜電感器10。外電極80可以形成為連接到內(nèi)導(dǎo)體圖案42和44的邊緣，并且可以 通過浸漬法等形成。外電極可以由具有優(yōu)異的導(dǎo)電率的金屬形成，并且可以例如由銀（Ag)、 銅（Cu)、鎳（Ni)、鋁（Al)或它們的合金形成。
[0087] 下面的表1和表2不出了根據(jù)由非晶Fe-Si-B-Cr基金屬形成的第一磁性顆粒和 第二磁性顆粒混合的重量比的薄膜電感器的孔隙率的倒數(shù)、磁導(dǎo)率以及電感值的結(jié)果。
[0088] 表 1
[0089]

【權(quán)利要求】
1. 一種片式電子組件，包括： 磁性體，包括絕緣基板； 內(nèi)導(dǎo)體圖案，形成在絕緣基板的一個(gè)或更多個(gè)表面上；W及 外電極，形成在磁性體的外表面上并且連接到內(nèi)導(dǎo)體圖案， 其中，磁性體包括第一磁性顆粒和第二磁性顆粒，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由包 含鐵的非晶金屬形成，第一磁性顆粒是具有15 y m或更大的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的粗粉體顆粒，第二 磁性顆粒是具有5 y m或更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的細(xì)粉體顆粒。
2. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由除了鐵 之外還包含至少H種金屬的非晶金屬形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由包含選 自于由鐵、娃、測(cè)、鉛、媒、鉆和鉛組成的組的至少H種金屬的非晶金屬形成。
4. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由非晶 Fe-Si-B-&基金屬形成。
5. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，當(dāng)觀察磁性體的橫截面時(shí)，第一磁性顆粒 與第二磁性顆粒的橫截面面積比為10:1到18:1。
6. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布的。是第二 磁性顆粒的顆粒尺寸分布町。的4倍到13. 5倍。
7. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布Dg。為 18 y m 至Ij 22 y m。
8. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布的。比第二 磁性顆粒的顆粒尺寸分布大15 y m到18 y m。
9. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布的。為2 y m 到 4 y m。
10. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒W 6:4到 8:2的重量比彼此混合。
11. 如權(quán)利要求1所述的片式電子組件，其中，磁性體具有20%或更低的孔隙率。
12. -種片式電子組件的制造方法，所述制造方法包括： 在絕緣基板的一個(gè)或更多個(gè)表面上形成內(nèi)導(dǎo)體圖案； 通過在其上形成有內(nèi)導(dǎo)體圖案的絕緣基板的上表面和下表面上堆疊磁性層并且按壓 堆疊的磁性層來形成磁性體；W及 在磁性體的外表面上形成外電極，W連接到內(nèi)導(dǎo)體圖案， 其中，磁性體通過混合第一磁性顆粒和第二磁性顆粒而形成，第一磁性顆粒和第二磁 性顆粒由包含鐵的非晶金屬形成，第一磁性顆粒是具有15 ym或更大的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的粗粉體 顆粒，第二磁性顆粒是具有5 y m或更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度的細(xì)粉體顆粒。
13. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由包含選自 于由鐵、娃、測(cè)、鉛、媒、鉆和鉛組成的組的至少H種金屬的非晶金屬形成。
14. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由非晶 Fe-Si-B-&基金屬形成。
15. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒W 6:4到8:2 的重量比彼此混合。
16. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布的。是第二磁 性顆粒的顆粒尺寸分布的。的4倍到13. 5倍。
17. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布的。為18 y m 到 22 y m。
18. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布Dg。比第二磁 性顆粒的顆粒尺寸分布〇5。大15 y m到18 y m。
19. 如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布町。為2 y m到 4 U m。
20. -種片式電子組件，包括： 磁性體，包括具有第一主表面和相對(duì)的第二主表面的絕緣基板； 第一線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案，形成在絕緣基板的第一主表面上； 第二線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案，形成在絕緣基板的第二主表面上，其中，第一線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖 案和第二線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案通過絕緣基板中的導(dǎo)電通孔彼此電連接； 第一外電極，形成在磁性體的第一外表面上并且連接到第一內(nèi)導(dǎo)體圖案；W及 第二外電極，形成在磁性體的第二外表面上W與第一外電極相對(duì)， 其中，磁性體包括第一磁性顆粒和第二磁性顆粒，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒由包 含鐵的非晶金屬形成，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布化。是第二磁性顆粒的顆粒尺寸 分布的4倍到13. 5倍。
21. 如權(quán)利要求20所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒具有15 ym或更大的長(zhǎng)軸 長(zhǎng)度，第二磁性顆粒具有5 y m或更小的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度。
22. 如權(quán)利要求20所述的片式電子組件，其中，第一線圈狀內(nèi)導(dǎo)體圖案和第二線圈狀 內(nèi)導(dǎo)體圖案還包括填充有第一磁性顆粒和第二磁性顆粒的中央芯部分。
23. 如權(quán)利要求21所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布化。為 18 y m 至Ij 22 y m。
24. 如權(quán)利要求21所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒的顆粒尺寸分布Dg。比第 二磁性顆粒的顆粒尺寸分布〇5。大15 y m到18 y m。
25. 如權(quán)利要求21所述的片式電子組件，其中，第二磁性顆粒的顆粒尺寸分布町。為 2 y m 至 Ij 4 y m。
26. 如權(quán)利要求21所述的片式電子組件，其中，第一磁性顆粒和第二磁性顆粒W 6:4到 8:2的重量比彼此混合。
27. 如權(quán)利要求21所述的片式電子組件，其中，磁性體具有20%或更低的孔隙率。
【文檔編號(hào)】H01F41/04GK104347228SQ201410168495
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】柳韓蔚, 黃侊煥, 李貴鍾, 李煥秀, 趙沆奎 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社