一種電子元件封裝結構及電子設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電子元件封裝結構及電子設備，電子元件封裝結構至少包括：基板，具有用于附著電子元件的設定附著區(qū)域；導電罩殼，具有頂部和朝向基板延伸的側壁，側壁靠近基板一側具有粘結端部，粘結端部通過非導電膠將導電罩殼粘結于基板上，粘結于基板上的導電罩殼圍住附著區(qū)域、并在附著區(qū)域上方構成屏蔽空間；非導電膠，位于基板與粘結端部之間，具有不小于7的介電常數(shù)，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。通過本發(fā)明提高了導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容密度，進而能夠提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，可有效減小非導電膠處縫隙天線效應輻射EMI，提升屏蔽空間的EMI屏蔽效果。
【專利說明】一種電子元件封裝結構及電子設備
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及芯片封裝【技術領域】，尤其涉及一種電子元件封裝結構及電子設備。
【背景技術】
[0002]隨著芯片集成度和速率的逐年提升，芯片產(chǎn)生的高頻EMI (ElectromagneticInterference,電磁干擾)很容易引起各種系統(tǒng)干擾和產(chǎn)品RE (Radiation Emission,福射發(fā)射)測試超標問題。
[0003]目前對芯片的封裝主要采用Lid(平板式金屬封裝蓋板)電子元件封裝結構，圖1所示為芯片Lid電子元件封裝結構的俯視圖，圖2所示為圖1所示的芯片Lid電子元件封裝結構沿A-A'方向的剖面結構示意圖。由圖1和圖2可知，通過在阻焊層3開窗，芯片(Die)I的電路接腳2與基板4連接，從而使芯片I附著在基板4上。導電罩殼5通過低DK(Dielectric Constant,介電常數(shù))的非導電膠6粘結在基板4的邊緣上,使導電罩殼5與基板之間形成一個屏蔽空間，實現(xiàn)對芯片I的應力保護。圖3所示為非導電膠6在基板上的涂覆圖形示意圖，由圖3可知，非導電膠6涂覆于基板的邊緣，并且設置有透氣孔8，透氣孔8用于屏蔽空間的透氣。進一步的，導電罩殼(Lid)5的頂部通過導熱膠7與芯片I粘結進行導熱，實現(xiàn)對芯片I的導熱。
[0004]上述采用的Lid電子元件封裝結構，導電罩殼5與基板之間設置的低DK非導電膠，使得導電罩殼相對于基板呈現(xiàn)高阻抗性，這種高阻抗性使得導電罩殼與基板之間的非導電膠縫隙成為有一個具有較大縫隙天線效應的輻射結構，該縫隙天線效應輻射結構導致導電罩殼與基板之間形成的非直接電氣連接的屏蔽空間，雖然能夠?qū)ζ鋬?nèi)部的芯片起到較好的導熱效果和應力保護，但是其對芯片產(chǎn)生的高頻EMI的屏蔽效果不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例提供一種電子元件封裝結構及電子設備，以提高EMI屏蔽效果。
[0006]第一方面，提高一種電子兀件封裝結構，包括基板、導電罩殼和非導電膠，其中:
[0007]所述基板，具有用于附著電子元件的設定附著區(qū)域；
[0008]所述導電罩殼，具有頂部和朝向所述基板延伸的側壁，所述側壁靠近所述基板一側具有粘結端部，所述粘結端部通過所述非導電膠將所述導電罩殼粘結于所述基板上，粘結于所述基板上的導電罩殼圍住所述附著區(qū)域、并在所述附著區(qū)域上方構成屏蔽空間；
[0009]所述非導電膠，位于所述基板與所述粘結端部之間，具有不小于7的介電常數(shù)，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。
[0010]結合第一方面，在第一種實現(xiàn)方式中，所述粘結端部占據(jù)所述基板面向所述導電罩殼一側的表面上、除所述附著區(qū)域以外的其它全部區(qū)域，所述非導電膠涂覆于基板上被所述粘結端部占據(jù)的全部區(qū)域。
[0011]結合第一方面或者第一方面的第一種實現(xiàn)方式，在第二種實現(xiàn)方式中，所述電子元件封裝結構還包括設置在所述基板面向所述導電罩殼一側表面的阻焊層，所述阻焊層在設置有非導電膠的位置處設置有開窗。
[0012]結合第一方面,第一方面的第一種實現(xiàn)方式或者第一方面的第二種實現(xiàn)方式,在第三種實現(xiàn)方式中，所述非導電膠具有封閉性的非導電膠圖形。
[0013]結合第一方面的第三種實現(xiàn)方式,在第四種實現(xiàn)方式中，所述導電罩殼的側壁上設置有圓形、類圓形或多邊形透氣孔。
[0014]結合第一方面，第一方面的第一種實現(xiàn)方式或者第一方面的第二種實現(xiàn)方式，在第五種實現(xiàn)方式中，所述非導電膠上設置有透氣孔，所述透氣孔在沿基板所在平面方向上的寬度不大于3mm。
[0015]結合第一方面的第五種實現(xiàn)方式，在第六種實現(xiàn)方式中，所述基板面向所述導電罩殼一側表面上設置有阻焊層，所述阻焊層在所述透氣孔設置位置處設置有開窗。
[0016]結合第一方面上述提供的各種實現(xiàn)方式中的任一種實現(xiàn)方式，在第七種實現(xiàn)方式中，所述粘結端部和所述基板之間除設置有非導電膠外，還設置有形成濾波結構的介質(zhì)結構，所述介質(zhì)結構包括電磁帶隙EBG和埋容。
[0017]結合第一方面上述提供的各種實現(xiàn)方式中的任一種實現(xiàn)方式，在第八種實現(xiàn)方式中，所述導電罩殼和所述基板之間除設置有非導電膠外，還設置有形成平面電容結構的介質(zhì)結構，所述介質(zhì)結構包括電磁帶隙EBG和埋容。
[0018]結合第一方面，在第九種實現(xiàn)方式中，所述電子元件為芯片或分立元件。
[0019]結合第一方面，在第十種實現(xiàn)方式中，所述電子元件為芯片和分立元件。
[0020]第二方面，提供一種電子設備，該電子設備包括電路板、電子元件封裝結構以及電子元件，其中:
[0021]所述電路板，具有電子電路；
[0022]所述電子封裝結構，為第一方面提供的任一種電子元件封裝結構，所述電子元件封裝結構通過基板與所述電路板電連接；
[0023]所述電子元件，附著在所述電子封裝結構的設定附著區(qū)域內(nèi)，通過所述電子封裝結構與所述電路板的電子電路電連接；
[0024]所述電子封裝結構中通過非導電膠粘結在基板上的導電罩殼對所述電子元件進行電磁干擾屏蔽。
[0025]本發(fā)明實施例提供的電子元件封裝結構及電子設備，用于將導電罩殼與基板粘結的非導電膠具有不小于7的介電常數(shù)，以及不大于0.07mm的涂覆厚度，提高了導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容密度，進而能夠提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，可有效減小非導電膠處縫隙天線效應輻射EMI，提升導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間的EMI屏蔽效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術中電子元件封裝結構的俯視圖；
[0027]圖2為現(xiàn)有技術電子元件封裝結構的剖面結構示意圖；
[0028]圖3為現(xiàn)有技術中非導電膠的涂覆圖形示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明第一實施例提供的電子元件封裝結構的俯視圖；
[0030]圖5為本發(fā)明第一實施例提供的電子元件封裝結構的剖面結構示意圖；[0031]圖6為本發(fā)明第一實施例提供的非導電膠涂覆圖形示意圖；
[0032]圖7為本發(fā)明第二實施例提供的電子元件封裝結構的俯視圖；
[0033]圖8為本發(fā)明第二實施例提供的電子元件封裝結構的剖面結構示意圖；
[0034]圖9為本發(fā)明第二實施例提供的非導電膠涂覆圖形示意圖；
[0035]圖10為本發(fā)明第三實施例提供的電子元件封裝結構的俯視圖；
[0036]圖11為本發(fā)明第三實施例提供的電子元件封裝結構的剖面結構示意圖；
[0037]圖12為本發(fā)明第三實施例提供的非導電膠涂覆圖形示意圖；
[0038]圖13為本發(fā)明第四實施例提供的電子元件封裝結構的俯視圖；
[0039]圖14為本發(fā)明第四實施例提供的電子元件封裝結構的剖面結構示意圖；
[0040]圖15為本發(fā)明第四實施例提供的非導電膠涂覆圖形示意圖。
【具體實施方式】
[0041]本發(fā)明實施例提供一種具有EMI屏蔽效果的電子元件封裝結構，通過提高導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容密度，并提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值的方式，有效減小非導電膠處縫隙天線效應輻射EMI，提升導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間的EMI屏蔽效果。
[0042]本發(fā)明實施例以下將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，并不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0043]實施例一
[0044]圖4所示為本發(fā)明實施例提供的具有EMI屏蔽效果的電子元件封裝結構的俯視圖，圖5所示為本發(fā)明實施例提供的圖4所示電子元件封裝結構在A-A'方向上的剖面結構示意圖。結合圖4和圖5可知，本發(fā)明實施例提供的電子元件封裝結構包括電子元件(芯片或分立元件)1、電路接腳2、阻焊層3、基板4、導電罩殼5、設置在基板4與導電罩殼5之間的非導電膠6，以及導熱膠7，其中:
[0045]基板4，具有用于附著電子元件的設定附著區(qū)域S，該附著區(qū)域S的大小以及形狀可以根據(jù)實際封裝的電子元件的大小和形狀進行設定，當然為了避免附著的電子元件與非導電膠6接觸，可將該附著區(qū)域S設置為稍大于電子元件的大小，使電子元件與非導電膠之間有一定的間隙，該間隙盡量的小。
[0046]導電罩殼5,具有頂部501和朝向基板延伸的側壁502,側壁靠近基板一側具有粘結端部5020，粘結端部5020通過非導電膠6將導電罩殼5粘結于基板4上，粘結于基板4上的導電罩殼5圍住基板4上設定的附著區(qū)域S，并在附著區(qū)域S上方構成屏蔽空間，以對附著在基板上的電子元件I進行應力保護。
[0047]非導電膠6，設置于基板與粘結端部之間，用于粘結導電罩殼5與基板4，并具有不小于7的介電常數(shù)，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。
[0048]本發(fā)明實施例中非導電膠6的介電常數(shù)不小于7,故本發(fā)明實施例中非導電膠6相對于傳統(tǒng)的低DK非導電膠而言為一種高DK的非導電膠，本發(fā)明實施例中采用高DK的非導電膠取代傳統(tǒng)電子元件封裝結構中的低DK非導電膠，能夠提高導電罩殼5、非導電膠6及基板4形成的平面電容結構的平面電容密度。通過本發(fā)明能夠提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，有利于提升導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間對EMI的屏蔽效果，本發(fā)明實施例中優(yōu)選非導電膠的介電常數(shù)不小于7，例如本發(fā)明實施例中非導電膠的介電常數(shù)可以是8或10。
[0049]需要說明的是，本發(fā)明實施例中圖4和圖5所示的導電罩殼5的形狀只是進行示意性說明，并不引以為限，例如還可以是如圖7和圖8所示的形狀。
[0050]進一步需要說明的是，本發(fā)明實施例中圖4和圖5中以電子元件為芯片為例進行說明，當然也可以是其它電子元件，例如電容等分立元件。
[0051]本發(fā)明實施例提供的電子元件封裝結構，設置能夠提高導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容密度的高DK非導電膠將導電罩殼和基板粘結，根據(jù)電容計算公式C= ε s/4 π kd，其中，d代表電極板的距離，s代表電極板的正對面積，ε代表介電常數(shù)，可知，本發(fā)明實施例中粘結導電罩殼與基板的高DK非導電膠，相當于使ε增大，故能夠提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，同時本發(fā)明實施例中非導電膠的涂覆厚度不大于0.07，使得導電罩殼相對于基板的寄生電感減小，進而可有效減小非導電膠處縫隙天線效應輻射ΕΜΙ，提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構形成的屏蔽空間的EMI屏蔽效果。
[0052]進一步的，本發(fā)明實施例中粘結端部占據(jù)基板面向?qū)щ娬謿ひ粋鹊谋砻嫔稀⒊街鴧^(qū)域以外的其它全部區(qū)域，非導電膠涂覆于基板上被粘結端部占據(jù)的全部區(qū)域，換言之，本發(fā)明實施例中相對傳統(tǒng)的電子元件封裝結構，增大了導電罩殼5側壁的粘結端部與基板4之間的重疊面積，且用于粘結導電罩殼5與基板4的高DK非導電膠涂覆于基板4上被粘結端部占據(jù)的全部區(qū)域，如圖6所示，圖6所示的高DK非導電膠的涂覆方式，相對傳統(tǒng)的非導電膠涂覆方式(圖3所示)，能夠增大高DK非導電膠的涂覆面積，同樣根據(jù)電容計算公式C= ε s/4 kd可知，本發(fā)明實施例中高DK非導電膠涂覆于基板4上除設定的附著區(qū)域S以外的其它全部區(qū)域上，增大了高DK非導電膠涂覆面積，進而能夠增加導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，進一步提升了導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間的屏蔽效果。
[0053]更進一步的，本發(fā)明實施例中電子元件封裝結構中還包括設置在基板面向?qū)щ娬謿ひ粋鹊谋砻娴淖韬笇?，與傳統(tǒng)的電子元件封裝結構相比，本發(fā)明實施例中阻焊層3在非導電膠涂覆區(qū)域處設置開窗，即基板上涂覆高DK非導電膠位置處的阻焊層被去除。
[0054]阻焊層3 —般為低DK的綠油阻焊層，低DK的阻焊層3設置在高DK的非導電膠位置處，會減小導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容密度，并且會增大導電罩殼粘結端部與基板之間的間距，根據(jù)電容計算公式C= ε s/4 π kd可知，設置在高DK的非導電膠位置處的阻焊層會減小導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面耦合電容值，故本發(fā)明實施例中阻焊層在非導電膠涂覆區(qū)域處開窗，能夠進一步提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，可有效減小非導電膠處縫隙天線效應輻射EMI，提升導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間的EMI屏蔽效果。
[0055]較佳的，本發(fā)明實施例中為提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，設置高DK非導電膠的涂覆厚度要求盡量的薄，如不大于0.07mm。高DK非導電膠厚度越薄，導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容密度值越大，例如本發(fā)明實施例中，若非導電膠6的介電常數(shù)為10、涂覆厚度為0.07mm，則導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的電容密度就可以超過75pF/cnT2 (75pF每平方厘米);若非導電膠的介電常數(shù)為8、涂覆厚度為0.06_，導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的電容密度也可以超過75pF/cnT2。
[0056]需要說明的是，本發(fā)明實施例中將非導電膠6的涂覆厚度設置為不大于0.07mm,能夠減小導電罩殼相對于基板的寄生電感，更為有效的減小非導電膠處縫隙天線效應輻射EMI，提升導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間的EMI屏蔽效果。
[0057]進一步的，本發(fā)明實施例中高DK非導電膠在基板上的涂覆圖形優(yōu)選封閉性導電膠圖形，可再次參閱圖6所示。本發(fā)明實施例圖6所示的高DK非導電膠的涂覆圖形與傳統(tǒng)的低DK非導電膠涂覆圖形(圖3所示)相比，本發(fā)明實施例中在非導電膠上未設置透氣孔，進而能夠避免縫隙場泄露，進一步提高導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間的EMI屏蔽效果。
[0058]較佳的，為了實現(xiàn)屏蔽空間的透氣，本發(fā)明實施例中在導電罩殼5上設置圓形透氣孔8，當然透氣孔的形狀并不限于圓形，例如還可以是類圓形透氣孔(類似圓形的透氣孔)或矩形等多邊形透氣孔。具體的，本發(fā)明實施例中在導電罩殼5的側壁處設置透氣孔8，可參閱圖4、圖5和、圖7和圖8所示。
[0059]本發(fā)明實施例中在導電罩殼5朝向基板延伸的側壁上設置透氣孔8，而非設置在導電罩殼的頂部，能夠避免設置在導電罩殼頂部的散熱器對該透氣孔設置造成影響。進一步的，本發(fā)明實施例中設置在導電罩殼5側壁位置處的透氣孔優(yōu)選圓形透氣孔或類圓形透氣孔，相對傳統(tǒng)在非導電膠上設置的長條形透氣孔，截面積較大，通風性更好，并且圓形透氣孔相比原有在非導電膠上設置的寬度比較大的透氣孔而言，縫隙場泄露較小。
[0060]實施例二
[0061]本發(fā)明實施例中基板4上設定的附著區(qū)域內(nèi)可附著芯片，也可以設置其它一些分立元件，例如電容、電阻、晶體管等電子元件。
[0062]本發(fā)明實施例中提供的電子元件封裝結構，在基板4上設定的附著區(qū)域上附著芯片、分立元件以及芯片和分立元件時的電子元件封裝結構，與上述實施例基本相同，即:非導電膠具有較高的DK值，高DK非導電膠在基板上的涂覆面積盡量大，涂覆在基板面向?qū)щ娬謿ひ粋缺砻娉街鴧^(qū)域以外的其它全部區(qū)域，厚度要求薄，并且高DK非導電膠涂覆處的阻焊層去除即阻焊層在高DK非導電膠涂覆處開窗，并采用在導電罩殼上設置較小尺寸的透氣孔，具體可參閱圖7和圖8所示。圖7為本發(fā)明實施例提供的在基板的附著區(qū)域設置芯片和分立元件的電子元件封裝結構的俯視圖，圖8所示為本發(fā)明實施例提供的圖7所示電子元件封裝結構在A-A^方向上的剖面結構示意圖。
[0063]本發(fā)明實施例以下對在基板4上設定的附著區(qū)域內(nèi)附著芯片和分立元件的電子元件封裝結構進行簡單說明。
[0064]圖8所示為本發(fā)明實施例中在附著區(qū)域內(nèi)除設置了芯片以外，還設置了其它分立元件的電子元件封裝結構的剖面示意圖，圖8中透氣孔8設置在導電罩殼5上，標號9表示設置的分立元件。本發(fā)明實施例中在附著區(qū)域內(nèi)設置了分立元件9的電子元件封裝結構，與未設置分立元件的電子元件封裝結構相比，導電罩殼5與基板4之間形成的屏蔽空間變大，并且高DK非導電膠的涂覆圖形也由規(guī)則的幾何圖形變成了圖9所示的不規(guī)則幾何圖形，具體可參閱圖9所示，圖9所示為本發(fā)明實施例提供的在附著區(qū)域內(nèi)設置了其它分立元件時高DK非導電膠的涂覆圖形。
[0065]本發(fā)明實施例提供的具有EMI屏蔽效果的電子元件封裝結構，不僅能夠適用于單獨芯片的封裝，還可適用于包括分立元件和多芯片的混合封裝，適用范圍較廣。
[0066]更進一步的，本發(fā)明實施例中還可在導電罩殼5的粘結端部與基板4之間設置除非導電膠以外的其它形成濾波結構的介質(zhì)結構，形成該濾波結構的介質(zhì)結構可以是EBG(Electromagnetic Band gap,電磁帶隙)和埋容等，當然本發(fā)明實施例中形成濾波結構的介質(zhì)結構并不限于EBG和埋容。
[0067]當然，本發(fā)明實施例中在導電罩殼的粘結端部與基板之間除設置非導電膠以外，還可設置形成平面電容結構的其它介質(zhì)結構，該介質(zhì)結構可以是EBG (ElectromagneticBand gap,電磁帶隙)和埋容等，當然本發(fā)明實施例中形成平面電容結構的介質(zhì)結構并不限于EBG和埋容。
[0068]實施例三
[0069]本發(fā)明實施例中為保證工藝可靠性，可將透氣孔8保留在高DK非導電膠上，即在高DK非導電膠上設置透氣孔,可參閱圖10和圖11所示。圖10所示為本發(fā)明實施例中透氣孔設置在高DK非導電膠上的電子元件封裝結構的俯視圖，圖11所示為圖10所示的電子元件封裝結構在A-A^方向的剖面結構示意圖。
[0070]具體的，本發(fā)明實施例中涉及的電子元件封裝結構與上述實施例的不同之處在于透氣孔的設置位置，本發(fā)明實施例以下僅就不同之處進行說明，其它相同或相似之處在此不再贅述，可參閱對圖4和圖5所示的電子元件封裝結構的描述。
[0071 ] 本發(fā)明實施例中設置在高DK非導電膠上的透氣孔8在沿基板所在平面方向上的寬度優(yōu)選不大于3mm，以在保證工藝可靠性的基礎上，減小縫隙場泄露。
[0072]進一步的，本發(fā)明實施例中為了增加透氣孔8的透氣性，設置在基板上的阻焊層3在透氣孔設置位置處開窗，如圖12所示，圖12為本發(fā)明實施例提供的在高DK非導電膠上設置較小的透氣孔的非導電膠涂覆圖形，非導電膠上設置有較小的透氣孔，故非導電膠的涂覆圖形為非封閉圖形。
[0073]本發(fā)明實施例提供的電子元件封裝結構，在高DK的非導電膠上設置較小的透氣孔8，可在原有制作工藝基礎上設置較小的透氣孔，工藝改造較小，能夠提高工藝的可靠性。
[0074]實施例四
[0075]本發(fā)明實施例中基板4上設定的附著區(qū)域內(nèi)可附著芯片，也可以設置一些分立元件，例如電容、電阻、晶體管等電子元件，還可以附著芯片和分立元件。本發(fā)明實施例中提供的電子元件封裝結構，對于附著芯片、分立元件或者芯片和分立元件的電子元件封裝結構，與上述實施例基本相同，即:非導電膠具有較高的DK值，高DK非導電膠涂覆在基板上的涂覆面積盡量大，涂覆在除附著區(qū)域以外的其它全部區(qū)域，厚度要求薄，并且高DK非導電膠涂覆處的阻焊層去除即阻焊層在高DK非導電膠涂覆處開窗，并采用在非導電膠上設置較小尺寸的透氣孔，可參閱圖13和圖14所示。圖13為本發(fā)明實施例提供的在基板的附著區(qū)域設置芯片和分立元件的電子元件封裝結構的俯視圖，圖14所示為本發(fā)明實施例提供的圖13所示電子元件封裝結構在A-A'方向上的剖面結構示意圖。
[0076]具體的，本發(fā)明實施例以在基板4上設定的附著區(qū)域內(nèi)附著有芯片和分立元件的電子元件封裝結構進行簡單說明。
[0077]圖14所示為本發(fā)明實施例中在附著區(qū)域內(nèi)除設置了芯片以外，還設置了分立元件的電子元件封裝結構的剖面示意圖，圖14中標號I表示設置的芯片，標號9表示設置的分立元件，并且透氣孔8設置在非導電膠6上。本發(fā)明實施例中在附著區(qū)域內(nèi)設置了芯片和分立元件9的電子元件封裝結構，與只設置一種電子元件的電子元件封裝結構相比，高DK非導電膠的涂覆圖形由圖12所示的規(guī)則的幾何圖形變成了圖15所示的不規(guī)則幾何圖形，具體可參閱圖15所示，本發(fā)明實施例在此不再贅述，圖15為本發(fā)明實施例提供的在非導電膠上設置過孔并在附著區(qū)域附著有分立元件和芯片時非導電膠的涂覆圖形。
[0078]本發(fā)明實施例提供的電子元件封裝結構，適用于封裝只附著芯片的電子元件封裝結構，也可適用于，還可適用于包括分立元件和多芯片的混合封裝，適用范圍較廣。
[0079]更進一步的，本發(fā)明實施例中還可在導電罩殼5與基板4之間設置除非導電膠以外的其它形成濾波結構的介質(zhì)結構，形成該濾波結構的介質(zhì)結構可以是EBG(Electromagnetic Band gap,電磁帶隙)和埋容等，當然本發(fā)明實施例中形成濾波結構的介質(zhì)結構并不限于EBG和埋容。
[0080]當然，本發(fā)明實施例中在導電罩殼的粘結端部與基板之間除設置非導電膠以外，還可設置形成平面電容結構的其它介質(zhì)結構，該介質(zhì)結構可以是EBG (ElectromagneticBand gap,電磁帶隙)和埋容等，當然本發(fā)明實施例中形成平面電容結構的介質(zhì)結構并不限于EBG和埋容。
[0081]本發(fā)明實施例中提供的電子元件封裝結構采用高DK的非導電膠，相對摻雜導電材料形成的導電膠，成本較低。進一步的，在電子元件封裝結構組裝過程中，導電膠內(nèi)部易出現(xiàn)斷裂分層，引起屏蔽空間的屏蔽效果急劇下降，最終導致產(chǎn)品不良率增加，但對于本發(fā)明采用的非導電膠，即使非導電膠內(nèi)部出現(xiàn)斷裂分層，對屏蔽空間的EMI屏蔽效果也不會出現(xiàn)影響，進而提聞了廣品良率。
[0082]實施例五
[0083]基于上述實施例提供的電子元件封裝結構，本發(fā)明實施例還提供一種電子設備，該電子設備包括具有電子電路的電路板、電子元件封裝結構以及電子元件。
[0084]本發(fā)明實施例中電子封裝結構，為實施例涉及的任一種電子元件封裝結構，該電子元件封裝結構通過基板與電路板電連接。電子元件附著在電子封裝結構的設定附著區(qū)域內(nèi)，通過電子封裝結構與電路板的電子電路電連接。
[0085]具體的，本發(fā)明實施例中提供的電子設備中的電子元件封裝結構為本發(fā)明上述實施例中涉及的任一種電子元件封裝結構，通過本發(fā)明實施例提供的電子元件封裝結構將需要封裝的電子元件封裝到電路板上，實現(xiàn)電子元件與電子電路的連接，并能夠通過電子元件封裝結構的導電罩殼對電子元件實現(xiàn)應力保護以及較好的EMI屏蔽。
[0086]需要說明的是，本發(fā)明實施例中提供的電子設備與現(xiàn)有電子設備的不同之處在于電子元件封裝結構的不同，對于其它結構結合具體的應用環(huán)境具有其特定的結構，與現(xiàn)有技術中相應電子設備的結構相同，在此不再贅述。
[0087]進一步的，本發(fā)明實施例中提供的電子元件封裝結構可以對多種類型的電子元件進行封裝，本發(fā)明實施例中該電子元件可以是芯片，當然也可以是電容、電阻、晶體管等其它分立元件，當然也可以是芯片與分立元件的組合封裝。[0088]本發(fā)明實施例提供的具有EMI屏蔽效果的電子元件封裝結構，不僅能夠適用于單獨芯片的封裝，還可適用于包括分立元件和多芯片的混合封裝，適用范圍較廣。
[0089]本發(fā)明實施例中提供的電子設備的電子元件封裝結構中采用高DK的非導電膠，提高了導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容密度，進而能夠提升導電罩殼、非導電膠及基板形成的平面電容結構的平面電容值，可有效減小非導電膠處縫隙天線效應輻射EMI，提升導電罩殼與基板之間形成的屏蔽空間的EMI屏蔽效果。進一步的，本發(fā)明實施例中采用高DK非導電膠相對摻雜導電材料形成的導電膠，成本較低。更進一步的，在電子元件封裝結構組裝過程中，導電膠內(nèi)部易出現(xiàn)斷裂分層，引起屏蔽空間的屏蔽效果急劇下降，最終導致產(chǎn)品不良率增加，但對于本發(fā)明采用的非導電膠，即使非導電膠內(nèi)部出現(xiàn)斷裂分層，對屏蔽空間的EMI屏蔽效果也不會出現(xiàn)影響，進而提高了產(chǎn)品良率。
[0090]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權利要求】
1.一種電子元件封裝結構，其特征在于，所述電子元件封裝結構至少包括基板、導電罩殼和非導電膠，其中: 所述基板，具有用于附著電子元件的設定附著區(qū)域； 所述導電罩殼，具有頂部和朝向所述基板延伸的側壁，所述側壁靠近所述基板一側具有粘結端部，所述粘結端部通過所述非導電膠將所述導電罩殼粘結于所述基板上，粘結于所述基板上的導電罩殼圍住所述附著區(qū)域、并在所述附著區(qū)域上方構成屏蔽空間； 所述非導電膠，位于所述基板與所述粘結端部之間，具有不小于7的介電常數(shù)，以及不大于0.07mm的涂覆厚度。
2.如權利要求1所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述粘結端部占據(jù)所述基板面向所述導電罩殼一側的表面上、除所述附著區(qū)域以外的其它全部區(qū)域，所述非導電膠涂覆于基板上被所述粘結端部占據(jù)的全部區(qū)域。
3.如權利要求1或2所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述電子元件封裝結構還包括設置在所述基板面向所述導電罩殼一側表面的阻焊層； 所述阻焊層在設置有非導電膠的位置處設置有開窗。
4.如權利要求1-3任一項所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述非導電膠具有封閉性的非導電膠圖形。
5.如權利要求4所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述導電罩殼的側壁上設置有圓形、類圓形或多邊形透氣孔。
6.如權利要求1-3任一項所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述非導電膠上設置有透氣孔； 所述透氣孔在沿基板所在平面方向上的寬度不大于3mm。
7.如權利要求6所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述基板面向所述導電罩殼一側表面上設置有阻焊層，所述阻焊層在所述透氣孔設置位置處設置有開窗。
8.如權利要求1-7任一項所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述粘結端部和所述基板之間除設置有非導電膠外，還設置有形成濾波結構的介質(zhì)結構，所述介質(zhì)結構包括電磁帶隙EBG和埋容。
9.如權利要求1-7任一項所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述粘結端部和所述基板之間除設置有非導電膠外，還設置有形成平面電容結構的介質(zhì)結構，所述介質(zhì)結構包括電磁帶隙EBG和埋容。
10.如權利要求1所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述電子元件為芯片或分立元件。
11.如權利要求1所述的電子元件封裝結構，其特征在于，所述電子元件為芯片和分立元件。
12.一種電子設備，其特征在于，包括電路板、電子元件封裝結構以及電子元件，其中: 所述電路板，具有電子電路； 所述電子封裝結構，為權利要求1-11任一項所述的電子元件封裝結構，所述電子元件封裝結構通過基板與所述電路板電連接； 所述電子元件，附著在所述電子封裝結構的設定附著區(qū)域內(nèi)，通過所述電子封裝結構的基板與所述電路板的電子電路電連接；所述電子封裝結構中通過非導電膠粘結在基板上的導電罩殼對所述電子元件進行電磁干擾屏蔽。
13.如權利要求12所述的電子設備，其特征在于，所述電子元件為芯片或分立元件。
14.如權利要求12 所述的電子設備，其特征在于，所述電子元件為芯片和分立元件。
【文檔編號】H01L23/00GK103943610SQ201410152507
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月16日 優(yōu)先權日:2014年4月16日
【發(fā)明者】虞學犬, 楊林, 白亞東 申請人:華為技術有限公司