半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，其包括：襯底上的柵極；沿著柵極的側(cè)壁和底表面的柵極絕緣層；以及柵極的兩個(gè)側(cè)壁上的L形隔離物結(jié)構(gòu)。一種結(jié)構(gòu)將柵極與源極/漏極區(qū)之間的距離延伸至柵極的任一側(cè)。
【專利說明】半導(dǎo)體器件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年7月12日提交于韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請(qǐng)N0.10-2013-0082307的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容全文以引用方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0004]隨著電子產(chǎn)品的尺寸持續(xù)減小以在越來越小的封裝件中遞送越來越多的特征和性能，這種產(chǎn)品采用的電子器件的特征尺寸自然也減小。當(dāng)金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的尺寸減小時(shí)，它們的柵極長(zhǎng)度和柵極下方的溝道長(zhǎng)度減小，并且不幸的是，它們的操作特征會(huì)由于例如柵極和溝道之間減小的電容而變差。
[0005]提高M(jìn)OS器件的性能并且同時(shí)減小特征尺寸的一個(gè)方法是用具有高介電常數(shù)的材料替代用于柵極絕緣層的更常規(guī)的二氧化硅層，以減小器件的柵電極與溝道區(qū)之間的漏電流。另外，因?yàn)橥ǔＳ米鳀烹姌O材料的多晶硅具有相對(duì)高的電阻，所以可使用金屬電極代替多晶硅電極。
[0006]還可使用采用三維(3D)溝道的多柵極晶體管以增大器件密度。這種器件可在襯底上形成鰭部或納米線形狀的硅體，其中例如硅體表面上具有柵極。這種器件可提供例如改進(jìn)的電流控制并抑制短溝道效應(yīng)(SCE)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件，包括:襯底上的柵極；沿著柵極的側(cè)壁和底表面的柵極絕緣層；以及柵極的兩個(gè)側(cè)壁上的L形的隔離物結(jié)構(gòu)，其中隔離物結(jié)構(gòu)包括沿著柵極的側(cè)壁的第一部分和連接至第一部分并沿著襯底的頂表面的第二部分，第二部分延伸超出沿著柵極的側(cè)壁的第一部分。
[0008]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，柵極的頂表面和第一部分的頂表面設(shè)置在同一平面上。
[0009]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，隔離物結(jié)構(gòu)的第一部分的寬度不變。
[0010]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，隔離物結(jié)構(gòu)包括依次疊置的第一至第η隔離物，并且η表示大于或等于“2”的自然數(shù)。
[0011]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在隔離物結(jié)構(gòu)中設(shè)置在最外側(cè)部分處的第η隔離物按照L形設(shè)置。
[0012]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一至第η隔離物中的每一個(gè)按照L形設(shè)置。
[0013]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，隔離物結(jié)構(gòu)直接接觸層間絕緣層，并且層間絕緣層直接接觸隔離物結(jié)構(gòu)的第一部分的側(cè)壁和第二部分的頂表面。
[0014]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，層間絕緣層包括沿著隔離物結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和提升的源極/漏極的頂表面形成的鈍化層。
[0015]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，低摻雜的漏極(LDD)區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體器件的隔離物結(jié)構(gòu)的下部中。
[0016]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件包括:提升的源極/漏極，其在位于柵極的兩側(cè)上的鰭部中，并接觸隔離物結(jié)構(gòu)。
[0017]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括:第一插塞摻雜物區(qū)，其延伸至提升的源極的內(nèi)側(cè)和隔離物結(jié)構(gòu)的下部；以及第二插塞摻雜物區(qū)，其形成在提升的漏極中。
[0018]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括不與隔離物結(jié)構(gòu)重疊的第二插塞摻雜物。
[0019]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，通過傾斜注入工藝形成第一插塞摻雜物區(qū)和第二插塞摻雜物區(qū)。
[0020]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括隔離物結(jié)構(gòu)與柵極之間的內(nèi)隔離物。
[0021]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，內(nèi)隔離物具有斜切的I形。
[0022]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括:沿著第一方向延伸的鰭部；沿著與第一方向不同的第二方向在鰭部上延伸的金屬柵極；以及金屬柵極的每個(gè)側(cè)壁上的L形的隔離物結(jié)構(gòu)，隔離物結(jié)構(gòu)的下部延伸部分延伸遠(yuǎn)離金屬柵極，其中金屬柵極的頂表面和隔離物結(jié)構(gòu)的頂表面設(shè)置在同一平面上。
[0023]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括:襯底，在該襯底上限定了第一區(qū)和第二區(qū)；第一晶體管，其在第一區(qū)上，并包括第一柵極和位于第一柵極的每一側(cè)上的L形的第一隔離物結(jié)構(gòu)；以及第二晶體管，其在第二區(qū)上，并包括第二柵極和位于第二柵極的每一側(cè)上的第二隔離物結(jié)構(gòu)。
[0024]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一隔離物結(jié)構(gòu)包括沿著第一柵極的側(cè)壁的第一部分和從第一部分延伸遠(yuǎn)離第一柵極的第二部分。
[0025]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一晶體管包括形成在第一柵極的每一側(cè)上的第一提升的源極/漏極，第二晶體管還包括形成在第二柵極的每一側(cè)上的第二提升的源極/漏極，并且從第一柵極的側(cè)壁至第一提升的源極/漏極的第一距離和從第二柵極的側(cè)壁至第二提升的源極/漏極的第二距離彼此不同。
[0026]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一晶體管包括形成在第一柵極的每一側(cè)上的第一提升的源極/漏極，第二晶體管還包括形成在第二柵極的每一側(cè)上的第二提升的源極/漏極，并且從第一柵極的側(cè)壁至第一提升的源極/漏極的第一距離和從第二柵極的側(cè)壁至第二提升的源極/漏極的第二距離彼此不同，其中第一距離大于第二距離。
[0027]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括:襯底，在該襯底上限定了第一區(qū)和第二區(qū)；第一晶體管，其在第一區(qū)中，并構(gòu)造為通過第一驅(qū)動(dòng)電壓工作；以及第二晶體管，其在第二區(qū)中，并構(gòu)造為通過小于第一驅(qū)動(dòng)電壓的第二驅(qū)動(dòng)電壓工作，其中第一晶體管形成在第一區(qū)中，并包括第一柵極、位于第一柵極的每一側(cè)上的第一提升的源極/漏極和在第一提升的源極/漏極中傾斜的第一插塞摻雜物區(qū)，并且第二晶體管形成在第二區(qū)上，并包括第二柵極、位于第二柵極的每一側(cè)上的第二提升的源極/漏極和在第二提升的源極/漏極中不傾斜的第二插塞摻雜物區(qū)。
[0028]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括:襯底，在該襯底上限定了第一區(qū)和第二區(qū)；第一晶體管，其在第一區(qū)中，并構(gòu)造為通過第一驅(qū)動(dòng)電壓工作；以及第二晶體管，其在第二區(qū)中，并構(gòu)造為通過小于第一驅(qū)動(dòng)電壓的第二驅(qū)動(dòng)電壓工作，其中第一晶體管包括第一柵極、位于第一柵極的每一側(cè)上的第一隔離物結(jié)構(gòu)和設(shè)置在第一柵極與第一隔離物之間的內(nèi)隔離物，并且第二晶體管包括第二柵極、位于第二柵極的每一側(cè)上的第二隔離物結(jié)構(gòu)。
[0029]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括步驟:形成沿著第一方向延伸的鰭部；在鰭部上形成沿著與第一方向不同的第二方向延伸的犧牲柵極；在犧牲柵極的每個(gè)側(cè)壁和鰭部的頂表面上形成隔離物結(jié)構(gòu)；通過去除隔離物結(jié)構(gòu)的一部分和鰭部的一部分在鰭部中形成溝槽，其中將剩余隔離物按照L形設(shè)置；以及在溝槽中形成提升的源極/漏極。
[0030]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種形成半導(dǎo)體器件的方法包括步驟:提供在其上限定了第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)的襯底；在第一區(qū)上形成高電壓第一導(dǎo)電類型的第一柵極，在第二區(qū)上形成常規(guī)電壓第一導(dǎo)電類型的第二柵極，并且在第三區(qū)上形成常規(guī)電壓第二導(dǎo)電類型的第三柵極；沿著第一柵極的頂表面和側(cè)壁、第二柵極的頂表面和側(cè)壁以及第三柵極的頂表面和側(cè)壁形成隔離物絕緣層；利用構(gòu)造為覆蓋第一區(qū)和第二區(qū)并暴露第三區(qū)的第一掩模在第三區(qū)上的第三柵極的兩側(cè)上形成第三溝槽；以及利用構(gòu)造為覆蓋第三區(qū)并暴露第一區(qū)和第二區(qū)的一部分的第二掩模在第一區(qū)上的第一柵極的兩側(cè)上形成第一溝槽并且在第二區(qū)上的第二柵極的兩側(cè)上形成第二溝槽。
[0031]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種形成半導(dǎo)體器件的方法包括步驟:形成覆蓋第一柵極并覆蓋構(gòu)造為在第一區(qū)上接觸襯底的隔離物絕緣層的一部分的第二掩模。
[0032]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括:襯底上的金屬柵極；形成在金屬柵極的任一側(cè)上的提升的源極/漏極區(qū)；延伸結(jié)構(gòu)，其將金屬柵極與提升的源極/漏極區(qū)之間的距離延伸，所述距離大于處理層厚度。
[0033]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，延伸結(jié)構(gòu)包括在柵極的兩個(gè)側(cè)壁上的L形的隔離物結(jié)構(gòu)，隔離物結(jié)構(gòu)包括沿著柵極的側(cè)壁的第一部分和連接至第一部分并沿著襯底的頂表面的第二部分，所述第二部分延伸遠(yuǎn)離柵極的側(cè)壁。
[0034]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括位于提升的源極/漏極區(qū)的側(cè)部上的摻雜物插塞區(qū)。
[0035]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括摻雜物插塞區(qū)，其中摻雜物插塞區(qū)是傾斜的注入摻雜物插塞區(qū)。
[0036]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，一種便攜式電子裝置包括半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括:襯底上的金屬柵極；形成在金屬柵極的任一側(cè)上的提升的源極/漏極區(qū)；延伸結(jié)構(gòu)，其將金屬柵極與提升的源極/漏極區(qū)之間的距離延伸，所述距離大于處理層厚度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，圖中:
[0038]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I的透視圖；
[0039]圖2是沿著圖1的線A-A截取的剖視圖；
[0040]圖3是沿著圖1的線B-B截取的剖視圖；
[0041]圖4是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件2的剖視圖；
[0042]圖5是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件3的剖視圖；
[0043]圖6是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件4的剖視圖；
[0044]圖7是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件5的剖視圖；
[0045]圖8是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件6的剖視圖；
[0046]圖9A是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件7的剖視圖；
[0047]圖9B是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第7b示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件7b的剖視圖；
[0048]圖10是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件8的剖視圖；
[0049]圖11是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件9的剖視圖；
[0050]圖12是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的剖視圖；
[0051]圖13A是描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件11的首丨J視圖;
[0052]圖13B是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)1100的框圖；
[0053]圖14至圖23是示出用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件8的制造方法的中間操作的剖視圖；
[0054]圖24和圖25是示出用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的制造方法的中間操作的剖視圖；以及
[0055]圖26至圖31是示出用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件11的制造方法的中間操作的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0056]下文中將參照其中示出了示例性實(shí)施例的附圖更加全面地描述多個(gè)示例性實(shí)施例。然而，示例性實(shí)施例可按照許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)構(gòu)造為限于本文闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例以使得本公開將是徹底的，并且將把示例性實(shí)施例的范圍傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，可夸大層和區(qū)的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0057]應(yīng)該理解，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q作“位于”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接至”或“結(jié)合至”另一元件或?qū)訒r(shí)，所述一個(gè)元件或?qū)涌芍苯印拔挥凇绷硪辉驅(qū)印吧稀?、“連接至”或“結(jié)合至”另一元件或?qū)?，或者也可存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)一個(gè)元件被稱作“直接位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接結(jié)合至”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在中間元件或?qū)?。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同元件。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)之一或多個(gè)的任何和所有組合。除非另外指明，否則將按照包括的含義來使用術(shù)語“或”。
[0058]應(yīng)該理解，雖然本文中可使用術(shù)語例如第一、第二、第三來描述多個(gè)元件、組件、區(qū)、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)、層或部分與另一區(qū)、層或部分區(qū)分開。這樣，下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)、第一層或第一部分可被稱作第二元件、第二組件、第二區(qū)、第二層或第二部分，而不脫離示例性實(shí)施例的教導(dǎo)。
[0059]為了方便描述，本文中可使用諸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……之上”、“上”等的空間相對(duì)術(shù)語，以描述附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解，空間相對(duì)術(shù)語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的除圖中所示的取向之外的不同取向。例如，如果圖中的裝置顛倒，則被描述為“在其它元件之下”或“在其它元件下方”的元件將因此被取向?yàn)椤霸谄渌蛱卣髦稀?。這樣，示例性術(shù)語“在……之下”可涵蓋“在……之上”和“在……之下”這兩個(gè)取向。裝置可按照其它方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或位于其它取向)，并且本文所用的空間相對(duì)描述語將相應(yīng)地解釋。
[0060]本文所用的術(shù)語僅是為了描述特定示例性實(shí)施例，并且不旨在限制示例性實(shí)施例。如本文所用，除非上下文另外明確地指出，否則單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解，術(shù)語“包括”當(dāng)用于本說明書中時(shí)，指明存在所列特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0061]本文參照作為理想示例性實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述示例性實(shí)施例。這樣，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)見附圖中的形狀的變化。這樣，示例性實(shí)施例不應(yīng)被構(gòu)造為限于本文示出的區(qū)的具體形狀，而是包括例如由制造工藝導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示為矩形的注入?yún)^(qū)將通常具有圓形或彎曲特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度，而非從注入?yún)^(qū)至非注入?yún)^(qū)二值變化。同樣地，通過注入形成的掩埋區(qū)可在掩埋區(qū)與通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)中導(dǎo)致一些注入。這樣，圖中示出的區(qū)實(shí)際上是示意性的，并且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)的實(shí)際形狀，并且不旨在限制示例性實(shí)施例的范圍。
[0062]除非另外限定，否則本文中使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與示例性實(shí)施例所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)該理解，諸如在通用詞典中定義的那些術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)的上下文中的含義一致的含義，而不應(yīng)該理想化地或過于正式地解釋它們，除非本文中明確地進(jìn)行了定義。
[0063]下文中，將參照附圖詳細(xì)解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例。
[0064]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的半導(dǎo)體器件I的示例性實(shí)施例的透視圖，圖2是沿著圖1的線A-A截取的剖視圖，以及圖3是沿著圖1的線B-B截取的剖視圖。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理，圖1的半導(dǎo)體器件I可為高電壓晶體管。
[0065]參照?qǐng)D1至圖3，半導(dǎo)體器件I可包括襯底100、場(chǎng)絕緣層110、第一柵極絕緣層141、142和145、第一金屬柵極147、第一隔離物結(jié)構(gòu)120，層間絕緣層171、172和173以及第一提升的源極/漏極161和162。
[0066]襯底100 可包括選自包括 S1、Ge、SiGe, GaP、GaAs, SiC, SiGeC, InAs 和 InP 的組中的至少一種半導(dǎo)體材料。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理，可使用絕緣體上硅(SOI)襯底?？商鎿Q地，襯底100可例如為II1-V族襯底。
[0067]第一鰭部Fl可沿著第二方向Y延伸和伸長(zhǎng)。第一鰭部Fl可為襯底100的一部分，并且可例如包括從襯底100生長(zhǎng)的外延層。
[0068]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，場(chǎng)絕緣層110可形成在襯底100上，并且可通過疊置至少兩個(gè)絕緣層形成場(chǎng)絕緣層110。例如，場(chǎng)絕緣層110可形成為包圍第一鰭部Fl的側(cè)壁的下部，并可暴露第一鰭部Fl的側(cè)壁的上部。
[0069]第一金屬柵極147可形成在第一鰭部Fl上以橫越第一鰭部Fl。第一金屬柵極147可沿著第一方向X延伸。第一金屬柵極147可包括例如依次疊置的功函數(shù)調(diào)整層、粘合劑層和密封柵極圖案。功函數(shù)調(diào)整層用于通過調(diào)整晶體管的功函數(shù)來調(diào)整晶體管的操作特性。例如，N型功函數(shù)調(diào)整層可包括選自包括TiAl、TiAlC、TiAlN、TaC、TiC和HfSi的組的材料。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，N型功函數(shù)調(diào)整層可包括例如TiAlC層。粘合劑層可包括TiN和Ti中的至少一個(gè)。P型功函數(shù)調(diào)整層可包括例如TiN。密封柵極圖案可包括選自Al、W和Ti的材料。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。第一金屬柵極147可通過例如置換工藝制造。
[0070]第一柵極絕緣層141、142和145可設(shè)置在第一金屬柵極147與第一鰭部Fl之間。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件I是高電壓晶體管，結(jié)果，第一柵極絕緣層141、142和145的厚度設(shè)計(jì)為能夠忍受高電壓。例如，犧牲絕緣層141和界面層142可為二氧化硅層，并且高介電層145可為與二氧化硅層相比具有高介電常數(shù)的高介電(高k)材料。高介電層145可包括例如選自包括Hf02、Zr02、Ta205、Ti02、SrT1jP (Ba、Sr)T13的組的材料。犧牲絕緣層141和界面層142可形成在第一鰭部Fl的頂表面上，高介電層145可形成在第一金屬柵極147的側(cè)壁上以及第一鰭部Fl的頂表面上。
[0071]第一提升的源極/漏極161和162可例如在第一金屬柵極147的兩端設(shè)置在第一鰭部Fl中，并且第一提升的源極/漏極161和162和第一金屬柵極147可通過隔離物結(jié)構(gòu)120彼此絕緣。第一提升的源極/漏極161和162可接觸隔離物結(jié)構(gòu)120。
[0072]在圖3中，雖然第一提升的源極/漏極161和162的頂表面示為低于隔離物結(jié)構(gòu)120的第二部分120b的頂表面，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第一提升的源極/漏極161和162的頂表面可與第二部分120b的頂表面設(shè)置在同一平面上，或者高于第二部分120b的頂表面。
[0073]在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I是N型晶體管的示例性實(shí)施例中，第一提升的源極/漏極161和162可包括拉應(yīng)力材料，并且第一提升的源極/漏極161和162的源極和漏極可為與襯底100相同的材料或拉應(yīng)力材料。例如，當(dāng)襯底100為Si時(shí)，源極和漏極可為Si或可為晶格常數(shù)比Si的晶格常數(shù)更小的材料(例如，SiC)。
[0074]可替換地，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I是P型晶體管的示例性實(shí)施例中，第一提升的源極/漏極161和162可包括壓應(yīng)力材料。例如，壓應(yīng)力材料可為晶格常數(shù)比Si的晶格常數(shù)大的材料，諸如SiGe。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，壓應(yīng)力材料可通過將壓應(yīng)力施加至第一鰭部Fl來提高溝道區(qū)中的載流子的遷移率。
[0075]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一隔離物結(jié)構(gòu)120可形成在第一金屬柵極147的側(cè)壁上，并且按照L形結(jié)構(gòu)設(shè)置。
[0076]第一隔離物結(jié)構(gòu)120可包括沿著第一金屬柵極147的側(cè)壁形成的第一部分120a和連接至第一部分120a并且沿著第一鰭部Fl的頂表面形成的第二部分120b。
[0077]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一部分120a的寬度可以是均勻的。也就是說，可不斜切第一部分120a。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在第一部分120a中，鄰近第一金屬柵極147的上部的區(qū)域的寬度和鄰近第一金屬柵極147的下部的區(qū)域的寬度可基本彼此相同。也就是說，寬度可完全彼此相同或者可由于例如工藝條件而稍微不同。
[0078]第一隔離物結(jié)構(gòu)120的第一部分120a的頂表面和第一金屬柵極147的頂表面可布置在同一平面上。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一部分120a的頂表面和第一金屬柵極147的頂表面可通過平面化工藝同時(shí)變平，從而產(chǎn)生共面的頂表面。
[0079]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一隔離物結(jié)構(gòu)120可包括依次疊置的第一至第η隔離物121、122a、122b和123，其中η表示大于或等于“2”的自然數(shù)。
[0080]雖然下面將描述，但是在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一隔離物121可用于在摻雜低摻雜的漏極(LDD)區(qū)之前保護(hù)襯底(或第一鰭部Fl) 100的頂表面。第一隔離物121可包括例如SiN并且可利用例如原子層沉積(ALD)方案形成。例如，第一隔離物121可沿著第一金屬柵極147的側(cè)壁和第一鰭部Fl的頂表面共形地形成。
[0081]第二隔離物122a和122b可用于在鰭部中形成溝槽，以形成另一晶體管的源極和漏極(例如，具有比高電壓晶體管的工作電壓更低的工作電壓的常規(guī)晶體管，也就是說，非鰭式晶體管)。第二隔離物122a和122b可包括多層絕緣層。例如，第二隔離物122a可為S1CN，并且第二隔離物122b可為氧化物層。第二隔離物122a和122b可沿著第一金屬柵極147的側(cè)壁和第一鰭部Fl的頂表面共形地形成在第一隔離物121上。
[0082]第三隔離物123可包括例如S1CN，并且可在形成另一晶體管的提升的源極/漏極之后形成。第三隔離物123可沿著第一金屬柵極147的側(cè)壁和第一鰭部Fl的頂表面共形地形成在第二隔離物122a和122b上。
[0083]第一隔離物121至第三隔離物123的材料和制造方法僅是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例，并且本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，雖然第一隔離物結(jié)構(gòu)120示為通過疊置四個(gè)材料層形成，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，第一隔離物結(jié)構(gòu)120可為三層或更少的層，并且可為五層或更多的層。
[0084]如圖1至圖3的示例性實(shí)施例中示出的，第一至第η隔離物121、122a、122b和123中的每一個(gè)可按照“L”形設(shè)置。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，在第一隔離物結(jié)構(gòu)120中設(shè)置在最外側(cè)部分處的第η隔離物(例如，圖3的第三隔離物123)可按照L形設(shè)置。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，即使設(shè)置在第η隔離物123下方的另一隔離物未按照L形設(shè)置，第η隔離物123也可按照L形設(shè)置。
[0085]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的該示例性實(shí)施例中，第一隔離物結(jié)構(gòu)120可直接接觸層間絕緣層171、172和173。層間絕緣層171、172和173可直接接觸第一隔離物結(jié)構(gòu)120的第一部分120a的側(cè)壁和第二部分120b的頂表面。另外，層間絕緣層171、172和173也可直接接觸第二部分120b的側(cè)壁的一部分。
[0086]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，層間絕緣層171、172和173可包括例如多個(gè)疊置的絕緣層。例如，鈍化層171可沿著第一隔離物結(jié)構(gòu)120的側(cè)表面和第一提升的源極/漏極161和162的頂表面形成。鈍化層171可為例如SiN，但本發(fā)明構(gòu)思不限于此。鈍化層171在形成絕緣層172的后續(xù)工藝中保護(hù)第一提升的源極/漏極161和162以及第一金屬柵極147。絕緣層172可為例如爐式化學(xué)氣相沉積(FCVD)層，并且絕緣層173可為例如高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP)層。絕緣層172可密封第一提升的源極/漏極161和162以及第一金屬柵極147，并且絕緣層173可比絕緣層172更硬。LDD區(qū)181可設(shè)置在第一隔離物結(jié)構(gòu)120的下部。
[0087]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，隔離物結(jié)構(gòu)使提升的源極/漏極結(jié)構(gòu)(例如，第一源極/漏極結(jié)構(gòu)161和162)遠(yuǎn)離金屬柵極(例如，第一金屬柵極147)，以減小柵極致漏極泄漏(GIDL)電流，因此提高根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的高電壓晶體管的性能。GIDL電流在高電壓晶體管中可以是特別成問題的，并且根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例在高電壓晶體管結(jié)構(gòu)中尤其有用。在示例性實(shí)施例中，采用L形隔離物以延長(zhǎng)源極/漏極結(jié)構(gòu)與金屬柵極之間的距離。在示例性實(shí)施例中，L形隔離物120的“水平”部分(下部腿)(例如，隔離物結(jié)構(gòu)120的第二部分120b)使金屬柵極147與源極/漏極區(qū)161/162之間的距離LI延長(zhǎng)超出隔離物結(jié)構(gòu)120的第一部分120a的厚度。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理，可在不需要額外掩模的情況下形成L形隔離物結(jié)構(gòu)(諸如結(jié)構(gòu)120)，從而提高性能，同時(shí)避免增加生產(chǎn)成本。半導(dǎo)體器件I可例如形成在輸入/輸出(I/O)電路中。
[0088]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件2的剖視圖。為了清楚和簡(jiǎn)明起見，該示例性實(shí)施例的描述將集中于該示例性實(shí)施例與以上參照?qǐng)D1至圖3描述的半導(dǎo)體器件I的示例性實(shí)施例之間的差異。
[0089]除L形第一隔離物結(jié)構(gòu)120之外，半導(dǎo)體器件2可包括第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166。第一插塞摻雜物區(qū)165可布置在第一提升的源極162的側(cè)部上，并且第二插塞摻雜物區(qū)166可布置在第一提升的漏極161的側(cè)部上。形成第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166以調(diào)整第一提升的源極/漏極161和162的電阻。也就是說，雖然利用外延生長(zhǎng)以及原位摻雜形成第一提升的源極/漏極161和162，但是可形成第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166以便更精確地調(diào)整第一提升的源極/漏極161和162的電阻。
[0090]第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166可通過傾斜注入工藝形成。例如，可通過應(yīng)用相對(duì)于垂直于襯底100的平面約20度的傾角來摻雜和注入“P (磷)”。第一插塞摻雜物區(qū)165可形成為延伸至第一提升的源極162的內(nèi)側(cè)和第一隔離物結(jié)構(gòu)120的下部。第二插塞摻雜物區(qū)166可形成在第一提升的漏極161內(nèi)。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第二插塞摻雜物區(qū)166可形成為不與第一隔離物結(jié)構(gòu)120重疊。
[0091]可將高電壓(例如，1.5V或更高)施加至第一提升的漏極161，并且可將相對(duì)低的電壓(例如，OV或更低)施加至第一提升的源極162。如前所述，通常出現(xiàn)GIDL電流的區(qū)域位于第一提升的漏極161與第一金屬柵極147之間，因?yàn)樵谠摬焕詫?shí)施例中,第二插塞摻雜物區(qū)166遠(yuǎn)離第一金屬柵極147，所以根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理可減小GIDL電流。
[0092]圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件3的剖視圖。為了清楚和簡(jiǎn)明起見，該示例性實(shí)施例的描述將集中于該示例性實(shí)施例與以上參照?qǐng)D1至圖3描述的半導(dǎo)體器件I的示例性實(shí)施例之間的差異。
[0093]半導(dǎo)體器件3可包括設(shè)置在第一金屬柵極147與第一隔離物結(jié)構(gòu)120之間的內(nèi)隔離物125和126。例如，內(nèi)隔離物125和126可為例如氧化物層125和低介電層126。低介電層126可包括例如S1CN。
[0094]內(nèi)隔離物125和126之一或兩者可設(shè)為斜切的“I形”隔離物(也就是說，在斜切之前，具有兩個(gè)豎直平行側(cè)部的I形)。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，內(nèi)隔離物125和126的上部鄰近第一金屬柵極147的上部并具有第一組合寬度，并且內(nèi)隔離物125和126的下部鄰近第一金屬柵極147的下部并具有與第一寬度不同的第二組合寬度。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，第一寬度小于第二寬度。另外，L形第一隔離物結(jié)構(gòu)120可為非斜切的。
[0095]第一金屬柵極147與第一提升的漏極161之間的距離L2可通過內(nèi)隔離物125和126延長(zhǎng)。也就是說，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的第三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件3中的第一金屬柵極147與第一提升的漏極161之間的距離L2可大于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I中的第一金屬柵極147與第一提升的漏極161之間的距離LI。所述示例性實(shí)施例可進(jìn)一步降低GIDL電流的發(fā)生。
[0096]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理，在第一柵極絕緣層141、142和145中，犧牲絕緣層141可布置在內(nèi)隔離物125和126下方。界面層142可布置在內(nèi)隔離物125和126之間。高介電層145可沿著內(nèi)隔離物125和126的側(cè)壁以及絕緣層141的頂表面共形地形成。
[0097]圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件4的剖視圖。為了清楚和簡(jiǎn)明起見，該示例性實(shí)施例的描述將集中于該示例性實(shí)施例與上面參照?qǐng)D1至圖5描述的那些半導(dǎo)體器件1、2和3的示例性實(shí)施例之間的差異。
[0098]根據(jù)第四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件4可包括通過傾斜注入工藝形成的第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166以及設(shè)置在第一隔離物結(jié)構(gòu)120與第一金屬柵極147之間的內(nèi)隔離物125和126。因?yàn)榘雽?dǎo)體器件4包括L形隔離物結(jié)構(gòu)120、第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166以及內(nèi)隔離物125和126，所以可使GIDL電流的出現(xiàn)最小化。
[0099]圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件5的剖視圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件6的剖視圖。
[0100]參照?qǐng)D7，根據(jù)第五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件5可不采用L形第一隔離物結(jié)構(gòu)120，而是可采用例如第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166。
[0101]參照?qǐng)D8，根據(jù)第六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件6可不采用L形第一隔離物結(jié)構(gòu)120，而是可采用例如設(shè)置在第一隔離物結(jié)構(gòu)120與第一金屬柵極147之間的內(nèi)隔離物125和 126。
[0102]也就是說，在圖7和圖8中，第一隔離物結(jié)構(gòu)120可按照斜切的I形而非L形設(shè)置。然而，即使沒有隔離物結(jié)構(gòu)120的第二部分120b，第一提升的漏極161與第一金屬柵極147之間的距離也可延長(zhǎng)(通過內(nèi)隔離物125、126或第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166)，并且這樣可減小GIDL電流。
[0103]圖9A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件7的剖視圖。在半導(dǎo)體器件7中，第一區(qū)I和第二區(qū)II限定在襯底100中。構(gòu)造為通過第一驅(qū)動(dòng)電壓工作的第一晶體管101可形成在第一區(qū)I上，并且構(gòu)造為通過與第一驅(qū)動(dòng)電壓不同的第二驅(qū)動(dòng)電壓工作的第二晶體管102可形成在第二區(qū)II上。在該示例性實(shí)施例中，第二驅(qū)動(dòng)電壓可小于第一驅(qū)動(dòng)電壓。例如，第二驅(qū)動(dòng)電壓可為常規(guī)電壓(例如，OV和1.5V之間)，并且第一驅(qū)動(dòng)電壓可為高電壓。
[0104]第一區(qū)I可設(shè)置在例如I/O電路中，并且第二區(qū)II可設(shè)置在例如核心電路中。第一晶體管101和第二晶體管102可為相同導(dǎo)電類型(例如，N型)的晶體管。
[0105]第一晶體管101可為以上參照?qǐng)D1至圖8描述的任一晶體管。例如，圖9A示出了圖3的晶體管。第一晶體管101可包括例如第一金屬柵極147和形成在第一金屬柵極147的兩側(cè)上的L形第一隔離物結(jié)構(gòu)120，并且第一金屬柵極147可形成為橫越第一鰭部Fl。第一金屬柵極147與第一提升的源極/漏極161和162中的每一個(gè)之間的第一距離LI可由于L形第一隔離物結(jié)構(gòu)120而增大。
[0106]第二晶體管102可包括第二金屬柵極247、形成在第二金屬柵極247的兩側(cè)上的第二隔離物結(jié)構(gòu)220以及第二提升的源極/漏極261和262。在該示例性實(shí)施例中，第二隔離物結(jié)構(gòu)220可按照斜切的I形設(shè)置。因此，第二金屬柵極247與第二提升的源極/漏極261和262中的每一個(gè)之間的第三距離L3可小于第一距離LI。
[0107]第二隔離物結(jié)構(gòu)220可包括多個(gè)疊置的隔離物221、222a和222b。
[0108]在第二柵極絕緣層242和245中，界面層242可為二氧化硅層，并且高介電層245可為介電常數(shù)比二氧化硅層的介電常數(shù)更高的高介電(高k)材料。高介電層245可沿著第二金屬柵極247的側(cè)壁和底表面共形地形成。
[0109]第二柵極絕緣層242和245的厚度可小于第一柵極絕緣層141、142和145的厚度，這是因?yàn)樵谠撌纠詫?shí)施例中，第二晶體管102的驅(qū)動(dòng)電壓與第一晶體管101的驅(qū)動(dòng)電壓相比相對(duì)較小。
[0110]圖9B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第7b示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件7b的剖視圖。在根據(jù)第7b示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件7b中，第一區(qū)I和第Ib區(qū)Ib限定在襯底100中。構(gòu)造為在高電壓驅(qū)動(dòng)的第一導(dǎo)電類型(例如，N型)的第一晶體管101形成在第一區(qū)I上，并且構(gòu)造為在高電壓驅(qū)動(dòng)的第二導(dǎo)電類型(例如，P型)的第Ib晶體管1lb可形成在第Ib區(qū)Ib上。第一區(qū)I和第Ib區(qū)Ib可設(shè)置在例如I/O電路中，但本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
[0111]第一晶體管101的第一金屬柵極147可包括例如N型功函數(shù)調(diào)整層。N型功函數(shù)調(diào)整層可為例如選自包括TiAl、TiAlC, TiAlN, TaC, TiC和HfSi的組的材料，但本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
[0112]第Ib晶體管1lb的第Ib金屬柵極147b可包括例如P型功函數(shù)調(diào)整層或者可包括疊置的P型功函數(shù)調(diào)整層和N型功函數(shù)調(diào)整層。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理，第Ib金屬柵極147b可包括所有的P型功函數(shù)調(diào)整層和N型功函數(shù)調(diào)整層，以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝。P型功函數(shù)調(diào)整層可為例如TiN。
[0113]第一晶體管101的第一提升的源極/漏極161和162可包括拉應(yīng)力材料，并且第Ib晶體管1lb的提升的源極/漏極161b和162b可包括壓應(yīng)力材料。
[0114]圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件8的剖視圖。為了描述簡(jiǎn)明和清楚起見，以下描述將集中于該示例性實(shí)施例與以上參照?qǐng)D9A描述的半導(dǎo)體器件7的示例性實(shí)施例之間的差異。
[0115]在半導(dǎo)體器件8中，第一區(qū)1、第二區(qū)II和第三區(qū)III限定在襯底100中。高電壓第一導(dǎo)電類型(例如，N型)的第一晶體管101形成在第一區(qū)I中，常規(guī)電壓第一導(dǎo)電類型的第二晶體管102形成在第二區(qū)II中，并且常規(guī)電壓第二導(dǎo)電類型(例如，P型)的第三晶體管103可形成在第三區(qū)III中。
[0116]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的該示例性實(shí)施例中，圖10的第一晶體管101和第二晶體管102與圖9A的第一晶體管101和第二晶體管102相同。第三晶體管103可包括第三金屬柵極347、形成在第三金屬柵極347的兩側(cè)上的第三隔離物結(jié)構(gòu)320和第三提升的源極/漏極361和362。第三隔離物結(jié)構(gòu)320可按照斜切的I形設(shè)置。
[0117]圖11是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件9的橫截面。
[0118]在半導(dǎo)體器件9中，第一區(qū)I和第四區(qū)IV限定在襯底100中。第一晶體管101可形成在第一區(qū)I中，并且第一晶體管101可為以上參照?qǐng)D1至圖8描述的任一晶體管。第四晶體管104可形成在第四區(qū)IV中，并可包括第四金屬柵極447、形成在第四金屬柵極447的兩側(cè)上的斜切的I形第四隔離物結(jié)構(gòu)420以及第四提升的源極/漏極461和462。第四隔離物結(jié)構(gòu)420可包括多個(gè)疊置的隔離物421、422a和422b。另外，在第四柵極絕緣層441、442和445中，犧牲絕緣層441和界面層442可為二氧化硅層，并且高介電層445可為介電常數(shù)比二氧化硅層的介電常數(shù)更高的高介電(高k)材料。
[0119]第一晶體管101和第四晶體管104可為高電壓晶體管，并且第一區(qū)I和第四區(qū)IV可設(shè)置在I/o電路中。也就是說，在半導(dǎo)體器件9中，可同時(shí)構(gòu)造應(yīng)用了 L形第一隔離物結(jié)構(gòu)120的高電壓第一晶體管101和應(yīng)用了 I形第四隔離物結(jié)構(gòu)420的高電壓第四晶體管104。
[0120]圖12是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的剖視圖。在半導(dǎo)體器件10中，第五區(qū)V和第六區(qū)VI限定在襯底100中。
[0121]形成在第五區(qū)V中的第五晶體管105可為高電壓晶體管。如以上參照?qǐng)D7所描述的，第五晶體管105可不采用L形隔離物結(jié)構(gòu)，而是可僅采用例如傾斜的第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166來減少GIDL電流的出現(xiàn)。
[0122]形成在第六區(qū)VI上的第六晶體管106可為常規(guī)晶體管。第六晶體管106可包括第三插塞摻雜物區(qū)265和第四插塞摻雜物區(qū)266。第三插塞摻雜物區(qū)265可設(shè)置在第六提升的源極262的側(cè)部上，并且第四插塞摻雜物區(qū)266可設(shè)置在第六提升的漏極261的側(cè)部上。第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166可傾斜，而第三插塞摻雜物區(qū)265和第四插塞摻雜物區(qū)266可不傾斜。因此，從第三插塞摻雜物區(qū)265至第六金屬柵極247的距離可基本等于從第四插塞摻雜物區(qū)266至第六金屬柵極247的距離。
[0123]圖13A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件11的剖視圖。在半導(dǎo)體器件11中，第七區(qū)VII和第八區(qū)VIII限定在襯底100中。
[0124]形成在第七區(qū)VII中的第七晶體管107可為高電壓晶體管。如以上參照?qǐng)D8所描述的，第七晶體管107可不采用L形隔離物結(jié)構(gòu)，而是可采用設(shè)置在第一隔離物結(jié)構(gòu)120與第一金屬柵極147之間的內(nèi)隔離物125和126來降低GIDL電流的發(fā)生。
[0125]形成在第八區(qū)VIII上的圖9A的第二晶體管102可為常規(guī)晶體管。第二晶體管102可包括第二金屬柵極247、形成在第二金屬柵極247的兩側(cè)上的第二隔離物結(jié)構(gòu)220和第二提升的源極/漏極261和262。在該示例性實(shí)施例中，第二隔離物結(jié)構(gòu)220可按照斜切的I形設(shè)置。也就是說，可在單個(gè)晶圓上形成包括內(nèi)隔離物125和126的高電壓第七晶體管107和不包括內(nèi)隔離物的常規(guī)電壓第二晶體管102。
[0126]圖13B是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)1100的框圖。電子系統(tǒng)1100可包括控制器1110、1/0裝置1120、存儲(chǔ)器裝置1130、接口 1140和總線1150?？刂破?110、1/0裝置1120、存儲(chǔ)器裝置1130和/或接口 1140可通過總線1150彼此組合或通信。在列出的任一裝置中均可采用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的半導(dǎo)體器件。
[0127]控制器1110可包括微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器和能夠執(zhí)行與這些元件的功能相似的功能的邏輯元件中的至少一個(gè)。I/o裝置1120可包括小鍵盤、鍵盤和顯示裝置。存儲(chǔ)器裝置1130可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和/或指令。接口 1140可用于將數(shù)據(jù)發(fā)送至通信網(wǎng)絡(luò)或從通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)。接口 1140可按照有線或無線形式設(shè)置。例如，接口 1140可包括天線或有線/無線收發(fā)器。雖然未示出，但是電子系統(tǒng)1100還可包括作為工作存儲(chǔ)器的高速DRAM和/或SRAM，以改進(jìn)控制器1110的操作。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管可設(shè)置在存儲(chǔ)器裝置1130中，或者可提供為控制器1110和I/O裝置1120的一部分。
[0128]電子系統(tǒng)1100可應(yīng)用于便攜式電子裝置，諸如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無線電話、移動(dòng)電話、數(shù)字音樂播放器、存儲(chǔ)卡或者能夠在無線環(huán)境中發(fā)送和/或接收信息的任何類型的電子裝置。
[0129]下文中，將參照?qǐng)D10和圖14至圖23描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件8的示例性制造方法。圖14至圖23是示出用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第八實(shí)施例的半導(dǎo)體器件8的制造方法的中間操作的剖視圖。
[0130]參照?qǐng)D14，第一區(qū)1、第二區(qū)II和第三區(qū)III限定在襯底100中。第一區(qū)I是將要形成高電壓第一導(dǎo)電類型(例如，N型)的第一晶體管101的區(qū)，第二區(qū)II是將要形成常規(guī)電壓第一導(dǎo)電類型的第二晶體管102的區(qū)，并且第三區(qū)III是將要形成常規(guī)電壓第二導(dǎo)電類型(例如，P型)的第三晶體管103的區(qū)。
[0131]第一鰭部F1、第二鰭部F2和第三鰭部F3可分別形成在第一區(qū)1、第二區(qū)II和第三區(qū)III中。
[0132]第一犧牲柵極1147、第二犧牲柵極1247和第三犧牲柵極1347可形成為分別橫越第一鰭部F1、第二鰭部F2和第三鰭部F3。第一犧牲柵極1147至第三犧牲柵極1347可為例如多晶硅。
[0133]第一至第三硬掩模1199、1299和1399可分別形成在第一犧牲柵極1147、第二犧牲柵極1247和第三犧牲柵極1347上。
[0134]犧牲絕緣層141可形成在第一犧牲柵極1147與第一鰭部Fl之間，犧牲絕緣層241可形成在第二犧牲柵極1247與第二鰭部F2之間，并且犧牲絕緣層341可形成在第三犧牲柵極1347與第三鰭部F3之間。
[0135]隔離物絕緣層1121可形成在第一犧牲柵極1147、第一硬掩模1199和第一鰭部Fl上，隔離物絕緣層1221可形成在第二犧牲柵極1247、第二硬掩模1299和第二鰭部F2上，并且隔離物絕緣層1321可形成在第三犧牲柵極1347、第三硬掩模1399和第三鰭部F3上。
[0136]接著，參照?qǐng)D15，第一晶體管101的LDD區(qū)181和第二晶體管102的LDD區(qū)281可通過注入第一導(dǎo)電類型(例如，N型)的LDD雜質(zhì)而形成。例如，N型雜質(zhì)可為As。
[0137]接著，第三晶體管103的LDD區(qū)381可通過注入第二導(dǎo)電類型(例如，P型)的LDD雜質(zhì)而形成。例如，P型雜質(zhì)可為BF2。
[0138]接著，參照?qǐng)D16，在圖15的結(jié)果上還形成隔離物絕緣層1122a和1122b、1222a和1222b以及1322a和1322b。隔離物絕緣層1122b、1222b和1322b可沿著隔離物絕緣層1122a、1222a和1322a共形地形成。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的該示例性實(shí)施例中，隔離物絕緣層1122a和1122b、1222a和1222b以及1322a和1322b可為例如S1CN和氧化物層形成的兩層和疊置的層。
[0139]接著，參照?qǐng)D17，構(gòu)造為暴露第三區(qū)III并覆蓋第一區(qū)I和第二區(qū)II的掩模圖案600和610可形成在圖16的結(jié)果上。掩模圖案600和610可為例如兩層。也就是說，可形成H-S0H600以充分覆蓋第一區(qū)I和第二區(qū)II，并且可利用ALD方案將氧化物層610形成在H-S0H600 上。
[0140]可利用掩模圖案600和610并且利用例如干法蝕刻將溝槽361a和362a形成在第三區(qū)III的第三金屬柵極347周圍。在形成溝槽361a和362a的同時(shí)，可蝕刻并按照斜切的I形提供隔離物絕緣層1322a和1322b。
[0141]接著，參照?qǐng)D18，第三提升的源極/漏極361和362可形成在第三區(qū)III的溝槽361a和362a中?？衫美缤庋由L(zhǎng)方案形成第三提升的源極/漏極361和362，并可將其原位摻雜例如P型雜質(zhì)。第三提升的源極/漏極361和362可生長(zhǎng)為從第三鰭部F3向上關(guān)出。
[0142]接著，參照?qǐng)D19，可形成隔離物絕緣層1123、1223和1323。隔離物絕緣層1123、1223和1323可為例如S1CN。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的該示例性實(shí)施例中，在第一區(qū)I和第二區(qū)II中，隔離物絕緣層1123和1223共形地形成在隔離物絕緣層1122b和1222b上。另外，在第三區(qū)III中，隔離物絕緣層1323可共形地形成在斜切的I形隔離物以及第三提升的源極/漏極361和362的頂表面上。
[0143]參照?qǐng)D20，構(gòu)造為覆蓋第三區(qū)III并且暴露第一區(qū)I的一部分和暴露第二區(qū)II的掩模圖案700和710可形成在圖19的結(jié)果上。掩模圖案700和710可為例如兩層。也就是說，可形成H-S0H700以充分覆蓋第一區(qū)I和第二區(qū)II，并且可利用ALD方案將氧化物層710形成在H-S0H700上。
[0144]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中，掩模圖案700和710覆蓋第一區(qū)I的一部分。也就是說，掩模圖案700和710完全覆蓋第一犧牲柵極1147，還完全覆蓋形成在第一犧牲柵極1147的側(cè)壁上的隔離物絕緣層，并且覆蓋形成在第一鰭部Fl的頂表面上的隔離物絕緣層的一部分。
[0145]參照?qǐng)D21，利用掩模圖案700和710并且利用例如干法蝕刻，溝槽16Ia和162a可形成在第一區(qū)I的第一金屬柵極147的周圍，并且溝槽261a和262a可形成在第二區(qū)II的第二金屬柵極247的周圍。
[0146]也就是說，可利用單個(gè)掩模700或710形成溝槽161a和162a以及溝槽261a和262a。也就是說，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的示例性實(shí)施例中沒有必要使用額外掩模。接著，參照?qǐng)D22，第一提升的源極/漏極161和162可形成在第一區(qū)I的溝槽161a和162a中，并且第二提升的源極/漏極261和262可形成在第二區(qū)II的溝槽261a和262a中。可利用例如外延生長(zhǎng)方案形成第一提升的源極/漏極161和162和第二提升的源極/漏極261和262，并且可將其原位摻雜例如N型雜質(zhì)。第一提升的源極/漏極161和162可生長(zhǎng)為從第一鰭部Fl向上突出，并且第二提升的源極/漏極261和262可生長(zhǎng)為從第二鰭部F2向上關(guān)出。
[0147]接著，參照?qǐng)D23，層間絕緣層171、172和173 ;271、272和273 ;以及371、372和373可形成在圖22的結(jié)果上。也就是說，鈍化層171、271和371共形地形成在圖22的結(jié)果上。絕緣層172、272和372可形成在鈍化層171、271和371上以覆蓋第一晶體管101至第三晶體管103。接著，絕緣層173、273和373可形成在絕緣層172、272和372上。鈍化層171、271和371可為例如SiN，絕緣層172、272和372可為例如FCVD，絕緣層173、273和373可為例如HDP。
[0148]接著，再次參照?qǐng)D10，第一晶體管101的第一犧牲柵極1147、第二晶體管102的第二犧牲柵極1247和第三晶體管103的第三犧牲柵極1347變平以暴露。
[0149]接著，去除暴露的第一犧牲柵極1147至第三犧牲柵極1347。
[0150]接著，去除形成在第二區(qū)II和第三區(qū)III上的犧牲絕緣層241和341。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的該示例性實(shí)施例中，不去除形成在第一區(qū)I上的犧牲絕緣層141。
[0151]接著，界面層242和342可形成在第二區(qū)II和第三區(qū)III上，并且界面層142可形成在第一區(qū)I的犧牲絕緣層141上。
[0152]接著，高介電層145、245和345可分別形成在界面層142、242和342上。
[0153]接著，第一金屬柵極147至第三金屬柵極347可分別形成在上第一區(qū)I至第三區(qū)III 上。
[0154]下文中，將參照?qǐng)D12、圖24和圖25描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的示例性制造方法。圖24和圖25是示出用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件10的制造方法的中間操作的剖視圖。
[0155]首先，參照?qǐng)D24，第五區(qū)V和第六區(qū)VI限定在襯底100中，并且作為高電壓晶體管的第五晶體管105可形成在第五區(qū)V中。作為常規(guī)晶體管的第六晶體管106可形成在第六區(qū)VI中。
[0156]接著，可形成構(gòu)造為暴露第五區(qū)V并覆蓋第六區(qū)VI的掩模圖案910。
[0157]可利用掩模圖案910形成第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166。具體地說，可通過例如傾斜注入工藝911形成第一插塞摻雜物區(qū)165和第二插塞摻雜物區(qū)166。例如，可摻雜“P”，并且例如可通過相對(duì)于垂直于襯底100的平面傾斜約20度來執(zhí)行注入911。
[0158]結(jié)果，第一插塞摻雜物區(qū)165可形成為延伸至第一提升的源極162的內(nèi)部和第一隔離物結(jié)構(gòu)120的下部。第二插塞摻雜物區(qū)166可形成在第一提升的漏極161中。具體地說，第二插塞摻雜物區(qū)166可形成為不與第一隔離物結(jié)構(gòu)120重疊。
[0159]接著，參照?qǐng)D25，可形成構(gòu)造為暴露第六區(qū)VI并且覆蓋第五區(qū)V的掩模圖案920。
[0160]可利用掩模圖案920形成第三插塞摻雜物區(qū)265和第四插塞摻雜物區(qū)266。具體地說，可通過非傾斜注入工藝921形成第三插塞摻雜物區(qū)265和第四插塞摻雜物區(qū)266。
[0161]再次參照?qǐng)D12，第五晶體管105的犧牲柵極1147和第六晶體管106的犧牲柵極1247變平以暴露。
[0162]接著，去除暴露的犧牲柵極1147和犧牲柵極1247。
[0163]接著，去除形成在第六區(qū)VI上的犧牲絕緣層241。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的該示例性實(shí)施例中，不去除形成在第五區(qū)V上的犧牲絕緣層141。
[0164]接著，界面層142和242可分別形成在第五區(qū)V和第六區(qū)VI上。
[0165]接著，第一金屬柵極147和第二金屬柵極247可分別形成在第五區(qū)V和第六區(qū)VI上。
[0166]下文中，將參照?qǐng)D13A、圖26至圖31描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的第十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件11的制造方法。圖26至圖31是示出用于描述半導(dǎo)體器件11的制造方法的中間操作的剖視圖。
[0167]參照?qǐng)D26，可通過去除形成在第七區(qū)VII上的晶體管的犧牲柵極來形成溝槽147a，并且可通過去除形成在第八區(qū)VIII上的晶體管的犧牲柵極來形成溝槽247a。溝槽147a和247a中的犧牲絕緣層141和241被暴露出。
[0168]參照?qǐng)D27，內(nèi)隔離物絕緣層1125共形地形成在圖26的結(jié)果上。內(nèi)隔離物絕緣層1125可為例如氧化物層。
[0169]接著，可形成構(gòu)造為覆蓋第八區(qū)VIII并暴露第七區(qū)VII的掩模930。內(nèi)隔離物絕緣層1126共形地形成在暴露的第七區(qū)VII上。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的原理的該示例性實(shí)施例中，內(nèi)隔離物絕緣層1126可為低介電層。
[0170]接著，參照?qǐng)D28，通過利用掩模930執(zhí)行回蝕工藝來蝕刻內(nèi)隔離物絕緣層1126。
[0171]接著，參照?qǐng)D29，可形成構(gòu)造為覆蓋第七區(qū)VII并暴露第八區(qū)VIII的掩模950。
[0172]接著，參照?qǐng)D30，利用掩模950去除犧牲絕緣層241和內(nèi)隔離物絕緣層1125。例如，可利用氫氟酸執(zhí)行濕法蝕刻。
[0173]接著，去除掩模950。
[0174]接著，參照?qǐng)D31，利用例如利用氫氟酸的濕蝕刻來去除形成在第七區(qū)VII的溝槽147a中的內(nèi)隔離物絕緣層1125。結(jié)果，去除了內(nèi)隔離物絕緣層1125，并且犧牲絕緣層141保留在溝槽147a的底表面上。
[0175]后續(xù)形成柵極絕緣層142、145、242和245以及金屬柵極147和247的方法與前述制造方法相同。
[0176]以上是本發(fā)明構(gòu)思的說明，并且不應(yīng)理解為其限制。雖然已經(jīng)描述了示例性實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的范圍的情況下，許多修改都是可能的。因此，所有這種修改旨在被包括在權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底上的柵極； 沿著所述柵極的側(cè)壁和底表面的柵極絕緣層；以及 所述柵極的兩個(gè)側(cè)壁上的L形的隔離物結(jié)構(gòu)， 其中所述隔離物結(jié)構(gòu)包括沿著所述柵極的側(cè)壁的第一部分和連接至所述第一部分并沿著所述襯底的頂表面的第二部分，所述第二部分延伸超出沿著所述柵極的側(cè)壁的所述第一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述柵極的頂表面和所述第一部分的頂表面設(shè)置在同一平面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一部分的寬度不變。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述隔離物結(jié)構(gòu)包括依次疊置的第一至第η隔離物，并且η表示大于或等于“2”的自然數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述隔離物結(jié)構(gòu)中設(shè)置在最外側(cè)部分處的第η隔離物按照L形設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一至第η隔離物中的每一個(gè)按照L形設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述隔離物結(jié)構(gòu)直接接觸層間絕緣層，并且所述層間絕緣層直接接觸所述隔離物結(jié)構(gòu)的所述第一部分的側(cè)壁和所述第二部分的頂表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述層間絕緣層包括沿著所述隔離物結(jié)構(gòu)的側(cè)表面和提升的源極/漏極的頂表面形成的鈍化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中低摻雜的漏極(LDD)區(qū)設(shè)置在所述隔離物結(jié)構(gòu)的下部中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 提升的源極/漏極，其在位于所述柵極的兩側(cè)上的鰭部中，并接觸所述隔離物結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 第一插塞摻雜物區(qū)，其延伸至所述提升的源極的內(nèi)側(cè)和所述隔離物結(jié)構(gòu)的下部；以及 第二插塞摻雜物區(qū)，其形成在所述提升的漏極中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二插塞摻雜物區(qū)不與所述隔離物結(jié)構(gòu)重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中通過傾斜注入工藝形成所述第一插塞摻雜物區(qū)和所述第二插塞摻雜物區(qū)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 所述隔離物結(jié)構(gòu)與所述柵極之間的內(nèi)隔離物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述內(nèi)隔離物按照斜切的I形設(shè)置。
16.一種半導(dǎo)體器件，包括: 沿著第一方向延伸的鰭部； 沿著與所述第一方向不同的第二方向在所述鰭部上延伸的金屬柵極；以及 所述金屬柵極的每個(gè)側(cè)壁上的L形的隔離物結(jié)構(gòu)，所述隔離物結(jié)構(gòu)的下部延伸部分延伸遠(yuǎn)離所述金屬柵極，其中所述金屬柵極的頂表面和所述隔離物結(jié)構(gòu)的頂表面設(shè)置在同一平面上。
17.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底，在所述襯底上限定了第一區(qū)和第二區(qū)； 第一晶體管，其在所述第一區(qū)上，并包括第一柵極和位于所述第一柵極的每一側(cè)上的L形的第一隔離物結(jié)構(gòu)；以及 第二晶體管，其在所述第二區(qū)上，并包括第二柵極和位于所述第二柵極的每一側(cè)上的第二隔離物結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一隔離物結(jié)構(gòu)包括沿著所述第一柵極的側(cè)壁的第一部分和從所述第一部分延伸遠(yuǎn)離所述第一柵極的第二部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一晶體管還包括形成在所述第一柵極的每一側(cè)上的第一提升的源極/漏極，所述第二晶體管還包括形成在所述第二柵極的每一側(cè)上的第二提升的源極/漏極，并且從所述第一柵極的側(cè)壁至所述第一提升的源極/漏極的第一距離和從所述第二柵極的側(cè)壁至所述第二提升的源極/漏極的第二距離彼此不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一距離大于所述第二距離。
21.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底，在所述襯底上限定了第一區(qū)和第二區(qū)； 第一晶體管，其在所述第一區(qū)中，并構(gòu)造為通過第一驅(qū)動(dòng)電壓工作；以及 第二晶體管，其在所述第二區(qū)中，并構(gòu)造為通過小于所述第一驅(qū)動(dòng)電壓的第二驅(qū)動(dòng)電壓工作， 其中所述第一晶體管形成在所述第一區(qū)中，并包括第一柵極、位于所述第一柵極的每一側(cè)上的第一提升的源極/漏極和在所述第一提升的源極/漏極中傾斜的第一插塞摻雜物區(qū)，并且 所述第二晶體管形成在所述第二區(qū)上，并包括第二柵極、位于所述第二柵極的每一側(cè)上的第二提升的源極/漏極和在所述第二提升的源極/漏極中不傾斜的第二插塞摻雜物區(qū)。
22.—種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底，在所述襯底上限定了第一區(qū)和第二區(qū)； 第一晶體管，其在所述第一區(qū)中，并構(gòu)造為通過第一驅(qū)動(dòng)電壓工作；以及 第二晶體管，其在所述第二區(qū)中，并構(gòu)造為通過小于所述第一驅(qū)動(dòng)電壓的第二驅(qū)動(dòng)電壓工作， 其中所述第一晶體管包括第一柵極、位于所述第一柵極的每一側(cè)上的第一隔離物結(jié)構(gòu)和設(shè)置在所述第一柵極與所述第一隔離物之間的內(nèi)隔離物，并且 所述第二晶體管包括第二柵極、位于所述第二柵極的每一側(cè)上的第二隔離物結(jié)構(gòu)。
23.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括步驟: 形成沿著第一方向延伸的鰭部； 在所述鰭部上形成沿著與所述第一方向不同的第二方向延伸的犧牲柵極； 在所述犧牲柵極的每個(gè)側(cè)壁和所述鰭部的頂表面上形成隔離物結(jié)構(gòu)； 通過去除所述隔離物結(jié)構(gòu)的一部分和所述鰭部的一部分在所述鰭部中形成溝槽，其中將剩余隔離物按照L形設(shè)置；以及 在所述溝槽中形成提升的源極/漏極。
24.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括步驟: 提供在其上限定了第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)的襯底； 在所述第一區(qū)上形成高電壓第一導(dǎo)電類型的第一柵極，在所述第二區(qū)上形成常規(guī)電壓第一導(dǎo)電類型的第二柵極，并且在所述第三區(qū)上形成常規(guī)電壓第二導(dǎo)電類型的第三柵極； 沿著所述第一柵極的頂表面和側(cè)壁、所述第二柵極的頂表面和側(cè)壁以及所述第三柵極的頂表面和側(cè)壁形成隔離物絕緣層； 利用構(gòu)造為覆蓋所述第一區(qū)和所述第二區(qū)并暴露所述第三區(qū)的第一掩模在所述第三區(qū)上的所述第三柵極的兩側(cè)上形成第三溝槽；以及 利用構(gòu)造為覆蓋所述第三區(qū)并暴露所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的一部分的第二掩模在所述第一區(qū)上的所述第一柵極的兩側(cè)上形成第一溝槽并且在所述第二區(qū)上的所述第二柵極的兩側(cè)上形成第二溝槽。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第二掩模覆蓋所述第一柵極并覆蓋構(gòu)造為在所述第一區(qū)上接觸所述襯底的隔離物絕緣層的一部分。
26.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底上的金屬柵極； 形成在所述金屬柵極的任一側(cè)上的提升的源極/漏極區(qū)； 延伸結(jié)構(gòu)，其將所述金屬柵極與所述提升的源極/漏極區(qū)之間的距離延伸，所述距離大于處理層厚度。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件，其中所述延伸結(jié)構(gòu)包括在所述金屬柵極的兩個(gè)側(cè)壁上的L形的隔離物結(jié)構(gòu)，所述隔離物結(jié)構(gòu)包括沿著所述金屬柵極的側(cè)壁的第一部分和連接至所述第一部分并沿著所述襯底的頂表面的第二部分，所述第二部分延伸遠(yuǎn)離所述金屬柵極的側(cè)壁。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件，還包括位于所述提升的源極/漏極區(qū)的側(cè)部上的摻雜物插塞區(qū)。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體器件，其中所述摻雜物插塞區(qū)是傾斜的注入摻雜物插塞區(qū)。
30.一種便攜式電子裝置，其包括根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體器件。
【文檔編號(hào)】H01L29/423GK104282756SQ201410146086
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月12日
【發(fā)明者】樸玟燁, 萊奧內(nèi)利·達(dá)尼埃萊, 前田茂伸, 吳漢洙, 金雄基, 李鐘赫, 鄭周燮 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社