晶體管及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種晶體管及其制造方法。晶體管的制造方法包括下列步驟。首先，在基板上形成柵極，并在基板以及柵極上形成柵絕緣層以覆蓋基板以及柵極。接著，在柵絕緣層上形成圖案化溝道層以及掩模層，其中圖案化溝道層與掩模層位于柵極上方，且掩模層位于圖案化溝道層上。之后，通過(guò)濕式蝕刻劑在柵絕緣層上形成一源極與一漏極，并且通過(guò)濕式蝕刻劑移除未被源極與漏極覆蓋的掩模層的部分直到圖案化溝道層被暴露為止，以形成多個(gè)圖案化掩模層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】晶體管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶體管及其制造方法，特別是涉及一種具有氧化物半導(dǎo)體溝道層的晶體管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，相較于傳統(tǒng)的非晶娃(amorphous silicon, a_Si)薄膜晶體管，由于氧化物半導(dǎo)體(oxide semiconductor)薄膜晶體管具有較高的載流子移動(dòng)率(carriermobility)、較為穩(wěn)定的臨界電壓(threshold voltage, Vth)以及適合大面積制造，因此已逐漸被廣泛的應(yīng)用于顯示面板中。
[0003]一般常見(jiàn)的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管有共平面(Coplanar)、蝕刻阻擋層(IslandStop/Etch Stop Layer, IS/ESL)和背溝道蝕刻(Back Channel Etch, BCE)三種型態(tài)，其中背溝道蝕刻與蝕刻阻擋層型態(tài)的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管在元件特性及制作工藝良率上較具有優(yōu)勢(shì)。再者，背溝道蝕刻結(jié)構(gòu)相較于蝕刻阻擋層結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步減省一道光掩模制作工藝，因此更具優(yōu)勢(shì)。
[0004]然而，在背溝道蝕刻型態(tài)的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制作工藝中，用以圖案化溝道層的光致抗蝕劑會(huì)直接接觸到溝道層，且光致抗蝕劑含有會(huì)影響晶體管的次臨限斜率(Subthreshold Swing, S.S.)的有機(jī)物溶劑,故導(dǎo)致晶體管的電器特性以及穩(wěn)定性不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種晶體管及其制造方法，能夠避免溝道層受到損傷。
[0006]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種晶體管的制造方法，其包括下列步驟。首先，在基板上形成柵極，并在基板以及柵極上形成柵絕緣層以覆蓋基板以及柵極。接著，在柵絕緣層上形成圖案化溝道層以及掩模層，其中圖案化溝道層與掩模層位于柵極上方，且掩模層位于圖案化溝道層上。之后，通過(guò)濕式蝕刻劑在柵絕緣層上形成一源極與一漏極，并且通過(guò)濕式蝕刻劑移除未被源極與漏極覆蓋的掩模層的部分直到圖案化溝道層被暴露為止，以形成多個(gè)圖案化掩模層。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化掩模層的材質(zhì)與源極及漏極的至少部分材質(zhì)相同。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述圖案化掩模層的材質(zhì)包括金屬或不含錫的氧化物半導(dǎo)體，而圖案化溝道層的材質(zhì)包括含錫的氧化物半導(dǎo)體或多晶型的氧化銦鎵(poly-1ndium-GalIium Oxide, poly-1GO)。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述圖案化溝道層的片電阻值(sheet resistance)介于IO7歐姆/單位面積至101°歐姆/單位面積之間。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述圖案化掩模層、源極以及漏極的形成是通過(guò)相同的蝕刻劑(etchant)來(lái)達(dá)成。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述濕式蝕刻劑包括硫酸、磷酸、硝酸與醋酸至少二者的混合液。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述濕式蝕刻劑包括硫酸、磷酸、硝酸或醋酸。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述在柵絕緣層上形成圖案化溝道層以及掩模層的方法包括:在絕緣層上依序形成一溝道材料層以及一掩模材料層；在掩模材料層上形成一第一圖案化光致抗蝕劑層，并以該第一圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分未被第一圖案化光致抗蝕劑層覆蓋的溝道材料層以及掩模材料層，以形成圖案化溝道層以及掩模層；以及移除第一圖案化光致抗蝕劑層。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述于形成源極、漏極與圖案化掩模層的方法包括:在圖案化溝道層以及掩模層上形成一金屬材料層；在金屬材料層上形成一第二圖案化光致抗蝕劑層，并以第二圖案化光致抗蝕劑層為掩模，通過(guò)濕式蝕刻劑，移除未被第二圖案化光致抗蝕劑層覆蓋的金屬材料層，以形成源極與漏極；以及通過(guò)濕式蝕刻劑，移除位于源極與漏極之間未被第二圖案化光致抗蝕劑層覆蓋的掩模層，以形成圖案化掩模層。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述濕式蝕刻劑對(duì)于源極與漏極的蝕刻速率為Vsd，濕式蝕刻劑對(duì)于圖案化溝道層的蝕刻速率為Vai,而濕式蝕刻劑對(duì)于掩模層的蝕刻速率為VHM，且Vsd > Vch與Vhm滿(mǎn)足下列關(guān)系式:
[0016]10 ≤ VbZVchS 100 ;以及
[0017]0.1 ≤ VSD/VHM ≤ 10。
[0018]本發(fā)明提出一種晶體管，其包括一柵極、一柵絕緣層、一圖案化溝道層、多個(gè)圖案化掩模層以及一源極與一漏極。柵絕緣層覆蓋柵極。圖案化溝道層配置在柵絕緣層上且位于柵極上方，其中圖案化溝道層的片電阻值介于IO7歐姆/單位面積至101°歐姆/單位面積之間。圖案化掩模層配置在圖案化溝道層上。源極與漏極設(shè)置在柵絕緣層上，其中圖案化掩模層位于源極與圖案化溝道層之間以及漏極與圖案化溝道層之間。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述圖案化掩模層的材質(zhì)包括不含錫的氧化物半導(dǎo)體，而圖案化溝道層的材質(zhì)包括含錫的氧化物半導(dǎo)體或多晶型的氧化銦鎵。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述圖案化掩模層的材質(zhì)包括銦鎵氧化物(Indium-Gallium Oxide, IG0)、銦鋒氧化物(Indium-Zinc Oxide, ΙΖ0)、銦嫁鋒氧化物(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZ0)、慘雜招氧化鋒(Al-doped ZnO, ΑΖ0)、氧化鋒(ZincOxide, ZnO)、氧化銦(indium oxide, In2O3)或氧化嫁(Gallium oxide, Ga2O3),而圖案化溝道層的材質(zhì)包括銦錫鋅氧化物(Indium-Tin-Zinc Oxide, ΙΤΖ0)、鋅錫氧化物(Zinc-TinOxide, ΖΤ0)、摻雜銦的鋅錫氧化物(Zinc-Tin Oxide:1ndium, ΖΤ0:1n)、摻雜鎵的鋅錫氧化物(Zinc-TinOxide:Gallium, ΖΤ0:Ga)、慘雜錫的銦嫁鋒氧化物(Indium-GalIium-ZincOxide: Stannum, IGZO: Sn)、嫁錫氧化物(Gallium-Tin Oxide, GT0)、銦嫁錫氧化物(Indium-Gallium-Tin Oxide, IGT0)或多晶型的氧化銦嫁(poly-1GO)。
[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述圖案化掩模層暴露出部分的圖案化溝道層。
[0022]基于上述，本發(fā)明的晶體管及其制造方法可避免溝道層直接與光致抗蝕劑接觸，進(jìn)而使晶體管具有較佳的次臨限斜率(S.S.)以及穩(wěn)定性。
[0023]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下?！緦?zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1A至圖1G是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種晶體管的制造流程示意圖。
[0025]圖2為在攝氏溫度40度的情況下，以鋁酸分別對(duì)鑰、銦鎵鋅氧化物以及銦錫鋅氧化物的蝕刻選擇比。
[0026]圖3A為本發(fā)明的一實(shí)施例的晶體管的特性曲線圖。
[0027]圖3B為現(xiàn)有的晶體管的特性曲線圖。
[0028]符號(hào)說(shuō)明
[0029]100:基板
[0030]102:柵極
[0031]104:柵絕緣層
[0032]106’:溝道材料層
[0033]106:圖案化溝道層
[0034]108’:掩模材料層
[0035]108:掩模層
[0036]108a、108b:圖案化掩模層
[0037]110:第一圖案化光致抗蝕劑層
[0038]112:金屬材料層
[0039]112a:源極
[0040]112b:漏極
[0041]114:第二圖案化光致抗蝕劑層【具體實(shí)施方式】
[0042]圖1A至圖1G是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種晶體管的制造流程示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，首先，提供基板100，并于基板100上形成柵極102。在本實(shí)施例中，基板100例如為硬質(zhì)基板(rigid substrate)或可撓式基板(flexible substrate)等。舉例而言，硬質(zhì)基板可為玻璃基板，而可撓式基板可為塑膠基板。此外，柵極102例如是單層或多層堆疊的金屬材料，例如選自由銅(Copper, Cu)、鑰(Molybdenum, Mo)、鈦(Titanium, Ti)、招(Aluminum, Al)、鶴(Tungsten, W)、銀(Silver, Ag)、金(Gold, Au)及其合金所組成的族群中的至少之一，且柵極102可透過(guò)光刻蝕刻制作工藝來(lái)圖案化金屬材料而制作。
[0043]請(qǐng)參照?qǐng)D1B，接著，在基板100以及柵極102上形成柵絕緣層104，其中柵絕緣層104同時(shí)覆蓋基板100以及柵極102。在本實(shí)施例中，柵絕緣層104可為單層結(jié)構(gòu)或多層堆疊的復(fù)合結(jié)構(gòu)，且柵絕緣層104的材質(zhì)例如是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他合適的介電材料。
[0044]請(qǐng)參照?qǐng)D1C，在完成柵絕緣層104的制作之后，在柵絕緣層104上形成溝道材料層106’以及掩模材料層108’。詳言之，在柵絕緣層104形成之后，在柵絕緣層104上依序形成溝道材料層106’、掩模材料層108’以及第一圖案化光致抗蝕劑層110，其中溝道材料層106’覆蓋在柵絕緣層104上，而掩模材料層108’覆蓋在溝道材料層106’上，且第一圖案化光致抗蝕劑層110配置在掩模材料層108’的局部區(qū)域上，其中第一圖案化光致抗蝕劑層110位于柵極102的上方。[0045]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1C與圖1D，在形成第一圖案化光致抗蝕劑層110之后，接著以第一圖案化光致抗蝕劑層110為掩模，移除未被第一圖案化光致抗蝕劑層110所覆蓋的部分溝道材料層106’以及部分掩模材料層108’，以形成圖案化溝道層106以及掩模層108。在本實(shí)施例中，由于圖案化溝道層106不會(huì)與圖案化光致抗蝕劑層110直接接觸，因此圖案化光致抗蝕劑層110中所含的有機(jī)物溶劑不易對(duì)圖案化溝道層106造成損傷。
[0046]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖案化溝道層106的材質(zhì)可包括含錫的氧化物半導(dǎo)體或多晶型的氧化銦鎵(poly-1GO)，例如是銦錫鋅氧化物(ITZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、摻雜銦的鋅錫氧化物(ΖΤ0:1n)、摻雜鎵的鋅錫氧化物(ZTO = Ga)、摻雜錫的銦鎵鋅氧化物IGZO: Sn)、鎵錫氧化物(GTO)或銦鎵錫氧化物(IGTO)等，其中圖案化溝道層106的片電阻值(sheetresistance)介于IO7歐姆/單位面積至101°歐姆/單位面積之間。此外，掩模層108的材質(zhì)可包括金屬或不含錫的氧化物半導(dǎo)體，例如是銦鎵氧化物(IGO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、摻雜鋁氧化鋅(AZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)或氧化鎵(Ga2O3)等。為方便描述，以下將以圖案化溝道層106的材質(zhì)為銦錫鋅氧化物(ITZO)以及掩模層108的材質(zhì)為銦鎵鋅氧化物(IGZO)為例說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于此。
[0047]請(qǐng)參照?qǐng)D1E，在完成圖案化溝道層106以及掩模層108的制作后，移除覆蓋在掩模層108上的第一圖案化光致抗蝕劑層110，接著，再于掩模層108以及柵絕緣層104上形成金屬材料層112。之后，在金屬材料層112上形成一第二圖案化光致抗蝕劑層114，此第二圖案化光致抗蝕劑層114是用以定義后續(xù)欲形成的源極與漏極(未繪示)的圖案。如圖1E所示，第二圖案化光致抗蝕劑層114配置在金屬材料層112上，且對(duì)應(yīng)于部分的掩模層108以及部分的柵絕緣層104上方。承上述，金屬材料層112可以為單層結(jié)構(gòu)或多層堆疊的復(fù)合結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)例如是招(Al)、鑰(Mo)、銀(Ag)、|fi (Palladium, Pd)或其合金等金屬材料。金屬材料層112的材質(zhì)可與柵極102的材質(zhì)相同或不同。以下將以金屬材料層112的材質(zhì)為鑰/鋁/鑰(Mo/Al/Mo)為例，進(jìn)行實(shí)施例的說(shuō)明。值得注意的是，本實(shí)施例不限定金屬材料層112必須為鑰/鋁/鑰(Mo/Al/Mo)疊層。
[0048]請(qǐng)參照?qǐng)D1E與圖1F ，在形成第二圖案化光致抗蝕劑層114之后，通過(guò)濕式蝕刻劑移除未被第二圖案化光致抗蝕劑層114所覆蓋的金屬材料層112以及未被第二圖案化光致抗蝕劑層114所覆蓋的掩模層108，以完成源極112a與漏極112b的制作，并使掩模層108能夠進(jìn)一步被圖案化為圖案化掩模層108a、108b。在此，如圖1F所示，圖案化掩模層108a、108b的數(shù)量為二，但本發(fā)明并不限定于此。接著，如圖1F所示，源極112a與漏極112b覆蓋在圖案化掩模層108a、108b以及部分的柵絕緣層104上。具體而言，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖案化掩模層108a、108b、源極112a以及漏極112b可通過(guò)相同的濕式蝕刻劑(etchant)蝕刻所形成，濕式蝕刻劑例如為硫酸、磷酸、硝酸與醋酸或至少上述二者的混合。在其他實(shí)施例中，濕式蝕刻劑也可為鋁酸。換言之，當(dāng)濕式蝕刻劑對(duì)于源極112a與漏極112b的蝕刻速率為Vsd，濕式蝕刻劑對(duì)于圖案化溝道層106的蝕刻速率為Vai,而濕式蝕刻劑對(duì)于掩模層108的蝕刻速率為VHM，則VSD、Vch與Vhm滿(mǎn)足下列關(guān)系式:
[0049]10 ≤VbZVchS 100 ;以及
[0050]0.1 ≤ VSD/VHM< 10。
[0051]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1F與圖1G，在源極112a以及漏極112b形成之后，移除第二圖案化光致抗蝕劑層114，即初步完成晶體管的 制作。如圖1G所示，本實(shí)施例的晶體管包括柵極102、柵絕緣層104、圖案化溝道層106、圖案化掩模層108a、108b以及一源極112a與一漏極112b。柵絕緣層104覆蓋柵極102。圖案化溝道層106配置在柵絕緣層104上且位于柵極102上方，其中圖案化溝道層106的片電阻值介于IO7歐姆/單位面積至101°歐姆/單位面積之間。圖案化掩模層108a、108b配置在圖案化溝道層106上。源極112a與漏極112b設(shè)置在柵絕緣層104上，其中圖案化掩模層108a、108b位于源極112a與圖案化溝道層106之間以及漏極112b與圖案化溝道層106之間。
[0052]圖2為在攝氏溫度40度的情況下，以鋁酸分別對(duì)鑰(Mo)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)以及銦錫鋅氧化物(ITZO)進(jìn)行蝕刻的蝕刻選擇比。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1E、圖1F與圖2所示，在攝氏溫度40度的情況下，鋁酸對(duì)于鑰(Mo)的蝕刻速率為VI，鋁酸對(duì)于銦鎵鋅氧化物(IGZO)的蝕刻速率為V2，而鋁酸對(duì)于銦錫鋅氧化物(ITZO)的蝕刻速率為V3，且V1:V2:V3為1:0.1:0.001。換言之，當(dāng)源極112a與漏極112b的材質(zhì)為鑰/鋁/鑰(Mo/Al/Mo)、掩模層108的材質(zhì)為銦鎵鋅氧化物(IGZO)，且圖案化溝道層106的材質(zhì)為銦錫鋅氧化物(ITZO)時(shí)，鋁酸可以有效的蝕刻金屬材料層112以及掩模層108以形成源極112a、漏極112b以及圖案化掩模層108a、108b，但不會(huì)過(guò)度的損害圖案化溝道層106。
[0053]舉例而言，當(dāng)掩模層108形成厚度為10~40納米(nm)且金屬材料層112形成厚度為400~500納米(nm)時(shí)，則掩模層108未被第二圖案化光致抗蝕劑層114覆蓋的部分，即掩模層108未被上述的源極112a與漏極112b覆蓋的部分，將會(huì)被移除直至圖案化溝道層106被暴露為止，也就是掩模層108暴露出部分的圖案化溝道層106，由此掩模層108被蝕刻而形成分隔為兩部分的圖案化掩模層108a、108b，此時(shí)，再移除第二圖案化光致抗蝕劑層114之后，則可實(shí)現(xiàn)一晶體管結(jié)構(gòu)，如圖1G中所示。
[0054]此外，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，掩模層108的材質(zhì)以及源極112a與漏極112b的至少部分材質(zhì)相同，例如為鋁、鑰、銀、鈀(Pd)或其合金等金屬材料等。如上所述，掩模層108、源極112a以及漏極112b可通過(guò)相同的蝕刻劑蝕刻所形成，在此省略后續(xù)重復(fù)敘述。
[0055]圖3A為本發(fā)明 一實(shí)施例的晶體管的特性曲線圖，其中本發(fā)明晶體管的圖案化溝道層的材質(zhì)為銦錫鋅氧化物(ITZO)，圖案化掩模層的材質(zhì)為銦鎵鋅氧化物(IGZO);而圖3B為現(xiàn)有的晶體管的特性曲線圖，其中現(xiàn)有晶體管的溝道層的材質(zhì)為銦錫鋅氧化物(ITZO)，但不具有圖案化掩模層。請(qǐng)參考圖3A與圖3B，是由在漏極與源極之間施予一汲源極電壓
0.1伏特或10伏特的條件下量測(cè)柵源極電壓自-20V變化到+20V相對(duì)應(yīng)的漏極電流，以縱軸表示晶體管的漏極電流(Id)與橫軸表示晶體管的柵源極電壓(VgS)所繪制而成。在此，特別將本發(fā)明一實(shí)施例的晶體管與現(xiàn)有的晶體管的次臨限斜率(S.S.)、臨界電壓(Vt)以及場(chǎng)效應(yīng)遷移率(Ufe)等數(shù)值擷取出并整理如下表1所示:
[0056]表1
[0057]
次臨限斜率(S.S.) 臨界電壓(Vt)場(chǎng)效應(yīng)遷移率(Ufe)
本發(fā)明的晶體管__026__-0J5__25J_
現(xiàn)有的晶體管0.83-2.6726.7
[0058]單位:伏特
[0059]請(qǐng)參照表1，本發(fā)明的晶體管的次臨限斜率、臨界電壓特性參數(shù)的數(shù)值皆小于現(xiàn)有的晶體管，且場(chǎng)效應(yīng)遷移率幾乎不受影響。換句話說(shuō)，由于本發(fā)明的晶體管的圖案化溝道層不會(huì)與圖案化光致抗蝕劑層直接接觸，因此圖案化光致抗蝕劑層中所含的有機(jī)物溶劑不易對(duì)圖案化溝道層造成損傷。因此，相較于現(xiàn)有的晶體管，本發(fā)明的晶體管可在幾乎不影響場(chǎng)效應(yīng)遷移率的情況下，具有較佳的次臨限斜率及臨界電壓等特性參數(shù)。
[0060]綜上所述，本發(fā)明的晶體管及其制造方法可避免溝道直接與光致抗蝕劑接觸，進(jìn)而使晶體管具有較佳的次臨限斜率及臨界電壓。
[0061]雖然已以實(shí)施例公開(kāi)本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶體管的制造方法，包括: 在一基板上形成一柵極； 在該基板以及該柵極上形成一柵絕緣層，以覆蓋該基板以及該柵極； 在該柵絕緣層上形成一圖案化溝道層以及一掩模層，其中該圖案化溝道層與該掩模層位于該柵極上方，且該掩模層位于該圖案化溝道層上；以及 通過(guò)一濕式蝕刻劑在該柵絕緣層上形成一源極與一漏極，并且通過(guò)該濕式蝕刻劑移除部分未被該源極與該漏極覆蓋的該掩模層直到該圖案化溝道層被暴露為止，以形成多個(gè)圖案化掩模層。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其中該些圖案化掩模層的材質(zhì)與該源極及該漏極的至少部分材質(zhì)相同。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其中該些圖案化掩模層的材質(zhì)包括金屬或不含錫的氧化物半導(dǎo)體，而該圖案化溝道層的材質(zhì)包括含錫的氧化物半導(dǎo)體或多晶型的氧化銦鎵(poly-1GO)。
4.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其中該圖案化溝道層的片電阻值介于IO7歐姆/單位面積至101°歐姆/單位面積之間。
5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其中該些圖案化掩模層、該源極以及該漏極的形成是通過(guò)相同的蝕刻劑來(lái)達(dá)成。
6.如權(quán)利要求5所述的晶體管的制造方法，其中該濕式蝕刻劑包括硫酸、磷酸、硝酸與醋酸至少二者的混合液。
7.如權(quán)利要求5 所述的晶體管的制造方法，其中該濕式蝕刻劑包括硫酸、磷酸、硝酸或醋酸。
8.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其中在該柵絕緣層上形成該圖案化溝道層以及該掩模層的方法包括: 在該絕緣層上依序形成一溝道材料層以及一掩模材料層； 在該掩模材料層上形成一第一圖案化光致抗蝕劑層，并以該第一圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分未被該第一圖案化光致抗蝕劑層覆蓋的該溝道材料層以及該掩模材料層，以形成該圖案化溝道層以及該掩模層；以及 移除該第一圖案化光致抗蝕劑層。
9.如權(quán)利要求8所述的晶體管的制造方法，其中形成該源極、該漏極與該些圖案化掩模層的方法包括: 在該圖案化溝道層以及該掩模層上形成一金屬材料層； 在該金屬材料層上形成一第二圖案化光致抗蝕劑層，并以該第二圖案化光致抗蝕劑層為掩模，通過(guò)該濕式蝕刻劑，移除未被該第二圖案化光致抗蝕劑層覆蓋的該金屬材料層，以形成該源極與該漏極；以及 通過(guò)該濕式蝕刻劑，移除位于該源極與該漏極之間未被該第二圖案化光致抗蝕劑層覆蓋的該掩模層，以形成該些圖案化掩模層。
10.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其中該濕式蝕刻劑對(duì)于該源極與該漏極的蝕刻速率為Vsd，該濕式蝕刻劑對(duì)于該圖案化溝道層的蝕刻速率為Vai,而該濕式蝕刻劑對(duì)于該掩模層的蝕刻速率為VHM，且VSD、Vch與Vhm滿(mǎn)足下列關(guān)系式:. 10 ≤ VHM/VCH ≤100 ；以及 . 0.1 ≤ VSD/VHM≤ 10。
11.一種晶體管，包括: 柵極； 柵絕緣層，以覆蓋該柵極； 圖案化溝道層，配置在該柵絕緣層上且位于該柵極上方，其中該圖案化溝道層的片電阻值介于IO7歐姆/單位面積至101°歐姆/單位面積之間； 多個(gè)圖案化掩模層，配置在該圖案化溝道層上；以及 源極與一漏極，在該柵絕緣層上，其中該些圖案化掩模層位于該源極與該圖案化溝道層之間以及該漏極與該圖案化溝道層之間。
12.如權(quán)利要求11所述的晶體管，其中該些圖案化掩模層的材質(zhì)包括不含錫的氧化物半導(dǎo)體，而該圖案化溝道層的材質(zhì)包括含錫的氧化物半導(dǎo)體或多晶型的氧化銦鎵(poly-1GO)。
13.如權(quán)利要求11所述的晶體管，其中該些圖案化掩模層的材質(zhì)包括IGO、IZO、IGZ0、八20、2110、111203 或63203，而該圖案化溝道層的材質(zhì)包括幾20、21'0、21'0:111、21'0:63、1620:511、GTO、IGTO或多晶型的氧化銦鎵(poly-1GO)。
14.如權(quán)利要求11所述的晶體管，其中該些圖案化掩模層暴露出部分的該圖案化溝道層。
【文檔編號(hào)】H01L29/10GK103871903SQ201410125986
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月15日
【發(fā)明者】楊朝舜 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司