信號路徑和制造多重圖案化的半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種多重圖形化的半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件包括有信號跡線的一個或更多層。信號跡線具有質(zhì)量特性。半導(dǎo)體器件還包括中繼器庫，以對信號再供電。制造方法包括用具有信號跡線圖案的光掩膜來限定層的部分，確定信號跡線圖案的質(zhì)量特性，并且選擇用于蝕刻通孔的光掩膜。
【專利說明】信號路徑和制造多重圖案化的半導(dǎo)體器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開大體涉及半導(dǎo)體器件和制造方法，并且更具體地涉及一種多重圖案化的半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體工業(yè)正在制造特征尺寸越來越小而功能越來越強的部件。由于對高度集成的半導(dǎo)體器件的需求的增加，已經(jīng)變得強烈地依賴于在更小的裸片面積中生產(chǎn)更多的半導(dǎo)體器件的先進技術(shù)。這種半導(dǎo)體器件的制造揭示了新的設(shè)計和要應(yīng)對的制造挑戰(zhàn)，以便保持或者改進半導(dǎo)體器件的性能。
[0003]隨著半導(dǎo)體的器件密度增加，在半導(dǎo)體器件內(nèi)的導(dǎo)線寬度和間距減小。多重圖案化光刻代表一類被開發(fā)用于光刻以提高半導(dǎo)體器件的特征密度的技術(shù)。早在在半導(dǎo)體工業(yè)中的45nm節(jié)點，就可能使用了雙重圖案化(多重圖案化的一個子集)，并且雙重圖案化可能是用于32nm節(jié)點以及比32nm更小的節(jié)點的主要技術(shù)。雙重圖案化利用多個掩模和光刻步驟，以產(chǎn)生特定級的半導(dǎo)體器件。具有優(yōu)點諸如更緊密的間距和更窄的線，雙重圖案化更改了與半導(dǎo)體器件的布線和接線質(zhì)量有關(guān)的變量之間的關(guān)系，以維持性能。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在一個實施例中，本公開涉及多重圖案化的半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件可包括一個或更多層。半導(dǎo)體器件的具體級可包括由不同掩膜和曝光限定的信號跡線。信號跡線可具有質(zhì)量特性。半導(dǎo)體器件可包括中繼器庫(i^peater bank)。中繼器庫可對信號再供電。半導(dǎo)體器件可實現(xiàn)定時公差標(biāo)準(zhǔn)。
[0005]在一個實施例中，本公開涉及制造經(jīng)多重圖案化的半導(dǎo)體器件的方法。制造方法包括限定層的部分。具有信號跡線圖案的光掩膜可被用于限定所述層的所述部分。該方法可包括確定信號跡線圖案的質(zhì)量特性。該方法可包括選擇光掩膜用于蝕刻通孔。該方法可實現(xiàn)在定時公差標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的信號傳播路徑。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1A是示出根據(jù)本公開的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖；
[0007]圖1B是示出根據(jù)本公開的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳輸)上的信號跡線示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖；
[0008]圖1C是示出根據(jù)本公開的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳播)上的信號跡線示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖；
[0009]圖2是示出根據(jù)本公開的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖；
[0010]圖3是示出根據(jù)本公開的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖；
[0011]圖4A是示出根據(jù)本公開的在使用第一掩膜曝光之前的并且在使用第二掩膜曝光之前的半導(dǎo)體器件的截面圖；
[0012]圖4B是示出根據(jù)本公開的在使用第一掩膜曝光之后的并且在使用第二掩膜曝光之前的半導(dǎo)體器件的截面圖；
[0013]圖4C是示出根據(jù)本公開的在使用第一掩膜曝光之后的并且在使用第二掩膜曝光之后的半導(dǎo)體器件的截面圖；
[0014]圖4D是示出根據(jù)本公開的半導(dǎo)體器件顯影之后的截面圖；
[0015]圖5A是示出根據(jù)本公開的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖；
[0016]圖5B是示出根據(jù)本公開的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳播)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖；
[0017]圖5C是示出根據(jù)本公開的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳播)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖；
[0018]圖是示出根據(jù)本公開的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳播)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖；
[0019]圖6是根據(jù)一個實施例的為了選擇通孔掩膜的操作的流程圖；以及
[0020]圖7是根據(jù)一個實施例的為了選擇通孔掩膜的操作的流程圖
【具體實施方式】
[0021]隨著導(dǎo)線寬度和節(jié)距幾何尺寸的減小，在特定級上的雙重圖案化的使用可能增力口，以便在仍然使用現(xiàn)有技術(shù)的光刻曝光裝備的同時，獲得需要的導(dǎo)體尺度。雙重圖案化的優(yōu)點包括能夠形成緊密導(dǎo)體節(jié)距；然而，雙重圖案化可以將關(guān)于時間的其他變量和噪聲引入半導(dǎo)體工序。雙重圖案化更改了相鄰接線之間在寬度和間隔兩者中的關(guān)系?？梢栽讵毩⒌墓饪滩襟E中限定相鄰接線溝道。由于光刻曝光變動以及一個曝光相對于另一個曝光的配準(zhǔn)錯誤或置位錯誤，在相鄰接線之間可能出現(xiàn)顯著區(qū)別。對于用于非最佳的接線的設(shè)計需求限制了半導(dǎo)體設(shè)計變量諸如信號中繼器間距，其可能影響半導(dǎo)體裸片尺寸。
[0022]單一級圖案化使得具有信號延遲影響的參數(shù)(諸如接線寬度、高度和間距變化)具有簡明的特性。接線的電阻值(R)與接線的電容值(C)的乘積形成接線的RC時間常數(shù)(注意，由于R和C沿接線長度分布，這是近似值)。歷來，線寬或厚度的減小導(dǎo)致電阻的增加和對應(yīng)的電容的減小。C的下降大致抵消在RC時間常數(shù)中R的增加。出現(xiàn)這種電容增加的部分原因是橫向電容的減小，因為隨著接線寬度的減小在接線之間的間距增加。類似地，接線寬度或厚度的增加導(dǎo)致電阻的減少，在RC時間常數(shù)中所述電阻減小被對應(yīng)的電容的增加大致抵消。出現(xiàn)這種電容增加的部分原因是橫向電容的增長，因為隨著接線寬度的增加在接線之間的間距減小。由此，通常地，經(jīng)單一圖案化的接線的RC時間常數(shù)保持在適當(dāng)?shù)墓钕薅戎畠?nèi)。
[0023]雙重圖案化推動橫向電容具有與單級圖案化相比不同的性質(zhì)。在雙重圖案化中，相鄰接線的寬度是相當(dāng)獨立的，即留跡不足。在使用單獨曝光產(chǎn)生的相鄰接線之間，接線寬度可能留跡不佳。相對窄的接線可能緊挨著相對寬的接線或者在相對寬的接線之間。雙重圖案化在相鄰接線之間產(chǎn)生與接線電阻的變化有效分離的變化的橫向電容。經(jīng)過工藝變化，電阻值(R)和電容值(C)可能不能相互平衡。例如，高阻接線可能具有高R和高C。因此，相鄰接線之間的RC時間常數(shù)可能顯著變化。雙重圖案化的一重圖案化的接線運送信號可能比另一重圖案化更快地運送信號。這就可能導(dǎo)致信號在不同的時間到達它們各自的目的地。早期對具體14-15nm技術(shù)的分析指出在相鄰導(dǎo)線之間的橫向電容可能有雙倍的最壞情況、雙倍的耦合噪聲、以及總接線C增加50%。這些變動可能需要能減輕這些影響的解決方法。潛在的解決方法包括更頻繁地放置中繼器或者使接線分開地更遠(yuǎn)。這種解決方法可能增加半導(dǎo)體裸片尺寸。半導(dǎo)體裸片尺寸的增加可能是令人氣餒的，并且可能負(fù)面地影響在一些系統(tǒng)中使用這種半導(dǎo)體器件的能力。將由多于一重圖案化得到的信號跡線用于運送信號，可以達到與信號定時相關(guān)的期望結(jié)果。
[0024]假設(shè)在接線RC時間常數(shù)中有顯著變化，為了在“A接線”和“B接線”兩者上得到高RC時間常數(shù)而進行設(shè)計可以涉及接近的信號中繼器間距。由于只有“A接線”或“B接線”可能在RC時間常數(shù)的公差限度內(nèi)，通過減小信號中繼器間距可能足以降低所述的一個的更高的RC時間常數(shù)。這就可以減少在高RC時間常數(shù)接線造成的限制下分隔所有信號中繼器所需要的過度的裕度。隨著裸片的邏輯容量的增加，對于在裸片元件之間的總線寬度和總線必須運行的速度兩者，片上通信要求趨向于指數(shù)地增加。信號中繼器間距的減小通過限制可以置于中繼器隔艙之間的最大尺寸單元而影響設(shè)計，這可能使大塊定時收斂復(fù)雜化并增大裸片尺寸。信號中繼器間距的最大化可以有益于半導(dǎo)體裸片尺寸。
[0025]半導(dǎo)體裸片可以包括層，該層可以傳導(dǎo)信號。這樣的信號傳導(dǎo)層可以是經(jīng)多重圖案化的。在一個實施例中，該層可以是經(jīng)雙重圖案化的。光刻步驟可以涉及包括第一掩膜和第二掩膜的單獨掩膜?？梢栽诜珠_的光刻步驟中，使用這種單獨掩膜限定相鄰接線溝道。有接線溝道的第一圖案可以承載“A接線”，并且有接線溝道的第二圖案可以承載“B接線”。接線溝道可以在用于“A接線”和“B接線”的布局中交替。由此，“A接線”可以在“B接線”之間存在，并且“B接線”可以在“A接線”之間存在。
[0026]中繼器可以將信號從第一信號跡線轉(zhuǎn)移到第二信號跡線。由此，中繼器可以將信號從“A接線”轉(zhuǎn)移到“B接線”，或者從“B接線”轉(zhuǎn)移到“A接線”。信號可以在從起始到目的地的轉(zhuǎn)移傳播中轉(zhuǎn)移多次。信號路徑可以部分在快接線上并且部分在慢接線上地運送信號?？梢允褂猛缀透邔咏饘俎D(zhuǎn)移信號路徑。信號路徑可以十字交叉。考慮了用于轉(zhuǎn)移信號的其它可能。
[0027]中繼器可以對信號再供電?？梢栽趶钠鹗嫉侥康牡氐霓D(zhuǎn)移傳播中多次對信號再供電。從在“A接線”和“B接線”上的起始處開始轉(zhuǎn)移的兩個信號可以每一個到達目的地，以獲得定時公差標(biāo)準(zhǔn)。定時公差標(biāo)準(zhǔn)可以包括用于第一信號路徑和第二信號路徑的用于運送信號經(jīng)過從起始到目的地的距離的時間量的差值。時間量可以是預(yù)計的用于信號路徑的運送信號經(jīng)過所述距離的時間。差值可以是統(tǒng)計的或確定的。當(dāng)信號路徑在相等的數(shù)量的“A接線”和“B接線”上運送信號時，差值可以是統(tǒng)計的。當(dāng)信號路徑在不相等數(shù)量的“A接線”和“B接線”上運送信號時，諸如實施例其中信號路徑在多一個“A接線”上或在多一個“B接線”上運送信號時，差值可以是確定的。在實施例中，至少一個信號路徑可以在沒有再供電的情況下轉(zhuǎn)移或十字交叉。考慮了其它預(yù)期的時間和差值。
[0028]先進的半導(dǎo)體工藝技術(shù)可以利用雙大馬士革技術(shù)。使用這種技術(shù)，可以在通到下方平面的下方通孔之前，限定金屬跡線。信號跡線可以具有質(zhì)量特性。質(zhì)量特性的示例可以是尺寸值、寬度、RC時間常數(shù)值或用于讓信號傳播一定距離的時間?？梢哉J(rèn)為，假如值在彼此的百分之五內(nèi)，第一質(zhì)量特性基本上與第二質(zhì)量特性相等。
[0029]可以測量用于“A接線”和“B接線”的金屬槽寬。用于“A接線”的金屬槽寬可以是第一質(zhì)量特性，并且用于“B接線”的金屬槽寬可以是第二質(zhì)量特性。測量可以在蝕刻金屬槽之前發(fā)生。測量可以在蝕刻下方通孔之前發(fā)生?？梢酝ㄟ^選擇各種通孔級設(shè)計標(biāo)線中的一個，改變在所述金屬接線之下的連接。允許在兩個或更多個位置中的一個位置的、可以連接到兩個或更多個潛在的信號中繼器中的一個的潛在的通孔，可以減輕高RC時間常數(shù)、更慢的接線的影響。在這種情況下，更慢的接線要求間隔更近的中繼器。
[0030]圖1A是示出根據(jù)本公開的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖。圖示100描述根據(jù)一個實施例的半導(dǎo)體器件。在圖1A中，例如，承載“A接線”101 (示出相對較寬)的信號跡線可能比承載“B接線”102 (示出相對較窄)的信號跡線更快。“A接線”101可以具有比“B接線”102更短的RC時間常數(shù)?？梢杂尚盘栛E線分離間距105隔開承載“A接線”101的信號跡線和承載“B接線”102的信號跡線。
[0031]中繼器可以與多個中繼器庫一起存在。中繼器庫可以等同于再供電塊。每個中繼器庫可以具有可測量面積、FET寬度、晶體管閾值電壓和緩沖器強度?？梢杂芍欣^器庫分離間距115隔開第一中繼器庫111和第二中繼器庫112。每個中繼器庫可以具有絕緣部130、柵極131或132、和源-漏區(qū)域133、135或134、136。在一個實施例中，第一中繼器庫111和第二中繼器庫112可以具有相等的面積、FET寬度、晶體管閾值電壓和緩沖器強度。
[0032]通孔可以用來連接接線和中繼器庫。第一通孔輸入121可以存在以用于將前面的接線段連結(jié)到第一中繼器庫111。第二通孔輸入122可以存在以用于將前面的接線段連結(jié)到第二中繼器庫112。第一通孔輸出123可以存在以用于將第一中繼器庫111連結(jié)到下個接線段。第二通孔輸出124可以存在以用于將第二中繼器庫112連結(jié)到下個接線段。在一個實施例中，可以通過一個信號跡線，使中繼器庫111、112的輸入121、122和輸出123、124交替。在另一個實施例中，可以相隔奇數(shù)個信號跡線來布置輸入諸如121、122和輸出諸如123、124。在其它實施例中可考慮其它可能。
[0033]圖1B是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的跡線上傳播)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖。在圖1B中，例如承載“A接線”101的信號跡線可以比承載“B接線”102的跡線更快?！癆接線”101可以具有比“B接線”102更短的RC時間常數(shù)。接線可以是圖1B中示出的段，如用于“A接線”的101A、101B、101C、101D、101E，和用于“B 接線”的 102A、102B、102C、102D、102E。
[0034]承載接線的信號跡線可以在每個中繼器庫處具有被轉(zhuǎn)移到另一個承載接線的信號跡線的信號路徑。在一個實施例中，可以由一個信號跡線使信號路徑交替。信號路徑可以在中繼器庫處轉(zhuǎn)移，在“A接線”101和“B接線”102之間交替。在其他實施例中，在“A接線” 101和“B接線” 102上的信號路徑可以以不同的方式交錯，諸如一種安排是信號路徑包括信號跡線，其中信號轉(zhuǎn)移到奇數(shù)遠(yuǎn)的信號跡線。如在圖1B中，影響是，運送信號的信號路徑可以沿途在中繼器庫處再供電，在“A接線” 101和“B接線” 102之間反復(fù)穿行。
[0035]如在圖1B中描述的，示例信號141的信號路徑可以在“A接線” IOlA處起始，用中繼器庫141AB轉(zhuǎn)移到“B接線” 102B。用中繼器庫141BC轉(zhuǎn)移到“A接線” 101C，用中繼器庫141⑶轉(zhuǎn)移到“B接線” 102D，并且用中繼器庫141DE轉(zhuǎn)移到“A接線” 101E，在IOlE處信號141最終到達它的目的地。類似地，示例信號142的信號路徑可以在“B接線”102A處起始，用中繼器庫142AB轉(zhuǎn)移到“A接線”101B。用中繼器庫142BC轉(zhuǎn)移到“B接線” 102C，用中繼器庫142⑶轉(zhuǎn)移到“A接線”101D，并且用中繼器庫142DE轉(zhuǎn)移到“B接線” 102E，在102E處信號142最終到達它的目的地。
[0036]其中每個運送信號的兩個信號路徑，在相等數(shù)目的“A接線” 101和“B接線” 102上傳播，結(jié)果可以是，信號相互地在幾乎相等的時間量中傳播相同的距離。在“A接線”101和“B接線” 102之間以交替的方式穿行的信號可以在與在“B接線” 102和“A接線” 101之間以交替的方式穿行的信號幾乎相等的時間到達目的地。如在圖示140中，信號141和142將會在快接線101和慢接線102上傳播相同的距離(加或減一個接線段長度)后，在幾乎相同的時間到達它們的目的地?？梢栽诓贿^分強調(diào)高RC接線的情況下，出現(xiàn)這種信號傳播。
[0037]圖1C是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳輸)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖。在圖1C中，例如，承載“A接線”101的信號跡線可以比承載“B接線”102的信號跡線更快?！癆接線”101可以具有比“B接線”102更短的RC時間常數(shù)。接線可以是在圖示170中示出的段，如用于“A 接線”的 101A、101B、101C、101D、101E，和用于 “B 接線”的 102A、102B、102C、102D、102E。
[0038]承載接線的信號跡線可以在每個中繼器庫處具有被轉(zhuǎn)移到另一個承載接線的信號跡線的信號路徑。在一個實施例中，可以通過一個信號跡線使信號路徑交替。信號路徑可以在“A接線”101和“B接線”102之間交替，在中繼器庫處轉(zhuǎn)移。在其它實施例中，在“A接線”101和“B接線”102上的信號路徑可以以不同的方式交錯，諸如一種安排是信號路徑包括信號跡線，其中信號轉(zhuǎn)移到奇數(shù)遠(yuǎn)的信號跡線。如在圖1C中，影響是，運送信號的信號跡線可以在“A接線” 101和“B接線” 102之間反復(fù)穿行，沿途在中繼器庫處再供電。
[0039]如在圖1C中描述的，示例信號171的信號路徑可以在“A接線” IOlA處起始，用中繼器庫171AB轉(zhuǎn)移到“B接線” 102B。用中繼器庫171BC轉(zhuǎn)移到“A接線” 101C，用中繼器庫171CD轉(zhuǎn)移至IJ “B接線” 102D,并且用中繼器庫171DE轉(zhuǎn)移至Ij “A接線” 101E,在IOlE處信號171最終到達它的目的地。類似地，示例信號172的信號路徑可以在“B接線”102A處起始，用中繼器庫172AB轉(zhuǎn)移到“A接線”101B。用中繼器庫172BC轉(zhuǎn)移到“B接線” 102C，用中繼器庫172⑶轉(zhuǎn)移到“A接線”101D，并且用中繼器庫172DE轉(zhuǎn)移到“B接線” 102E，在102E處信號172最終到達它的目的地。
[0040]其中每個運送信號的兩個信號路徑，在相等數(shù)目的“A接線”101和“B接線”102上傳播，結(jié)果可以是，信號相互地在幾乎相等的時間量中傳播相同的距離。在“A接線”101和“B接線” 102之間以交替的方式穿行的信號可以在與在“B接線” 102和“A接線” 101之間以交替的方式穿行的信號幾乎相等的時間到達目的地。如在圖1C中，信號171和172將會在快接線101和慢接線102上傳播相同的距離(加或減一個接線段長度)后，在幾乎相同的時間到達它們的目的地?？梢栽诓贿^分強調(diào)高RC接線的情況下，出現(xiàn)這種信號傳播。
[0041]RC時間常數(shù)的數(shù)量可以與改變的接線長度的延遲的大小有關(guān)。在信號路徑上的信號延遲可以與信號傳播距離所需的接線長度的平方相關(guān)。中繼器節(jié)距的減小可以使RC時間常數(shù)的接線組分以所減小的中繼器節(jié)距與原有中繼器間距的比率的平方而減小。接線可以延伸原有中繼器間距的距離。電容組分可能不經(jīng)歷減少。允許更高RC的接線比更優(yōu)質(zhì)的接線間隔地更近得到更大的在中繼器之間的平均間距。如上所述，更大的在中繼器之間的平均間距可以有益于裸片尺寸，并且允許更多的設(shè)計變量。這種間距可以有益地影響作為整體的半導(dǎo)體器件。
[0042]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖。圖示200描述根據(jù)一個實施例的半導(dǎo)體器件。在圖2中描述的實施例的方面與在圖示100中描述的相似或相同。在圖示200中，例如，承載“B接線”202的信號跡線可能比承載“A接線”201的信號跡線更快?！癇接線”202可以具有比“A接線”201更短的RC時間常數(shù)。
[0043]通孔可以用來連接接線和中繼器庫。第一通孔輸入221可以存在以用于將前面的接線段連結(jié)到第一中繼器庫111。第二通孔輸入222可以存在以用于將前面的接線段連結(jié)到第二中繼器庫112。第一通孔輸出223可以存在以用于將第一中繼器庫111連結(jié)到下個接線段。第二通孔輸出224可以存在以用于將第二中繼器庫112連結(jié)到下個接線段。在一個實施例中，可以通過一個信號跡線，使中繼器庫111、112的輸入221、222和輸出223、224交替。在另一個實施例中，可以隔奇數(shù)個信號跡線來布置輸入諸如221、222和輸出諸如223、224。在其它實施例中可考慮其它可能。
[0044]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖。圖示300描述根據(jù)一個實施例的半導(dǎo)體器件。在圖示300中描述的實施例的方面與在圖示100、200中描述的相似或相同。在圖示300中，例如，例如，承載“A接線”301的信號跡線的速度可能與承載“B接線”302的信號跡線等效?！癆接線”301的RC可以與“B接線”302等效。
[0045]通孔可以用來連接接線和中繼器庫。第一通孔輸入321可以存在以用于將前面的接線段連結(jié)到第一中繼器庫111。第二通孔輸入322可以存在以用于將前面的接線段連結(jié)到第二中繼器庫112。第一通孔輸出323可以存在以用于將第一中繼器庫111連結(jié)到下個接線段。第二通孔輸出324可以存在以用于將第二中繼器庫112連結(jié)到下個接線段。在一個實施例中，可以通過一個信號跡線，使中繼器庫111、112的輸入321、322和輸出323、324交替。在另一個實施例中，可以隔奇數(shù)個信號跡線來布置輸入諸如321、322和輸出諸如323、324。假如接線的RC等效，圖示諸如100、200也可以連續(xù)，并且連接可以是任意的。在其它實施例中可考慮其它可能。
[0046]根據(jù)實施例，可以在不同的圖案化設(shè)計級或?qū)又圃爝B接。信號的轉(zhuǎn)移可以出現(xiàn)在多層之間。再供電也可以出現(xiàn)在本文中?？梢允褂猛缀透邔咏饘倩蚱渌夹g(shù)，將信號從在第一信號導(dǎo)體層上的信號跡線轉(zhuǎn)移到在第二信號導(dǎo)體層的信號跡線。轉(zhuǎn)移可以如在圖示100、140、170、200、300中示出以相似的方式出現(xiàn)。因此，信號可以在從起始到目的地的傳播中轉(zhuǎn)移多次。這種在承載慢接線和快接線的信號跡線之間的反復(fù)可以穿過半導(dǎo)體器件在多層之間出現(xiàn)。在其它實施例中可考慮其它配置和可能。
[0047]圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的在使用第一掩膜曝光之前的并且在使用第二掩膜曝光之前的半導(dǎo)體器件的截面圖。為了形成半導(dǎo)體器件，可以在半導(dǎo)體襯底401上形成層間絕緣薄膜402，該半導(dǎo)體襯底中將形成各種部件。然后在層間絕緣薄膜402上涂覆光阻劑403。先進的半導(dǎo)體工藝技術(shù)可以利用雙大馬士革技術(shù)。使用這種技術(shù)，可以在通到下方平面的下方通孔之前，限定金屬跡線。第一掩膜411可以用于限定第一信號跡線組，并且第二掩膜422可以用于限定第二信號跡線組。
[0048]圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明的在使用第一掩膜曝光之后的并且在使用第二掩膜曝光之前的半導(dǎo)體器件的截面圖。第一掩膜411可以用于通過曝光而在光阻劑403上限定第一信號跡線組。在使用第一掩膜曝光之后，光阻劑413可以具有被限定的第一信號跡線組。
[0049]圖4C是示出根據(jù)本發(fā)明的在使用第一掩膜曝光之后的并且在使用第二掩膜曝光之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。第二掩膜422可以通過曝光在光阻劑413上限定第二信號跡線組。在使用第二掩膜曝光之后，光阻劑423可以具有被限定的第二信號跡線組。
[0050]圖4D是示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件顯影之后的截面圖。光阻劑433顯影之后可以具有準(zhǔn)備好被測量的第一信號跡線組和第二信號跡線組兩者。可以在光阻劑433上測量用于“A接線”和“B接線”的金屬槽的寬度。測量可以出現(xiàn)在已經(jīng)顯影出并處理光阻劑之后。處理可以包括去除光阻劑的被曝光的部分。測量可以出現(xiàn)在蝕刻金屬槽之前。測量可以出現(xiàn)在蝕刻下方通孔之前。可以在蝕刻之前確定通孔位置。槽寬的變化的主導(dǎo)變量可以是曝光引起的。在圖4D中，例如，形成的有第一寬度441的用于“A接線”的溝道可以比形成的有第二寬度442的用于“B接線”的溝道更快，因為第一寬度411可以比第二寬度412更大。在一些實施例中，在蝕刻金屬槽后，測量可以在蝕刻下方通孔前再次出現(xiàn)。
[0051]圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明的承載接線、連接器和中繼器庫的經(jīng)雙重圖案化的信號跡線的透視圖。在圖示500中描述的實施例的方面與在圖示100、140、170、200、300、400中描述的相似或相同。在圖示500中，例如，承載“A接線”101的信號跡線可能比承載“B接線”102的信號跡線更快?！癆接線”101可以具有比“B接線”102更短的RC時間常數(shù)?？梢杂芍欣^器庫分離節(jié)距515隔開第一中繼器庫511和第二中繼器庫512。中繼器庫分離節(jié)距515可以盡可能地小。例如，在圖示100、140、170、200、300、400中的中繼器庫節(jié)距115可以是30微米，而在圖示500中的中繼器庫分離節(jié)距515可以是I微米。
[0052]緩沖器強度可以包括中繼器經(jīng)過從起始到目的地的距離助推信號的能力。較強中繼器庫的緩沖器強度可以比若中繼器庫強百分之五十。在一個實施例中，第一中繼器庫511和第二中繼器庫512可以具有不同的緩沖器強度。更大的緩沖器強度可以成功地驅(qū)動信號在指定時間中經(jīng)過特定接線的長度。在圖示500中，連接到承載快接線101的信號跡線的第一中繼器庫511的緩沖器強度可以比連接到承載慢接線102的信號跡線的第二中繼器庫512的緩沖器強度更弱。
[0053]在一個實施例中，第一中繼器庫511和第二中繼器庫512的不同的緩沖器強度可以通過使FET寬度不同或者為每個中繼器庫建立不同的晶體管閾值電壓而得到。連接到有慢接線的信號跡線的中繼器庫的寬度可以相對連接到有快接線的信號跡線的中繼器庫的FET寬度更大。閾值電壓是有充足的電子以形成低電阻導(dǎo)電路徑的電壓。減少中繼器庫的晶體管閾值電壓可以增加該組的緩沖器強度。相對于連接到有快接線的信號跡線的中繼器庫的晶體管閾值電壓，連接到有慢接線的信號跡線的中繼器庫的晶體管閾值電壓可被減小。如在圖示500中描述的，相對中繼器庫511，中繼器庫512可以具有更寬的FET寬度或中繼器庫更小的晶體管閾值電壓。由此，連接到有快接線101的信號跡線的中繼器庫511的緩沖器強度可以比連接到有慢接線102的信號跡線的中繼器庫512的緩沖器強度更低。
[0054]在一個實施例中，第一中繼器庫511和第二中繼器庫512的不同的緩沖器強度可以通過建立不同的用于每一個中繼器庫的面積得到。面積可以直接正比于中繼器指型連接器的數(shù)量，由此影響緩沖器強度。減小中繼器庫的面積可以減少中繼器庫的緩沖器強度。增大中繼器庫的面積可以增加中繼器庫的緩沖器強度。第一中繼器庫的面積的減小可以抵消第二中繼器庫的面積的增大。作為整體，兩個中繼器庫的總面積可以非實質(zhì)地改變而單獨更改每一個中繼器庫的面積?？梢韵鄬τ谶B接到有快接線102的信號跡線的中第二繼器組512，減小連接到有快接線101的信號跡線的第一中繼器庫511的面積。在一個實施例中，第一中繼器庫511可以具有比第二中繼器庫512更少的中繼器指型連接器。由此，連接到有快接線101的信號跡線的中繼器庫511的緩沖器強度比連接到有慢接線102的信號跡線的中繼器庫512的緩沖器強度更弱。
[0055]圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳輸)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖。在圖5B中描述的半導(dǎo)體器件的方面與在圖1A-5A中描述的相似或相同。在圖5B中，例如，承載“A接線”101的信號跡線可能比承載“B接線”102的信號跡線更快?！癆接線”101可以具有比“B接線”102更短的RC時間常數(shù)。接線可以是在圖5B中示出的段，如用于“A接線”的101A、101B、101C、101D、101E，和用于“B 接線”的 102A、102B、102C、102D、102E。段長度可以有基本上相等的長度?；旧舷嗟鹊拈L度可以是在第二段的長度的百分之十之內(nèi)的第一段的長度。在圖5B中示出被選擇的用于較弱中繼器庫541AB的通孔546以及被選擇的用于較強中繼器庫542AB的通孔547?？梢赃x擇通孔546、547以將有給定RC時間常數(shù)的信號跡線與有給定強度的中繼器庫相連接。可以基于通過測量確定的溝寬，完成需要的強度或弱度的選擇和適當(dāng)?shù)耐走B接。用金屬填充溝，以制作“A接線”或“B接線”。
[0056]承載接線的信號跡線可以具有在每一個中繼器庫處轉(zhuǎn)移到另一個承載接線的信號跡線的信號路徑。在一個實施例中，可以通過兩個信號跡線使信號路徑交替。信號路徑可以在中繼器庫處轉(zhuǎn)移，在不同的“A接線”101或不同的“B接線”102之間交替。在其他實施例中，在“A接線”101和“B接線”102上的信號路徑可以以不同的方式交錯，諸如一種安排是信號路徑包括信號跡線，其中信號轉(zhuǎn)移到偶數(shù)遠(yuǎn)的信號跡線。如在圖5B中，影響是，運送信號的信號跡線可以沿途在中繼器庫處再供電，在不同的“A接線”101和不同的“B接線”102之間反復(fù)穿行。
[0057]在一個實施例中，中繼器庫可以具有不同的緩沖器強度。不同的緩沖器強度可以通過使FET寬度不同或者為每個中繼器庫建立不同的晶體管閾值電壓而得到。圖5B描述在“A接線”上傳播的信號541，以及在“B接線”上傳播的信號542。所述信號可以沿途在中繼器處再供電。中繼器庫541AB、541BC、541CD和541DE可以是連接到有快接線101的信號跡線的較弱中繼器庫，并且中繼器庫542AB、542BC、542⑶和542DE可以是連接到有慢接線102的信號跡線的較強中繼器庫。連接到有慢接線102的信號跡線的中繼器庫的FET寬度可以相對于連接到有快接線101的信號跡線的中繼器庫的FET寬度更大。備選地，相對于連接到有快接線101的信號跡線的中繼器庫的晶體管閾值電壓，可以減小連接到有慢接線102的信號跡線的中繼器庫的晶體管閾值電壓。在這種實施例中，在“A接線”101上傳播的信號可以在與在“B接線” 102上傳播的信號統(tǒng)計上相等的時間到達最終目的地。
[0058]如在圖5B中描述的，示例信號541的信號路徑可以在“A接線” IOlA處起始，用較弱中繼器庫541AB轉(zhuǎn)移到“A接線”101B，用較弱中繼器庫541BC轉(zhuǎn)移到“A接線”101C，用較弱中繼器庫541⑶轉(zhuǎn)移到“A接線”101D，并且用較弱中繼器庫541DE轉(zhuǎn)移到“A接線”101E，在IOlE處信號541最終到達它的目的地。類似地，示例信號542的信號路徑可以在“B接線”102A處起始，用較強中繼器庫542AB轉(zhuǎn)移到“B接線”102B。用較強中繼器庫542BC轉(zhuǎn)移至IJ“B接線”102C，用較強中繼器庫542⑶轉(zhuǎn)移到“B接線” 102D，并且用較強中繼器庫542DE轉(zhuǎn)移到“B接線” 102E，在102E處信號542最終到達它的目的地。
[0059]圖5C是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳輸)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖。在圖5C中描述的半導(dǎo)體器件的方面與在圖1A-5B中描述的相似或相同。圖5B和圖5C可以僅在中繼器庫面積上不同。在圖5C中，例如，承載“A接線”101的信號跡線可能比承載“B接線”102的信號跡線更快。“A接線”101可以具有比“B接線”102更短的RC時間常數(shù)。接線可以是圖5C中示出的段，如用于“A接線”的101A、101B、101C、101D、101E，和用于“B接線”的102A、102B、102C、102D、102E。段長度可以有基本上相等的長度?；旧舷嗟鹊拈L度可以是在第二段的長度的百分之十之內(nèi)的第一段的長度。在圖5C中示出被選擇的用于較弱中繼器庫57IAB的通孔576以及被選擇的用于較強中繼器庫572AB的通孔577。可以選擇通孔576、577以將有給定RC時間常數(shù)的信號跡線與有給定強度的中繼器庫相連接?？梢曰谕ㄟ^測量確定的溝寬，完成需要的強度或弱度的選擇和適當(dāng)?shù)耐走B接。用金屬填充溝，以制作“A接線”或“B接線”。
[0060]承載接線的信號跡線可以具有在每一個中繼器庫處轉(zhuǎn)移到另一個承載接線的信號跡線的信號路徑。在一個實施例中，可以通過兩個信號跡線，使信號路徑交替。信號路徑可以在中繼器庫處轉(zhuǎn)移，在不同的“A接線”101或不同的“B接線”102之間交替。在另一個實施例中，在“A接線”101和“B接線”102上的信號路徑可以以不同的方式交錯，諸如一種安排是信號路徑包括信號跡線，其中信號轉(zhuǎn)移到偶數(shù)遠(yuǎn)的信號跡線。如在圖5C中，影響是，運送信號的信號跡線可以沿途在中繼器庫處再供電，在不同的“A接線”101和不同的“B接線”102之間反復(fù)穿行。
[0061]在一個實施例中，中繼器庫可以具有不同的緩沖器強度。不同的緩沖器強度可以通過為每個中繼器庫建立不同面積而得到。圖5C描述在“A接線”上傳播的信號571，以及在“B接線”上傳播的信號572。所述信號可以沿途在中繼器處再供電。中繼器庫571AB、571BC、571⑶和571DE可以是連接到有快接線101的信號跡線的較弱中繼器庫，并且中繼器庫572AB、572BC、572CD和572DE可以是連接到有慢接線102的信號跡線的較強中繼器庫。連接到有慢接線102的信號跡線的中繼器庫的面積可以大于連接到有快接線101的信號跡線的中繼器庫的面積。在這種實施例中，在“A接線”101上傳播的信號可以與在“B接線” 102上傳播的信號在統(tǒng)計上相等的時間到達最終目的地。
[0062]如在圖5C中描述的，示例信號571的信號路徑可以在“A接線” IOlA處起始，用較弱中繼器庫571AB轉(zhuǎn)移到“A接線”101B，用較弱中繼器庫571BC轉(zhuǎn)移到“A接線”101C，用較弱中繼器庫571⑶轉(zhuǎn)移到“A接線”101D，并且用較弱中繼器庫571DE轉(zhuǎn)移到“A接線”101E，在IOlE處信號571最終到達它的目的地。類似地，示例信號572的信號路徑可以在“B接線”102A處起始，用較強中繼器庫572AB轉(zhuǎn)移到“B接線”102B。用較強中繼器庫572BC轉(zhuǎn)移至IJ“B接線” 102C，用較強中繼器庫572⑶轉(zhuǎn)移到“B接線” 102D,并且用較強中繼器庫572DE轉(zhuǎn)移到“B接線” 102E，在102E處信號572最終到達它的目的地。
[0063]圖是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在接線(其中信號可以在雙重圖案化的信號跡線上傳輸)上的信號路徑示例和中繼器庫的相對位置兩者的平面圖。在圖中描述的半導(dǎo)體器件的方面與在圖1A-5C中描述的相似或相同。在圖5C中，例如，承載“A接線” 101的信號跡線的速度可能與承載B接線” 102的信號跡線基本相等?！癆接線” 101可以具有與“B接線”102基本相等的RC時間常數(shù)。接線可以成段(在圖中示出的段)，如用于“A 接線”的 101A、101B、101C、101D、101E，和用于“B 接線”的 102A、102B、102C、102D、102E。段長度可以有基本上相等的長度?；旧舷嗟鹊拈L度可以是在第二段的長度的百分之十之內(nèi)的第一段的長度。在圖中示出被選擇的用于較強中繼器庫591AB的通孔576以及被選擇的用于較弱中繼器庫592AB的通孔597。可以選擇通孔596、597以將有給定RC時間常數(shù)的信號跡線與有給定強度的中繼器庫相連接。可以基于通過測量確定的溝寬或槽寬，完成需要的強度或弱度的選擇和適當(dāng)?shù)耐走B接。用金屬填充溝或槽，以制作“A接線”或“B接線”。
[0064]承載接線的信號跡線可以具有在每一個中繼器庫處轉(zhuǎn)移到另一個承載接線的信號跡線的信號路徑。信號路徑可以在中繼器庫處轉(zhuǎn)移，在不同的“A接線”101或不同的“B接線” 102之間交替。在另一個實施例中，在“A接線” 101和“B接線” 102上的信號路徑可以以不同的方式交錯。如在圖中，影響是，運送信號的信號跡線可以沿途在中繼器庫處再供電，在不同的“A接線” 101和不同的“B接線” 102之間反復(fù)穿行。在一個實施例中，中繼器庫可以具有不同的緩沖器強度中繼器庫，而信號能夠沿途在中繼器處再供電。中繼器庫591AB、591BC、591CD和591DE可以是較強中繼器庫，并且中繼器庫592AB、592BC、592CD和592DE可以是較弱中繼器庫。在這種實施例中，信號591可以在統(tǒng)計上與信號592相等的時間到達最終目的地。
[0065]如在圖中描述的，示例信號591的信號路徑可以在“A接線” IOlA處起始，用較強中繼器庫591AB轉(zhuǎn)移到“A接線”101B，用較弱中繼器庫592BC轉(zhuǎn)移到“A接線”101C，用較強中繼器庫591⑶轉(zhuǎn)移到“A接線”101D，并且用較弱中繼器庫592DE轉(zhuǎn)移到“A接線”101E，在IOlE處信號591最終到達它的目的地。類似地，示例信號592的信號路徑可以在“B接線”102A上起始，用較弱中繼器庫592AB轉(zhuǎn)移到“B接線”102B。用較強中繼器庫591BC轉(zhuǎn)移至丨J“B接線” 102C，用較弱中繼器庫592⑶轉(zhuǎn)移到“B接線” 102D,并且用較強中繼器庫591DE轉(zhuǎn)移到“B接線” 102E，在102E處信號592最終到達它的目的地。
[0066]其中每個運送信號的兩個信號路徑，用較強中繼器庫和較弱中繼器庫在“A接線” 101和“B接線” 102上傳播，結(jié)果可以是，信號相互地在幾乎相等的時間量中傳播相同的距離。圖5B、圖5C和圖示出第一信號541、571、591和第二信號542、572、592可以在幾乎相同的時間到達它們的目的地?？梢栽诓贿^分強調(diào)高RC接線的情況下，出現(xiàn)這種信號傳播。
[0067]如在圖1A-5D中描述的半導(dǎo)體器件的方面可以包括根據(jù)其他實施例的其它特性。根據(jù)實施例，可以在不同的圖案化設(shè)計級或圖案化設(shè)計層制造連接。信號路徑可包括多層。在這種背景下，再供電也可發(fā)生在多層上?？梢允褂猛缀透邔咏饘倩蚱渌夹g(shù)，將信號從在第一信號導(dǎo)體層上的信號跡線轉(zhuǎn)移到在第二信號導(dǎo)體層的信號跡線。轉(zhuǎn)移可以如在圖示中示出以相似的方式出現(xiàn)。因此，信號可以在從起始到目的地的傳播中，轉(zhuǎn)移多次。這種在信號跡線之間的反復(fù)可以穿過半導(dǎo)體器件在多層之間出現(xiàn)。在其它實施例中可考慮其它配置和可能。[0068]圖6是根據(jù)一個實施例的為了選擇通孔掩膜的操作的流程圖。可以如在塊610中，測量由掩膜產(chǎn)生的用于“A接線”和“B接線”的接線溝道或接線溝道的軌跡。在塊610中的測量可以包括測量溝寬或槽寬。溝、槽和溝槽可以是同義的?？梢栽谕孜g刻之前執(zhí)行在塊610中的測量?？梢栽谕谆蚪饘俪练e之前執(zhí)行在塊610中的測量。從塊610的測量可以用于比較由用于“A接線”和“B接線”的掩膜產(chǎn)生的溝道。在決定塊620中可以認(rèn)為從塊610的對溝寬或槽寬的最大測量就是更快。在決定塊620中可以認(rèn)為從塊610的對溝寬或槽寬的最小測量更慢。由此，有更大寬度的溝道可以比由更小寬度的溝道更快。
[0069]在一個實施例中，可以基于溝道比較來選擇通孔掩膜。通孔蝕刻可以根據(jù)如在圖1A-5D中描述的實施例出現(xiàn)。假如用于“A接線”的溝道比用于“B接線”的溝道更大，那么如在塊631中那樣，可以使用“A比B更快”通孔掩膜。通過使用“A比B更快”通孔掩膜，可以如在塊641中那樣用與半導(dǎo)體器件布線100相似的方法來蝕刻通孔。假如用于“B接線”的溝道比用于“A接線”的溝道更大，那么可以如在塊632中那樣使用“B比A更快”通孔掩膜。通過使用“B比A更快”通孔掩膜，可以如在塊642中那樣用與半導(dǎo)體器件布線200相似的方法來蝕刻通孔。假如用于“A接線”的溝道與用于“B接線”的溝道相等，那么可以如在塊633中使用“A等于B”通孔掩膜。通過使用“A等于B”通孔掩膜，可以如在塊643中那樣根據(jù)半導(dǎo)體器件布線300來蝕刻通孔。
[0070]圖7是根據(jù)一個實施例的為了選擇通孔掩膜的操作的流程圖。操作700與操作600相似。操作700可以在決定塊620后與操作600不同。如在塊731、732、733中的通孔掩膜可以與操作600的塊631、632、633的通孔掩膜不同。通孔蝕刻可以與圖示500相似如在塊741、742、743中那樣，根據(jù)利用不同強度的緩沖器的半導(dǎo)體器件布線出現(xiàn)。
[0071]假如用于“A接線”的溝道比用于“B接線”的溝道更大，那么如在塊731中那樣可以使用“A比B更快”通孔掩膜。盡管使用“A比B更快”通孔掩膜，可以如在塊741中按照圖示500來蝕刻通孔。如在塊741中描述的，通孔可以將快“A接線”連接到較弱緩沖器，并且將慢“B接線”連接到較強緩沖器。假如用于“B接線”的溝道比用于“A接線”的溝道更大，那么如在塊732中那樣可以使用“B比A更快”通孔掩膜。通過使用“B比A更快”通孔掩膜，可以如在塊742中用與圖示500相似的方法來蝕刻通孔。如在塊741中描述的，通孔可以將快“B接線”連接到較弱緩沖器，并且將慢“A接線”連接到較強緩沖器。假如用于“A接線”的溝道與用于“B接線”的溝道相等，可以如在塊733中那樣使用“A等于B”通孔掩膜。通過使用“A等于B”通孔掩膜，可以用于圖示300相似的方法來蝕刻通孔。通孔可以如在塊743中那樣將接線與不同強度的緩沖器交替相連，由此信號在相同時間到達最終目的地。可以設(shè)想其它實施例以及實施例的變化。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 信號導(dǎo)體層，具有由第一掩膜限定的第一信號跡線組和由第二掩膜限定的第二信號跡線組， 所述第一信號跡線組具有第一質(zhì)量特性，并且所述第二信號跡線組具有第二質(zhì)量特性； 第一信號路徑，包括: 第一信號跡線段，來自具有第一長度的所述第一信號跡線組； 第二信號跡線段，來自具有第二長度的所述第二信號跡線組； 第三信號跡線段，來自具有所述第一長度的所述第一信號跡線組； 第一再供電塊，適于將所述第一信號路徑從所述第一信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第二信號跡線段； 第二再供電塊，適于將所述第一信號路徑從所述第二信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第三信號跡線段；并且 當(dāng)所述第一質(zhì)量特性大于所述第二質(zhì)量特性時，所述第一信號跡線段比所述第二信號跡線段更長，當(dāng)所述第二質(zhì)量特性大于所述第一質(zhì)量特性時，所述第二信號跡線段比所述第一信號跡線段更長，并且當(dāng)所述第一質(zhì)量特性與所述第二質(zhì)量特性基本上相等時，所述第一信號跡線段長度和所述第二信號跡線段長度不受約束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二信號路徑，所述第二信號路徑包括: 第四信號跡線段，來自具有所述第二長度的所述第二信號跡線組； 第五信號跡線段，來自具有所述第一長度的所述第一信號跡線組； 第六信號跡線段，來自具有所述第二長度的所述第二信號跡線組； 第三再供電塊，適于將所述第二信號路徑從所述第四信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第五信號跡線段； 第四再供電塊，適于將所述第二信號路徑從所述第五信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第六信號跡線段；并且 當(dāng)所述第二質(zhì)量特性大于所述第一質(zhì)量特性時，所述第四信號跡線段比所述第五信號跡線段更長，當(dāng)所述第一質(zhì)量特性大于所述第二質(zhì)量特性時，所述第五信號跡線段比所述第四信號跡線段更長，并且當(dāng)所述第二質(zhì)量特性與所述第一質(zhì)量特性基本上相等時，所述第四信號跡線段長度和所述第五信號跡線段長度不受約束。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一信號路徑和所述第二信號路徑適于實現(xiàn)定時公差標(biāo)準(zhǔn)，所述定時公差標(biāo)準(zhǔn)包括在將第一信號運送一定距離的所述第一信號路徑和將第二信號運送所述一定距離的所述第二信號路徑之間的時間量的差值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述質(zhì)量特性包括寬度值，并且其中所述寬度值是對槽的測量結(jié)果。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一再供電塊和所述第二再供電塊中的至少一個包括用于對信號再供電的緩沖器電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一再供電塊和所述第二再供電塊中的至少一個不包括用于對信號再供電的緩沖器電路。
7.一種半導(dǎo)體器件，包括:信號導(dǎo)體層，具有由第一掩膜限定的第一信號跡線組以及由第二掩膜限定的第二信號跡線組， 所述第一信號跡線組具有第一質(zhì)量特性，并且所述第二信號跡線組具有第二質(zhì)量特性； 第一信號路徑，包括: 多個可選擇的有第一強度的再供電塊以及多個可選擇的有第二強度的再供電塊，所述第一強度大于所述第二強度； 來自所述第一信號跡線組的第一信號跡線段、第二信號跡線段和第三信號跡線段；第一再供電塊，適于將所述第一信號路徑從所述第一信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第二信號跡線段； 第二再供電 塊，適于將所述第一信號路徑從所述第二信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第三信號跡線段； 當(dāng)所述第二質(zhì)量特性大于所述第一質(zhì)量特性時，選擇所述第一再供電塊和所述第二再供電塊有所述第一強度，當(dāng)所述第一質(zhì)量特性大于所述第二質(zhì)量特性時，選擇所述第一再供電塊和所述第二再供電塊有所述第二強度，并且當(dāng)所述第二質(zhì)量特性與所述第一質(zhì)量特性基本上相等時，選擇所述第一再供電塊有所述第一強度并且所述第二再供電塊有所述第二強度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二信號路徑，所述第二信號路徑包括: 多個可選擇的有所述第一強度的再供電塊、以及多個可選擇的有所述第二強度的再供電塊； 來自所述第二信號跡線組的第四信號跡線段、第五信號跡線段和第六信號跡線段；第三再供電塊，適于將所述第二信號路徑從所述第四信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第五信號跡線段； 第四再供電塊，適于將所述第二信號路徑從所述第五信號跡線段轉(zhuǎn)移到所述第六信號跡線段； 當(dāng)所述第一質(zhì)量特性大于所述第二質(zhì)量特性時，選擇所述第一再供電塊和所述第二再供電塊有所述第一強度，當(dāng)所述第二質(zhì)量特性大于所述第一質(zhì)量特性時，選擇所述第一再供電塊和所述第二再供電塊有所述第二強度，當(dāng)所述第一質(zhì)量特性與所述第二質(zhì)量特性基本上相等時，選擇所述第一再供電塊有所述第二強度并且所述第二再供電塊有所述第一強度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一信號路徑和所述第二信號路徑適于實現(xiàn)定時公差標(biāo)準(zhǔn)，所述定時公差標(biāo)準(zhǔn)包括在將第一信號運送一定距離的所述第一信號路徑和將第二信號運送所述一定距離的所述第二信號路徑之間的時間量的差值。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述質(zhì)量特性包括寬度值，并且其中所述寬度值是對槽的測量結(jié)果。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一再供電塊和所述第二再供電塊中的至少一個包括用于對信號再供電的緩沖器電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中有所述第一強度的再供電塊包括比有所述第二強度的再供電塊更大的FET寬度值。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中有第一強度的再供電塊包括比有所述第二強度的再供電塊更低的晶體管閾值電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中有第一強度的再供電塊包括比有所述第二強度的再供電塊更大的面積值，并且其中所述面積值直接與中繼器指型連接器的數(shù)量成比例。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一信號跡線段、所述第二信號跡線段和所述第三信號跡線段是基本上相等的第一長度。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第四信號跡線段、所述第五信號跡線段和所述第六信號跡線段是基本上相等的第二長度。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一信號跡線段、所述第二信號跡線段和所述第三信號跡線段、所述第四信號跡線段、所述第五信號跡線段和所述第六信號跡線段是基本上相等的第三長度。
18.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括: 用具有第一信號跡線圖案的第一光掩膜限定層的第一部分； 用具有第二信號跡線圖案的第二光掩膜限定所述層的第二部分； 確定所述第一信號跡線圖案的第一質(zhì)量特性以及所述第二信號跡線圖案的第二質(zhì)量特性；并且 比較所述第一信號跡線圖案的所述第一質(zhì)量特性和所述第二信號跡線圖案的所述第二質(zhì)量特性，以選擇用于蝕刻用于提供第一信號路徑的過孔的光掩膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中選擇用于蝕刻過孔的所述光掩膜包括提供第二信號路徑。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所得的所述第一信號路徑和所得的所述第二信號路徑實現(xiàn)定時公差標(biāo)準(zhǔn)，所述定時公差標(biāo)準(zhǔn)包括在將第一信號運送一定距離的所述第一信號路徑和將第二信號運送所述一定距離的所述第二信號路徑之間的時間量的差值。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述質(zhì)量特性包括寬度值，并且其中所述寬度值是對槽的測量結(jié)果。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述測量隨著光阻劑的顯影和處理而發(fā)生。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述測量在蝕刻隨后將用導(dǎo)體填充的槽之后發(fā)生。
【文檔編號】H01L21/60GK103915406SQ201410001110
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月2日
【發(fā)明者】D·H·艾倫, D·M·德萬茲, D·P·鮑爾森, J·E·希茨二世 申請人:國際商業(yè)機器公司