光學(xué)元件和光檢測器的制造方法
【專利摘要】該光學(xué)元件是用于使光沿著規(guī)定方向透過并調(diào)制該光的光學(xué)元件(10)，具備具有第1區(qū)域(R1)、以及沿著垂直于規(guī)定方向的面相對(duì)于第1區(qū)域(R1)周期排列的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)體(11)，第1區(qū)域(R1)和第2區(qū)域(R2)彼此折射率不同，且均相對(duì)于光具有透過性。
【專利說明】光學(xué)元件和光檢測器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于使光透過并調(diào)制該光的光學(xué)元件、以及具備該光學(xué)元件的光檢測器。

【背景技術(shù)】
[0002]作為利用量子子帶間躍遷的光吸收的光檢測器，已知的有QWIP(量子阱紅外探測器）、QDIP (量子點(diǎn)紅外探測器）、QCD (量子級(jí)聯(lián)探測器）等。這些由于不利用能帶隙躍遷，因此具有波長范圍的設(shè)計(jì)自由度大、暗電流比較小以及能夠在室溫下工作等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]在這些光探測器當(dāng)中，QWIP和QCD具備具有量子阱結(jié)構(gòu)或量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)等周期性的層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層疊體。該半導(dǎo)體層疊體僅在所入射的光具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的情況下由該電場分量產(chǎn)生電流，因而對(duì)不具有該層疊方向的電場分量的光(從半導(dǎo)體層疊體的層疊方向入射的平面波）沒有光靈敏度。
[0004]因此，為了用QWIP或者QCD檢測光，有必要以光的電場的振動(dòng)方向與半導(dǎo)體層疊體的層疊方向一致的方式使光入射。例如，在檢測具有垂直于光行進(jìn)方向的波陣面的平面波的情況下，有必要使光從與半導(dǎo)體層疊體的層疊方向垂直的方向入射，因而作為光檢測器的使用變得繁瑣。
[0005]因此，為了檢測不具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的光而在半導(dǎo)體層疊體表面設(shè)置金的薄膜并且在該薄膜周期性地形成了具有該光的波長以下的直徑的孔的光檢測器已為人所知（參照非專利文獻(xiàn)I)。在該例子中，由金的薄膜的表面等離子體共振效應(yīng)來以具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的方式調(diào)制光。
[0006]另外，在半導(dǎo)體層疊體的表面設(shè)置光透過層，在該光透過層的表面形成由凹凸圖案構(gòu)成的衍射光柵以及覆蓋該衍射光柵的反射膜的光檢測器已為人所知（參照專利文獻(xiàn)I)。在該例子中，通過利用該衍射光柵和反射膜的入射光的衍射和反射的效應(yīng)，以具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的方式調(diào)制光。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)I :日本專利申請公開2000-156513號(hào)公報(bào)
[0010]非專利文獻(xiàn)
[0011]非專利文獻(xiàn)I :W. Wu, et al. , “Plasmonic enhanced quantum well infraredphotodetector with high detectivity”，Appl. Phys. Lett.，96，161107 (2010).


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0013]如此，為了檢測不具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的光而提出了以具有該層疊方向的電場分量的方式調(diào)制該光的技術(shù)的各種方案，并期望那樣的光的調(diào)制的效率化。
[0014]S卩，要求在以半導(dǎo)體層疊體的層疊方向?yàn)橐?guī)定方向的情況下，以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式高效率地調(diào)制不具有該規(guī)定方向的電場分量的光的技術(shù)。
[0015]因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式高效率地調(diào)制不具有規(guī)定方向的電場分量的光的光學(xué)元件、以及能夠使用具有量子阱結(jié)構(gòu)或者量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層疊體來檢測不具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的光的光檢測。
[0016]解決技術(shù)問題的手段
[0017]本發(fā)明的光學(xué)元件是用于使光沿著規(guī)定方向透過并調(diào)制該光的光學(xué)元件，具備具有第I區(qū)域、以及沿著垂直于規(guī)定方向的面相對(duì)于第I區(qū)域周期排列的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)體，第I區(qū)域和第2區(qū)域彼此折射率不同，且均相對(duì)于光具有透過性。
[0018]在光沿著規(guī)定方向入射到該光學(xué)元件的情況下，該光通過在結(jié)構(gòu)體中沿著垂直于規(guī)定方向的面周期排列的第I區(qū)域和第2區(qū)域的折射率之差來調(diào)制，其后沿著規(guī)定方向出射。即，能夠以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式高效率地調(diào)制不具有規(guī)定方向的電場分量的光。
[0019]在此，第I區(qū)域的折射率與第2區(qū)域的折射率之差可以為2以上。另外，第I區(qū)域與第2區(qū)域的排列周期可以為I?500μπι。由此，就能夠以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式更高效率地調(diào)制不具有規(guī)定方向的電場分量的光。
[0020]透過到本發(fā)明的光學(xué)元件的光可以是紅外線。由此，就能夠?qū)⒈景l(fā)明的光檢測器適當(dāng)?shù)剡m用于紅外線檢測器。
[0021]本發(fā)明的光學(xué)元件中的結(jié)構(gòu)體，可選地，具有設(shè)置有沿著規(guī)定方向貫通的多個(gè)貫通孔的膜體，第I區(qū)域是膜體的貫通孔之間的部分，第2區(qū)域是貫通孔內(nèi)的空間。另外，本發(fā)明的光學(xué)元件中的結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有在規(guī)定方上的一側(cè)或者另一側(cè)開口的多個(gè)凹部的膜體，第I區(qū)域可以是膜體的凹部之間的部分，第2區(qū)域可以是凹部內(nèi)的空間。另外，本發(fā)明的光學(xué)元件中的結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有向規(guī)定方向上的一側(cè)或者另一側(cè)突出的多個(gè)凸部的膜體，第I區(qū)域可以是凸部，第2區(qū)域可以是凸部之間的空間。具有這樣的膜體的結(jié)構(gòu)體可以由I種材料來形成，因而成本低且制造也容易。再者，根據(jù)情況從這些當(dāng)中選擇構(gòu)造體的樣態(tài)，使得能夠以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式更高效率地調(diào)制不具有規(guī)定方向的電場分量的光。
[0022]本發(fā)明的光學(xué)元件中的結(jié)構(gòu)體，可選地，具有設(shè)置有沿著規(guī)定方向貫通的多個(gè)貫通孔的膜體、以及埋設(shè)在貫通孔內(nèi)的埋設(shè)構(gòu)件，第I區(qū)域是膜體的貫通孔之間的部分，第2區(qū)域是埋設(shè)構(gòu)件。另外，本發(fā)明的光學(xué)元件中結(jié)構(gòu)體，可選地，具有設(shè)置有在規(guī)定方上的一側(cè)或者另一側(cè)開口的多個(gè)凹部的膜體、以及埋設(shè)在凹部內(nèi)的埋設(shè)構(gòu)件，第I區(qū)域是膜體的凹部之間的部分，第2區(qū)域是埋設(shè)構(gòu)件。另外，本發(fā)明的光學(xué)元件中的結(jié)構(gòu)體，可選地，具有設(shè)置有向規(guī)定方向上的一側(cè)或者另一側(cè)突出的多個(gè)凸部的膜體、以及埋設(shè)在凸部之間的埋設(shè)構(gòu)件，第I區(qū)域是凸部，第2區(qū)域是埋設(shè)構(gòu)件。由此，能夠選擇膜體和埋設(shè)構(gòu)件兩者的材料，因而第I區(qū)域的折射率與第2區(qū)域的折射率之差的調(diào)整的自由度變高。
[0023]本發(fā)明的光檢測器具備：上述光學(xué)元件；半導(dǎo)體層疊體，其配置在相對(duì)于光學(xué)元件與規(guī)定方向上的一側(cè)相反側(cè)的另一側(cè)，通過透過了光學(xué)元件的光所具有的規(guī)定方向的電場分量產(chǎn)生電流;第I接觸層，其形成在半導(dǎo)體層疊體的一側(cè)的表面；以及第2接觸層，其形成在半導(dǎo)體層疊體的另一側(cè)的表面。
[0024]該光檢測器具備上述光學(xué)元件，因而入射了的光在透過上述光學(xué)元件的過程中被調(diào)制。被調(diào)制后的光具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量，因而通過該電場分量在半導(dǎo)體層疊體產(chǎn)生電流。即，根據(jù)該光檢測器，能夠使用具有量子阱結(jié)構(gòu)和量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)等的半導(dǎo)體層疊體來檢測不具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的光。
[0025]本發(fā)明的光檢測器也可以進(jìn)一步具備從另一側(cè)依次層疊有第2接觸層、半導(dǎo)體層疊體、第I接觸層以及光學(xué)元件的基板。由此，能夠謀求光檢測器的各個(gè)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定化。
[0026]本發(fā)明的光檢測器還可以進(jìn)一步具備與第I接觸層電連接的第I電極、以及與第2接觸層電連接的第2電極。由此，能夠有效地檢測在半導(dǎo)體層疊體所產(chǎn)生的電流。
[0027]在本發(fā)明的光檢測器中，光學(xué)元件可以是在光從一側(cè)入射時(shí)產(chǎn)生規(guī)定方向的電場分量的光學(xué)元件，或者光學(xué)元件也可以是在光經(jīng)由半導(dǎo)體層疊體而從另一側(cè)入射時(shí)產(chǎn)生規(guī)定方向的電場分量的光學(xué)元件。
[0028]發(fā)明的效果
[0029]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式高效率地調(diào)制不具有規(guī)定方向的電場分量的光的光學(xué)元件、以及能夠使用具有量子阱結(jié)構(gòu)和量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)等的半導(dǎo)體層疊體來檢測不具有半導(dǎo)體層疊體的層疊方向的電場分量的光的光檢測器。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖I是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的光檢測器的平面圖。
[0031]圖2是沿著圖I的II-II線的截面圖。
[0032]圖3是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的光學(xué)元件的平面圖。
[0033]圖4是沿著圖3的IV-IV線的截面圖。
[0034]圖5是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的光學(xué)元件的變形例的平面圖。
[0035]圖6是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的光學(xué)元件的截面圖。
[0036]圖7是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的光學(xué)元件的截面圖。
[0037]圖8是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的光學(xué)元件的變形例的截面圖。
[0038]圖9是本發(fā)明的第4實(shí)施方式的光學(xué)元件的平面圖。
[0039]圖10是沿著圖9的X-X線的端面圖。
[0040]圖11是本發(fā)明的第5實(shí)施方式的光學(xué)元件的平面圖。
[0041]圖12是本發(fā)明的第6實(shí)施方式的光學(xué)元件的平面圖。
[0042]圖13是沿著圖12的XIII-XIII線的端面圖。
[0043]圖14是本發(fā)明的第6實(shí)施方式的光檢測器的截面圖。
[0044]圖15是關(guān)于圖11的光學(xué)元件的由FDTD法得到的電場強(qiáng)度分布。
[0045]圖16是關(guān)于圖11的光學(xué)元件的由FDTD法得到的電場強(qiáng)度分布。
[0046]圖17是表示關(guān)于圖11的光學(xué)元件的根據(jù)折射率差的電場分量的轉(zhuǎn)換效率的圖表。
[0047]圖18是表示關(guān)于圖9和圖10的光學(xué)元件的根據(jù)折射率差的電場分量的轉(zhuǎn)換效率的圖表。
[0048]圖19是在仿真中所使用的光檢測器的平面圖。
[0049]圖20是沿著圖19的XX-XX線的截面圖。
[0050]圖21是關(guān)于圖19所使用的光檢測器的光學(xué)元件的由FDTD法得到的垂直電場強(qiáng)度光譜。
[0051]符號(hào)說明
[0052]I, 100, 200…光檢測器,2…基板,3，5…接觸層,4…半導(dǎo)體層疊體,6，7…電極,10，20，30，40，50…光學(xué)元件，11，21，31，41，51 …結(jié)構(gòu)體，12，22…貫通孔，13，23，33，43…膜體，13a, 23a…貫通孔之間的部分，33a…凹部之間的部分，24…埋設(shè)構(gòu)件，32…凹部，33a···凹部之間的部分，43a…凸部，Rl…第I區(qū)域，R2…第2區(qū)域，S…空間。

【具體實(shí)施方式】
[0053]以下，就本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，一邊參照附圖一邊進(jìn)行詳細(xì)說明。還有，在各圖中對(duì)相同部分或者相當(dāng)部分賦予相同符號(hào)，省略重復(fù)的說明。還有，在本說明書中“折射率”是指關(guān)于入射光波長的折射率。另外，本實(shí)施方式的光檢測器所要檢測的光（入射到光學(xué)元件的光)是紅外線（波長為2?1000 μ m的光)。
[0054][第I實(shí)施方式]
[0055]如圖I和圖2所示，光檢測器I具備由InP構(gòu)成的矩形板狀的基板2，并且在其上層疊有接觸層3，5、半導(dǎo)體層疊體4、電極6，7、以及光學(xué)元件10。該光檢測器I是利用半導(dǎo)體層疊體4中的量子子帶間躍遷的光吸收的光檢測器。
[0056]在基板2的表面2a的整個(gè)面，設(shè)置有接觸層（第2接觸層）3。在接觸層3的表面3a的中央，設(shè)置有具有比表面3a的整個(gè)面小的面積的半導(dǎo)體層疊體4。即，半導(dǎo)體層疊體4以在俯視的情況下包含于接觸層3的方式配置。在表面3a當(dāng)中不設(shè)置半導(dǎo)體層疊體4的周邊區(qū)域，電極（第2電極）6以包圍半導(dǎo)體層疊體4的方式形成為環(huán)狀。
[0057]在半導(dǎo)體層疊體4的表面4a的整個(gè)面，設(shè)置有接觸層（第I接觸層）5。在接觸層5的表面5a的中央，設(shè)置有具有比表面5a的整個(gè)面小的面積的光學(xué)元件10。S卩，光學(xué)元件10以在俯視的情況下包含于接觸層5的方式配置。在表面5a當(dāng)中不設(shè)置光學(xué)元件10的周邊區(qū)域，電極（第I電極）7以包圍光學(xué)元件10的方式形成為環(huán)狀。
[0058]半導(dǎo)體層疊體4是具有匹配于要檢測的光的波長進(jìn)行設(shè)計(jì)的多重量子阱結(jié)構(gòu)（或者多重量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)）的半導(dǎo)體層疊體，具體而言，能帶隙相互不同的InGaAs和InAlAs的半導(dǎo)體層以每一層數(shù)nm的厚度交替層疊。
[0059]接觸層3，5是用于為了檢測在半導(dǎo)體層疊體4所產(chǎn)生的電流而分別電連通半導(dǎo)體層疊體4與電極6，7的層，由InGaAs構(gòu)成。電極6，7由AuGe或者Ti/Pt/Au等構(gòu)成。
[0060]光學(xué)元件10是用于使光從規(guī)定方向上的一側(cè)透過到另一側(cè)而調(diào)制該光的光學(xué)元件。如圖3和圖4所示，光學(xué)元件10具備結(jié)構(gòu)體11，結(jié)構(gòu)體11具有第I區(qū)域R1、以及沿著垂直于規(guī)定方向的面相對(duì)于第I區(qū)域Rl根據(jù)對(duì)應(yīng)于入射光的波長成為I?500 μ m的周期d周期排列的第2區(qū)域R2。第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2彼此折射率不同，且均相對(duì)于入射的光具有透過性。
[0061]結(jié)構(gòu)體11具有設(shè)置有從規(guī)定方向上的一側(cè)貫通到另一側(cè)的多個(gè)貫通孔12的膜體13。該多個(gè)貫通孔12如圖3所示相對(duì)于膜體13配置成俯視三角晶格狀，各個(gè)貫通孔12形成圓柱形狀，如圖4所示從規(guī)定方向上的一側(cè)貫通到另一側(cè)（圖2中的半導(dǎo)體層疊體4的層疊方向）。還有，膜體13的厚度優(yōu)選為IOnm?2 μ m。
[0062]在此，第I區(qū)域Rl是膜體13的貫通孔12之間的部分13a，具體而言由鍺構(gòu)成。第
2區(qū)域R2是貫通孔12內(nèi)的空間S，具體而言是空氣。S卩，在從光學(xué)元件10的側(cè)俯視光檢測器I的情況下（即圖I中），接觸層5的一部分從貫通孔12露出。另外，第I區(qū)域Rl的折射率與第2區(qū)域R2的折射率之差優(yōu)選為2以上，更加優(yōu)選為3以上。在本實(shí)施方式中，關(guān)于例如波長為5 μ m的中紅外線，鍺的折射率為4. O,空氣的折射率為I. O,因而折射率之差為 3. O。
[0063]如以上所說明，光檢測器I具備上述光學(xué)元件10，因而在光從規(guī)定方向上的一側(cè)入射到該光學(xué)元件10的情況下（例如，在平面波從半導(dǎo)體層疊體4的層疊方向入射的情況下），該光由在結(jié)構(gòu)體11中沿著垂直于規(guī)定方向的面周期排列的第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2的折射率之差來調(diào)制，其后，從規(guī)定方向上的另一側(cè)出射。即，能夠以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式高效率地調(diào)制不具有規(guī)定方向的電場分量的光。特別是在光學(xué)元件10中由于多個(gè)貫通孔12在膜體13中三角晶格狀地配置，因此對(duì)入射光的偏光方向的依賴性低。另外，第I區(qū)域Rl的折射率與第2區(qū)域R2的折射率之差為2以上，第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2的排列周期d為I?500 μ m，根據(jù)入射光的波長決定，因而能夠更高效率地進(jìn)行光的調(diào)制。此外，光學(xué)元件10中的結(jié)構(gòu)體11具有設(shè)置有從一側(cè)貫通到另一側(cè)的多個(gè)貫通孔12的膜體13，第I區(qū)域Rl是膜體13的貫通孔12之間的部分13a，第2區(qū)域R2是貫通孔12內(nèi)的空間S。因此，該結(jié)構(gòu)體11能夠由I種材料形成，因而成本低且制造也容易。
[0064]然后，如上述被調(diào)制的光由于具有半導(dǎo)體層疊體4的層疊方向的電場分量，因此該電場分量被半導(dǎo)體層疊體4的多重量子阱結(jié)構(gòu)（或者多重量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)）吸收并產(chǎn)生光電子，其經(jīng)由電極6，7而作為電流被檢測。即，根據(jù)該光檢測器I，能夠檢測不具有半導(dǎo)體層疊體4的層疊方向的電場分量的光。另外，本發(fā)明的光檢測器進(jìn)一步具備接觸層3，5、半導(dǎo)體層疊體4以及支撐光學(xué)元件10的基板2，因而光檢測器I的各個(gè)結(jié)構(gòu)得以穩(wěn)定。再者，光檢測器I進(jìn)一步具備形成在接觸層5的電極7以及形成在接觸層3的電極6，且以在光學(xué)元件10從一側(cè)看的情況下包含于接觸層5的方式配置，半導(dǎo)體層疊體4在從一側(cè)看的情況下以包含于接觸層3的方式配置，電極7在接觸層5的一側(cè)表面5a當(dāng)中不設(shè)置光學(xué)元件10的區(qū)域以包圍光學(xué)元件10的方式環(huán)狀形成，電極6在接觸層3的一側(cè)表面3a當(dāng)中不設(shè)置半導(dǎo)體層疊體4的區(qū)域以包圍半導(dǎo)體層疊體4的方式環(huán)狀形成。由此，能夠高效率地檢測在半導(dǎo)體層疊體4所產(chǎn)生的電流。
[0065]此外，在非專利文獻(xiàn)I所記載的光檢測器中，不僅入射光（這里是紅外線）的一部分被金的薄膜遮蔽而且表面等離子體共振自身也是能量損失大，因而導(dǎo)致光敏度降低。另夕卜，表面等離子體共振是指金屬中的自由電子與光的電場分量等結(jié)合的結(jié)果所產(chǎn)生的振動(dòng)的共振狀態(tài)，因而存在為了利用表面等離子體共振而在光入射的面存在自由電子是不可或缺的這樣的限制。相對(duì)于此，在本實(shí)施方式的光檢測器I中，第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2均相對(duì)于入射光具有透過性，且在光的調(diào)制中不利用表面等離子體共振，因而不會(huì)發(fā)生非專利文獻(xiàn)I所記載的光檢測器中所看到的光敏度的降低，且使用材料不限制于具有自由電子的金屬。
[0066]另外，在專利文獻(xiàn)I所記載的光檢測器中，在光透過層的表面形成衍射光柵，因而作為光檢測器的設(shè)計(jì)的自由度低。相對(duì)于此，在本實(shí)施方式的光檢測器I中，光學(xué)元件10是與接觸層5分開形成的，因而具有所期望的折射率的材料的選擇、以及光學(xué)元件10的形成和加工的技術(shù)的選擇的寬度廣。因此，本實(shí)施方式的光檢測器I其對(duì)應(yīng)于入射光的波長或者所期望的光敏度等的設(shè)計(jì)自由度大。
[0067]還有，上述第I實(shí)施方式的光檢測器I也能夠?qū)⒃摴鈱W(xué)元件10做成別的形態(tài)。例如，如圖5所示，在光學(xué)元件10中，也能夠替代三角晶格狀而將設(shè)置于膜體13的多個(gè)貫通孔12的配置做成正方晶格狀。據(jù)此，與三角晶格狀的配置情況相比，在入射光為直線偏光的情況下調(diào)制光的效率高。
[0068]另外，在上述光檢測器I中，就光從規(guī)定方向上的一側(cè)入射到光學(xué)元件10的情況進(jìn)行了說明，但是也可以使光從光檢測器I的背面?zhèn)龋ㄒ?guī)定方向上的另一側(cè)）入射并檢測該光。由此，能夠避免由光學(xué)元件10引起的反射和吸收，因而進(jìn)一步增大光敏度成為可能。此外，在通過倒裝芯片接合（flip-chip bonding)將光檢測器I搭載于封裝體、次基臺(tái)(Submount)或者集成電路等的狀態(tài)下，能夠簡便地使光入射，因而特別是有向圖像傳感器等發(fā)展的可能性變寬闊的優(yōu)點(diǎn)。
[0069][第2實(shí)施方式]
[0070]作為本發(fā)明的第2實(shí)施方式，就光檢測器的另一個(gè)形態(tài)進(jìn)行說明。第2實(shí)施方式的光檢測器與第I實(shí)施方式的光檢測器I的不同點(diǎn)在于替代光學(xué)元件10而使用圖6所示的光學(xué)元件20來作為光學(xué)元件。
[0071]光學(xué)元件20具備結(jié)構(gòu)體21，結(jié)構(gòu)體21具有第I區(qū)域R1、以及相對(duì)于第I區(qū)域Rl與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10同樣地周期排列的第2區(qū)域。第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2彼此折射率不同，并且均相對(duì)于入射的光具有透光性。
[0072]結(jié)構(gòu)體21具有設(shè)置有從規(guī)定方向上的一側(cè)貫通到另一側(cè)的多個(gè)貫通孔22的膜體23、以及埋設(shè)在該貫通孔22內(nèi)的埋設(shè)構(gòu)件24。該多個(gè)貫通孔22以及埋設(shè)構(gòu)件24與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10同樣地相對(duì)于膜體23配置成俯視三角晶格狀，各個(gè)貫通孔22以及埋設(shè)構(gòu)件24形成圓柱形狀，如圖6所示從規(guī)定方向上的一側(cè)貫通到另一側(cè)（圖2中的半導(dǎo)體層疊體4的層疊方向)。還有,膜體23的厚度優(yōu)選為IOnm?2 μ m。
[0073]在此，第I區(qū)域Rl是膜體23的貫通孔22之間的部分23a，第2區(qū)域R2是埋設(shè)構(gòu)件24。作為構(gòu)成第I區(qū)域Rl的材料，可以列舉與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10同樣的材料。作為用于構(gòu)成埋設(shè)構(gòu)件24的材料，可以列舉二氧化硅、氮化硅、氧化鋁等。二氧化硅例如關(guān)于波長5 μ m的中紅外線的折射率為I. 3。在此情況下，作為第I區(qū)域Rl的材料優(yōu)選使用在該波長上的折射率為3. 3以上的材料，例如關(guān)于波長5 μ m的中紅外線的折射率為3. 4的二氧化硅優(yōu)選作為構(gòu)成第I區(qū)域Rl的材料。
[0074]在光學(xué)元件20中，由于如上述那樣能夠選擇膜體23和埋設(shè)構(gòu)件24兩者的材料，因此第I區(qū)域Rl的折射率與第2區(qū)域R2的折射率之差的調(diào)整自由度高。
[0075][第3實(shí)施方式]
[0076]作為本發(fā)明的第3實(shí)施方式，就光檢測器的另一個(gè)形態(tài)進(jìn)行說明。第3實(shí)施方式的光檢測器與第I實(shí)施方式的光檢測器I的不同點(diǎn)在于替代光學(xué)元件10而使用圖7所示的光學(xué)元件30來作為光學(xué)元件。
[0077]光學(xué)元件30具備結(jié)構(gòu)體31，結(jié)構(gòu)體31具有第I區(qū)域R1、以及相對(duì)于第I區(qū)域Rl與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10同樣地周期排列的第2區(qū)域R2。第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2彼此折射率不同，且均相對(duì)于入射的光具有透過性。
[0078]結(jié)構(gòu)體31具有在一側(cè)開口的多個(gè)凹部32。該多個(gè)凹部32與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10同樣地相對(duì)于膜體33配置成俯視三角晶格狀，各個(gè)凹部32形成圓柱形狀。還有，膜體33的厚度優(yōu)選為1nm?2 μ m。
[0079]在此，第I區(qū)域Rl是膜體33的凹部32之間的部分33a，第2區(qū)域R2是凹部32內(nèi)的空間S。作為構(gòu)成第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2的材料，可以列舉與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件同樣的材料。
[0080]在光學(xué)元件30中，由于如上述那樣不具有從規(guī)定方向上的一側(cè)貫通到另一側(cè)的貫通孔，因此空氣中的微粒子等無法物理性地從一側(cè)通過到另一側(cè)。即，在應(yīng)用了這樣的光學(xué)元件30的本實(shí)施方式的光檢測器中，光學(xué)元件30作為光檢測器的表面保護(hù)材料起作用，因而光檢測器的劣化被抑制。
[0081]還有，上述第3實(shí)施方式的光檢測器也能夠?qū)⒃摴鈱W(xué)元件30做成別的形態(tài)。例如如圖8所示在光學(xué)元件30中，多個(gè)凹部32也可以是不在一側(cè)而在另一側(cè)開口的凹部。另夕卜，也可以如第2實(shí)施方式中的光學(xué)元件20那樣在凹部32埋設(shè)有埋設(shè)構(gòu)件。
[0082][第4實(shí)施方式]
[0083]作為本發(fā)明的第4實(shí)施方式，就光檢測器的另一個(gè)形態(tài)進(jìn)行說明。第4實(shí)施方式的光檢測器與第I實(shí)施方式的光檢測器I的不同點(diǎn)在于替代光學(xué)元件10而使用圖9和圖10所示的光學(xué)元件40來作為光學(xué)元件。
[0084]光學(xué)元件40具備結(jié)構(gòu)體41，結(jié)構(gòu)體41具有第I區(qū)域R1、以及相對(duì)于第I區(qū)域Rl與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10同樣地周期排列的第2區(qū)域R2。第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2彼此折射率不同，且均相對(duì)于入射的光具有透過性。
[0085]結(jié)構(gòu)體41具有設(shè)置有向一側(cè)突出的多個(gè)凸部43a的膜體43。該多個(gè)凸部43a與第I實(shí)施方式中的光學(xué)兀件10同樣地相對(duì)于膜體43配置成俯視三角晶格狀,各個(gè)凸部43a形成圓柱形狀，且如圖9和圖10所示從規(guī)定方向上的另一側(cè)向一側(cè)突出。還有，膜體43的厚度(包含凸部43a的高度的厚度)優(yōu)選為1nm?2 μ m。
[0086]在此，第I區(qū)域Rl是膜體43的凸部43a，第2區(qū)域R2是凸部43a之間的空間S。作為構(gòu)成第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2的材料，可以列舉與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10同樣的材料。
[0087]還有，上述第4實(shí)施方式的光檢測器也能夠?qū)⒃摴鈱W(xué)元件40做成別的形態(tài)。例如在光學(xué)元件40中，多個(gè)凸部43a也可以是從一側(cè)向另一側(cè)突出的凸部。另外，也可以如第2實(shí)施方式中的光學(xué)元件20那樣在凸部43a之間埋設(shè)有埋設(shè)構(gòu)件。
[0088][第5實(shí)施方式]
[0089]作為本發(fā)明的第5實(shí)施方式，就光檢測器的另一個(gè)形態(tài)進(jìn)行說明。第5實(shí)施方式的光檢測器與第I實(shí)施方式的光檢測器I不同點(diǎn)在于作為光學(xué)元件，替代圓柱形狀而如圖11所示那樣將光學(xué)元件10中的貫通孔的形狀做成縫隙形狀。
[0090]該縫隙形狀的貫通孔12在與縫隙形狀的長邊方向相垂直的方向上排列成一列。該光學(xué)元件10與圖5所示的光學(xué)元件10相比具有在入射光為直線偏光的情況下調(diào)制光的效率更聞。
[0091][第6實(shí)施方式]
[0092]作為本發(fā)明的第6實(shí)施方式，就光檢測器的另一個(gè)形態(tài)進(jìn)行說明。第6實(shí)施方式的光檢測器與第I實(shí)施方式的光檢測器I不同點(diǎn)在于替代光學(xué)元件10而使用圖12和圖13所示的光學(xué)元件50來作為光學(xué)元件。
[0093]光學(xué)元件50具備結(jié)構(gòu)體51，結(jié)構(gòu)體51具有第I區(qū)域R1、以及相對(duì)于第I區(qū)域Rl周期排列的第2區(qū)域R2。第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2彼此折射率不同，并且均相對(duì)于入射的光具有透過性。
[0094]結(jié)構(gòu)體51通過在規(guī)定方向上具有高度的相同形狀的多個(gè)圓柱體53a沿著垂直于規(guī)定方向的面配置成俯視三角晶格狀而構(gòu)成。還有，圓柱體53a的高度優(yōu)選為1nm?2 μ m。
[0095]在此，第I區(qū)域Rl是圓柱體53a，第2區(qū)域R2是圓柱體53a之間的空間S。作為構(gòu)成第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2的材料，分別可以列舉與第I實(shí)施方式中的光學(xué)元件10的第2區(qū)域R2和第I區(qū)域Rl同樣的材料。
[0096]還有，上述第6實(shí)施方式的光檢測器也能夠?qū)⒃摴鈱W(xué)元件50做成別的形態(tài)。例如，能夠替換三角晶格狀而將多個(gè)圓柱體53a的配置做成正方格子狀。另外，構(gòu)成第I區(qū)域的部分不是做成在規(guī)定方向上具有高度的多個(gè)圓柱體，而是做成在與規(guī)定方向相垂直的方向上延伸的多個(gè)棒狀體，并能夠?qū)⑵淙绲?實(shí)施方式中的光學(xué)元件的縫隙形狀那樣在同一個(gè)平面上配置來構(gòu)成結(jié)構(gòu)體。
[0097][第7實(shí)施方式]
[0098]作為本發(fā)明的第7實(shí)施方式，就光檢測器的另一個(gè)形態(tài)進(jìn)行說明。第7實(shí)施方式的光檢測器100與第I實(shí)施方式的光檢測器I不同點(diǎn)在于，如圖14所示接觸層5替代設(shè)置在半導(dǎo)體層疊體4的表面4a的整個(gè)面而僅設(shè)置在電極7的正下方，以及與此相伴光學(xué)元件10直接設(shè)置在半導(dǎo)體層疊體4的表面4a。從后述的計(jì)算結(jié)果(圖16)可知，在光透過光學(xué)元件時(shí)規(guī)定方向的電場分量表現(xiàn)最強(qiáng)的是光學(xué)元件中的光的出射側(cè)表面附近。因此，本實(shí)施方式的光檢測器100由于光學(xué)元件10與半導(dǎo)體層疊體4直接接觸，因此與第I實(shí)施方式的光檢測器I相比光的檢測靈敏度高。
[0099]還有，上述第7實(shí)施方式的光檢測器100也能夠?qū)⒃摴鈱W(xué)元件10做成別的形態(tài)。例如，替代該光學(xué)元件10而能夠適用上述第2?第6實(shí)施方式中的光學(xué)元件。
[0100]以上，就本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明絲毫不限定于上述實(shí)施方式。例如，作為構(gòu)成第I區(qū)域和第2區(qū)域的材料，也可以使用文獻(xiàn)(M.Choi et al., “A terahertz metamaterial with unnaturally high refractiveindex”，Nature, 470，369(2011).)所公開的那樣的通過微細(xì)加工技術(shù)人工操作介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的稱為超材料(metamaterial)的材料。
[0101]另外,在本發(fā)明的光檢測器中，光學(xué)兀件可以是在光從規(guī)定方向上的一側(cè)入射時(shí)產(chǎn)生該規(guī)定方向的電場分量的光學(xué)元件，或者光學(xué)元件也可以是在光經(jīng)由半導(dǎo)體層疊體從規(guī)定方向上的另一側(cè)入射時(shí)產(chǎn)生該規(guī)定方向的電場分量的光學(xué)元件?？傊?，本發(fā)明的光學(xué)兀件是在光沿著規(guī)定方向入射時(shí)產(chǎn)生該規(guī)定方向的電場分量的光學(xué)兀件。
[0102]實(shí)施例
[0103]就本發(fā)明中的光學(xué)元件，計(jì)算光出射的側(cè)的近旁的電場強(qiáng)度分布。另外，就本發(fā)明中的光學(xué)元件，在使第I區(qū)域與第2區(qū)域的折射率差發(fā)生變化的情況下，計(jì)算向規(guī)定方向的電場分量的轉(zhuǎn)換效率怎樣變化。
[0104][電場強(qiáng)度分布]
[0105]以圖13所示的光學(xué)元件10為對(duì)象。光學(xué)元件10的厚度、以及第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2的構(gòu)成材料和尺寸為如下所述。
[0106]光學(xué)元件的厚度:0.5μπι
[0107]第I區(qū)域:鍺(折射率4.0)，寬度0.7μπι
[0108]第2區(qū)域:空氣(折射率1.0)，寬度0.8μπι
[0109]電場強(qiáng)度分布的計(jì)算由稱為FDTD (Finite-Difference Time-Domain)法(時(shí)域有限差分法)的逐次近似法來進(jìn)行。將結(jié)果表示在圖15和圖16中。在此，入射光是波長5 μ m的平面波，從圖15和圖16中的下方往上方(即在規(guī)定方向上)入射。圖15是表示沿著光學(xué)元件10中的第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2所成的面(即垂直于規(guī)定方向的面)的方向的電場分量的強(qiáng)度。圖16是表不垂直于該面的電場分量的強(qiáng)度。
[0110]根據(jù)該計(jì)算結(jié)果，能夠確認(rèn)入射光在透過光學(xué)元件10中的第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2時(shí)被調(diào)制,并且不具有規(guī)定方向的電場分量的光的至少一部分具有該規(guī)定方向的電場分量。再者，根據(jù)圖16，可知規(guī)定方向的電場分量在光學(xué)元件10的近旁且在光學(xué)元件10的出射側(cè)表面當(dāng)中入射光從第I區(qū)域Rl與第2區(qū)域R2的邊界附近出射的方向延伸，并局部存在。另一方面，能夠確認(rèn)沒有通過該入射光的調(diào)制轉(zhuǎn)換成規(guī)定方向的電場分量的電場分量與透過了第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2的光一起向光學(xué)元件10的遠(yuǎn)方傳播。
[0111]換言之，從圖16可知，不會(huì)產(chǎn)生在自由空間傳播的光，而產(chǎn)生光的傳播方向的電場分量。另外，如圖15所示，沿著第I區(qū)域Rl和第2區(qū)域R2所成的面的電場分量傳播到與光學(xué)兀件10分離的地方位置,相對(duì)于此,如圖16所不規(guī)定方向的電場分量局部存在于光學(xué)元件10的近旁。出于此，可知由光學(xué)元件10引起的作用并不是專利文獻(xiàn)I所公開的那樣的單純的由衍射引起的作用。
[0112]再者，根據(jù)該計(jì)算結(jié)果，可知以具有該規(guī)定方向的電場分量的方式調(diào)制不具有規(guī)定方向的電場分量的光，因此光學(xué)元件的材料可以不必是金屬(沒必要介入自由電子)。即，即使在利用如電介質(zhì)那樣由不具有自由電子的材料構(gòu)成的周期結(jié)構(gòu)的情況下，也能夠得到與利用了金屬的情況同樣或者更好的效果，這已徑由仿真導(dǎo)出了。
[0113][根據(jù)折射率差的電場分量的轉(zhuǎn)換效率]
[0114]接著，在使第I區(qū)域與第2區(qū)域的折射率差發(fā)生變化的情況下，計(jì)算向規(guī)定方向電場分量的轉(zhuǎn)換效率發(fā)生怎樣變化。在將上述光學(xué)元件10的厚度變更成0.2 μ m且使第I區(qū)域Rl的折射率發(fā)生變化的情況下，計(jì)算將垂直于規(guī)定方向的方向上的電場分量轉(zhuǎn)換到規(guī)定方向的電場分量的效率怎樣變化。將結(jié)果表示在圖17中。根據(jù)圖17，可知第I區(qū)域的折射率η為1.0即在與第2區(qū)域即空氣相同的情況下，不產(chǎn)生規(guī)定方向的電場分量，但是隨著增大第I區(qū)域Rl的折射率而規(guī)定方向的電場分量的強(qiáng)度變大。
[0115]另外，使用圖9和圖10所示的光學(xué)元件40來同樣地計(jì)算電場分量的轉(zhuǎn)換效率。在光學(xué)元件40當(dāng)中，將第I區(qū)域Rl的直徑設(shè)定為1.75 μ m，將厚度設(shè)定為0.25 μ m，將與第2區(qū)域R2的周期d設(shè)定為2.9 μ m。在使第I區(qū)域Rl的折射率發(fā)生變化的情況下，計(jì)算將垂直于規(guī)定方向的方向的電場分量轉(zhuǎn)換到規(guī)定方向的電場分量的效率發(fā)生怎樣變化。將結(jié)果表示在圖18中。根據(jù)圖18，可知第I區(qū)域的折射率η為1.0即在與空氣相同的情況下，不產(chǎn)生規(guī)定方向的電場分量，但是隨著增大第I區(qū)域Rl的折射率而規(guī)定方向的電場分量的強(qiáng)度變大。另外，該電場分量的強(qiáng)度的大小與將計(jì)算結(jié)果表示在圖17的圖11的光學(xué)元件10的情況相比，能夠得到4倍的強(qiáng)度。
[0116][根據(jù)第I區(qū)域與第2區(qū)域的寬度比的變化的電場強(qiáng)度的變化]
[0117]在將第I區(qū)域(鍺)與第2區(qū)域(空氣)的周期固定在3.2μπι并且使它們的寬度比發(fā)生變化的情況下，用FDTD法來計(jì)算垂直電場強(qiáng)度的光譜怎樣變化。還有，第I區(qū)域和第2區(qū)域的厚度為0.8 μ m。
[0118]以圖19和圖20所示的光學(xué)元件50和光學(xué)元件200為對(duì)象。光學(xué)元件50是以在垂直于規(guī)定方向的方向上延伸的多個(gè)棒狀體53b (第I區(qū)域Rl)與空間S (第2區(qū)域R2) —起形成帶狀的方式在同一個(gè)平面上互相平行地配置的光學(xué)元件。光檢測器200與光檢測器I相比不同點(diǎn)在于使用了光學(xué)元件50、以及使用由η型的InP構(gòu)成的基板2并且第2電極6設(shè)置在與基板2的表面2a相反側(cè)的表面2b的整個(gè)面。
[0119]在圖21中表示仿真結(jié)果。在圖21中，D表示鍺的線寬(μ m)。根據(jù)該結(jié)果，可知在鍺的線寬為空氣線寬以上的情況(即第I區(qū)域的寬度為第2區(qū)域的寬度以上的情況)下，有垂直電場強(qiáng)度相對(duì)于紅外區(qū)域的入射光變大的傾向。例如，在鍺:空氣之比為2.8: 0.4至3.1: 0.1的波長區(qū)域中顯現(xiàn)尖銳波峰?？芍貏e在鍺的線寬為3.Ομπι時(shí)通過波長3.7μπι或者5.3μπι的紅外線的入射得到最大的垂直電場強(qiáng)度。如果利用這樣的仿真，則可以以就第I區(qū)域與第2區(qū)域的周期和線寬(或者直徑)的關(guān)系或者兩種線寬的互相關(guān)系而言在入射光的波長中所得到的電場強(qiáng)度成為最大的方式設(shè)計(jì)光學(xué)元件。
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)元件，其特征在于: 是用于使光沿著規(guī)定方向透過并調(diào)制該光的光學(xué)元件， 具備具有第1區(qū)域、以及沿著垂直于所述規(guī)定方向的面而相對(duì)于所述第1區(qū)域周期排列的第2區(qū)域的結(jié)構(gòu)體， 所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域彼此折射率不同，且均相對(duì)于所述光具有透過性。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于: 所述第1區(qū)域的折射率與所述第2區(qū)域的折射率之差為2以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)元件，其特征在于: 相對(duì)于所述第1區(qū)域的所述第2區(qū)域的排列的周期為1?500 4 I
4.如權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)兀件，其特征在于: 所述光是紅外線。
5.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)兀件，其特征在于: 所述結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有沿著所述規(guī)定方向貫通的多個(gè)貫通孔的膜體， 所述第1區(qū)域是所述膜體的所述貫通孔之間的部分， 所述第2區(qū)域是所述貫通孔內(nèi)的空間。
6.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)兀件，其特征在于: 所述結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有沿著所述規(guī)定方向貫通的多個(gè)貫通孔的膜體、以及埋設(shè)在所述貫通孔內(nèi)的埋設(shè)構(gòu)件， 所述第1區(qū)域是所述膜體的所述貫通孔之間的部分， 所述第2區(qū)域是所述埋設(shè)構(gòu)件。
7.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)兀件，其特征在于: 所述結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有在所述規(guī)定方向上的一側(cè)或者另一側(cè)開口的多個(gè)凹部的膜體， 所述第1區(qū)域是所述膜體的所述凹部之間的部分， 所述第2區(qū)域是所述凹部內(nèi)的空間。
8.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件，其特征在于: 所述結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有在所述規(guī)定方上的一側(cè)或者另一側(cè)開口的多個(gè)凹部的膜體、以及埋設(shè)在所述凹部內(nèi)的埋設(shè)構(gòu)件， 所述第1區(qū)域是所述膜體的所述凹部之間的部分， 所述第2區(qū)域是所述埋設(shè)構(gòu)件。
9.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)兀件，其特征在于: 所述結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有向所述規(guī)定方向上的一側(cè)或者另一側(cè)突出的多個(gè)凸部的膜體， 所述第1區(qū)域是所述凸部， 所述第2區(qū)域是所述凸部之間的空間。
10.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)兀件，其特征在于: 所述結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置有向所述規(guī)定方向上的一側(cè)或者另一側(cè)突出的多個(gè)凸部的膜體、以及埋設(shè)在所述凸部之間的埋設(shè)構(gòu)件， 所述第1區(qū)域是所述凸部， 所述第2區(qū)域是所述埋設(shè)構(gòu)件。
11.一種光檢測器，其特征在于: 具備: 權(quán)利要求1?10中的任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件； 半導(dǎo)體層疊體，其配置在相對(duì)于所述光學(xué)元件與所述規(guī)定方向上的一側(cè)相反側(cè)的另一側(cè)，通過透過了所述光學(xué)元件的所述光所具有的所述規(guī)定方向的電場分量來產(chǎn)生電流； 第1接觸層，其形成在所述半導(dǎo)體層疊體的所述一側(cè)的表面；以及 第2接觸層，其形成在所述半導(dǎo)體層疊體的所述另一側(cè)的表面。
12.如權(quán)利要求11所述的光檢測器，其特征在于: 進(jìn)一步具備從所述另一側(cè)依次層疊有所述第2接觸層、所述半導(dǎo)體層疊體、所述第1接觸層以及所述光學(xué)元件的基板。
13.如權(quán)利要求11或12所述的光檢測器，其特征在于: 進(jìn)一步具備: 第1電極，其與所述第1接觸層電連接；以及 第2電極，其與所述第2接觸層電連接。
14.如權(quán)利要求11?13中的任一項(xiàng)所述的光檢測器，其特征在于: 所述光學(xué)兀件在光從所述一側(cè)入射時(shí)產(chǎn)生所述規(guī)定方向的電場分量。
15.如權(quán)利要求11?13中的任一項(xiàng)所述的光檢測器，其特征在于: 所述光學(xué)元件在光經(jīng)由所述半導(dǎo)體層疊體從所述另一側(cè)入射時(shí)產(chǎn)生所述規(guī)定方向的電場分量。
【文檔編號(hào)】H01L31/10GK104303097SQ201380023106
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月16日
【發(fā)明者】中嶋和利, 廣畑徹, 赤堀亙, 田中和典, 藤田和上 申請人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社