一種帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，屬于磁性材料與器件【技術(shù)領(lǐng)域】。包括軟磁合金底板，位于軟磁合金底板上方的鐵氧體基板（上表面具有雙結(jié)環(huán)行微帶電路，下表面具有接地金屬層），環(huán)結(jié)行微帶電路幾何中心上方具有永磁體，永磁體上方具有磁屏蔽罩，永磁體與雙環(huán)行結(jié)微帶電路之間采用下介質(zhì)基片隔離，永磁體與磁屏蔽面罩之間采用上介質(zhì)基片隔離；磁屏蔽罩由軟磁平板合金材料邊緣向下折彎所形成，磁屏蔽罩的折彎邊緣底部與鐵氧體基片不相接觸，磁屏蔽罩的最小罩內(nèi)水平尺寸大于兩個(gè)永磁體的外沿之間的最大距離但小于鐵氧體基片的邊長(zhǎng)。本實(shí)用新型具有良好的磁屏蔽功能，同時(shí)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定、便于生產(chǎn)和調(diào)試，能夠滿(mǎn)足日益小型化和高集成的應(yīng)用需求。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于磁性材料與器件【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及微帶環(huán)行器和微帶隔離器，尤其是帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器。
【背景技術(shù)】
[0002]微帶環(huán)行器、微帶隔離器及其構(gòu)成的組件作為一種廣泛應(yīng)用于航空航天電子、通訊系統(tǒng)以及偵察對(duì)抗領(lǐng)域的重要組件，目前在雷達(dá)、電子戰(zhàn)、導(dǎo)航和制導(dǎo)、通訊基站中大量使用。新的設(shè)計(jì)理念和先進(jìn)的工藝技術(shù)促進(jìn)微波系統(tǒng)飛速發(fā)展，微波系統(tǒng)的集成要求微帶環(huán)行器構(gòu)成的組件集成度更高、尺寸更小、性能更穩(wěn)定。同時(shí)微帶產(chǎn)品市場(chǎng)需求量不斷地增加也對(duì)批量生產(chǎn)速度和研發(fā)周期提出更高要求。
[0003]雙級(jí)微帶隔離器是指由兩個(gè)單結(jié)微帶隔離器組成的微波組件，也可認(rèn)為由一個(gè)雙級(jí)微帶環(huán)行器和兩個(gè)負(fù)載組成的微波組件。如圖1和圖2所示是一種不具有磁屏蔽功能的雙級(jí)微帶隔離器結(jié)構(gòu)示意圖，制作于鐵氧體基片I表面的雙結(jié)環(huán)行微帶電路5中每個(gè)結(jié)環(huán)行微帶電路的其中一個(gè)端口與接地端之間連接有一個(gè)負(fù)載電阻6 (負(fù)載電阻6可設(shè)置在鐵氧體基片I上，也可焊接在軟磁合金底板2上)。整個(gè)微帶隔離器包括軟磁合金底板2，位于軟磁合金底板2上方的鐵氧體基片1，鐵氧體基片I下表面具有金屬接地層，上表面具有雙結(jié)環(huán)行微帶電路5，提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體31和32與雙結(jié)環(huán)行微帶電路5之間分別通過(guò)一個(gè)下介質(zhì)基片41和42實(shí)現(xiàn)電隔離。
[0004]不具有磁屏蔽的雙級(jí)微帶隔離器的兩個(gè)提供偏置磁場(chǎng)的永磁體31和32 —般是暴露在鐵氧體基片上方空間，如圖3所示，兩個(gè)永磁體31和32產(chǎn)生的磁力線除了部分與產(chǎn)品的鐵氧體基片I和基片下的軟磁合金底板2形成閉合的回路以外，還有很大部分磁力線向四周發(fā)散，造成大量的磁場(chǎng)泄露-漏磁，這樣造成的影響主要有:一是漏磁造成磁場(chǎng)利用率低下，由永磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)只有部分磁場(chǎng)作用到結(jié)環(huán)行微帶電路的鐵氧體基片上，使得鐵氧體基片未能充分磁化而影響到產(chǎn)品的性能；二是發(fā)散的漏磁場(chǎng)會(huì)對(duì)周?chē)艌?chǎng)敏感的元器件產(chǎn)生干擾，從而影響到微波電路性能；三是產(chǎn)品周?chē)需F磁性物質(zhì)存在時(shí)(如鐵合金或微波吸收材料)，會(huì)影響到組件產(chǎn)品的偏置磁場(chǎng)的方向及大小，改變?cè)械拇呕癄顟B(tài)，從而影響器件的性能參數(shù)，進(jìn)而影響到電路的性能。
[0005]雙級(jí)微帶隔離器中提供偏置磁場(chǎng)的永磁體由于技術(shù)要求不同，磁場(chǎng)方向有兩種不同的狀態(tài):兩個(gè)磁體磁力線方向相反(如圖4所示)和兩個(gè)磁體磁力線方向相同(如圖5所示)。圖4所示是兩個(gè)磁場(chǎng)方向相反的磁體磁力線發(fā)布圖，圖中以磁力線箭頭和線的大小和密集度程度表示磁場(chǎng)傳輸?shù)姆较蚣皬?qiáng)度，兩個(gè)永磁體31和32除了與軟磁合金底板2形成閉合的回路以外，兩個(gè)永磁體之間還有部分形成了回路，磁場(chǎng)發(fā)布復(fù)雜，另外在兩個(gè)永磁體的上方約5mm范圍內(nèi)有較強(qiáng)的漏磁場(chǎng),在兩個(gè)永磁體的側(cè)面約3mm范圍內(nèi)也有較強(qiáng)的漏磁。仿真和試驗(yàn)均顯不通過(guò)基片的磁場(chǎng)利用率僅為50%左右,漏磁占約50%,因而對(duì)廣品本身和周邊電路的性能有較大的影響。圖5所示是兩個(gè)磁場(chǎng)方向相同的磁體磁力線發(fā)布圖，除了與軟磁合金底板2形成閉合的回路以外，在兩個(gè)永磁體的上方約5mm范圍、側(cè)面約3mm范圍內(nèi)有較強(qiáng)的漏磁場(chǎng)外，兩個(gè)永磁體之間相互排斥，磁場(chǎng)分布也較復(fù)雜。以上兩種不同的磁場(chǎng)分布狀態(tài)磁場(chǎng)利用率低，產(chǎn)生的漏磁影響了周?chē)拇艌?chǎng)分布以外，由于兩個(gè)永磁體之間的相互干擾而影響到結(jié)環(huán)行的磁化狀態(tài)，影響了產(chǎn)品的性能。
[0006]隨著微波系統(tǒng)向小型化、多功能化的發(fā)展，要求微波組件產(chǎn)品的尺寸更小，也要求兩個(gè)偏置磁體的距離更小，磁體相互影響更大。在緊湊的電路中，為了防止微波鐵氧體組件產(chǎn)品與周?chē)娐芳巴饨玳g相互之間的磁干擾，通常采用磁屏蔽罩對(duì)微波組件的偏置磁場(chǎng)進(jìn)行屏蔽。
[0007]現(xiàn)有一種帶磁屏蔽片的雙級(jí)微帶隔離器，其結(jié)構(gòu)圖如圖6所示，包括軟磁合金底板2，位于軟磁合金底板2上方的鐵氧體基片1和提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體31和32 ；鐵氧體基片1上表面具有雙結(jié)環(huán)行微帶電路，下表面具有金屬接地層；提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體31和32分別位于雙結(jié)環(huán)行微帶電路中的兩個(gè)結(jié)環(huán)行微帶電路的幾何中心的上方，永磁體31和32上方具有采用軟磁合金平板制作的磁屏蔽片9，兩個(gè)永磁體31和32與雙結(jié)環(huán)行微帶電路之間分別通過(guò)一個(gè)下介質(zhì)基片41和42實(shí)現(xiàn)電隔離，兩個(gè)永磁體3與磁屏蔽片9之間分別通過(guò)一個(gè)上介質(zhì)基片81和82實(shí)現(xiàn)電隔離。
[0008]圖7是圖6所示帶磁屏蔽片的雙級(jí)微帶隔離器的磁場(chǎng)仿真圖(兩個(gè)永磁體磁場(chǎng)方向相反),從圖中可以得到，磁力線主要回路為:沿第一永磁體31、第一上介質(zhì)基片81、磁屏蔽片9、第二上介質(zhì)基片82、第二永磁體32、第二下介質(zhì)基片42、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2、第一下介質(zhì)基片41再回到第一磁體31 ；還有少部分磁力線沿第一磁體31、第一上介質(zhì)基片81、磁屏蔽片9的外沿、空氣介質(zhì)、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2、第一下介質(zhì)基片41再回到第一磁體31路徑形成回路；同樣，少部分磁力線沿第二磁體32、第二上介質(zhì)基片82、磁屏蔽片9的外沿、空氣介質(zhì)、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2、第二下介質(zhì)基片42再回到第二磁體32路徑形成回路；通過(guò)仿真和測(cè)試均表明，圖6所示帶磁屏蔽片的雙級(jí)微帶隔離器磁力線在屏蔽罩上方很弱，而在磁屏蔽片9的外沿有一定的漏磁，漏磁約為10?15%左右，磁場(chǎng)利用率接近90%。
[0009]圖8是圖6所示帶磁屏蔽片的雙級(jí)微帶隔離器的磁場(chǎng)仿真圖(兩個(gè)永磁體磁場(chǎng)方向相同),從圖中可以看出，由于磁場(chǎng)方向一致，置于上方的磁屏蔽片9是磁場(chǎng)的一極，改變了原磁場(chǎng)的分布狀態(tài)，從圖中可以看出，在磁屏蔽片9上方漏磁較少，但雙級(jí)微帶隔離器的四周漏磁場(chǎng)變得更大，此結(jié)構(gòu)對(duì)兩個(gè)磁場(chǎng)方向相同的情況下不能起到磁屏蔽的作用。
[0010]上述帶磁屏蔽片的雙級(jí)微帶隔離器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，有利于產(chǎn)品的裝配生產(chǎn)，對(duì)兩個(gè)磁場(chǎng)方向相反的組件產(chǎn)品可以起到磁屏蔽作用，但對(duì)兩個(gè)磁場(chǎng)方向相同的情況下產(chǎn)品不能起到磁屏蔽作用。
[0011]現(xiàn)有另一種具有全磁屏蔽功能的雙級(jí)微帶隔離器，其結(jié)構(gòu)圖如圖9所示，同樣包括軟磁合金底板2，位于軟磁合金底板2上方的鐵氧體基片1和提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體31和32 ；鐵氧體基片1上表面具有雙結(jié)環(huán)行微帶電路，下表面具有金屬接地層；提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體31和32分別位于雙結(jié)環(huán)行微帶電路中的兩個(gè)結(jié)環(huán)行微帶電路的幾何中心的上方，永磁體上方具有采用軟磁合金材料制作的磁屏蔽罩10，兩個(gè)永磁體31和32與雙結(jié)環(huán)行微帶電路之間分別通過(guò)一個(gè)下介質(zhì)基片41和42實(shí)現(xiàn)電隔離，兩個(gè)永磁體31和32與磁屏蔽罩10之間分別通過(guò)一個(gè)上介質(zhì)基片81和82實(shí)現(xiàn)電隔離。其磁屏蔽罩10是帽形結(jié)構(gòu)，該磁屏蔽罩10將兩個(gè)永磁體31和32完全罩在內(nèi)部，其邊緣與軟磁合金底板2完全接觸，磁屏蔽罩10與軟磁合金底板2形成一個(gè)全封閉的磁屏蔽罩,軟磁合金底板2、兩個(gè)永磁體31和32和磁屏蔽罩10之間形成完全閉合的磁回路。
[0012]圖10是圖9所示帶全磁屏蔽功能的雙級(jí)微帶隔離器的磁場(chǎng)仿真圖(兩個(gè)永磁體磁場(chǎng)方向相反),從圖中可以看出磁力線被控制在由磁屏蔽罩10和軟磁合金底板2形成的屏蔽罩內(nèi)，磁力線回路有三個(gè):第一回路沿第一永磁體31、磁屏蔽罩10、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2回到第一永磁體31 ；第二回路沿第一磁體31、磁屏蔽罩10、第二永磁體32、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2再回到第一磁體31 ；第三回路沿第二永磁體32、磁屏蔽罩10、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2回到第二永磁體32。通過(guò)仿真及試驗(yàn)均顯示在磁屏蔽罩10以外基本上沒(méi)有漏磁泄露出去，漏磁可以控制在僅有2%內(nèi)，磁場(chǎng)利用率約98%。
[0013]圖11是圖9所示帶全磁屏蔽功能的雙級(jí)微帶隔離器的磁場(chǎng)仿真圖(兩個(gè)永磁體磁場(chǎng)方向相同),從圖中可以看出磁力線分布也在由磁屏蔽罩10和軟磁合金底板2形成的屏蔽罩內(nèi)，由于磁場(chǎng)方向相同，同性相斥，兩個(gè)磁體之間沒(méi)有形成磁力線，磁力線回路有兩個(gè):第一回路沿第一永磁體31、磁屏蔽罩10、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2回到第一永磁體31 ；第二回路沿第二永磁體32、磁屏蔽罩10、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2回到第二永磁體32。通過(guò)仿真及試驗(yàn)均顯示在磁屏蔽罩10以外基本上沒(méi)有漏磁泄露出去，漏磁約5%內(nèi)，磁場(chǎng)利用率達(dá)到約95%。該全磁屏蔽功能十分良好，避免了組件產(chǎn)品與外界之間的磁場(chǎng)相互干擾。
[0014]但這種帶全磁屏蔽功能的雙級(jí)微帶隔離器結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，不利于產(chǎn)品的裝配生產(chǎn)，也不利于進(jìn)一步縮小產(chǎn)品的體積，如果采用帽子形的結(jié)構(gòu)，在制作時(shí)需要預(yù)留窗口以便于引入或引出結(jié)環(huán)行微帶電路的輸入輸出端口信號(hào)，磁屏蔽罩10封裝后不便于結(jié)環(huán)行微帶電路的調(diào)試，另外磁屏蔽罩10通常采用沖壓成型，封裝后內(nèi)部存在一定的機(jī)械應(yīng)力，嚴(yán)重時(shí)很容易造成鐵氧體基片1的破碎。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本實(shí)用新型提供一種帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，該雙級(jí)微帶隔離器具有良好的磁屏蔽功能，同時(shí)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定、便于生產(chǎn)和調(diào)試，能夠滿(mǎn)足微帶鐵氧體器件日益小型化和高集成化的應(yīng)用需求，適用于產(chǎn)品大批量生產(chǎn)的要求。
[0016]本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0017]一種帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其結(jié)構(gòu)如圖12所示，包括軟磁合金底板2，位于軟磁合金底板2上方的鐵氧體基片1和提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體31和32 ；鐵氧體基片1下表面具有接地金屬層，上表面具有雙結(jié)環(huán)行微帶電路(雙結(jié)環(huán)行微帶電路由兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路構(gòu)成，每個(gè)兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路各具有三個(gè)輸入/輸出端口，其中一個(gè)輸入/輸出端口對(duì)接，剩余兩個(gè)輸入/輸出端口中有一個(gè)端口與接地端之間連接有一個(gè)負(fù)載電阻?負(fù)載電阻6可設(shè)置在鐵氧體基片1上，也可焊接在軟磁合金底板2上》；兩個(gè)永磁體31和32分別位于雙結(jié)環(huán)行微帶電路中兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路幾何中心的上方，兩個(gè)永磁體31和32上方具有采用軟磁材料實(shí)現(xiàn)的磁屏蔽罩10，兩個(gè)永磁體31和32與雙結(jié)環(huán)行微帶電路之間分別通過(guò)一個(gè)下介質(zhì)基片41和42實(shí)現(xiàn)電隔離，兩個(gè)永磁體31和32與磁屏蔽罩10之間分別通過(guò)一個(gè)上介質(zhì)基片81和82實(shí)現(xiàn)電隔離。與圖9所示帶全磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器所不同的是，本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩雙級(jí)微帶隔離器，其磁屏蔽罩10是由軟磁平板合金材料邊緣向下折彎所形成、且磁屏蔽罩10的折彎邊緣底部不與鐵氧體基片1相接觸而是留有間隙，并且磁屏蔽罩10的最小罩內(nèi)水平尺寸大于兩個(gè)永磁體31和32的外沿之間的最大距離但小于鐵氧體基片1的邊長(zhǎng)。
[0018]上述技術(shù)方案中，軟磁合金底板2與鐵氧體基片1之間相互固定，下介質(zhì)基片41或42兩面分別與鐵氧體基片1和永磁體31或32固定，上介質(zhì)基片81或82兩面分別與永磁體31或32和磁屏蔽罩10固定。
[0019]圖13是本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器的磁場(chǎng)仿真圖(兩個(gè)永磁體的磁場(chǎng)方向相反),磁屏蔽罩10與鐵氧體基片1之間形成的間隙(間隙距離為0.0臟?
2.0111111)范圍約1皿的區(qū)域有漏磁產(chǎn)生，磁力線回路主要是:沿第一永磁體31、磁屏蔽罩10、第二永磁體32、鐵氧體基片1、軟磁合金底板2回到第一永磁體31 ；只有少部分是沿磁屏蔽罩10的外沿與鐵氧體基片1的路徑形成回路，磁力線在屏蔽罩上方及四周漏磁很弱。通過(guò)仿真和測(cè)試均表明，漏磁小于5%，磁場(chǎng)利用率較高，約為95%，其屏蔽效果接近圖9所示帶全磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器(兩個(gè)永磁體的磁場(chǎng)方向相反
[0020]圖14是本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器的磁場(chǎng)仿真圖(兩個(gè)永磁體的磁場(chǎng)方向相同),磁屏蔽罩10與鐵氧體基片1之間形成的間隙(間隙距離為0.0臟?
2.0111111)范圍約1皿的區(qū)域有漏磁產(chǎn)生，由于兩個(gè)磁體3的方向相同，相互排斥，磁力線回路主要是:沿第一(或第二)永磁體31 (或32〉、磁屏蔽罩10、鐵氧體基片1、空氣間隙、軟磁合金底板2回到第一(或第二)磁體31 (或32)；還有少部分磁力線通過(guò)空氣介質(zhì)形成回路。通過(guò)仿真和測(cè)試均表明，磁力線在屏蔽罩上方及四周漏磁很弱，漏磁約占6%?8%，磁場(chǎng)利用率較高，約為92%以上，其屏蔽效果接近圖9所示帶全磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器(兩個(gè)永磁體的磁場(chǎng)方向相同)。
[0021]圖13和圖14仿真圖顯示，有效磁化作用范圍主要集中在永磁體附近，因此永磁體附近作用區(qū)域是需要實(shí)現(xiàn)磁屏蔽、防止與外界相互干擾的區(qū)域。因此本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其磁屏蔽罩10的最小罩內(nèi)水平尺寸大于兩個(gè)永磁體3的外沿之間的最大距離但小于鐵氧體基片1的邊長(zhǎng)(實(shí)際制作時(shí)可遠(yuǎn)小于鐵氧體基片1的邊長(zhǎng))，這樣既屏蔽了永磁體核心作用區(qū)域，同時(shí)又有利于減小整個(gè)環(huán)行器所占據(jù)的空間，達(dá)到減小體積的效果。
[0022]另外，本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其磁屏蔽罩由軟磁合金底板2和磁屏蔽罩10形成一個(gè)不完全封閉的磁屏蔽結(jié)構(gòu)。磁屏蔽罩10的邊緣底部不與鐵氧體基片1相接觸而是留有間隙，能夠保證磁合金支撐板2、永磁體31或32和磁屏蔽罩10之間形成閉合的磁回路。雖然圖12所示本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器沒(méi)有杜絕漏磁現(xiàn)象，但本實(shí)用新型的磁屏蔽功能已非常接近了圖9中的帶全磁屏蔽罩的效果，磁場(chǎng)利用率達(dá)到92%以上，能夠滿(mǎn)足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合的要求。使用1/1X1211軟件做出大量仿真和比對(duì)后發(fā)現(xiàn)，本實(shí)用新型屏蔽方案漏磁能夠得到有效控制，磁力線在設(shè)計(jì)要求的磁路中進(jìn)行傳輸，所生產(chǎn)漏磁在2%-8%的很小的范圍內(nèi)，不會(huì)對(duì)產(chǎn)品本身和周?chē)娐樊a(chǎn)生影響。
[0023]與圖6中帶磁屏蔽片的雙級(jí)微帶隔離器相比，本實(shí)用新型中磁屏蔽罩10有折彎的邊沿，使得偏置磁場(chǎng)可以從邊沿通過(guò)鐵氧體基片1和軟磁合金底板2形成回路；在兩個(gè)磁場(chǎng)方向相反的組件中，使漏磁從12%左右降到5%，磁場(chǎng)利用率從88%提高到95%，并可以以用于兩個(gè)磁場(chǎng)方向相同的組件中，磁場(chǎng)利用率也到了 92%以上(而帶磁屏蔽片的雙級(jí)微帶隔離器在兩個(gè)磁場(chǎng)方向相同的情況下不能實(shí)現(xiàn)磁屏蔽作用)。
[0024]與圖9中帶全磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器比，本實(shí)用新型將磁屏蔽罩10置于基片的上方，未將基片包裹屏蔽罩內(nèi)部，這樣使產(chǎn)品尺寸更小，在產(chǎn)品的小型化上更有優(yōu)勢(shì)。
[0025]本實(shí)用新型將磁屏蔽罩10的邊緣底部設(shè)計(jì)成不與鐵氧體基片1相接觸而是留有間隙，最大的好處在于便于器件與外界電路的連接，同時(shí)便于在組裝過(guò)程中對(duì)結(jié)環(huán)行微帶線電路進(jìn)行調(diào)試，器件封裝后，也不存在機(jī)械應(yīng)力，避免了完全封閉所帶來(lái)的機(jī)械應(yīng)力所造成的鐵氧體基片破碎的技術(shù)問(wèn)題。
[0026]綜上所述，本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器組件，具有良好的磁屏蔽功能，同時(shí)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定、便于生產(chǎn)和調(diào)試，能夠滿(mǎn)足微帶器件日益小型化和高集成的應(yīng)用需求。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是不具有磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器(內(nèi)置負(fù)載)示意圖。
[0028]圖2是不具有磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器(外置負(fù)載)示意圖。
[0029]圖3是不具有磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖4是不具有磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0031]圖5是不具有磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相同的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0032]圖6帶磁屏蔽片雙級(jí)微帶隔離器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖7帶磁屏蔽片雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0034]圖8帶磁屏蔽片雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相同的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0035]圖9是帶全磁屏蔽雙級(jí)微帶隔離器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]圖10是帶全磁屏蔽雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0037]圖11是帶全磁屏蔽雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相同的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0038]圖12是本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩雙級(jí)微帶隔離器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]圖13是本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0040]圖14是本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩雙級(jí)微帶隔離器磁場(chǎng)方向相同的磁場(chǎng)分布仿真圖。
[0041]上述各附圖中，對(duì)應(yīng)的附圖標(biāo)記為:
[0042]1是鐵氧體基片，2是軟磁合金底板，31是第一永磁體，32是第二永磁體，41是第一下介質(zhì)基片，42是第二下介質(zhì)基片，5是雙結(jié)環(huán)行微帶電路，6是負(fù)載電阻，81是第一上介質(zhì)基片，82是第二上介質(zhì)基片，9是磁屏蔽片，10是磁屏蔽罩。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作出詳細(xì)說(shuō)明。
[0044]一種帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其結(jié)構(gòu)如圖12所示，包括軟磁合金底板2，位于軟磁合金底板2上方的鐵氧體基片1和提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體31和32 ；鐵氧體基片1下表面具有接地金屬層，上表面具有雙結(jié)環(huán)行微帶電路(雙結(jié)環(huán)行微帶電路由兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路構(gòu)成，每個(gè)兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路各具有三個(gè)輸入丨輸出端口，其中一個(gè)輸入丨輸出端口對(duì)接，剩余兩個(gè)輸入/輸出端口中有一個(gè)端口與接地端之間連接有一個(gè)負(fù)載電阻?負(fù)載電阻7可設(shè)置在鐵氧體基片1上，也可焊接在軟磁合金底板2上〉)；兩個(gè)永磁體31和32分別位于雙結(jié)環(huán)行微帶電路中兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路幾何中心的上方，兩個(gè)永磁體31和32上方具有采用軟磁材料實(shí)現(xiàn)的磁屏蔽罩10，兩個(gè)永磁體31和32與雙結(jié)環(huán)行微帶電路之間分別通過(guò)一個(gè)下介質(zhì)基片41和42實(shí)現(xiàn)電隔離，兩個(gè)永磁體31和32與磁屏蔽罩10之間分別通過(guò)一個(gè)上介質(zhì)基片81和82實(shí)現(xiàn)電隔離。
[0045]與圖9所示帶全磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器所不同的是，本實(shí)用新型提供的帶磁屏蔽罩雙級(jí)微帶隔離器，其磁屏蔽罩10是由軟磁平板合金材料邊緣向下折彎所形成、且磁屏蔽罩10的折彎邊緣底部不與鐵氧體基片1相接觸而是留有間隙，并且磁屏蔽罩10的最小罩內(nèi)水平尺寸大于兩個(gè)永磁體31和32的外沿之間的最大距離但小于鐵氧體基片1的邊長(zhǎng)。
[0046]上述技術(shù)方案中，軟磁合金底板2與鐵氧體基片1之間采用焊接固定，下介質(zhì)基片41或42兩面采用粘合劑分別與鐵氧體基片1和兩個(gè)永磁體31或32粘接固定，上介質(zhì)基片81或82兩面采用粘合劑分別與兩個(gè)永磁體3或32和磁屏蔽罩10粘接固定。
[0047]所述雙結(jié)雙環(huán)行微帶電路是由兩個(gè)圓型X結(jié)環(huán)行微帶電路、兩個(gè)三角型V結(jié)環(huán)行微帶電路、兩個(gè)六角型X結(jié)環(huán)行微帶電路或兩個(gè)魚(yú)刺型X結(jié)環(huán)行微帶電路組成。
[0048]上、下介質(zhì)基片可采用聚砜、聚四氟乙烯、陶瓷或其它介質(zhì)等材料制作。
[0049]所述磁屏蔽罩10可采用工業(yè)純鐵、鐵鎳合金或其它具有軟磁性能的合金材料制作，其垂直投影形狀可以是矩形、圓形或橢圓形。對(duì)于垂直投影形狀為矩形的磁屏蔽罩，可由矩形軟磁合金材料的兩個(gè)對(duì)邊、或任意三邊或四邊向下折彎所形成，也可由矩形軟磁合金材料直接沖壓而成；對(duì)于垂直投影形狀為為圓形或橢圓形的磁屏蔽罩，可采用軟磁合金圓片直接沖壓而成。
【權(quán)利要求】
1.一種帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其結(jié)構(gòu)包括軟磁合金底板(2),位于軟磁合金底板(2)上方的鐵氧體基片(1)和提供偏置磁場(chǎng)的兩個(gè)永磁體(31和32)；鐵氧體基片(1)下表面具有接地金屬層，上表面具有雙結(jié)環(huán)行微帶電路，所述雙結(jié)環(huán)行微帶電路由兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路構(gòu)成，每個(gè)兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路各具有三個(gè)輸入/輸出端口，其中一個(gè)輸入/輸出端口對(duì)接，剩余兩個(gè)輸入/輸出端口中有一個(gè)端口與接地端之間連接有一個(gè)負(fù)載電阻；兩個(gè)永磁體(31和32)分別位于雙結(jié)環(huán)行微帶電路中兩個(gè)單結(jié)環(huán)行微帶電路幾何中心的上方，兩個(gè)永磁體(31和32)上方具有采用軟磁材料實(shí)現(xiàn)的磁屏蔽罩(10),兩個(gè)永磁體(31和32)與雙結(jié)環(huán)行微帶電路之間分別通過(guò)一個(gè)下介質(zhì)基片(41和42)實(shí)現(xiàn)電隔離，兩個(gè)永磁體(31和32)與磁屏蔽罩(10)之間分別通過(guò)一個(gè)上介質(zhì)基片(81和82)實(shí)現(xiàn)電隔離； 其特征在于，所述磁屏蔽罩(10)由軟磁平板合金材料邊緣向下折彎所形成、且磁屏蔽罩(10)的折彎邊緣底部不與鐵氧體基片(1)相接觸而是留有間隙，并且磁屏蔽罩(10)的最小罩內(nèi)水平尺寸大于兩個(gè)永磁體(31和32)的外沿之間的最大距離但小于鐵氧體基片(1)的邊長(zhǎng)。
2.如權(quán)利要求1所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，負(fù)載電阻(6)設(shè)置在鐵氧體基片(1)上，或焊接在軟磁合金底板(2 )上。
3.如權(quán)利要求1所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，磁屏蔽罩(10)的邊緣底部與鐵氧體基片(1)之間的間隙為0.0.?2.0—。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，所述軟磁合金底板(2)與鐵氧體基片(1)之間相互固定，下介質(zhì)基片(41或42)兩面分別與鐵氧體基片(1)和永磁體(31或32)固定，上介質(zhì)基片(81或82)兩面分別與永磁體(31或32)和磁屏蔽罩(10)固定。
5.如權(quán)利要求4所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，所述軟磁合金底板(2)與鐵氧體基片(1)之間采用焊接方式固定；下介質(zhì)基片(41或42)兩面采用粘結(jié)方式分別與鐵氧體基片(1)和永磁體(31或32)固定，上介質(zhì)基片(81或82)兩面采用粘結(jié)方式分別與永磁體(31或32)和磁屏蔽罩(10)固定。
6.如權(quán)利要求1、2或3所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，所述雙結(jié)環(huán)形微帶電路是由兩個(gè)圓型X結(jié)環(huán)行微帶電路、兩個(gè)三角型X結(jié)環(huán)行微帶電路、兩個(gè)六角型X結(jié)環(huán)行微帶電路或兩個(gè)魚(yú)刺型V結(jié)環(huán)行微帶電路組成。
7.如權(quán)利要求1、2或3所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，上、下介質(zhì)基片采用聚砜、聚四氟乙烯、陶瓷材料制作。
8.如權(quán)利要求1、2或3所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，所述磁屏蔽罩(10)采用工業(yè)純鐵、鐵鎳合金或其它軟磁合金材料制作，其垂直投影形狀是矩形、圓形或橢圓形。
9.如權(quán)利要求8所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，若所述磁屏蔽罩(10)的垂直投影形狀是矩形，則由矩形軟磁平板材料的兩個(gè)對(duì)邊、或任意三邊或四邊向下折彎所形成，或由矩形軟磁合金材料直接沖壓而成。
10.如權(quán)利要求8所述的帶磁屏蔽罩的雙級(jí)微帶隔離器，其特征在于，若所述磁屏蔽罩(10)的垂直投影形狀是圓形或橢圓形，則采用軟磁合金圓片直接沖壓而成。
【文檔編號(hào)】H01P1/36GK203631710SQ201320839433
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】許江 申請(qǐng)人:成都致力微波科技有限公司