一種可控硅邊緣結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種可控硅邊緣結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)，該陰極區(qū)的三個拐角邊緣為內(nèi)彎大圓弧，該內(nèi)彎大圓弧的弧度為90°~140°。本實用新型的優(yōu)點是：內(nèi)彎的大圓弧拐角邊緣削弱了電荷的聚集，同時一部分短路作用也較大地輔助了電流和電壓的泄放，有效地避免了可控硅經(jīng)常被大電流和高電壓燒毀的現(xiàn)象，提高了可控硅的可靠性和壽命。
【專利說明】一種可控硅邊緣結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種可控硅的邊緣結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]可控硅在實際應(yīng)用中，由于受到大電流和高電壓的沖擊，經(jīng)常會出現(xiàn)燒毀的現(xiàn)象，而燒毀的區(qū)域絕大多數(shù)在可控硅的陰極區(qū)拐角處，該拐角邊緣通常呈圓角形狀，如圖1所示。如果此種現(xiàn)象得以避免，則對可控硅的可靠性和壽命都有大幅度提高。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是提供一種可有效避免可控硅被燒毀的邊緣結(jié)構(gòu)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案是:
[0005]一種可控硅邊緣結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)，該陰極區(qū)的三個拐角邊緣為內(nèi)彎大圓弧，該內(nèi)彎大圓弧的弧度為90°?140°。
[0006]本實用新型的優(yōu)點是:內(nèi)彎的大圓弧拐角邊緣削弱了電荷的聚集，同時一部分短路作用也較大地輔助了電流和電壓的泄放，有效地避免了可控硅經(jīng)常被大電流和高電壓燒毀的現(xiàn)象，提高了可控硅的可靠性和壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0008]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的可控硅邊緣結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖2是本實用新型的可控硅邊緣結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]其中，1、陰極區(qū)，2、拐角邊緣。
[0011]【具體實施方式】:
[0012]如圖2所示，一種可控硅邊緣結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)1，該陰極區(qū)I的三個拐角邊緣2為內(nèi)彎大圓弧，該內(nèi)彎大圓弧的弧度為90°?140°。內(nèi)彎的大圓弧拐角邊緣削弱了電荷的聚集，同時一部分短路作用也較大地輔助了電流和電壓的泄放，有效地避免了可控硅經(jīng)常被大電流和高電壓燒毀的現(xiàn)象，提高了可控硅的可靠性和壽命。
【權(quán)利要求】
1.一種可控硅邊緣結(jié)構(gòu)，包括陰極區(qū)，其特征在于:所述陰極區(qū)的三個拐角邊緣為內(nèi)彎大圓弧。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可控硅邊緣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述內(nèi)彎大圓弧的弧度為 90。?140。。
【文檔編號】H01L29/06GK203659872SQ201320822981
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月16日
【發(fā)明者】鄒有彪, 張鵬 申請人:啟東吉萊電子有限公司