靜電去除裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種靜電去除裝置，用于去除半導(dǎo)體晶圓表面的靜電，所述靜電去除裝置包括支撐框架、升降裝置以及離子棒，其中，所述升降裝置固定在支撐框架上，所述離子棒固定在所述升降裝置上。將半導(dǎo)體晶圓放置在靜電去除裝置內(nèi)，離子棒能夠提供帶有一定電荷的離子，所述離子可以與所述半導(dǎo)體晶圓表面的靜電進(jìn)行中和，從而達(dá)到去除殘留在所述半導(dǎo)體晶圓表面的靜電的目的，使所述半導(dǎo)體晶圓在進(jìn)行WAT測(cè)試時(shí)能夠得到準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果。
【專利說(shuō)明】靜電去除裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種靜電去除裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體晶圓在制作完成后，通常會(huì)對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行相應(yīng)的測(cè)試，例如晶圓可靠性測(cè)試(Wafer Acceptance Test, WAT)。WAT測(cè)試主要是針對(duì)半導(dǎo)體晶圓的多種參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，以監(jiān)測(cè)制作半導(dǎo)體晶圓的工藝是否符合標(biāo)準(zhǔn)、半導(dǎo)體晶圓的性能是否達(dá)到要求。
[0003]然而，半導(dǎo)體晶圓在進(jìn)行WAT測(cè)試時(shí)，經(jīng)常遭遇到WAT其中的一項(xiàng)參數(shù)(JLEA)存在嚴(yán)重偏移。因此，需要對(duì)存在幾EA偏移的晶圓進(jìn)行重新制作或者重新測(cè)試。這樣便會(huì)導(dǎo)致較大的工作量，并且不利于降低生產(chǎn)成本。
[0004]幾EA參數(shù)發(fā)生偏移的原因通常是由于半導(dǎo)體晶圓表面的靜電積累過(guò)多，從而導(dǎo)致測(cè)試不準(zhǔn)確。半導(dǎo)體晶圓表面的靜電一般是在工藝進(jìn)行時(shí)產(chǎn)生的并且遺留在半導(dǎo)體晶圓的表面，例如濕法刻蝕工藝之后極易在半導(dǎo)體晶圓的表面產(chǎn)生靜電。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種靜電去除裝置，能夠去除半導(dǎo)體晶圓表面的靜電。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出了一種靜電去除裝置，用于去除半導(dǎo)體晶圓表面的靜電，所述靜電去除裝置包括支撐框架、升降裝置以及離子棒，其中，所述升降裝置固定在支撐框架上，所述離子棒固定在所述升降裝置上。
[0007]進(jìn)一步的，所述離子棒包括棒芯和棒殼，所述棒芯鑲嵌入所述棒殼內(nèi)。
[0008]進(jìn)一步的，所述棒芯設(shè)有多個(gè)孔洞，所述孔洞均勻分布在所述棒芯上。
[0009]進(jìn)一步的，所述孔洞面向所述支撐框架設(shè)置。
[0010]進(jìn)一步的，所述靜電去除裝置還包括一晶圓載臺(tái)，所述半導(dǎo)體晶圓放置于所述晶圓載臺(tái)上。
[0011]進(jìn)一步的，所述離子棒與所述半導(dǎo)體晶圓保持預(yù)定距離。
[0012]進(jìn)一步的,所述預(yù)定距離范圍是IOmm?80mm。
[0013]進(jìn)一步的，所述升降裝置包括升降桿以及升降架，所述升降架設(shè)置于所述升降桿上。
[0014]進(jìn)一步的，所述升降桿設(shè)有螺紋，所述升降架通過(guò)螺紋設(shè)置于所述升降桿上。
[0015]進(jìn)一步的，所述升降裝置可升降高度范圍是O?400mm。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果主要體現(xiàn)在:將半導(dǎo)體晶圓放置在靜電去除裝置內(nèi)，離子棒能夠提供帶有一定電荷的離子，所述離子可以與所述半導(dǎo)體晶圓表面的靜電進(jìn)行中和，從而達(dá)到去除殘留在所述半導(dǎo)體晶圓表面的靜電的目的，使所述半導(dǎo)體晶圓在進(jìn)行WAT測(cè)試時(shí)能夠得到準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中靜電去除裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中離子棒的仰視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的靜電去除裝置進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0020]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0021]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0022]請(qǐng)參考圖1，在本實(shí)施例中提出了一種靜電去除裝置，用于去除半導(dǎo)體晶圓300表面的靜電，所述靜電去除裝置包括支撐框架100、升降裝置以及離子棒，其中，所述升降裝置固定在支撐框架100上，所述離子棒固定在所述升降裝置上。
[0023]請(qǐng)參考圖2，在本實(shí)施例中，所述離子棒包括棒芯510和棒殼520，所述棒芯510鑲嵌入所述棒殼520內(nèi)，所述棒芯510設(shè)有多個(gè)孔洞511，所述孔洞511均勻分布在所述棒芯510上，所述孔洞511面向所述支撐框架100設(shè)置，所述棒芯510能夠提供帶有一定電荷的離子，所述離子能夠由所述孔洞511噴出(如圖1中箭頭所示)，所述離子達(dá)到所述半導(dǎo)體晶圓300的表面能夠與殘留在所述半導(dǎo)體晶圓300表面的靜電進(jìn)行中和，從而達(dá)到去除靜電的目的。
[0024]在本實(shí)施例中，所述靜電去除裝置還包括一晶圓載臺(tái)200，所述半導(dǎo)體晶圓300放置于所述晶圓載臺(tái)200上，所述晶圓載臺(tái)200能夠盛放多片所述半導(dǎo)體晶圓300，所述離子棒與所述半導(dǎo)體晶圓300保持預(yù)定距離,所述預(yù)定距離范圍是IOmm?80mm,例如是50mm ;由于所述離子棒與所述半導(dǎo)體晶圓300保持的預(yù)定距離與去除所述半導(dǎo)體晶圓300表面電荷能力相關(guān)，根據(jù)不同的工藝可以相應(yīng)的調(diào)整所述離子棒與所述半導(dǎo)體晶圓300保持的預(yù)定距離，以找到去除所述半導(dǎo)體晶圓300表面靜電的最佳預(yù)定距離。
[0025]在本實(shí)施例中，所述升降裝置包括升降桿420以及升降架410，所述升降架410設(shè)置于所述升降桿420上，其中，所述升降桿420設(shè)有螺紋，所述升降架410通過(guò)螺紋設(shè)置于所述升降桿420上，并且所述升降架410能夠調(diào)節(jié)高度，所述升降裝置可升降高度范圍是O?400mm,例如是IOOmm ;通過(guò)調(diào)節(jié)升降架410的高度便能夠調(diào)節(jié)所述離子棒與所述半導(dǎo)體晶圓300的預(yù)定距離。
[0026]綜上，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的靜電去除裝置中，將半導(dǎo)體晶圓放置在靜電去除裝置內(nèi)，離子棒能夠提供帶有一定電荷的離子，所述離子可以與所述半導(dǎo)體晶圓表面的靜電進(jìn)行中和，從而達(dá)到去除殘留在所述半導(dǎo)體晶圓表面的靜電的目的，使所述半導(dǎo)體晶圓在進(jìn)行WAT測(cè)試時(shí)能夠得到準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果。
[0027]上述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本實(shí)用新型起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本實(shí)用新型揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種靜電去除裝置，用于去除半導(dǎo)體晶圓表面的靜電，其特征在于，所述靜電去除裝置包括支撐框架、升降裝置以及離子棒，其中，所述升降裝置固定在支撐框架上，所述離子棒固定在所述升降裝置上。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述離子棒包括棒芯和棒殼，所述棒芯鑲嵌入所述棒殼內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述棒芯設(shè)有多個(gè)孔洞，所述孔洞均勻分布在所述棒芯上。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述孔洞面向所述支撐框架設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述靜電去除裝置還包括一晶圓載臺(tái)，所述半導(dǎo)體晶圓放置于所述晶圓載臺(tái)上。
6.如權(quán)利要求5所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述離子棒與所述半導(dǎo)體晶圓保持預(yù)定距離。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述預(yù)定距離范圍是IOmm?80mmo
8.如權(quán)利要求1所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述升降裝置包括升降桿以及升降架，所述升降架設(shè)置于所述升降桿上。
9.如權(quán)利要求8所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述升降桿設(shè)有螺紋，所述升降架通過(guò)螺紋設(shè)置于所述升降桿上。
10.如權(quán)利要求1所述的靜電去除裝置，其特征在于，所述升降裝置可升降高度范圍是O ?400mm。
【文檔編號(hào)】H01L23/60GK203631544SQ201320805114
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月9日
【發(fā)明者】王智東, 陸志卿, 傅俊 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司