一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，包括：相對(duì)設(shè)置的上絕緣蓋以及下絕緣蓋；設(shè)置在所述上絕緣蓋背離所述下絕緣蓋一側(cè)的上端子；設(shè)置在所述下絕緣蓋背離所述上絕緣蓋一側(cè)、與所述上端子相對(duì)設(shè)置的下端子；其中，所述下端子的表面設(shè)置有疏水涂層。所述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)的下端子的表面的超疏水RTV硅橡膠涂層具有憎水表面不易形成水膜，表面受潮時(shí)水汽會(huì)形成的水珠滑落，只有極少數(shù)的極小的水滴附著在超疏水RTV硅橡膠涂層表面，而且容易被其他滑落的水珠帶走，表面不易積水，所以很難產(chǎn)生泄露電流，不易出現(xiàn)放電現(xiàn)象，安全性高。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說(shuō)，涉及一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]負(fù)荷開(kāi)關(guān)是電郵簡(jiǎn)單滅弧裝置的一種開(kāi)關(guān)裝置，使用六氟化硫氣體作為絕緣和滅弧介質(zhì)的負(fù)荷開(kāi)關(guān)成為六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)。它可以用于開(kāi)合和開(kāi)關(guān)負(fù)荷電流及過(guò)載電流，亦可以用于開(kāi)合和開(kāi)斷空載線路、空載變壓器及電容器組。
[0003]六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)由相對(duì)設(shè)置的上絕緣蓋以及下絕緣蓋構(gòu)成，在其內(nèi)部設(shè)置有六氟化硫氣體，上絕緣蓋上設(shè)置有上端子，下絕緣蓋設(shè)置有與所述上端子對(duì)應(yīng)的下端子。
[0004]六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)的下端子為內(nèi)凹式結(jié)構(gòu)，表面容易受潮積水，導(dǎo)致下端子的表面易出現(xiàn)放電現(xiàn)象，造成安全性低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，所述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)避免了下端子的受潮積水問(wèn)題，安全性高。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，該六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)包括:
[0008]相對(duì)設(shè)置的上絕緣蓋以及下絕緣蓋；
[0009]設(shè)置在所述上絕緣蓋背離所述下絕緣蓋一側(cè)的上端子；
[0010]設(shè)置在所述下絕緣蓋背離所述上絕緣蓋一側(cè)、與所述上端子相對(duì)設(shè)置的下端子；
[0011]其中，所述下端子的表面設(shè)置有疏水涂層。
[0012]優(yōu)選的，在上述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)中，所述疏水涂層為超疏水RTV硅橡膠涂層。
[0013]優(yōu)選的，在上述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)中，還包括:
[0014]設(shè)置在所述下端子上的增大爬距裙，所述增大爬距裙包括:相對(duì)設(shè)置的第一殼體
與第二殼體；
[0015]其中，所述第一殼體用于包圍所述下端子；所述第二殼體的開(kāi)口寬度由背離所述第一殼體的方向逐漸增大；所述第一殼體與第二殼體的公共底面設(shè)置有下端子的接線樁的開(kāi)口。
[0016]優(yōu)選的，在上述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)中，所述第二殼體的側(cè)面設(shè)置有側(cè)開(kāi)口，所述側(cè)開(kāi)口用于引出所述下端子的接線樁處的金屬墊片。
[0017]優(yōu)選的，在上述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)中，所述增大爬距裙為硅橡膠增大爬距裙。
[0018]優(yōu)選的，在上述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)中，所述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)包括:3個(gè)上端子以及3個(gè)下端子，所述上端子與所述下端子一一對(duì)應(yīng)。
[0019]優(yōu)選的，在上述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)中，所述上端子為環(huán)氧樹(shù)脂絕緣子。
[0020]從上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型所提供的六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)包括:相對(duì)設(shè)置的上絕緣蓋以及下絕緣蓋；設(shè)置在所述上絕緣蓋背離所述下絕緣蓋一側(cè)的上端子；設(shè)置在所述下絕緣蓋背離所述上絕緣蓋一側(cè)、與所述上端子相對(duì)設(shè)置的下端子；其中，所述下端子的表面設(shè)置有超疏水RTV硅橡膠涂層。所述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)的下端子的表面的超疏水RTV硅橡膠涂層具有憎水表面不易形成水膜，表面受潮時(shí)水汽會(huì)形成的水珠滑落，只有極少數(shù)的極小的水滴附著在超疏水RTV硅橡膠涂層表面，而且容易被其他滑落的水珠帶走，表面不易積水，所以很難產(chǎn)生泄露電流，不易出現(xiàn)放電現(xiàn)象，安全性高。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種增大爬距裙的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0026]正如【背景技術(shù)】部分所述，六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)的下端子為內(nèi)凹式結(jié)構(gòu)，表面容易受潮積水，導(dǎo)致下端子的表面易出現(xiàn)放電現(xiàn)象，造成安全性低。
[0027]由于下端子為內(nèi)凹式結(jié)構(gòu)，空氣流動(dòng)性差，受潮時(shí)，下端子的絕緣體表面容易積水，在絕緣體表面形成水膜，在電場(chǎng)的作用下泄露電流隨著電壓的升高而升高，很容易形成電流環(huán)路，從而導(dǎo)致閃絡(luò)，發(fā)生放電現(xiàn)象，導(dǎo)致絕緣體的表面燒結(jié)，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)舸┙^緣體，導(dǎo)致六氟化硫氣體泄露，導(dǎo)致斷電和危機(jī)人身安全的安全事故。
[0028]為解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，參考圖1，所述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)包括:相對(duì)設(shè)置的上絕緣蓋I以及下絕緣蓋2 ;設(shè)置所述上絕緣蓋I背離所述下絕緣蓋2 —側(cè)的上端子3 ;設(shè)置在所述下絕緣蓋2背離所述上絕緣蓋一側(cè)、與所述上端子3相對(duì)設(shè)置的下端子4。所述下端子4設(shè)置在所述下絕緣蓋2的絕緣罩5內(nèi)，為內(nèi)凹式結(jié)構(gòu)，所述下端子的頂端為接線樁6。
[0029]所述下端子4的表面(除去接線樁6外的絕緣體表面)設(shè)置有疏水涂層。疏水涂層能夠降低下端子表面受潮時(shí)的積水。所述疏水涂層可以為普通的RTV硅橡膠涂層，也可以為超疏水RTV (室溫硫化型)硅橡膠涂層。本實(shí)施例優(yōu)選的采用疏水性較好的超疏水RTV硅橡膠涂層。
[0030]在圖2所示實(shí)施方式中，所述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)設(shè)置有3個(gè)上端子以及3個(gè)下端子，所述上端子與所述下端子一一對(duì)應(yīng)。所述上端子以及下端子的絕緣體為具有較好的電絕緣性的環(huán)氧樹(shù)脂絕緣子。
[0031]下面通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)說(shuō)明無(wú)涂層時(shí)、有普通RTV硅橡膠涂層時(shí)以及有超疏水RTV硅橡膠涂層時(shí)下端子的濕工頻閃絡(luò)電壓，參考表1，表1為不同涂層時(shí)濕工頻閃絡(luò)電壓的試驗(yàn)結(jié)果:
[0032]表1
[0033]
【權(quán)利要求】
1.一種六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，其特征在于，包括: 相對(duì)設(shè)置的上絕緣蓋以及下絕緣蓋； 設(shè)置在所述上絕緣蓋背離所述下絕緣蓋一側(cè)的上端子； 設(shè)置在所述下絕緣蓋背離所述上絕緣蓋一側(cè)、與所述上端子相對(duì)設(shè)置的下端子； 其中，所述下端子的表面設(shè)置有疏水涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述疏水涂層為超疏水RTV硅橡膠涂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述下端子上的增大爬距裙，所述增大爬距裙包括:相對(duì)設(shè)置的第一殼體與第二殼體； 其中，所述第一殼體用于包圍所述下端子；所述第二殼體的開(kāi)口寬度由背離所述第一殼體的方向逐漸增大；所述第一殼體與第二殼體的公共底面設(shè)置有下端子的接線樁的開(kāi)□。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述第二殼體的側(cè)面設(shè)置有側(cè)開(kāi)口，所述側(cè)開(kāi)口用于引出所述下端子的接線樁處的金屬墊片。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述增大爬距裙為硅橡膠增大爬距裙。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)包括:3個(gè)上端子以及3個(gè)下端子，所述上端子與所述下端子一一對(duì)應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的六氟化硫負(fù)荷開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述上端子為環(huán)氧樹(shù)脂絕緣子。
【文檔編號(hào)】H01H33/53GK203573895SQ201320775948
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】楊立明, 嚴(yán)文杰, 錢(qián)建苗, 周伯軍, 阮斌, 王川, 吳劍俠, 茹晶晶, 吳志杭 申請(qǐng)人:國(guó)家電網(wǎng)公司, 國(guó)網(wǎng)浙江余姚市供電公司, 國(guó)網(wǎng)浙江省電力公司寧波供電公司