電連接器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種電連接器用于將芯片模塊電性連接一電路板，包括：一絕緣本體，所述絕緣本體設(shè)有多個收容空間，所述每一收容空間貫穿所述絕緣本體的上下表面；多個導(dǎo)電體，分別對應(yīng)收容于一所述收容空間，所述導(dǎo)電體的兩端顯露于所述絕緣本體的上下表面；多個低熔點金屬，所述低熔點金屬的熔點低于40°C，分別對應(yīng)設(shè)于一所述導(dǎo)電體的至少一端；所述低熔點金屬突出于所述絕緣本體，并與所述芯片模塊電性導(dǎo)接。由于所述低熔點金屬的阻抗小，使得所述電連接器阻抗小，保證電流的正常傳輸，提供清晰、穩(wěn)定的通訊效果。
【專利說明】電連接器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種電連接器，尤其是指一種電性連接一芯片模塊至一電路板的電連接器。
【背景技術(shù)】
[0002]習(xí)用的一種電連接器用以與一芯片模塊與一電路板對接，所述電連接器包括一絕緣本體，多個容納孔設(shè)于所述絕緣本體內(nèi)，每一容納孔內(nèi)設(shè)有一端子，所述端子采用金屬材料沖壓彎折成型，其一端與所述芯片模塊對接，另一端與所述電路板對接。由于沖壓彎折等條件的限制，所述端子不可能做的很小，使得所述電連接器的體積較大，不適于小型化密集型的發(fā)展趨勢。
[0003]進一步，有一種技術(shù)是在所述容納孔內(nèi)填充金屬顆粒，主要是金或者銀或者金銀合金顆粒，從而所述容納孔可較小，使得所述電連接器的密度較大，體積也較小。然而所述金屬顆粒彼此點對點接觸，接觸面積小，使得所述容納孔內(nèi)的所述金屬顆粒整體阻抗大，造成正常電流的傳輸受到影響。
[0004]因此，有必要設(shè)計一種更好的電連接器，以克服上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對【背景技術(shù)】所面臨的問題，本實用新型的目的在于提供一種阻抗小的電連接器，其可提高將芯片模塊與電連接器之間電性連接及信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)手段:
[0007]—種電連接器，用于將芯片模塊電性連接一電路板，包括:一絕緣本體，所述絕緣本體設(shè)有多個收容空間，每一所述收容空間貫穿所述絕緣本體的上下表面；多個導(dǎo)電體，分別對應(yīng)收容于一所述收容空間，所述導(dǎo)電體的兩端顯露于所述絕緣本體的上下表面；多個低熔點金屬，所述低熔點金屬的熔點低于40° C，分別對應(yīng)設(shè)于一所述導(dǎo)電體的至少一端；所述低熔點金屬突出于所述絕緣本體，并與所述芯片模塊電性導(dǎo)接。
[0008]進一步，所述低熔點金屬中設(shè)有一些填充物。
[0009]進一步，所述填充物外表設(shè)有與所述低熔點金屬相容的材質(zhì)。
[0010]進一步,所述材質(zhì)為銦或者錫或者鋅。
[0011]進一步，所述填充物為彈性體。
[0012]進一步，所述彈性體為彈片或者海綿或者彈性硅膠。
[0013]進一步，所述填充物為顆粒狀物體。
[0014]進一步，所述顆粒狀物體為金屬顆?；蛘叻墙饘兕w粒。
[0015]進一步，所述顆粒狀物體具有磁性。
[0016]進一步,所述低熔點金屬為鎵或者鎵合金。
[0017]進一步，所述導(dǎo)電體為一銅片。
[0018]進一步，所述導(dǎo)電體的表面覆蓋了 一保護層。[0019]進一步，所述保護層為鎳。
[0020]進一步，所述導(dǎo)電體覆蓋一熔合層。
[0021]進一步，所述熔合層為銦或者錫或者鋅。
[0022]進一步，所述導(dǎo)電體通過所述保護層與所述熔合層電性導(dǎo)接。
[0023]進一步，所述絕緣本體與所述電路板上對應(yīng)設(shè)有至少一定位孔，一定位柱設(shè)于所述定位孔內(nèi)，當(dāng)所述本體安裝于所述電路板時，所述定位柱導(dǎo)引所述絕緣本體準確定位于所述電路板。
[0024]進一步，所述絕緣本體的下表面設(shè)有一支撐部。
[0025]進一步，所述絕緣本體的上表面設(shè)有二突出部，所述突出部分別為限位塊和支撐塊。
[0026]進一步，所述支撐塊的高度低于所述低熔點金屬頂端的高度。
[0027]進一步，所述絕緣本體與所述芯片模塊中間設(shè)有一隔離部。
[0028]進一步，所述隔離部設(shè)于相鄰的兩個所述低熔點金屬之間。
[0029]進一步，所述隔離部為疏水材料或者彈性高分子材料或者絕緣膠片。
[0030]進一步,所述導(dǎo)電體部分 突出于所述絕緣本體，所述絕緣本體上設(shè)有綠漆。
[0031 ]進一步，所述導(dǎo)電體與所述電路板通過焊接進行電性導(dǎo)接。
[0032]進一步，所述導(dǎo)電體的兩端均設(shè)有所述液態(tài)金屬。
[0033]進一步，所述導(dǎo)電體通過所述液態(tài)金屬與所述電路板電性導(dǎo)接。
[0034]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下有益效果:
[0035]所述導(dǎo)電體上設(shè)有低熔點金屬，并與所述芯片模塊電性導(dǎo)接，由于所述低熔點金屬的阻抗小，使得所述電連接器阻抗小，保證電流的正常傳輸，提供清晰、穩(wěn)定的通訊效果，且有一隔離部設(shè)置于所述絕緣本體與所述芯片模塊之間，可以擋止相鄰二低熔點金屬，降低短路現(xiàn)象的發(fā)生。
[0036]【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0037]圖1為本實用新型電連接器與芯片模塊及電路板接觸的剖視圖；
[0038]圖2為本實用新型電連接器的剖視圖；
[0039]圖3為本實用新型電連接器的低熔點金屬中設(shè)有顆粒狀物體的剖視圖及其局部放大圖；
[0040]圖4為圖3中電連接器與芯片模塊及電路板接觸的剖視圖；
[0041]圖5為本實用新型電連接器的低熔點金屬中設(shè)有海綿的剖視圖及其局部放大圖；
[0042]圖6為圖5中電連接器與芯片模塊及電路板接觸的剖視圖；
[0043]圖7為本實用新型電連接器的低熔點金屬中設(shè)有彈片的剖視圖及其局部放大圖；
[0044]圖8為圖7中電連接器與芯片模塊及電路板接觸的剖視圖；
[0045]圖9為本實用新型電連接器中導(dǎo)電體的另一實施方式的剖視圖及其局部放大圖；
[0046]圖10為圖9電連接器設(shè)有低熔點金屬的剖視圖及其局部放大圖；
[0047]圖11為本實用新型電連接器組裝剖視圖；
[0048]圖12為圖11的電連接器與芯片模塊及電路板整體組裝的剖視圖；
[0049]圖13為本實用新型電連接器另外一種實施方式的剖視圖。
[0050]【具體實施方式】的附圖標號說明:[0051]本體10收容空間11導(dǎo)電體12 保護層121
[0052]熔合層122定位孔13定位柱14支撐部15
[0053]突出部16支撐塊161限位塊162 綠漆17
[0054]電路板20第一接觸墊21焊接部22 芯片模塊30
[0055]第二接觸墊31 錫球32低熔點金屬40顆粒狀物體41
[0056]海綿42彈片43隔離部50 背板60
[0057]壓板70緊固裝置80
[0058]【【具體實施方式】】
[0059]為便于更好的理解本實用新型的目的、結(jié)構(gòu)、特征以及功效等，現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步說明。
[0060]如圖1所示，本實用新型電連接器用以電性連接一芯片模塊30和一電路板20，所述芯片模塊30的底部設(shè)有多個第二接觸墊31，所述第二接觸墊31可以為錫球32，所述電路板20的表面設(shè)有多個第一接觸墊21，所述芯片模塊30以壓接的方式與所述電連接器電性導(dǎo)接。
[0061]如圖1及圖2所示,所述電連接器具有一絕緣本體10,所述絕緣本體10設(shè)有多個收容空間11，每一所述收容空間11貫穿所述絕緣本體10的上下表面,所述絕緣本體10的上表面涂設(shè)有一層綠漆17 ;多個`導(dǎo)電體12，分別對應(yīng)收容于每一所述收容空間11，所述導(dǎo)電體11的兩端顯露并貼附于所述絕緣本體10的上下表面；多個低熔點金屬40，所述低熔點金屬40分別對應(yīng)設(shè)于所述導(dǎo)電體12的至少一端，優(yōu)選的，所述低熔點金屬40設(shè)于所述導(dǎo)電體12的上端，并與所述錫球32電性導(dǎo)接，所述低熔點金屬40與所述錫球32接觸，增加信號傳輸時的傳輸路徑。
[0062]所述低熔點金屬40選自鎵金屬，銦鎵合金，銦錫合金，鎵錫合金及銦鎵錫合金其中任意一種。由于鎵的熔點在29.76°C左右，因此，所述低熔點金屬40可直接使用鎵金屬；由于銦的熔點在156.61°C左右，錫的熔點在231.93°C左右，但銦、鎵、錫的二元或者三元合金的熔點卻可以大幅降低，上述合金的熔點根據(jù)不同比例而異，例如，銦-鎵比例為
24.5:75.5時，銦鎵二元合金的熔點為15.7°C，銦-鎵-錫比例為20.5:66.5:13.0時，銦鎵錫三元合金的熔點為10.7°C，因此所述低熔點金屬40還可以是銦-鎵，銦-錫，鎵-錫，銦-鎵-錫其中任意一種。使用者可使用鎵金屬，或利用銦、鎵、錫金屬根據(jù)比例配出合金，使得在常溫下，所述鎵金屬和所述銦鎵合金，所述銦錫合金，所述鎵錫合金及所述銦鎵錫合金呈液態(tài)，從而金屬之間的接觸面積大，阻抗小，在電流傳輸時，不會因阻抗消耗能量，從而保證所述電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性，電性連接效果好。
[0063]如圖3至圖8所示，所述低熔點金屬40中可以設(shè)置一些填充物，所述填充物的外表設(shè)有與所述低熔點金屬40相容的材質(zhì)(未圖示)，所述材質(zhì)可以是銦或者錫或者鋅。所述填充物可以是顆粒狀物體41或者彈性體。所述顆粒狀物體41可以是金屬顆粒，例如:銅球、銀球等，也可以是非金屬顆粒，例如塑料球或者硅膠塑球等，所述顆粒狀物體41還可以具有磁性；所述彈性體可以是海綿42或者彈片43。
[0064]如圖3及圖4所示,通過在所述低熔點金屬40中設(shè)置所述顆粒狀物體41,本實施例中所述顆粒狀物體41為銅球或者銀球，通過增加所述顆粒狀物體41，具有如下優(yōu)點:(一)、可以降低所述低熔點金屬40的流動性，并能防止短路的現(xiàn)象發(fā)生；(二)、可以增加所述低熔點金屬40的高度，同時還可以降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險；(三)、可以減少所述低熔點金屬40的使用量，降低生產(chǎn)成本；(四)、如果增加硅膠塑球或者其他具有彈性的顆粒，則可使接觸部具有彈性，同時還可以降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險。
[0065]如圖5及圖6所示,通過在所述低熔點金屬40中設(shè)置所述海綿42,具有如下優(yōu)點:(一)、因所述海綿42具有吸附作用，可以降低所述低熔點金屬40向外擴張及流動的物理現(xiàn)象，并能防止短路的現(xiàn)象發(fā)生；(二)、可以增加所述低熔點金屬40的高度，同時還可以降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險；(三)、可以減少所述低熔點金屬40的使用量，降低生產(chǎn)成本；(四)、因為所述海綿42具有彈性，則可使接觸部具有彈性，同時還可以降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險。
[0066]如圖7及圖8所示,通過在所述低熔點金屬40中設(shè)置所述彈片43,具有如下優(yōu)點:(一)、可以降低所述低熔點金屬40的流動性，并能防止短路的現(xiàn)象發(fā)生；(二)、可以增加所述低熔點金屬40的高度，同時還可以降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險；(三)、如果增加所述彈性體，則可使接觸部具有彈性，同時還可以降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險。
[0067]如圖9及圖10所示，所述導(dǎo)電體12的表面覆蓋了一保護層121，本實施例中優(yōu)選的所述保護層為鎳，所述保護層121突出于所述絕緣本體10的上下表面的部分設(shè)有一融合層122，所述融合層122可以為銦或者錫或者鋅等，本實施例中所述融合層122的優(yōu)選為錫，由于所述錫可與所述低熔點金屬40形成合金，同時增加錫的含量可以降低所述低熔點金屬40的流動性，還可以防止短路現(xiàn)象的發(fā)生。
[0068]如圖11及圖12所示,所述絕緣本體10的下表面設(shè)有支撐部15,所述絕緣本體10的上表面設(shè)有二突出部16，所述二突出部16分別為支撐塊161和限位部162，所述限位塊162的高度高于所述支撐塊161的高度，所述支撐塊161用來支撐所述芯片模塊30，所述限位部162用來引導(dǎo)所述芯片模塊30與所述絕緣本體10壓合，并保證所述錫球32與所述低熔點金屬40電性導(dǎo)接，所述支撐塊161的高度低于所述低熔點金屬40頂端的高度。所述絕緣本體10與所述芯片模塊30之間設(shè)有一隔離部50，所述隔離部50設(shè)在所述綠漆17上，所述隔離部50為疏水材料或者彈性高分子材料或者絕緣膠片。所述隔離部50可以擋止相鄰二所述低熔點金屬，降低短路現(xiàn)象的發(fā)生。
[0069]所述電連接器還設(shè)有一定位裝置，所述絕緣本體10與所述電路板20上對應(yīng)設(shè)有至少一定位孔13，一定位柱14設(shè)于所述定位孔13內(nèi)，當(dāng)所述絕緣本體10安裝于所述電路板20時，所述定位柱14導(dǎo)引所述絕緣本體10準確定位于所述電路板20。所述電路板20下方設(shè)有一背板60，所述芯片模塊30的上方還設(shè)有一壓板70，所述壓板70通過緊固裝置80固定于所述背板60，所述緊固裝置80及所述壓板70提供所述芯片模塊30下壓的力量。
[0070]如圖13所示，作為本實用新型另一實施方式，其與第一實施例的結(jié)構(gòu)大致相同，不同之處在于，所述導(dǎo)電體12的兩端均設(shè)有所述低熔點金屬40，所述芯片模塊30與所述絕緣本體10通過所述低熔點金屬40電性導(dǎo)接,所述電路板20與所述絕緣本體10通過所述低熔點金屬40電性導(dǎo)接。
[0071]綜上所述，本實用新型電連接器有下列有益效果:[0072](I)通過低熔點金屬40進行電性傳輸，使得所述收容空間11內(nèi)的導(dǎo)電體的接觸面積大，阻抗小，在電流傳輸時，不會因阻抗消耗能量，從而保證所述電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性，電性連接效果好。
[0073](2)所述隔離部50設(shè)于所述絕緣本體10和所述芯片模塊30之間，可以擋止相鄰二所述低熔點金屬40，降低短路現(xiàn)象的發(fā)生。
[0074](3)通過在所述低熔點金屬40中設(shè)置填充物，可以降低所述低熔點金屬40的流動性，并能防止短路的現(xiàn)象發(fā)生；還可以所述低熔點金屬的高度，并降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險；
[0075](4)在所述低熔點金屬40中設(shè)置填充物，可以減少所述低熔點金屬40的使用量，降低生產(chǎn)成本；
[0076](5)在所述低熔點金屬40中設(shè)置一些具有彈性的填充物，則可使接觸部具有彈性，還可以降低與外接電子元件(例如CPU或晶片)接觸不到或者振動沖擊產(chǎn)生斷電的風(fēng)險。
[0077]上詳細說明僅為本實用新型之較佳實施例的說明，非因此局限本實用新型的專利范圍，所以，凡運用本創(chuàng)作說明書及圖示內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本實用新型的專利范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電連接器，用于將芯片模塊電性連接一電路板，其特征在于，包括: 一絕緣本體,所述絕緣本體設(shè)有多個收容空間，每一所述收容空間貫穿所述絕緣本體的上下表面； 多個導(dǎo)電體，分別對應(yīng)收容于一所述收容空間，所述導(dǎo)電體的兩端顯露于所述絕緣本體的上下表面； 多個低熔點金屬，所述低熔點金屬的熔點低于40° C，分別對應(yīng)設(shè)于一所述導(dǎo)電體的至少一端； 所述低熔點金屬突出于所述絕緣本體，并與所述芯片模塊電性導(dǎo)接。
2.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述低熔點金屬中設(shè)有一些填充物。
3.如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于:所述填充物外表設(shè)有與所述低熔點金屬相容的材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求3所述的電連接器，其特征在于:所述材質(zhì)為銦或者錫或者鋅。
5.如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于:所述填充物為彈性體。
6.如權(quán)利要求5所述的電連接器，其特征在于:所述彈性體為彈片或者海綿或者彈性硅膠。
7.如權(quán)利要求2所述的電連接器，其特征在于:所述填充物為顆粒狀物體。
8.如權(quán)利要求7所述的`電連接器，其特征在于:所述顆粒狀物體為金屬顆?；蛘叻墙饘兕w粒。
9.如權(quán)利要求7所述的電連接器，其特征在于:所述顆粒狀物體具有磁性。
10.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述低熔點金屬為鎵或者鎵合金。
11.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體為一銅片。
12.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體的表面覆蓋了一保護層。
13.如權(quán)利要求12所述的電連接器，其特征在于:所述保護層為鎳。
14.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體覆蓋一熔合層。
15.如權(quán)利要求14所述的電連接器，其特征在于:所述熔合層為銦或者錫或者鋅。
16.如權(quán)利要求12或14所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體通過所述保護層與所述熔合層電性導(dǎo)接。
17.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述絕緣本體與所述電路板上對應(yīng)設(shè)有至少一定位孔，一定位柱設(shè)于所述定位孔內(nèi)，當(dāng)所述本體安裝于所述電路板時，所述定位柱導(dǎo)引所述絕緣本體準確定位于所述電路板。
18.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述絕緣本體的下表面設(shè)有一支撐部。
19.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述絕緣本體的上表面設(shè)有二突出部，所述突出部分別為限位塊和支撐塊。
20.如權(quán)利要求19所述的電連接器，其特征在于:所述支撐塊的高度低于所述低熔點金屬頂端的高度。
21.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述絕緣本體與所述芯片模塊中間設(shè)有一隔離部。
22.如權(quán)利要求21所述的電連接器，其特征在于:所述隔離部設(shè)于相鄰的兩個所述低熔點金屬之間。
23.如權(quán)利要求21所述的電連接器，其特征在于:所述隔離部為疏水材料或者彈性高分子材料或者絕緣膠片。
24.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體部分突出于所述絕緣本體，所述絕緣本體上設(shè)有綠漆。
25.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體與所述電路板通過焊接進行電性導(dǎo)接。
26.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體的兩端均設(shè)有所述液態(tài)金屬。
27.如權(quán)利要求1所述的電連接器，其特征在于:所述導(dǎo)電體通過所述液態(tài)金屬與所述電路板電性導(dǎo)接。`
【文檔編號】H01R13/40GK203631800SQ201320750668
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月26日
【發(fā)明者】朱德祥 申請人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司