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一種多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:7028347閱讀:347來源:國知局
一種多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng),該系統(tǒng)包括兩個均發(fā)出e光但波長不同的半導體激光器疊陣,兩個半導體激光器疊陣的出光面平齊或平行,在這兩個半導體激光器疊陣整體的出光方向設置有雙折射晶體,所述的雙折射晶體對o光透射,對e光折射;在第一半導體激光器疊陣與雙折射晶體之間上設置有二分之一玻片,該二分之一玻片能夠?qū)光旋轉(zhuǎn)成o光,使得第一半導體激光器疊陣的激光經(jīng)雙折射晶體透射,第二半導體激光器疊陣的激光經(jīng)雙折射晶體發(fā)生雙折射后與第一半導體激光器疊陣的激光合束。本實用新型結(jié)構(gòu)簡明,體積小,能夠?qū)崿F(xiàn)高功率多波長的輸出;選用偏振態(tài)一致的半導體激光器疊陣,加工方便,實現(xiàn)成本較低。
【專利說明】 一種多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng)
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于激光加工【技術領域】,涉及一種高功率半導體激光光源系統(tǒng)。
【背景技術】
[0002]高功率半導體激光器具有體積小、重量輕、效率高、壽命長等優(yōu)點,已廣泛用于激光加工、激光醫(yī)療、激光顯示及科學研究領域,成為新世紀發(fā)展快、成果多、學科滲透廣、應用范圍大的核心器件。
[0003]半導體激光器正朝著高功率的方向發(fā)展,尤其在激光加工等領域,半導體激光器的千瓦級連續(xù)輸出已成為必然需求。并且隨著對加工件的加工深度增大,更高輸出功率的半導體激光器急需研制。通常采用多光束合束的方法來提高半導體激光器輸出功率,目前多光束合束方法主要包括波長合束、偏振合束、空間合束等。其中波長合束技術必須鍍有特定波長的增透膜,鍍膜費用高;偏振合束技術通常使用鍍有偏振膜的玻璃片來實現(xiàn)多光束合束,其中鍍膜費用高,要求精度高等;空間合束技術主要涉及多光束經(jīng)過復雜的光學系統(tǒng)進行光束傳輸和精密機械系統(tǒng)進行光學元器件的控制,最終實現(xiàn)多光束空間上的重合,但是此種技術光學系統(tǒng)復雜,機械系統(tǒng)控制精度要求高,會導致光束空間重合程度偏移較大。
實用新型內(nèi)容
[0004]為克服【背景技術】存在的上述缺陷,本實用新型提供一種多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng)。
[0005]本實用新型的技術方案如下:
[0006]一種多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng),包括兩個均發(fā)出e光的但波長不同的半導體激光器疊陣,兩個半導體激光器疊陣的出光面平齊或平行,在這兩個半導體激光器疊陣整體的出光方向設置有雙折射晶體,所述的雙折射晶體對ο光透射,對e光折射;在第一半導體激光器疊陣與雙折射晶體之間上設置有二分之一玻片,該二分之一玻片能夠?qū)光旋轉(zhuǎn)成ο光,使得第一半導體激光器疊陣的激光經(jīng)雙折射晶體透射,第二半導體激光器疊陣的激光經(jīng)雙折射晶體發(fā)生雙折射后與第一半導體激光器疊陣的激光合束。
[0007]上述兩個半導體激光器疊陣的巴條可以設置為數(shù)量相等。
[0008]本實用新型具有以下優(yōu)點:
[0009]本實用新型結(jié)構(gòu)簡明,體積小,能夠?qū)崿F(xiàn)高功率多波長的輸出。
[0010]本實用新型選用偏振態(tài)一致的半導體激光器疊陣,加工方便,實現(xiàn)成本較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的的示意圖。
[0012]附圖標號說明:
[0013]1-第一半導體激光器疊陣;2_第二半導體激光器疊陣;3_偏振片;4_雙折射晶體?!揪唧w實施方式】
[0014]如圖1所示,多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng),包括第一半導體激光器疊陣I和第二半導體激光器疊陣2,所述的第一半導體激光器疊陣I和第二半導體激光器疊陣2具有多個巴條,所述的第一半導體激光器疊陣I和第二半導體激光器疊陣2所發(fā)出的兩束激光具有不同的波長,相同的偏振態(tài)。
[0015]第一半導體激光器疊陣I發(fā)出的激光波長為λ i,偏振態(tài)為O ;第二半導體激光器疊陣2發(fā)出的激光波長為λ 2,偏振態(tài)為O。
[0016]第一導體激光器疊陣I和第二半導體激光器疊陣2垂直設置,在第二半導體激光器疊陣2的激光出射方向設置二分之一玻片3,在半波片3后設置雙折射晶體4,雙折射晶體4對偏振態(tài)為ο的激光進行透射,對偏振態(tài)為e激光進行折射。
[0017]第一半導體激光器疊陣I發(fā)出波長為λ i,偏振態(tài)為ο的激光通過雙折射晶體4進行透射,雙折射晶體4的帶寬較寬可以對同一偏振態(tài)ο的多種波長進行透射。
[0018]第二半導體激光器疊陣2發(fā)出波長為λ 2,偏振態(tài)為ο的激光通過半波片3后偏振態(tài)旋轉(zhuǎn)90°后偏振態(tài)為e的激光,該e光通過雙折射晶體4發(fā)生折射,從而兩路激光進行合束出射。
[0019]本實用新型可實現(xiàn)不同波長的多個高功率半導體激光器合束最終可實現(xiàn)千瓦級以上功率輸出,可用于金屬表面改性等。
【權(quán)利要求】
1.一種多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng),其特征在于:包括兩個均發(fā)出e光但波長不同的半導體激光器疊陣,兩個半導體激光器疊陣的出光面平齊或平行,在這兩個半導體激光器疊陣整體的出光方向設置有雙折射晶體,所述的雙折射晶體對ο光透射,對e光折射;在第一半導體激光器疊陣與雙折射晶體之間上設置有二分之一玻片,該二分之一玻片能夠?qū)光旋轉(zhuǎn)成ο光,使得第一半導體激光器疊陣的激光經(jīng)雙折射晶體透射,第二半導體激光器疊陣的激光經(jīng)雙折射晶體發(fā)生雙折射后與第一半導體激光器疊陣的激光合束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波長千瓦級半導體激光加工光源系統(tǒng),其特征在于:兩個半導體激光器疊陣的巴條數(shù)量相等。
【文檔編號】H01S5/40GK203631977SQ201320677618
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月29日
【發(fā)明者】劉興勝, 劉暉, 王敏, 宋濤 申請人:西安炬光科技有限公司
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