X射線檢測裝置陣列基板的制作方法
【專利摘要】本實用新型實施例公開了一種X射線檢測裝置陣列基板，包括薄膜晶體管和與薄膜晶體管相連的光電二極管傳感器件。薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層和源極、漏極，其中薄膜晶體管的有源層上下設(shè)置有二次電子發(fā)射層，形成微通道結(jié)構(gòu)，使有源層獲得了較高的載流子遷移率，從而提高了薄膜晶體管的性能，提升了X射線檢測裝置的靈敏度。另外，本實用新型實施例公開的X射線檢測裝置陣列基板采用柔性襯底，使X射線檢測裝置具有輕薄、安裝簡便、功耗低、攜帶方便、經(jīng)久耐用等優(yōu)點。
【專利說明】X射線檢測裝置陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及光電檢測【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種X射線檢測器陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]X射線檢測裝置在測量醫(yī)學、電子工業(yè)、宇航工業(yè)及其它領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用。X射線檢測裝置通過將X射線轉(zhuǎn)化為可見光，光電二極管接收光并通過光伏效應(yīng)將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，電信號通過薄膜晶體管的開關(guān)控制輸入到X射線檢測裝置的控制電路中，從而實現(xiàn)檢測功能。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中X射線檢測裝置陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，陣列基板包括多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包含薄膜晶體管200和光電二極管300。具體結(jié)構(gòu)為:襯底基板100，襯底基板之上設(shè)置有柵極層，柵極層包括柵線(未示出)和與柵線連接的薄膜晶體管的柵極201 ;柵極層之上設(shè)置有柵極絕緣層202 ;柵極絕緣層202之上設(shè)置有源層203 ；有源層203之上還可以設(shè)置歐姆接觸層204 ;有源層203和歐姆接觸層204之上設(shè)置源漏極層，該層包括薄膜晶體管的源極2051和漏極2052，其中源極2051與信號線3062連接，漏極2052與光電二極管300連接，該層還包括反射部2053，反射部2053設(shè)置在光電二極管的下方區(qū)域。在源漏極層之上設(shè)置有第一鈍化層206，第一鈍化層在反射部2053所在區(qū)域設(shè)置有開口。反射部2053所在區(qū)域設(shè)置有光電二極管300，反射部2053通過第一鈍化層的開口與光電二極管300相連接，使薄膜晶體光的漏極2052和光電二極管300連接。光電二極管300包括PIN結(jié)，包括P型半導體層301、I型半導體層302和N型半導體層303 ；PIN結(jié)之上設(shè)置有包括第一電極304的第一導電薄膜層；第一導電薄膜層之上設(shè)置第二鈍化層305，第二鈍化層305形成有第一過孔3051和第二過孔3052 ;第二鈍化層305之上為第二導電薄膜層306,第二導電薄膜層306包括偏壓電極3061和信號線3062,偏壓電極3061通過第一過孔3051與第一電極304相連；信號線3062通過第二過孔3052與薄膜晶體管的源極2051相連。在薄膜晶體管200和光電二極管300外圍還設(shè)置有外圍鈍化層307，用于保護薄膜晶體管和光電二極管。
[0004]X射線檢測裝置工作原理如圖2所示，當X射線120轟擊熒光粉110時，透過熒光粉110的可見光入射至X射線檢測裝置陣列基板的光電二極管300，由于光伏效應(yīng)，將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，電信號通過薄膜晶體管300的開關(guān)輸入至X射線檢測裝置的控制電路。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中X射線檢測裝置陣列基板的制造工藝流程如圖3所示，具體步驟包括:
[0006]101:在襯底基板上形成柵極層，通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形；
[0007]102:在完成步驟101的基板上形成柵極絕緣層，在柵極絕緣層上形成有源層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形；
[0008]103:在完成步驟102的基板上形成源漏極層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極和反射部的圖形；
[0009]104:在完成步驟103的基板上形成第一鈍化層，通過第四次構(gòu)圖工藝形成包括開口部的第一鈍化層的圖形；
[0010]105:在完成步驟104的基板上形成N型半導體層、I型半導體層和P型半導體層，通過第五次構(gòu)圖工藝形成光電二極管中半導體部分的圖形；
[0011]106:在完成步驟105的基板上形成第一導電薄膜層，通過第六次構(gòu)圖工藝形成包括第一電極的圖形；
[0012]107:在完成步驟106的基板形成第二鈍化層，通過第七次構(gòu)圖工藝形成包括第一過孔和第二過孔的圖形；
[0013]108:在完成步驟107的基板形成第二導電薄膜層，通過第八次構(gòu)圖工藝形成包括偏壓電極和信號線的第二導電薄膜層的圖形；
[0014]109:在完成步驟108的基板形成外圍鈍化層，通過第九次構(gòu)圖工藝形成外圍鈍化層的圖形。
[0015]現(xiàn)有的X射線檢測裝置陣列基板的薄膜晶體管的有源層采用非晶硅材料，非晶硅薄膜載流子遷移率較低，導致X射線檢測裝置的靈敏度低，無法滿足高靈敏度檢測要求。
實用新型內(nèi)容
[0016]本實用新型提供了一種X射線檢測裝置陣列基板，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中X射線檢測裝置靈敏度低的技術(shù)問題。
[0017]本實用新型中的X射線檢測裝置陣列基板，包括薄膜晶體管和與薄膜晶體管相連的光電二極管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層和源極、漏極，所述有源層之下設(shè)置有第一二次電子發(fā)射層，所述有源層之上設(shè)置有第二二次電子發(fā)射層。
[0018]其中，所述第一二次電子發(fā)射層和第二二次電子發(fā)射層的材料為金屬氧化物，優(yōu)選氧化鎂或氧化鈹。
[0019]其中，所述第一二次電子發(fā)射層和第二二次電子發(fā)射層的厚度為500 ~
700A。
[0020]其中，所述有源層的材料為半導體氧化碳納米管材料或者半導體氫化石墨烯材料。
[0021]其中，所述有源層的厚度為1500~ 2000A。
[0022]所述陣列基板包括襯底基板，所述薄膜晶體管和所述光電二極管設(shè)置在所述襯底基板之上，所述襯底基板為柔性材料，所述柔性材料為聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇或聚酰亞胺。
[0023]所述陣列基板的所述柵極的材料為重金屬或重金屬合金，優(yōu)選銅、鉛或銅鉛合金，或者鑰及鑰合金；所述柵極絕緣層的材料為絕緣樹脂材料；所述源極和所述漏極的材料為導體碳納米管材料或?qū)w石墨烯材料。
[0024]所述陣列基板的所述光電二極管為PIN型光電二極管，所述PIN型光電二極管包括P型半導體層、I型半導體層和N型半導體層，所述P型半導體層、I型半導體層和N型半導體層采用半導體碳納米管材料；所述光電二極管還包括鈍化層和偏壓電極，所述鈍化層的材料為絕緣樹脂材料，所述偏壓電極的材料包括導體碳納米管材料。
[0025]所述薄膜晶體管和所述光電二極管外圍設(shè)置有外圍鈍化層，所述外圍鈍化層的材料為絕緣樹脂。
[0026]本實用新型提供了一種X射線檢測裝置陣列基板，包括薄膜晶體管和與薄膜晶體管相連的光電二極管，通過在薄膜晶體管的有源層之下設(shè)置第一二次電子發(fā)射層，在所述有源層之上設(shè)置第二二次電子發(fā)射層，形成微通道結(jié)構(gòu)，利用電子倍增原理，使有源層獲得了較高的載流子遷移率，從而提高了薄膜晶體管的性能，提升了 X射線檢測裝置的靈敏度。同時，本實用新型提供的X射線檢測裝置陣列基板采用柔性襯底，使得X射線檢測裝置具有輕薄、安裝簡便、功耗低、攜帶方便、經(jīng)久耐用等優(yōu)點。為了避免柔性陣列基板經(jīng)多次彎曲和折疊可能出現(xiàn)的膜層龜裂問題，本實用新型提供的X射線檢測裝置陣列基板中各膜層采用了碳納米管、石墨烯、絕緣樹脂等抗彎折性優(yōu)異的材料。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本實用新型的一些實施例，而非對本實用新型的限制。
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)X射線檢測裝置陣列基板局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為現(xiàn)有技術(shù)X射線檢測裝置檢測原理示意圖；
[0030]圖3為現(xiàn)有技術(shù)X射線檢測裝置陣列基板制造工藝流程圖；
[0031]圖4為本實用新型實施例提供的X射線檢測裝置陣列基板局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5為本實用新型實施例提供的X射線檢測裝置陣列基板制造工藝流程圖；
[0033]圖6A?6F為本實用新型實施例提供的X射線檢測裝置陣列基板制造工藝流程主要步驟中陣列基板局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]附圖標記說明:
[0035]現(xiàn)有技術(shù)附圖標記:
[0036]100玻璃襯底；200薄膜晶體管；201柵極；202柵極絕緣層；203有源層；204歐姆接觸層；2051源極；2052漏極；2053反射部；206第一鈍化層；300光電二極管；301P型半導體層；3021型半導體層；303N型半導體層；304第一電極；305第二鈍化層；3051第一過孔；3052第二過孔；306第二導電薄膜層；3061偏壓電極；3062信號線；307外圍鈍化層
[0037]本實用新型附圖標記:
[0038]400柔性襯底；500薄膜晶體管；501柵極；502柵極絕緣層；503第一二次電子發(fā)射層；504有源層；505第二二次電子發(fā)射層；5051反射部；5061源極；5062漏極；600光電二極管；601P型半導體層；6021型半導體層；603N型半導體層；604第一電極；605鈍化層；6051第一過孔；6052第二過孔；606第二導電薄膜層,6061偏壓電極；6062信號線；607外圍鈍化層
【具體實施方式】
[0039]為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋緦嵱眯滦偷膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0040]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學術(shù)語應(yīng)當為本實用新型所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本實用新型專利申請說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0041]本實用新型提供了一種X射線檢測裝置陣列基板，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中X射線檢測裝置靈敏度低、使用不方便等技術(shù)問題。
[0042]如圖4所示，本實用新型實施例提供的一種X射線檢測裝置陣列基板包括薄膜晶體管500和與薄膜晶體管相連的光電二極管600。所述薄膜晶體管包括柵極501、柵極絕緣層502、有源層504和源極5061、漏極5062，所述薄膜晶體管的有源層504之下設(shè)置有第一二次電子發(fā)射層503,有源層504之上設(shè)置有第二二次電子發(fā)射層505。為方便描述,第一二次電子發(fā)射層503和第二二次電子發(fā)射層505可以統(tǒng)稱為二次電子發(fā)射層。二次電子發(fā)射層采用金屬氧化物，如氧化鎂、氧化鈹?shù)取Ｓ性磳硬捎冒雽w氧化碳納米管材料或者半導體氫化石墨烯材料等半導體材料。二次電子發(fā)射層的厚度為500 ~ 700人，有源層的厚度
為 1500 ~ 2000A。
[0043]本實用新型提供的X射線檢測裝置陣列基板的薄膜晶體管的有源層上下設(shè)置二次電子發(fā)射層，形成微通道結(jié)構(gòu)，利用電子倍增原理，使有源層獲得了較高的載流子遷移率，從而提高了薄膜晶體管的性能，提升了 X射線檢測裝置的靈敏度。微通道的工作原理是利用了電子倍增原理，即當一次電子進入為微通道中與微通道薄膜發(fā)生碰撞產(chǎn)生二次電子，在微通道內(nèi)的電場作用下獲得一個沿著通道軸向的加速，同時，被激發(fā)出的二次電子以拋物線的軌跡前行，當被激發(fā)出的電子以較大的能量碰撞薄膜，這些倍增產(chǎn)生的電子又會通過撞擊產(chǎn)生倍增效應(yīng)，從而在數(shù)量上得到新的倍增。微通道的長度可以達到孔徑的幾十倍，因而，一次電子從入射到微通道內(nèi)到從微通道出口端射出的過程，在此期間電子經(jīng)過多次與通道內(nèi)壁的碰撞，由于倍增效應(yīng)，產(chǎn)生了大量的二次電子，使出射時的電子數(shù)量得到了倍增。薄膜晶體管的有源層上下設(shè)置二次電子發(fā)射層，二次電子發(fā)射層具有較大的二次電子發(fā)射系數(shù)，當有源層中的載流子(自由電子)以一定能量碰撞二次電子發(fā)射層時，產(chǎn)生了更多的載流子(自由電子)，使有源層獲得了較高的載流子遷移率，從而提高了薄膜晶體管的性能，提升了 X射線探測裝置的靈敏度。
[0044]二次電子發(fā)射層的厚度對提高有源層載流子的遷移率有一定影響，二次電子發(fā)射層的厚度不宜過大。在本實用新型實施例中，第一二次電子發(fā)射層和第二二次電子發(fā)射層的厚度在500 ~ 700人之間。
[0045]本實用新型實施例提供的X射線檢測裝置陣列基板的薄膜晶體管中有源層采用半導體氧化碳納米管材料或者半導體氫化石墨烯材料等半導體材料，避免了非晶硅半導體材料作為有源層的陣列基板在多次彎曲或折疊而出現(xiàn)膜層龜裂的問題，使本實施例中的陣列基板可以用于柔性X射線檢測裝置。本實用新型實施例X射線檢測裝置陣列基板的薄膜
晶體管的源層的厚度為I 500 ~ 2000A。
[0046]本實用新型實施例提供的一種X射線檢測裝置陣列基板的襯底基板采用柔性材料，以達到實現(xiàn)柔性檢測的目的。陣列基板的柔性襯底優(yōu)選聚合物材料，例如聚乙烯、聚對
苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇、聚酰亞胺等。
[0047]參考圖4，本實用新型實施例提供的一種X射線檢測裝置陣列基板的薄膜晶體管500包括柵極501、柵極絕緣層502、第一二次電子發(fā)射層503、有源層504、第二二次電子發(fā)射層505，以及源極5061和漏極5062。其中，柵極501形成于柔性襯底400之上，柵極絕緣層502形成于柵極501之上，第一二次電子發(fā)射層503、有源層504、第二二次電子發(fā)射層505依次形成于柵極絕緣層502之上，源極5061和漏極5062則形成于第二二次電子發(fā)射層505之上。
[0048]本實用新型提供的X射線檢測裝置陣列基板中薄膜晶體管可以為頂柵型、底柵型、刻蝕阻擋型、背溝道刻蝕型、共平面型或者其他任意的結(jié)構(gòu)，在此不一一贅述。本實用新型實施例僅以底柵型薄膜晶體管為例說明，其他結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管也適用。有源層504上下兩側(cè)設(shè)置二次電子發(fā)射層，二次電子發(fā)射層采用氧化鎂或氧化鈹?shù)染哂休^大的二次電子發(fā)射系數(shù)的材料。當具有一定能量的電子轟擊到二次電子發(fā)射層時，二次電子發(fā)射層產(chǎn)生更多的自由電子。在不加電壓時，二次電子發(fā)射層的電阻率很大；在加上大于一定的閾值電壓，有源層的載流子在電場作用下定向遷移時，載流子(電子)會與二次電子發(fā)射層發(fā)生碰撞，從而可以從二次電子發(fā)射層中獲取更多的載流子，提高了源極和漏極之間有源層載流子的遷移率，改善了薄膜晶體管的性能，提升了 X射線檢測裝置的靈敏度。
[0049]同時，本實用新型提供的X射線檢測裝置陣列基板的薄膜晶體管的有源層采用半導體氧化碳納米管材料或者半導體氫化石墨烯材料，避免了現(xiàn)有材料如非晶硅半導體材料作為有源層的陣列基板在多次彎曲或折疊而出現(xiàn)膜層龜裂的問題，使本實施例中的陣列基板可以用于柔性X射線檢測裝置。
[0050]在本實用新型實施例中，薄膜晶體管500的柵極501的材料優(yōu)選重金屬或重金屬合金等X射線較難穿透的材料，例如銅、鉛或銅鉛合金，也可以采用制造柵極常用的鑰及鑰
么么
I=1-Wl O
[0051]柵極絕緣層502的材料為絕緣樹脂材料等抗彎折性能好的材料，例如聚(甲基)丙烯酸酯類、聚酰亞胺類柔性絕緣樹脂材料。
[0052]源極和漏極的材料為導體碳納米管材料或?qū)w石墨烯材料等導體材料。碳納米管和石墨烯經(jīng)不同的工藝處理具備不同的性質(zhì)，可以為導體材料、半導體材料或絕緣材料。本實用新型實施例中，有源層采用的氧化碳納米管或氫化石墨烯為半導體材料，而源極和漏極采用的碳納米管或石墨烯為導體材料。
[0053]圖4所示的實施例中，光電二極管600設(shè)置于源漏極層之上，光電二極管為PIN型光電二極管，PIN型光電二極管包括P型半導體層601、I型半導體層(本征半導體層)602和N型半導體層603。PIN型光電二極管是在兩種半導體之間的PN結(jié)，或者半導體與金屬之間的結(jié)的鄰近區(qū)域，在P區(qū)與N區(qū)之間生成I型層，吸收光輻射而產(chǎn)生光電流的一種光檢測器件。PIN型光電二極管具有電容小、渡越時間短、靈敏度高等優(yōu)點。本實用新型實施例中光電二極管優(yōu)選PIN型，當然光電二極管也可以是MIS型光電二極管或其他形式光電二極管。光電二極管的PIN結(jié)之上形成第一電極604、鈍化層605及通過鈍化層605上的第一過孔6051與第一電極604連接的偏壓電極6061。
[0054]在薄膜晶體管和光電二極管外圍還設(shè)置有外圍鈍化層，外圍鈍化層607形成于偏壓電極6061之上，并覆蓋整個基板。
[0055]本實用新型實施例中的X射線檢測裝置陣列基板可采用六次構(gòu)圖工藝(6Mask)形成，其主要工藝過程如圖5和圖6所示，包括:
[0056]步驟201:在襯底基板上形成柵極層薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵線和與柵線連接的薄膜晶體管的柵極501的圖形。具體過程:在襯底基板上可以利用磁控濺射(Sputter)方法生長柵極層薄膜，柵極層材料通常可以采用鑰(Mo)、鑰的合金、銅、鉛或銅鉛合金等金屬或合金；然后利用光刻工藝形成包括柵線和與柵線連接的薄膜晶體管的柵極501的圖形。光刻工藝的具體步驟包括:在柵極層薄膜上涂覆光刻膠；利用掩模板對基板進行曝光；經(jīng)顯影工藝形成光刻膠層圖形；采用刻蝕方法有選擇性地去除柵極層薄膜(覆蓋光刻膠的柵極層未被刻蝕)；刻蝕工藝結(jié)束后將覆蓋在柵極層薄膜之上的光刻膠剝離，最終得到包括柵線和與柵線連接的薄膜晶體管的柵極的圖形。以上步驟可以簡稱為光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離。形成柵極層薄膜也可采用通過其他方式，如涂覆方法形成柵極層薄膜，柵極層材料也可以是導體碳納米管材料等導體材料。形成柵極層圖形的方式可以采用除光刻工藝之外的其他方式，如激光或電子束熔損方法。
[0057]步驟202:在完成步驟201的基板上依次形成柵極絕緣層薄膜、第一二次電子發(fā)射層薄膜、有源層薄膜、第二二次電子發(fā)射層薄膜、源漏極層薄膜，通過第二次構(gòu)圖工藝形成第一二次電子發(fā)射層503、有源層504、第二二次電子發(fā)射層505的圖形，以及包括源極5061、漏極5062的源漏極層薄膜的圖形。第二二次電子發(fā)射層505包括反射部5051，反射部5051可以將透射的光線進行反射，提高光的利用率，從而提高X射線檢測裝置的檢測靈敏度。柵極絕緣層502的材料通常為氮化硅，可以采用化學氣相沉積工藝形成。本實用新型實施例中的陣列基板可用于柔性X射線檢測裝置，柵極絕緣層優(yōu)選有機絕緣樹脂材料，例如聚(甲基)丙烯酸酯類、聚酰亞胺類等樹脂材料。在柵極絕緣層之上沉積第一二次電子發(fā)射層薄膜，可以采用磁控濺射(Sputter)方法生長氧化鎂或氧化鈹薄膜。在第一二次電子層薄膜之上形成有源層，有源層采用半導體氧化碳納米管材料或半導體氫化石墨烯材料等半導體材料。由于碳納米管和石墨烯的結(jié)構(gòu)特殊，既可以作為導體使用，也可以通過紫外光照射氧氣處理碳納米管使之成為半導體，或通過氫氣、氬氣處理石墨烯使之成為半導體。在有源層之上，沉積第二二次電子發(fā)射層薄膜。在第二二次電子發(fā)射層薄膜之上形成源漏極層薄膜，可以采用化學氣相沉積或涂覆方法形成導體碳納米管材料膜層作為源漏極層薄膜。通過第二次構(gòu)圖工藝形成第一二次電子發(fā)射層、有源層和第二二次電子反射層的圖形，以及包括源極和漏極的源漏極層薄膜的圖形。形成第一二次電子發(fā)射層、有源層、第二二次電子發(fā)射層的圖形，形成包括源極和漏極的源漏極層薄膜圖形，采用半色調(diào)掩膜工藝。
[0058]步驟203:在完成步驟202的基板上依次沉積N型半導體層、I型半導體層、P型半導體層和第一導電薄膜層，通過第三次構(gòu)圖工藝，形成包括PIN型光電二極管的半導體部分(N型半導體層601、i型半導體層602、p型半導體層603)和包括第一電極604的圖形。形成N型半導體層、I型半導體層、P型半導體層通?？刹捎没瘜W氣相沉積工藝或涂覆工藝。N型半導體層、I型半導體層、P型半導體層可以采用碳納米管半導體材料。第一導電薄膜層可采用氧化銦錫(ITO)材料，采用磁控濺射工藝形成。構(gòu)圖工藝可以采用光刻工藝，具體包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離，最終得到包括光電二極管的半導體部分和第一電極的圖形。
[0059]步驟204:在完成步驟203的基板上沉積鈍化層605，并通過第四次構(gòu)圖工藝形成用于連接偏壓電極和第一電極的第一過孔6051，及其用于連接薄膜晶體管源極5061和信號線的第二過孔6052。鈍化層可以采用氮化硅或絕緣樹脂材料，本實用新型實施例中優(yōu)選絕緣樹脂材料。通過構(gòu)圖工藝，通常為光刻工藝，形成包括第一過孔6051和第二過孔6052的鈍化層的圖形。
[0060]步驟205:在完成步驟203的基板上沉積第二導電薄膜層，并通過第五次構(gòu)圖工藝形成包括偏壓電極6061和信號線6062的圖形。具體過程可以采用涂覆工藝形成碳納米管導電薄膜，并通過構(gòu)圖工藝，通常是光刻工藝，形成包括偏壓電極6061和信號線6062在內(nèi)的圖形。偏壓電極3061通過第一過孔3051與第一電極304相連；信號線3062通過第二過孔3052與薄膜晶體管的源極2051相連。
[0061]步驟206:在完成步驟205的基板上沉積外圍鈍化層，并通過第六次構(gòu)圖工藝形成外圍鈍化層607的圖形。外圍鈍化層的材料可以采用絕緣樹脂材料，利用涂覆方法形成絕緣樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成外圍鈍化層的圖形。
[0062]需要說明的是，以上實施例僅用于說明本實用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通人員應(yīng)當理解，可以對本實用新型的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種X射線檢測裝置陣列基板，包括薄膜晶體管和與薄膜晶體管相連的光電二極管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層和源極、漏極，其特征在于，所述有源層之下設(shè)置有第一二次電子發(fā)射層，所述有源層之上設(shè)置有第二二次電子發(fā)射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一二次電子發(fā)射層和第二二次電子發(fā)射層的材料為金屬氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鎂或氧化鈹。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一二次電子發(fā)射層和第二二次電子發(fā)射層的厚度為500 ~ 700A。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的材料為半導體氧化碳納米管材料或半導體氫化石墨烯材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的厚度為1500~2000A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板，所述薄膜晶體管和所述光電二極管設(shè)置在所述襯底基板之上，所述襯底基板為柔性材料，所述柔性材料為聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇或聚酰亞胺。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極的材料為重金屬或重金屬合金；所述柵極絕緣層的材料為絕緣樹脂材料；所述源極和所述漏極的材料為導體碳納米管材料或?qū)w石墨烯材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，所述PIN型光電二極管包括P型半導體層、I型半導體層和N型半導體層，所述P型半導體層、I型半導體層和N型半導體層采用半導體碳納米管材料；所述光電二極管還包括鈍化層和偏壓電極，所述鈍化層的材料為絕緣樹脂材料，所述偏壓電極的材料為導體碳納米管材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管和所述光電二極管外圍設(shè)置有外圍鈍化層，所述外圍鈍化層的材料為絕緣樹脂材料。
【文檔編號】H01L27/12GK203445122SQ201320556216
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】田宗民, 張文余, 謝振宇 申請人:北京京東方光電科技有限公司