一種單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭示了一種單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜，作為電容器的內(nèi)芯膜材，該薄膜為由上層膜和下層膜相疊構(gòu)成的二串式結(jié)構(gòu)，其中上層膜和下層膜分別設(shè)為絕緣基膜及其上一體鍍覆的鋁膜，且上層膜的絕緣基膜在寬度方向上的中部設(shè)有中留邊，下層膜的絕緣基膜在寬度方向上的兩端設(shè)有外留邊，下層膜的寬度C小于上層膜的寬度A。應(yīng)用本實(shí)用新型的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)為：該薄膜采用鋁作為金屬一體化的膜層材料，并使用留邊錯(cuò)位的上、下層膜成組相疊構(gòu)成的二串式結(jié)構(gòu)，能有效防止交流條件下的電化學(xué)腐蝕和相對耐壓，適于調(diào)整電容器的耐壓、脈沖、dv/dt等電氣特性。并且該薄膜的規(guī)格多選和工藝偏差可控，提高了電容器成品的性能穩(wěn)定性。
【專利說明】 —種單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種電容器生產(chǎn)基材，尤其涉及一種電容器制造所用的新型內(nèi)芯膜材。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展，電容器作為一種應(yīng)用極為廣泛的電子元器件，其產(chǎn)品用量也極大。因此對電容器生產(chǎn)制造的產(chǎn)能提出了更高的要求。從電容器的內(nèi)芯結(jié)構(gòu)來看，它是由薄膜按照電容器電氣特性選擇不同繞卷結(jié)構(gòu)制成的。因此，為提高電容器產(chǎn)品的性能，勢必從該內(nèi)芯的薄膜本身結(jié)構(gòu)尋求改進(jìn)，以滿足電容器各種應(yīng)用的電氣性能要求。
[0003]從電容器用金屬化薄膜的工藝參數(shù)來看:金屬化薄膜中的金屬鍍膜是在真空鍍膜機(jī)內(nèi)金屬蒸汽形成的，涂層厚度很薄，通常只有幾十個(gè)納米，直接測量難度較大。目前大多廠家一般通過測量方阻值或電流值來間接反映金屬層的厚度，方阻的單位為Ω/ □，英譯為Resistance square。方阻就是方塊電阻,指一個(gè)同長同寬(也就是一個(gè)正方形)的條件下的金屬化薄膜鍍層表面邊到邊之間的電阻。方塊電阻有一個(gè)特性，即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長是Im還是1_，它們的方阻都是一樣，只要測試電極導(dǎo)電區(qū)域無法形成正方形的測試值都會產(chǎn)生嚴(yán)重誤差。本創(chuàng)作金屬化薄膜的性能指標(biāo)衡量均以理想測量的方阻衡量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的旨在提出一種單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜。
[0005]本實(shí)用新型的上述目的，將通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn):一種單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜，作為電容器的內(nèi)芯膜材，其特征在于:所述薄膜為由上層膜和下層膜相疊構(gòu)成的二串式結(jié)構(gòu)，其中上層膜和下層膜分別設(shè)為絕緣基膜及其上一體鍍覆的鋁膜，且上層膜的絕緣基膜在寬度方向上的中部設(shè)有中留邊，下層膜的絕緣基膜在寬度方向上的兩端設(shè)有外留邊，下層膜的寬度C小于上層膜的寬度A。
[0006]進(jìn)一步地，所述中留邊的寬度B大于或等于外留邊的寬度D。
[0007]進(jìn)一步地，所述絕緣基膜為聚丙烯基膜或聚酯基膜之一。
[0008]應(yīng)用本實(shí)用新型的單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜，其技術(shù)優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)為:該薄膜采用鋁作為金屬一體化的膜層材料，并使用留邊錯(cuò)位的上、下層膜成組相疊構(gòu)成的二串式結(jié)構(gòu)，能有效防止交流條件下的電化學(xué)腐蝕和相對耐壓，適于調(diào)整電容器的耐壓、脈沖、dv/dt等電氣特性。并且該薄膜的規(guī)格多選和工藝偏差可控，提高了電容器成品的性能穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本實(shí)用新型單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜一優(yōu)選實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0010]以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳述，以使本實(shí)用新型技術(shù)方案更易于理解、掌握。本實(shí)用新型針對電容器不斷增加的生產(chǎn)需求和性能提升要求，對該電容器的內(nèi)芯膜材進(jìn)行改良性研究。
[0011]如圖1所示，是本實(shí)用新型單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜一優(yōu)選實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)示意圖。從圖示可見該薄膜為由上層膜和下層膜相疊構(gòu)成的二串式結(jié)構(gòu)，其中上層膜(自定義規(guī)格型號為AP-M)設(shè)為絕緣基膜I及其上一體鍍覆的鋁膜22，下層膜(自定義規(guī)格型號為AP-T)也設(shè)為絕緣基膜I及其上一體鍍覆的鋁膜22，下層膜的寬度C小于上層膜的寬度A。特別地，該上層膜的絕緣基膜在寬度方向上的中部設(shè)有中留邊31，下層膜的絕緣基膜在寬度方向上的兩端設(shè)有外留邊32，圖示中中留邊31的寬度B大于外留邊32的寬度D。但在具體應(yīng)用上中留邊31和外留邊32也可以等寬。
[0012]上述中留邊31和外留邊32旨在保障電容器卷繞中上下兩層薄膜間有一定的絕緣強(qiáng)度。但留邊的寬度選擇具有一定的范圍，太大會減小電容的有效面積導(dǎo)致成本浪費(fèi)，太小會使電容器耐高壓的安全距離不足、容易爬電產(chǎn)生飛弧。
[0013]上述鋁膜22形成電容器的極板并具有良好的自愈性。這是一個(gè)形成電容量和保持電容器電氣特性的一個(gè)最關(guān)鍵的區(qū)域，它應(yīng)保證合適的金屬成分比例，防止交流條件下的電化學(xué)腐蝕，同時(shí)可以提高電容器的相對耐壓，選擇合適的金屬鍍層同樣可以改變電容器耐壓、脈沖、dv/dt等電氣特性。通過將該留邊錯(cuò)位的上、下層膜相疊，則形成了由留邊相隔形成的兩段分離的金屬化區(qū)段，即二串式結(jié)構(gòu)。
[0014]需要說明的是，上述單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜中，絕緣基膜I可以是聚丙烯基膜，例如德國創(chuàng)斯普Treofan PHD型BOPP基膜；也可以是聚酯基膜，例如韓國SKC SC42型PET基膜。
[0015]從產(chǎn)品的不同規(guī)格來看，該薄膜的規(guī)格參數(shù)如下:常規(guī)厚度介于3μπι-12μπι;上層膜的寬度A介于7.5mm-54mm，中留邊的寬度B介于2mm-5mm;下層膜的寬度C介于6.5mm-52mm,外留邊的寬度D介于;其方阻介于1-2.5 Ω / □。
[0016]該薄膜應(yīng)用于電容器生產(chǎn)時(shí)，采用二串式電容結(jié)構(gòu)，將上、下層膜對中相疊，使下層膜的外留邊相對上層膜的邊緣均呈內(nèi)縮狀，這樣通過各留邊相隔形成兩段成對的鋁膜組。再將相疊的兩層薄膜繞卷成柱狀，在柱狀繞卷的兩端面分別噴金引出電極，再通過其它常規(guī)工藝完成電容器的生產(chǎn)制造，且電容器產(chǎn)品性能優(yōu)越，能滿足較廣應(yīng)用范圍。
[0017]通過上述的文字表述可以看出，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)顯著:該薄膜采用鋁作為金屬一體化的膜層材料，并使用留邊錯(cuò)位的上、下層膜成組相疊構(gòu)成的二串式結(jié)構(gòu)，能有效防止交流條件下的電化學(xué)腐蝕和相對耐壓，適于調(diào)整電容器的耐壓、脈沖、dv/dt等電氣特性。并且該薄膜的規(guī)格多選和工藝偏差可控，提高了電容器成品的性能穩(wěn)定性。
[0018]除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其它實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜，作為電容器的內(nèi)芯膜材，其特征在于:所述薄膜為由上層膜和下層膜相疊構(gòu)成的二串式結(jié)構(gòu)，其中上層膜和下層膜分別設(shè)為絕緣基膜及其上一體鍍覆的鋁膜，且上層膜的絕緣基膜在寬度方向上的中部設(shè)有中留邊，下層膜的絕緣基膜在寬度方向上的兩端設(shè)有外留邊，下層膜的寬度C小于上層膜的寬度A。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜，其特征在于:所述中留邊的寬度B大于或等于外留邊的寬度D。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述單面中、雙留邊鋁金屬化薄膜，其特征在于:所述絕緣基膜為聚丙烯基膜或聚酯基膜之一。
【文檔編號】H01G4/008GK203456291SQ201320519572
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】汪祥久 申請人:昆山泓電隆泰電子材料有限公司