一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及的一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件、氟硅橡膠層和環(huán)氧樹脂層，氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件，環(huán)氧樹脂層覆蓋氟硅橡膠層，氟硅橡膠層的厚度范圍為0.5毫米到2毫米。本實(shí)用新型產(chǎn)生的有益效果是：采用氟硅橡膠層位于被封裝半導(dǎo)體器件和環(huán)氧樹脂層之間，可以起到耐沖擊的作用。
【專利說明】一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，更確切地說是涉及一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體封裝技術(shù)方面，現(xiàn)有的技術(shù)通常采用環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝，環(huán)氧樹脂的耐沖擊性能差，會(huì)將外部沖擊直接傳遞給被封裝的半導(dǎo)體器件，難以滿足耐沖擊半導(dǎo)體封裝的需要。
[0003]由此可見，上述現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)亟待加以改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問題在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]本實(shí)用新型解決其主要技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件、氟硅橡膠層和環(huán)氧樹脂層，氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件，環(huán)氧樹脂層覆蓋氟硅橡膠層，氟硅橡膠層的厚度范圍為0.5暈米到2暈米。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果在于，采用柔軟的氟硅橡膠層位于被封裝半導(dǎo)體器件和環(huán)氧樹脂層之間，可以起到耐沖擊的作用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]附圖標(biāo)記說明:1、被封裝半導(dǎo)體器件；2、氟硅橡膠層；3、環(huán)氧樹脂層。
【具體實(shí)施方式】
[0009]以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
[0010]請(qǐng)參閱圖1所示，本實(shí)用新型的一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括被封裝半導(dǎo)體器件1、氟硅橡膠層2和環(huán)氧樹脂層3，氟硅橡膠層2覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件1，環(huán)氧樹脂層3覆蓋氟硅橡膠層2，氟硅橡膠層2的厚度范圍為0.5毫米到2毫米。
[0011]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述耐沖擊的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括被封裝半導(dǎo)體器件、氟硅橡膠層和環(huán)氧樹脂層，所述氟硅橡膠層覆蓋被封裝半導(dǎo)體器件，所述環(huán)氧樹脂層覆蓋氟硅橡膠層，所述氟硅橡膠層的厚度范圍為0.5毫米到2毫米。
【文檔編號(hào)】H01L23/29GK203456433SQ201320512977
【公開日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】蘇攀, 游平 申請(qǐng)人:江西創(chuàng)成半導(dǎo)體有限公司