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一種異質(zhì)結(jié)型太陽能電池的制作方法

文檔序號:7018083閱讀:245來源:國知局
一種異質(zhì)結(jié)型太陽能電池的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種異質(zhì)結(jié)型太陽能電池,包括N型硅、P型硅、頂電極,P型硅表面淀積有摻硼的非晶硅,非晶硅與P型硅形成同型異質(zhì)結(jié),非晶硅開有縱向槽,非晶硅表面淀積有氮化硅,頂電極穿過氮化硅和非晶硅的槽與P型硅歐姆接觸,所述頂電極與非晶硅絕緣。本實(shí)用新型電池在非晶硅上開設(shè)縱向槽,以便頂電池穿過后與P型硅連接,而頂電極與非晶硅之間由于氮化硅的存在而被絕緣,因此確保異質(zhì)結(jié)的正常運(yùn)行;而且電池對電極燒入深度控制要求低,只需要對準(zhǔn)槽中央往下燒制電極,使電極燒制P型硅即可,可見本電池的制造工藝簡單,能夠在產(chǎn)業(yè)上獲得推廣。
【專利說明】一種異質(zhì)結(jié)型太陽能電池
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種異質(zhì)結(jié)型太陽能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]同型異質(zhì)結(jié)電池在普通PN結(jié)電池上淀積一層非晶硅薄膜,形成同型異質(zhì)結(jié),可在 電池表面形成低阻層,從而降低電池的串聯(lián)電阻,提高電池的光生電流。但該結(jié)構(gòu)電池的頂 電極弓I出困難,易使得異質(zhì)結(jié)短路,不易形成異質(zhì)結(jié)低阻層。
[0003]經(jīng)檢索發(fā)現(xiàn)中國發(fā)明專利申請200610024876.2,涉及一種“非晶硅-晶體硅異質(zhì) 結(jié)太陽能電池”,其頂電極燒至非晶硅層,通過隧道效應(yīng)與下面的晶硅層歐姆接觸,從而實(shí) 現(xiàn)異質(zhì)結(jié)電池。然而在實(shí)際生產(chǎn)工作成,燒制電極的燒入深度極難控制,一旦燒得過深穿了 非晶硅,該異質(zhì)結(jié)即被短路;燒的不夠,隧道效應(yīng)由難以實(shí)現(xiàn)。故該結(jié)構(gòu)電池很難在產(chǎn)業(yè)上 被生產(chǎn),無法被推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的在于:克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提出一種異質(zhì)結(jié)型太陽能電 池,該電池的結(jié)構(gòu)簡單,易于工藝實(shí)現(xiàn),生產(chǎn)成本低。
[0005]為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提出的異質(zhì)結(jié)型太陽能電池,包括N型硅、P型硅、 頂電極,其特征是所述P型硅表面淀積有摻硼的非晶硅,所述非晶硅與P型硅形成同型異質(zhì) 結(jié),所述非晶硅開有縱向槽,非晶硅表面淀積有氮化硅,頂電極穿過氮化硅和非晶硅的槽與 P型硅歐姆接觸,所述頂電極與非晶硅絕緣。
[0006]進(jìn)一步的,頂電極與非晶硅之間具有氮化硅。
[0007]進(jìn)一步的,電池的底電極位于N型硅的下表面。
[0008]更進(jìn)一步的,所述縱向槽的寬度為0.2_3mm。
[0009]本實(shí)用新型電池在非晶硅上開設(shè)縱向槽,以便頂電池穿過后與P型硅連接,而頂 電極與非晶硅之間由于氮化硅的存在而被絕緣,因此確保異質(zhì)結(jié)的正常運(yùn)行;而且電池對 電極燒入深度控制要求低,只需要對準(zhǔn)槽中央往下燒制電極,使電極燒制P型硅即可,可見 本電池的制造工藝簡單,能夠在產(chǎn)業(yè)上獲得推廣。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0011]圖1是本實(shí)用新型異質(zhì)結(jié)型太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0013]如圖1所示,本實(shí)施例異質(zhì)結(jié)型太陽能電池,包括N型硅1、P型硅2、頂電極3、底 電極7,P型硅2表面淀積有摻硼的非晶硅4,非晶硅4與P型硅2形成同型異質(zhì)結(jié),所述非晶硅4開有寬度為0.2-3mm縱向槽5,非晶硅4表面淀積有氮化硅6,頂電極3穿過氮化硅 6和非晶硅4的槽5與P型硅2歐姆接觸,頂電極3與非晶硅4之間具有氮化硅6,頂電極 3與非晶硅4絕緣。如圖1所示,底電極7位于N型硅I的下表面。
[0014]除上述實(shí)施例外,本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或等效變 換形成的技術(shù)方案,均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種異質(zhì)結(jié)型太陽能電池,包括N型硅(I)、P型硅(2)、頂電極(3),其特征是所述P 型硅(2)表面淀積有摻硼的非晶硅(4),所述非晶硅(4)與P型硅(2)形成同型異質(zhì)結(jié),所述 非晶硅(4)開有縱向槽(5),非晶硅(4)表面淀積有氮化硅(6),頂電極(3)穿過氮化硅(6) 和非晶硅(4)的槽(5)與P型硅(2)歐姆接觸,所述頂電極(3)與非晶硅(4)絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)型太陽能電池,其特征在于:所述頂電極(3)與非晶硅(4)之間具有氮化硅(6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)型太陽能電池,其特征在于:電池的底電極(7)位于N 型硅(I)的下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)型太陽能電池,其特征在于:所述縱向槽(5)的寬度為0.2_3mm。
【文檔編號】H01L31/0224GK203386765SQ201320392390
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月1日
【發(fā)明者】王強(qiáng), 虞錚棟, 張孫, 浩琛, 羅陽, 胡艷, 張士兵 申請人:南通大學(xué)
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