專利名稱：頂面出光率高側(cè)面出光率低的面光源器件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種發(fā)光元件，特別涉及一種頂面出光率高側(cè)面出光率低的面光源器件。
背景技術：
傳統(tǒng)的水平電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，如圖1所示，包含一藍寶石絕緣基板01，其中該基板的底面09有反光鍍層(ODR) 07 (b)，且基板01的側(cè)面08與底面09垂直；一第一半導體層02設于該基板01上；一發(fā)光層03設于該第一半導體層02上；一第二半導體層04設于該發(fā)光層03上；一第一電極06設于第一半導體層02上；一第二電極05設于第二半導體層04上。以上水平電極結(jié)構(gòu)的LED芯片普遍存在側(cè)面出光嚴重的特點，由于水平電極結(jié)構(gòu)的LED的基板多為藍寶石等透光材料，LED的發(fā)光層為均勻發(fā)光材料，其發(fā)出的光一部分直接通過基板側(cè)面或經(jīng)過基板底面反射后從基板側(cè)面出射，這一部分出射的光約占到總出光量的40%。而在某些特殊應用領域，如汽車前照燈照明或聚光燈中，在LED封裝時往往需要LED芯片緊密排列，因此LED芯片的側(cè)面出光容易造成被相鄰芯片遮擋或吸收，造成封裝光效下降；另一方面LED芯片側(cè)面出射的光即使不被擋住，在車燈及聚光燈中，這些光也很難被利用。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是針對已有技術中存在的缺陷，提供一種頂面出光率高側(cè)面出光率低的面光源 器件。本實用新型通過將基板側(cè)面及底面鍍反光層，并使側(cè)面傾斜，可以使光從芯片的頂面出射，提高LED的封裝光效及亮度。本實用新型包括:基板、半導體層、發(fā)光層、電極，其特征在于所述基板的側(cè)面及底面有反光鍍層，基板的側(cè)面與底面垂直或者基板的側(cè)面傾斜與底面成90°至160°的夾角，第一半導體層設于基板上，發(fā)光層設于第一半導體層上，第二半導體層設于發(fā)光層上，第一電極設于第一半導體層上，第二電極設于第二半導體層上。所述基板的側(cè)面和底面為分布式布拉格反射層(DBR)或全方位反射層(0DR)，分布式布拉格反射層(DBR)為二氧化硅(SiO2)層及二氧化鈦(TiO2)層交替構(gòu)成的多層膜結(jié)構(gòu)，全方位反射層(ODR)為二氧化硅(SiO2)層及二氧化鈦(TiO2)層交替構(gòu)成的多層膜及底部為金屬反光層的結(jié)構(gòu)。本實用新型的優(yōu)點是具有較低的側(cè)面出光率及較高的頂面出光率，更為接近理想的面光源。

圖1已有技術下的面光源器件剖視結(jié)構(gòu)示意圖；[0010]圖2本實用新型的實施例一的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3本實用新型的實施例二的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:01藍寶石基板、02η型半導體層、03發(fā)光層、04Ρ型半導體層、05Ρ型半導體層電極、06η型半導體層電極、07(b)藍寶石底面反光鍍層(0DR)、08藍寶石基板側(cè)面、09藍
寶石基板底面。100發(fā)光兀件、101基板、102第一半導體層、103發(fā)光層、104第二半導體層、105第二半導體層電極、106第一半導體層電極、107基板反光層、107 (a)基板側(cè)面反光層、107 (b)基板底面反光層、108基板側(cè)面、109基板底面、200發(fā)光元件、201基板、202第一半導體層、203發(fā)光層、204第二半導體層、205第二半導體層電極、206第一半導體層電極、207基板反光層、207 (a)基板側(cè)面反光層、207(b)基板底面反光層、208基板側(cè)面、209基板底面。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖進一步說明本實用新型的實施例:實施例一參見圖2,本實施例揭不一發(fā)光兀件100,包括:一基板101,其中該基板的側(cè)面108及底面109有反光鍍層107，且 基板的側(cè)面108為傾斜的平面；第一半導體層102設于基板101上；發(fā)光層103設于該第一半導體層102上；第二半導體層104設于該發(fā)光層103上；第一電極106設于第一半導體層102上；第二電極105設于第二半導體層104上?；?01的材料為藍寶石(Al2O3),其側(cè)面108與底面109的夾角為120°，側(cè)面108與底面109的反光鍍層107為全方位反射層0DR。全方位反射層(ODR)為二氧化硅(SiO2)層及二氧化鈦(TiO2)層交替構(gòu)成的多層膜及底部為金屬反光層的結(jié)構(gòu)。實施例二參見圖3，本實施例揭示一發(fā)光元件200，包括:基板201，其中該基板的側(cè)面208及底面209有反光鍍層207，且基板的側(cè)面208為與底面209垂直的平面；第一半導體層202設于基板201上；發(fā)光層203設于該第一半導體層202上；第二半導體層204設于該發(fā)光層203上；第一電極206設于第一半導體層202上；第二電極205設于第二半導體層204上?；?01的材料為藍寶石(Al2O3),側(cè)面208與底面209的反光鍍層207為分布式布拉格反射層DBR。分布式布拉格反射層DBR為二氧化硅(SiO2)層及二氧化鈦(TiO2)層交替構(gòu)成的多層膜結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求1.一種頂面出光率高側(cè)面出光率低的面光源器件，包括:基板、半導體層、發(fā)光層、電極，其特征在于所述基板的側(cè)面及底面有反光鍍層，基板的側(cè)面與底面垂直或者基板的側(cè)面傾斜與底面成90°至160°的夾角，第一半導體層設于基板上，發(fā)光層設于第一半導體層上，第二半導體層設于發(fā)光層上，第一電極設于第一半導體層上，第二電極設于第二半導體層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂面出光率高側(cè)面出光率低的面光源器件，其特征在于所述基板的側(cè)面和底面為分布式布拉格反射層或全方位反射層，分布式布拉格反射層為二氧化硅層及二氧化鈦層交替構(gòu)成的多層膜結(jié)構(gòu)，全方位反射層為二氧化硅層及二氧化鈦層交替構(gòu)成的 多層膜及底部為金屬反光層的結(jié)構(gòu)。
專利摘要一種頂面出光率高側(cè)面出光率低的面光源器件，包括基板、半導體層、發(fā)光層、電極,其特征在于所述基板的側(cè)面及底面有反光鍍層，基板的側(cè)面與底面垂直或基板的側(cè)面傾斜與底面形成一定角度，第一半導體層設于基板上，發(fā)光層設于第一半導體層上，第二半導體層設于發(fā)光層上，第一電極設于第一半導體層上，第二電極設于第二半導體層上。本實用新型的優(yōu)點是具有較低的側(cè)面出光率及較高的頂面出光率，更為接近理想的面光源。
文檔編號H01L33/20GK203085630SQ201320063420
公開日2013年7月24日 申請日期2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月4日
發(fā)明者劉勝, 陳飛, 王愷 申請人:劉勝