一種陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板的制作方法，用以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝流程。所述陣列基板的制作方法包括：在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數(shù)據(jù)線；其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡(jiǎn)稱TFT)陣列基板制作工序(簡(jiǎn)稱TFT Array Process)是制作顯示裝置的重要一個(gè)工序。TFT和像素設(shè)置于襯底基板上，用于驅(qū)動(dòng)TFT的柵極布線，輸送加載在像素上的電壓信號(hào)的信號(hào)布線。
[0003]TFT的柵極與柵線相連，源極與數(shù)據(jù)線相連，漏極與像素電極相連；通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)電路向柵極提供開(kāi)啟信號(hào)，同時(shí)通過(guò)源極驅(qū)動(dòng)電路向TFT的源極提供用于加載在像素電極上的電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)圖形顯示。
[0004]TFT、像素電極、柵線和數(shù)據(jù)線均設(shè)置與陣列基板的顯示區(qū)域(即AA區(qū)域)，柵極驅(qū)動(dòng)電路和源極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在陣列基板的外圍區(qū)域(即邊框區(qū)域)或設(shè)置在柔性電路板上。通過(guò)位于外圍區(qū)域的柵極引線將柵極驅(qū)動(dòng)電路和柵線相連，通過(guò)位于外圍區(qū)域的源極引線將源極驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)線相連。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)，制作TFT的柵極和柵線多采用金屬或合金材料，制作柵極引線和源極引線多采用金屬氧化物透明導(dǎo)電材料，例如通常采用銦錫氧化物(簡(jiǎn)稱ΙΤ0)，以下將以ITO為例說(shuō)明。
[0006]一方面，柵極引線與柵線制作材料不同，必須在至少兩次構(gòu)圖工藝中完成。
[0007]另一方面，ITO的電阻相比較金屬或合金的電阻較高，制成的柵極引線和源極引線的厚度較薄時(shí)才能滿足高性能傳輸信號(hào)的要求，但是厚度較薄的ITO容易被靜電擊穿而斷線(即ITO Open)，無(wú)法傳輸信號(hào)。并且，ITO制成的柵極引線和源極引線一般制作在TFT各功能膜層的底部，在生產(chǎn)過(guò)程中遇到過(guò)孔容易引起底切(Undercut)不良。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)也有通過(guò)金屬或合金制作柵極引線或源極引線，但是制作過(guò)程獨(dú)立于制作TFT各功能膜層，在制作柵極引線和源極引線，以及二者與柵線和數(shù)據(jù)線相連的接觸孔均需要對(duì)應(yīng)的掩膜、曝光、顯影、光亥_刻蝕等過(guò)程，制作TFT的工藝流程較復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，用以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝流程。
[0010]所述陣列基板的制作方法包括:在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數(shù)據(jù)線；
[0011]其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
[0012]較佳地，在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極，以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程，包括:
[0013]采用一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成包括柵極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的圖形；
[0014]采用構(gòu)圖工藝在形成有所述柵極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的第一絕緣層；
[0015]采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和接觸孔的圖形；
[0016]采用一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層和各接觸孔的襯底基板上形成包括源極和漏極的圖形。
[0017]較佳地，采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和各接觸孔的圖形，具體為:
[0018]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的半導(dǎo)體層和光阻層；
[0019]采用一張掩模板對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，使得光阻層上與待形成的有源層對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域、與待形成的各接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域，剩余區(qū)域形成半保留區(qū)域；
[0020]對(duì)所述各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層進(jìn)行刻蝕，使得各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層完全去除，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層；
[0021]對(duì)各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層和第一絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和/或數(shù)據(jù)線；
[0022]對(duì)所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層完全去除，露出半保留區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層；
[0023]對(duì)所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層完全去除，剩余所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層為有源層。
[0024]較佳地，在形成柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0025]在形成所述源極和漏極的同時(shí)形成柵極引線和源極引線；
[0026]所述柵極弓I線通過(guò)所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過(guò)所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0027]較佳地，在形成所述柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述源極與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0028]較佳地，所述在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極和第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程，包括:
[0029]采用一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括源極、漏極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的圖形；
[0030]采用構(gòu)圖工藝在形成有所述源極、漏極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成有源層圖形；
[0031]采用構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層的襯底基板上形成第一絕緣層；
[0032]采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述柵極和接觸孔的圖形。[0033]較佳地，所述采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括柵極和各接觸孔，包括:
[0034]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的導(dǎo)電層和光阻層；
[0035]采用一張掩模板對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，使得光阻層上與待形成的柵極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域、與待形成的各接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域，其余區(qū)域形成半保留區(qū)域；
[0036]對(duì)所述各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層進(jìn)行刻蝕，使得各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層完全去除，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層；
[0037]對(duì)各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層和第一絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和/或數(shù)據(jù)線；
[0038]對(duì)半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域的光阻層完全去除，露出半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層；
[0039]對(duì)半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層完全去除，保留完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為柵極。
[0040]較佳地，在形成柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0041]在形成所述柵極的同時(shí)形成柵極引線和源極引線；
[0042]所述柵極弓I線通過(guò)所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過(guò)所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0043]較佳地，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述柵極與所述柵線相連。
[0044]較佳地，所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，與完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域；或者
[0045]所述光阻層為負(fù)性光刻膠層，所述掩模板上與與所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，與完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域不透光區(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域。
[0046]綜上所述，本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數(shù)據(jù)線；其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。相比較現(xiàn)有技術(shù)采用多次掩膜和多次曝光工藝形成柵極和接觸孔，或形成有源層和接觸孔，本發(fā)明所述陣列基板的制作方法大大簡(jiǎn)化了制作工藝流程。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0047]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板結(jié)構(gòu)俯視不意圖；
[0048]圖2為圖1所示的陣列基板在AA’向的剖面圖；
[0049]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的形成有柵極、柵線、數(shù)據(jù)線和柵極絕緣層的陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；[0050]圖4為圖3所示的陣列基板形成有半導(dǎo)體層和光阻層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖5為圖4所示的陣列基板進(jìn)行第一次刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖6為圖4所示的陣列基板進(jìn)行第二次刻蝕后(形成接觸孔)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖7為圖4所示的陣列基板進(jìn)行第三次刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖8為圖4所示的陣列基板進(jìn)行第四次刻蝕后(形成有源層)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖9為圖8所不的陣列基板形成有源極和漏極的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0056]圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的形成有源極、漏極、半導(dǎo)體層和柵極絕緣層的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖12為圖11所示的陣列基板形成有導(dǎo)電層和光阻層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖13為圖12所示的陣列基板進(jìn)行第一次和第二次刻蝕后(形成接觸孔)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖14為圖12所示的陣列基板進(jìn)行第三次刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖15為圖12所示的陣列基板進(jìn)行第四次刻蝕后(形成柵極)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖16為圖15所示的陣列基板形成柵極引線和源極引線的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0063]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，用以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝流程。
[0064]所述陣列基板的制作方法主要包括:
[0065]在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數(shù)據(jù)線；
[0066]其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
[0067]相比較現(xiàn)有技術(shù)，采用多次掩膜和多次曝光工藝形成柵極和接觸孔，或形成有源層和接觸孔，本發(fā)明采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成，大大簡(jiǎn)化了制作工藝流程。
[0068]所述第一絕緣層可以但不限于為柵極絕緣層。
[0069]所述陣列基板上的薄膜晶體管可以為頂柵型或底柵型，以下將具體說(shuō)明不同類型的TFT對(duì)應(yīng)的陣列基板的制作流程。
[0070]實(shí)施例一:
[0071]說(shuō)明底柵型TFT陣列基板的制作方法。
[0072]首先簡(jiǎn)單介紹實(shí)施例一提供的陣列基板的典型結(jié)構(gòu)。
[0073]參見(jiàn)圖1和圖2，為包括底柵型TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1在AA’向的剖面圖，包括:
[0074]襯底基板10 ；
[0075]位于襯底基板10上的柵極11 (圖1未體現(xiàn))、柵極11上的柵極絕緣層12 (圖1未體現(xiàn))、柵極絕緣層12上的有源層13，以及有源層13上的源極14和漏極15 ；[0076]與柵極11同層設(shè)置的柵線20和數(shù)據(jù)線30 ；
[0077]柵極11與柵線20相連，數(shù)據(jù)線30與源極14相連，圖1和圖2未體現(xiàn)數(shù)據(jù)線與源極的連接關(guān)系。
[0078]柵極絕緣層12上包括一個(gè)或多個(gè)接觸孔。
[0079]例如:參見(jiàn)圖2，柵極絕緣層12上包括第一接觸孔01和/或第二接觸孔02 ；
[0080]第一接觸孔01，可以但不限于用于使得位于不同層的柵線20和柵極引線相連。
[0081]第二接觸孔02，可以但不限于用于使得位于不同層的數(shù)據(jù)線30和源極引線相連；
[0082]進(jìn)一步地，柵極絕緣層上還包括第三接觸孔，當(dāng)數(shù)據(jù)線位于源極的下方通過(guò)絕緣層相絕緣時(shí)，用于使得位于不同層的數(shù)據(jù)線與源極相連。
[0083]當(dāng)然，柵極絕緣層上不限于僅包括上述特殊用途的接觸孔，可以是任何用于連接位于不同層的導(dǎo)電層的接觸孔。
[0084]所述柵極引線位于陣列基板的外圍區(qū)域，其一端與柵極驅(qū)動(dòng)電路相連，另一端與柵線相連；所述源極引線位于陣列基板的外圍區(qū)域，其一端與源極驅(qū)動(dòng)電路相連，另一端與數(shù)據(jù)線相連。
[0085]當(dāng)柵線和數(shù)據(jù)線與柵極同層設(shè)置時(shí)，較佳地，包括所述第一接觸孔、第二接觸孔和第三接觸孔。
[0086]當(dāng)柵線與柵極同層設(shè)置，數(shù)據(jù)線與源極同層設(shè)置時(shí)，僅包括所述第一接觸孔。這是因?yàn)?，在制作源極和漏極時(shí)，同時(shí)將數(shù)據(jù)線與源極引線制作出來(lái)，源極、數(shù)據(jù)線和源極引線在同一次構(gòu)圖工藝形成，且位于用一層，省去了制作所述第二接觸孔和第三接觸孔。
[0087]實(shí)施例一提供的陣列基板的制作方法，主要包括如下步驟:
[0088]步驟一:在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極，以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程，包括:
[0089]步驟二:采用一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成包括柵極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的圖形；
[0090]步驟三:采用構(gòu)圖工藝在形成有所述柵極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的第一絕緣層；
[0091]步驟四:采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和接觸孔的圖形；
[0092]步驟五:采用一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層和各接觸孔的襯底基板上形成包括源極和漏極的圖形。
[0093]優(yōu)選地，步驟四形成有源層和接觸孔的圖形具體為:
[0094]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的半導(dǎo)體層和光阻層；
[0095]采用一張掩模板對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，使得光阻層上與待形成的有源層對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域、與待形成的各接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域，剩余區(qū)域形成半保留區(qū)域；
[0096]對(duì)所述各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層進(jìn)行刻蝕，使得各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層完全去除，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層；
[0097]對(duì)各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層和第一絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和/或數(shù)據(jù)線；
[0098]對(duì)所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層完全去除，露出半保留區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層；
[0099]對(duì)所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層完全去除，剩余所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層為有源層。
[0100]進(jìn)一步地，在形成柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0101]在形成所述源極和漏極的同時(shí)形成柵極引線和源極引線；
[0102]所述柵極弓I線通過(guò)所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過(guò)所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0103]進(jìn)一步地，在形成所述柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述源極與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0104]以下將結(jié)合附圖具體說(shuō)明圖2所示的陣列基板的制作方法。
[0105]本發(fā)明上述或下述“構(gòu)圖工藝”至少包括掩膜、曝光、顯影、光刻刻蝕等過(guò)程。
[0106]以包括第一接觸孔和第二接觸孔，以及柵線和數(shù)據(jù)線與柵極同層設(shè)置的陣列基板為例說(shuō)明。
[0107]所述制作方法主要包括以下步驟:
[0108]步驟一:參見(jiàn)圖3，采用一次構(gòu)圖工藝在襯底基板10上制作包括柵極11的圖形，以及制作包括柵線20和數(shù)據(jù)線30的圖形；
[0109]具體地，在襯底基板上形成一層導(dǎo)電層，采用掩膜、曝光、顯影、光刻刻蝕等過(guò)程，一次性形成柵極、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形。當(dāng)然步驟一也可以只形成柵極；或者只形成柵極和柵線，柵極和柵線相連接；或者也可以只形成柵極和數(shù)據(jù)線。步驟一僅是以同時(shí)形成柵極、柵線和數(shù)據(jù)線為例說(shuō)明本發(fā)明，不用于限制本發(fā)明。
[0110]步驟二:參見(jiàn)圖3，在步驟一的基礎(chǔ)上形成柵極絕緣層12 ；
[0111]柵極絕緣層12覆蓋整個(gè)襯底基板10，也就是說(shuō)，柵線20和數(shù)據(jù)線30被柵極絕緣層12覆蓋。
[0112]步驟三:同時(shí)制作有源層和第一接觸孔和第二接觸孔；
[0113]具體地，包括以下步驟:
[0114]參見(jiàn)圖4，先后在圖3所示的柵極絕緣層12上形成一層半導(dǎo)體層130以及位于該半導(dǎo)體層130上的光阻層131 ;半導(dǎo)體層130和光阻層131覆蓋整個(gè)柵極絕緣層12。
[0115]參見(jiàn)圖4，采用一張掩模板對(duì)光阻層131進(jìn)行曝光，使得光阻層131上與待形成的有源層圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域A、與待形成的第一接觸孔和第二接觸孔圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域B和C，其余所有區(qū)域形成半保留區(qū)域D。需要說(shuō)明的是，所述或下述的第一接觸孔和第二接觸孔僅是舉例說(shuō)明，并不用于限制本發(fā)明。具體實(shí)施時(shí)，可以包括一個(gè)或多個(gè)接觸孔，各接觸孔對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域。
[0116]參見(jiàn)圖5，對(duì)圖4所示的完全去除區(qū)域(即第一接觸孔和第二接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域)的光阻層131進(jìn)行刻蝕，使得完全去除區(qū)域B和C去除，露出完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層。
[0117]參見(jiàn)圖6，對(duì)圖5所示的完全去除區(qū)域B和C對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體層和柵極絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成第一接觸孔Ol和第二接觸孔02，露出第一接觸孔Ol對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和第二接觸孔02對(duì)應(yīng)區(qū)域的數(shù)據(jù)線。
[0118]參見(jiàn)圖7，對(duì)圖6所示的半保留區(qū)域D對(duì)應(yīng)的光阻層131進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域的光阻完全去除，露出半保留區(qū)域D對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層130 ；
[0119]參見(jiàn)圖8，對(duì)圖7所示的露出的半導(dǎo)體層130進(jìn)行刻蝕，去除半保留區(qū)域D對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層130，保留完全保留區(qū)域A對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層，該區(qū)域的半導(dǎo)體層為有源層13。
[0120]進(jìn)一步地，步驟三在形成所述有源層之后還包括剝離圖8所示的有源層13上的光阻層131。
[0121]步驟三中所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區(qū)域(即有源層圖形)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形(即各接觸孔)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹?也稱全色調(diào)，full tone)區(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域(也稱半色調(diào)，half tone);或者
[0122]所述光阻為負(fù)性光刻膠，所述掩模板上與所述完全保留區(qū)域(即有源層圖形)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形(即各接觸孔)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域。
[0123]步驟三通過(guò)一張掩模板、一次掩膜和一次曝光工藝，多次刻蝕工藝形成各接觸孔和有源層。
[0124]較佳地，在形成所述第一接觸孔和第二接觸孔的同時(shí)還形成第三接觸孔，該第三接觸孔與第二接觸孔位于柵極絕緣層上數(shù)據(jù)線上方的不同區(qū)域，第三接觸孔用于將數(shù)據(jù)線和待形成的源極相連。
[0125]在形成第三接觸孔的過(guò)程與第一接觸孔的過(guò)程類似，不同之處在于，當(dāng)光阻為正性光刻膠時(shí)，掩模板上與第三接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，當(dāng)光阻為負(fù)性光刻膠時(shí)，掩模板上與第三接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域。
[0126]柵極絕緣層上的各接觸孔在同一次構(gòu)圖工藝中完成，有源層與各接觸孔在同一次掩膜和曝光，不同刻蝕工藝中完成。
[0127]現(xiàn)有技術(shù)，制作每一接觸孔需要各經(jīng)過(guò)一次構(gòu)圖工藝完成，有源層也通過(guò)一次構(gòu)圖工藝完成，每一次構(gòu)圖工藝采用一張與待形成圖形對(duì)應(yīng)的掩模板，每一次構(gòu)圖工藝需要經(jīng)過(guò)一次曝光工藝。本發(fā)明相比較現(xiàn)有技術(shù)，采用一張掩模板依次曝光工藝制作各接觸孔和有源層，不但省去了使用多個(gè)昂貴的掩模板，還簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝流程。
[0128]制作陣列基板在步驟三的基礎(chǔ)上還包括:
[0129]步驟四:制作源極、漏極，以及柵極引線、源極引線。
[0130]具體地，參見(jiàn)圖9，在形成有有源層13的襯底基板10上形成導(dǎo)電層，對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成源極14、漏極15，以及通過(guò)第一接觸孔01與柵線20相連接的柵極引線16，通過(guò)第二接觸孔02與數(shù)據(jù)線30相接觸的源極引線17。
[0131]柵極引線和源極引線與源極和漏極同一構(gòu)圖工藝制作，簡(jiǎn)化制作流程。并且，柵極引線和源極引線與源極和漏極制作材料相同，制作材料可以為金屬或合金，相比較ITO材料制作柵極引線和源極引線，金屬或合金制作的柵極引線和源極引線的厚度可以更厚，可以避免靜電擊穿。[0132]另外，柵極引線與源極引線制作在柵線和數(shù)據(jù)線所在的膜層上方，可以有效避免生產(chǎn)過(guò)程中遇到過(guò)孔發(fā)生底切(Undercut)不良。
[0133]如果在步驟三中形成第三接觸孔，則源極通過(guò)第三接觸孔與數(shù)據(jù)線相連。
[0134]如果在步驟四中制作源極、漏極、數(shù)據(jù)線，以及柵極引線、源極引線。這種情況下，步驟一無(wú)需制作柵線，步驟三無(wú)需制作第二接觸孔和第三接觸孔。在步驟三中僅需制作第一接觸孔和有源層。
[0135]需要說(shuō)明的是，上述陣列基板的制作方法，在形成所述源極和漏極之后還包括形成覆蓋整個(gè)襯底基板的鈍化層，以及與漏極相連的像素電極，像素電極與漏極通過(guò)過(guò)孔相連，這里不再贅述。
[0136]實(shí)施例二:
[0137]說(shuō)明頂柵型TFT陣列基板的制作方法。
[0138]參見(jiàn)圖10，為典型的頂柵型TFT陣列基板；
[0139]包括襯底基板10上同層設(shè)置的源極14和漏極15、柵線20和數(shù)據(jù)線30 ；
[0140]位于源極14和漏極15上的有源層13 ；
[0141]位于有源層13上的柵極絕緣層12 ；
[0142]位于柵極絕緣層12上的柵極11。
[0143]由于柵極絕緣層12覆蓋柵線20和數(shù)據(jù)線30，因此，柵極絕緣層12至少包括第一接觸孔01和/或第二接觸孔02 ；
[0144]第一接觸孔01，用于使得位于不同層的柵線20和柵極引線相連。
[0145]第二接觸孔02，用于使得位于不同層的數(shù)據(jù)線30和源極引線相連；
[0146]還可以包括第三接觸孔，用于使得位于不同層的數(shù)據(jù)線與源極相連。
[0147]頂柵型TFT陣列基板的制作方法，主要包括以下步驟:
[0148]步驟一:采用一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括源極、漏極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的圖形；
[0149]步驟二:采用構(gòu)圖工藝在形成有所述源極、漏極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成有源層圖形；
[0150]步驟三:采用構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層的襯底基板上形成第一絕緣層；
[0151]步驟四:采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述柵極和接觸孔的圖形。
[0152]優(yōu)選地,步驟四具體包括:
[0153]先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的導(dǎo)電層和光阻層；
[0154]采用一張掩模板對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，使得光阻層上與待形成的柵極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域、與待形成的各接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域，其余區(qū)域形成半保留區(qū)域；
[0155]對(duì)所述各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層進(jìn)行刻蝕，使得各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層完全去除，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層；
[0156]對(duì)各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層和第一絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和/或數(shù)據(jù)線；
[0157]對(duì)半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域的光阻層完全去除，露出半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層；
[0158]對(duì)半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層完全去除，保留完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為柵極。
[0159]進(jìn)一步地，在形成柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔；
[0160]在形成所述柵極的同時(shí)形成柵極引線和源極引線；
[0161]所述柵極弓I線通過(guò)所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極弓I線通過(guò)所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0162]進(jìn)一步地，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述柵極與所述柵線相連。
[0163]以下將以圖10所示的陣列基板為例具體說(shuō)明上述陣列基板的制作方法。
[0164]步驟一:參見(jiàn)圖11，采用構(gòu)圖工藝在襯底基板10上制作源極14和漏極15，以及制作柵線20和數(shù)據(jù)線30的圖形；
[0165]具體地，在襯底基板上形成一層導(dǎo)電層，采用掩膜、曝光、顯影、光刻刻蝕等過(guò)程，一次性形成源極、漏極、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形。
[0166]當(dāng)然步驟一也可以只形成柵極；或者只形成柵極和柵線，柵極和柵線相連接；或者也可以只形成柵極和數(shù)據(jù)線。步驟一僅是以同時(shí)形成柵極、柵線和數(shù)據(jù)線為例說(shuō)明本發(fā)明，不用于限制本發(fā)明。
[0167]步驟二:參見(jiàn)圖11，在步驟一的基礎(chǔ)上形成有源層13。
[0168]步驟三:參見(jiàn)圖11，在步驟二的基礎(chǔ)上，即有源層13上形成柵極絕緣層12 ;柵極絕緣層12覆蓋整個(gè)襯底基板10，也就是說(shuō)，柵線20和數(shù)據(jù)線30被柵極絕緣層12覆蓋。
[0169]步驟四:同時(shí)制作柵極和第一接觸孔第二接觸孔；
[0170]需要說(shuō)明的是，所述或下述的第一接觸孔和第二接觸孔僅是舉例說(shuō)明，并不用于限制本發(fā)明。具體實(shí)施時(shí)，可以包括一個(gè)或多個(gè)接觸孔，各接觸孔對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域。
[0171]具體地，參見(jiàn)圖12，在步驟三的基礎(chǔ)上，即柵極絕緣層12上制作導(dǎo)電層120，該導(dǎo)電層120用于形成柵極圖形；
[0172]在導(dǎo)電層120上形成光阻層131 ；
[0173]采用一張掩模板對(duì)光阻層131進(jìn)行曝光，使得光阻層131上與待形成的柵極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域A、與待形成的第一接觸孔和第二接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域B和C，其余所有區(qū)域形成半保留區(qū)域D ；
[0174]參見(jiàn)圖13，對(duì)完全去除區(qū)域B和C對(duì)應(yīng)的光阻層131進(jìn)行刻蝕，使得完全去除區(qū)域B和C的光阻層完全去除，露出對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層；
[0175]參見(jiàn)圖13，對(duì)完全去除區(qū)域B和C對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體層和柵極絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成第一接觸孔01和第二接觸孔02，露出第一接觸孔01對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和第二接觸孔02對(duì)應(yīng)區(qū)域的數(shù)據(jù)線；
[0176]參見(jiàn)圖14，對(duì)半保留區(qū)域D對(duì)應(yīng)的光阻層131進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域的光阻完全去除，露出半保留區(qū)域D對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層120 ；
[0177]參見(jiàn)圖15，對(duì)露出的導(dǎo)電層120進(jìn)行刻蝕，保留完全保留區(qū)域A對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層120，該區(qū)域的導(dǎo)電層為柵極11。
[0178]進(jìn)一步地，步驟四形成所述柵極之后還包括剝離圖15所示的柵極11上的光阻層131。
[0179]步驟四中所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區(qū)域(柵極圖形)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹?也稱全色調(diào)，full tone)區(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域(也稱半色調(diào)，half tone);或者
[0180]所述光阻為負(fù)性光刻膠，所述掩模板上與所述完全保留區(qū)域(柵極圖形)對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，與第一接觸孔和第二接觸孔圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域。
[0181]步驟四通過(guò)一張掩模板、一次掩膜和一次曝光工藝，多次刻蝕工藝形成第一接觸孔、第二接觸孔和柵極，簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝流程。
[0182]較佳地，在形成所述第一接觸孔和第二接觸孔的同時(shí)還形成第三接觸孔，該第三接觸孔與第二接觸孔位于柵極絕緣層上且位于柵線上方的不同區(qū)域，第三接觸孔用于將柵線和待形成的柵線相連。
[0183]在形成第三接觸孔的過(guò)程與第一接觸孔的過(guò)程類似，不同之處在于，當(dāng)光阻為正性光刻膠時(shí)，掩模板上與第三接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，當(dāng)光阻為負(fù)性光刻膠時(shí)，掩模板上與第三接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域。
[0184]柵極絕緣層上的各接觸孔在同一次構(gòu)圖工藝中完成，柵極與各接觸孔在同一次掩膜和曝光，不同刻蝕工藝中完成。
[0185]現(xiàn)有技術(shù)，制作每一接觸孔需要各經(jīng)過(guò)一次構(gòu)圖工藝完成，制作柵極也通過(guò)一次構(gòu)圖工藝完成，每一次構(gòu)圖工藝采用一張與待形成圖形對(duì)應(yīng)的掩模板，每一次構(gòu)圖工藝需要經(jīng)過(guò)一次曝光工藝。本發(fā)明相比較現(xiàn)有技術(shù)，采用一張掩模板依次曝光工藝制作各接觸孔和柵極，不但省去了使用多個(gè)昂貴的掩模板，還簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝流程。
[0186]進(jìn)一步地，在制作柵極的過(guò)程中同時(shí)制作柵極引線、源極引線，參見(jiàn)圖16，在形成有柵極11的襯底基板10上形成一層導(dǎo)電層，對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成通過(guò)第一接觸孔01與柵線20相連接的柵極引線16，通過(guò)第二接觸孔02與數(shù)據(jù)線30相接觸的源極引線17。
[0187]柵極引線和源極引線與柵極同一構(gòu)圖工藝制作，簡(jiǎn)化制作流程。并且，柵極引線和源極引線與柵極制作材料相同，制作材料可以為金屬或合金，相比較ITO材料制作柵極引線和源極引線，金屬或合金制作的柵極引線和源極引線的厚度可以更厚，可以避免靜電擊穿。
[0188]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，僅是以有限的陣列基板結(jié)構(gòu)為例說(shuō)明，具體實(shí)施時(shí)不限于本發(fā)明提及的陣列基板結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明實(shí)施例附圖中所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)僅是用于說(shuō)明本發(fā)明的方法流程，并不用于限制本發(fā)明，且陣列基板的具體膜層結(jié)構(gòu)，膜層相對(duì)位置，厚度等不代表真實(shí)的結(jié)構(gòu)、相對(duì)位置及厚度。
[0189]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程；所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有源層之間，且覆蓋所述柵線和數(shù)據(jù)線； 其中，所述柵極與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成；或者所述有源層與與所述接觸孔采用同一次掩膜、同一次曝光工藝形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極，以及第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程，包括: 采用一次構(gòu)圖工藝在所述襯底基板上形成包括柵極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的圖形；采用構(gòu)圖工藝在形成有所述柵極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的第一絕緣層； 采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和接觸孔的圖形； 采用一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層和各接觸孔的襯底基板上形成包括源極和漏極的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述有源層和各接觸孔的圖形，具體為:` 先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的半導(dǎo)體層和光阻層； 采用一張掩模板對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，使得光阻層上與待形成的有源層對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域、與待形成的各接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域，剩余區(qū)域形成半保留區(qū)域； 對(duì)所述各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層進(jìn)行刻蝕，使得各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層完全去除，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層； 對(duì)各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層和第一絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和/或數(shù)據(jù)線； 對(duì)所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層完全去除，露出半保留區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域的半導(dǎo)體層； 對(duì)所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層完全去除，剩余所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層為有源層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在形成柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔； 在形成所述源極和漏極的同時(shí)形成柵極引線和源極引線； 所述柵極引線通過(guò)所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極引線通過(guò)所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述源極與所述數(shù)據(jù)線相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上制作薄膜晶體管的柵極、有源層、源極和漏極和第一絕緣層的過(guò)程，制作第一絕緣層上的一個(gè)或多個(gè)接觸孔的過(guò)程，以及制作柵線和/或數(shù)據(jù)線的過(guò)程，包括: 采用一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括源極、漏極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的圖形； 采用構(gòu)圖工藝在形成有所述源極、漏極、柵線和/或數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成有源層圖形； 采用構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層的襯底基板上形成第一絕緣層； 采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括所述柵極和接觸孔的圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用一次掩膜和一次曝光工藝，以及刻蝕工藝在形成有所述第一絕緣層的襯底基板形成包括柵極和各接觸孔，包括: 先后在所述第一絕緣層上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的導(dǎo)電層和光阻層； 采用一張掩模板對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，使得光阻層上與待形成的柵極對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全保留區(qū)域、與待形成的各接觸孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成完全去除區(qū)域，其余區(qū)域形成半保留區(qū)域； 對(duì)所述各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層進(jìn)行刻蝕，使得各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的光阻層完全去除，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層； 對(duì)各接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的導(dǎo)電層和第一絕緣層進(jìn)行刻蝕，形成所述接觸孔，露出接觸孔對(duì)應(yīng)區(qū)域的柵線和/或數(shù)據(jù)線； 對(duì)半保留區(qū)域?qū)?yīng)的光阻層進(jìn)行灰化處理，使得半保留區(qū)域的光阻層完全去除，露出半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層； 對(duì)半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，使得半保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層完全去除，保留完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在形成柵極的同時(shí)形成柵線和數(shù)據(jù)線，所述各接觸孔包括第一接觸孔和第二接觸孔； 在形成所述柵極的同時(shí)形成柵極引線和源極引線； 所述柵極引線通過(guò)所述第一接觸孔與所述柵線相連，所述源極引線通過(guò)所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述各接觸孔還包括第三接觸孔，所述第三接觸孔用于使得所述柵極與所述柵線相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求3或7所述的方法，其特征在于，所述光阻層為正性光刻膠層，所述掩模板上與所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)椴煌腹鈪^(qū)域，與完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域；或者 所述光阻層為負(fù)性光刻膠層，所述掩模板上與與所述完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆腹鈪^(qū)域，與完全保留區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域不透光區(qū)域，其余區(qū)域?yàn)榘胪腹鈪^(qū)域。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103700627SQ201310727274
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】段獻(xiàn)學(xué) 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司