氧化物薄膜晶體管、陣列基板的制造方法及顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種氧化物薄膜晶體管、陣列基板的制造方法及顯示器件。該氧化物薄膜晶體管的氧化物有源層圖案位于源電極、漏電極和柵電極的下方，且柵電極位于源電極和漏電極下方，使得形成源電極和漏電極的刻蝕工藝不會對氧化物有源層圖案產(chǎn)生破壞。同時，由于不需要在氧化物有源層圖案上形成刻蝕阻擋層圖案，省略了形成刻蝕阻擋層圖案的光刻工序，提高了氧化物薄膜晶體管顯示器件的量產(chǎn)性，降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】氧化物薄膜晶體管、陣列基板的制造方法及顯示器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種氧化物薄膜晶體管、陣列基板的制造方法及顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,液晶顯示器的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)中的有源層的主要成分為硅，如非晶硅或多晶硅。采用非晶硅作為有源層的TFT，因非晶硅特性的限制，如遷移率、開態(tài)電流等，難以用于需要較大電流和快速響應(yīng)的場合，如有機發(fā)光顯示器和大尺寸、高分辨率、高刷新頻率的顯示器等。而采用多晶硅作為有源層的TFT，因多晶硅特性優(yōu)于非晶娃，可以用于需要較大電流和快速響應(yīng)的場合，但是因多晶硅的均勻性不佳，制備中大尺寸的面板仍有困難。因此，氧化物半導(dǎo)體作為有源層的TFT日益受到重視。
[0003]氧化物半導(dǎo)體,如銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,簡稱IGZ0)、銦錫鋅氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，簡稱ΠΖ0)，作為有源層的TFT，其遷移率、開態(tài)電流、開關(guān)特性等優(yōu)于非晶硅TFT。雖然特性不如多晶硅TFT，但是足以用于需要較大電流和快速響應(yīng)的應(yīng)用。而且氧化物半導(dǎo)體的均勻性好，與多晶硅相比，由于沒有均勻性的問題，可以采用濺射、沉積等方法制備有源層，不需增加額外的設(shè)備，成本較低。
[0004]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中氧化物TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，氧化物TFT陣列基板包括氧化物TFTl和像素電極(圖中未示出)。其中，氧化物TFTl包括柵電極
2、源電極3、漏電極4和氧化物有源層圖案5，源電極3和漏電極4位于氧化物有源層圖案5的上方，漏電極4與像素電極7連接。在氧化物TFT陣列基板的制造工藝中，通常采用濕法刻蝕源漏金屬層(圖中未示出)來形成TFT源電極3和漏電極4。由于刻蝕液對源漏金屬層下面的氧化物有源層圖案5也具有刻蝕作用。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中，除了源電極3、漏電極4和氧化物有源層5接觸的區(qū)域外，在氧化物有源層5上都會制作一層刻蝕阻擋層20，以保護氧化物有源層5不被破壞。但是，這樣就至少增加了一道光刻工序，使得目前的氧化物TFT陣列基板的制造工藝基本都需要6-7道光刻工藝，提高了制造成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種氧化物薄膜晶體管及陣列基板的制造方法，用以解決在源電極、漏電極和氧化物有源層之間形成刻蝕阻擋層，保護氧化物有源層不被破壞時，增加了光刻工序,造成生產(chǎn)成本增加的問題。
[0006]同時，本發(fā)明還提供一種顯示器件，其采用上述的氧化物薄膜晶體管，用于降低生產(chǎn)成本。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種氧化物薄膜晶體管，包括柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層圖案、源電極和漏電極，其中，源電極和漏電極位于氧化物有源層圖案的下方；柵電極位于源電極和漏電極下方；柵絕緣層位于柵電極和源電極、漏電極之間。
[0008]同時，本發(fā)明還提供一種氧化物薄膜晶體管顯示器件，其包括如上所述的氧化物薄膜晶體管。
[0009]本發(fā)明還提供一種氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成氧化物薄膜晶體管的步驟，其中，氧化物薄膜晶體管包括柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層圖案、源電極和漏電極，其中，所述在襯底基板上形成氧化物薄膜晶體管的步驟包括:
[0010]在襯底基板上形成柵電極；
[0011]在形成柵電極的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0012]在形成柵絕緣層的襯底基板上形成源電極和漏電極；
[0013]在形成源電極和漏電極的襯底基板上形成氧化物有源層的圖案。
[0014]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0015]上述技術(shù)方案中，通過在氧化物有源層圖案的下方形成源電極、漏電極和柵電極，且柵電極位于源電極和漏電極下方，使得形成源電極和漏電極的刻蝕工藝不會對氧化物有源層圖案產(chǎn)生破壞。同時，由于不需要在氧化物有源層圖案上形成刻蝕阻擋層圖案，省略了形成刻蝕阻擋層圖案的光刻工序，提高了氧化物薄膜晶體管顯示器件的量產(chǎn)性，降低了生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中氧化物TFT陣列基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2表示本發(fā)明實施例中氧化物TFT陣列基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3-圖6表示本發(fā)明實施例中氧化物TFT陣列基板的制造過程示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0021 ] 需要說明的是，本發(fā)明實施例中的“上” “下”只是參考附圖對本發(fā)明實施例進行說明，不作為限定用語。
[0022]實施例一
[0023]本發(fā)明實施例提供一種氧化物TFT陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成氧化物TFT的步驟，其中，氧化物TFT包括柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層圖案、源電極和漏電極。本發(fā)明實施例中，在襯底基板上形成氧化物薄膜晶體管的步驟包括:
[0024]在襯底基板上形成柵電極；
[0025]在形成柵電極的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0026]在形成柵絕緣層的襯底基板上形成源電極和漏電極；
[0027]在形成源電極和漏電極的襯底基板上形成氧化物有源層的圖案。
[0028]本技術(shù)方案中，通過在氧化物有源層圖案的下方形成源電極、漏電極和柵電極，且柵電極位于源電極和漏電極下方，使得形成源電極和漏電極的刻蝕工藝不會對氧化物有源層圖案產(chǎn)生破壞。同時，由于不需要在氧化物有源層圖案上形成刻蝕阻擋層圖案，省略了形成刻蝕阻擋層圖案的光刻工序，提高了氧化物薄膜晶體管顯示器件的量產(chǎn)性，降低了生產(chǎn)成本。
[0029]其中，襯底基板由透光材料制成，具有良好的透光性，通常為玻璃基板、石英基板或透明樹脂基板。
[0030]為了改善源電極、漏電極和氧化物有源層圖案的接觸電阻，可以在源電極和漏電極上形成氧化物有源層的圖案的步驟之前，先對源電極和漏電極的表面進行等離子處理，具體可以用笑氣N2O對源電極和漏電極的表面進行等離子處理，以有效降低TFT的漏電流，改善顯示裝置的畫面閃爍、串?dāng)_和殘像等現(xiàn)象，提高顯示性能。同時，由于一般還會對氧化物有源層圖案進行退火去氫工藝，防止氫離子進入氧化物有源層圖案，使得氧化物有源層圖案的氧空位發(fā)生變化，影響TFT的性能和使用壽命。但是，該退火去氫工藝會降低氧化物有源層圖案的氧含量，影響其半導(dǎo)體特性，而通過上述等離子處理提高了源電極和漏電極的氧含量。源電極和漏電極充足的氧含量可以為氧化物有源層圖案補充氧元素，保證氧化物有源層圖案的半導(dǎo)體特性。
[0031]下面以ADS模式顯示裝置的氧化物TFT陣列基板的制造過程為例，來具體說明本發(fā)明實施例中氧化物TFT陣列基板的制造方法:
[0032]其中，ADS(或稱 AD-SDS, Advanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))主要是通過同一平面內(nèi)狹縫像素電極(即像素電極上具有多個延伸方向不同的狹縫)邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫像素電極層與板狀公共電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫像素電極間、像素電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高顯示裝置的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。
[0033]結(jié)合圖2-圖6所示，該制造方法具體包括:
[0034]步驟S1、在襯底基板10上形成包括柵電極2和公共電極6的圖案，在柵電極2上形成柵絕緣層11;
[0035]步驟S2、在柵絕緣層11上形成包括源電極3和漏電極4的圖案；
[0036]步驟S3、在源電極3和漏電極4上形成氧化物有源層5的圖案；
[0037]步驟S4、在氧化物有源層圖案5上形成鈍化層12，在鈍化層12上形成鈍化層過孔9 ；
[0038]步驟S5、在鈍化層過孔9上形成狹縫像素電極7。
[0039]上述步驟中，通過5道光刻工藝即完成ADS模式顯示裝置的氧化物TFT陣列基板的制造，節(jié)約了成本，提高了量產(chǎn)性。
[0040]其中，結(jié)合圖3所示，步驟SI具體為:
[0041]首先，在襯底基板10上依次形成透明導(dǎo)電層(圖中未示出)和柵金屬層(圖中未示出)，具體可以通過涂覆、化學(xué)沉積、濺射等工藝在襯底基板10上依次形成透明導(dǎo)電層(如:氧化銦錫、氧化銦鋅)和柵金屬層。為了改善柵電極2的粘附性和擴散性，可以在柵金屬層和透明導(dǎo)電層之間形成第三緩沖層圖案(圖中未示出)，當(dāng)然，還可以在柵金屬層和柵絕緣層11之間形成第四緩沖層圖案(圖中未示出)，且第三緩沖層和第四緩沖層均與柵金屬層接觸設(shè)置，并對應(yīng)柵電極2所在的區(qū)域。其中，第三緩沖層和第四緩沖層的材料可以為MoNb、MoW 或 MoTi。
[0042]然后，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括柵電極2和公共電極6的圖案。該步驟具體包括:首先，在第四緩沖層上涂覆一層光刻膠；之后，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版對光刻膠進行曝光，顯影，使光刻膠形成光刻膠不保留區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域。其中，光刻膠完全保留區(qū)域包括柵電極所在的區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域包括公共電極所在的區(qū)域，光刻膠不保留區(qū)域?qū)?yīng)于其它區(qū)域；然后，通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的第四緩沖層、柵金屬層、第三緩沖層和透明導(dǎo)電層，優(yōu)選采用濕刻法對第四緩沖層、柵金屬層、第三緩沖層和透明導(dǎo)電層進行刻蝕；之后，通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的第四緩沖層；然后，通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的第四緩沖層和柵金屬層，該區(qū)域的透明導(dǎo)電層形成包括公共電極6的圖案。優(yōu)選采用濕刻法對第四緩沖層和柵金屬層進行刻蝕；最后，剝離剩余的光刻膠，具體為，剝離光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，該區(qū)域的柵金屬層形成包括柵電極2的圖案。本步驟中通過一次構(gòu)圖工藝同時形成包括柵電極2和公共電極6的圖案，降低了生產(chǎn)成本。
[0043]最后，在柵電極2上形成柵絕緣層11。具體通過涂覆、化學(xué)沉積、濺射等工藝在柵電極2上形成柵絕緣層11。其中，柵絕緣層11的厚度為150-300nm，具體可以為二氧化硅層或二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層中任意兩個膜層的復(fù)合層或二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層三個膜層的復(fù)合層。優(yōu)選二氧化硅層靠近氧化物有源層圖案設(shè)置，因為SiO2中H含量比較小，不會對氧化物有源層圖案的半導(dǎo)體特性產(chǎn)生影響。
[0044]本實施例中在襯底基板10上形成柵電極2和柵絕緣層11后，首先執(zhí)行步驟S2，即:在柵絕緣層11上形成氧化物TFT的源電極3和漏電極4 ;然后執(zhí)行步驟S3，即:在源電極3和漏電極4上形成氧化物有源層的圖案5。
[0045]其中，結(jié)合圖4所示,步驟S2具體包括:
[0046]首先，通過涂覆、化學(xué)沉積、濺射等工藝在柵絕緣層11上形成源漏金屬層(圖中未示出)。之后，在源漏金屬層上旋涂一層光刻膠，采用普通掩膜版對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域包括源電極3和漏電極4所在的區(qū)域，光刻膠不保留區(qū)域?qū)?yīng)于其它區(qū)域；然后，采用濕刻法完全刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層；最后，剝離剩余的光刻膠，暴露出光刻膠保留區(qū)域的源漏金屬層，該區(qū)域的源漏金屬層形成包括源電極3和漏電極4的圖案。
[0047]進一步地，為了改善源電極3和漏電極4的粘附性和擴散性，可以在柵絕緣層11和源電極3、漏電極4之間形成第一緩沖層的圖案8。當(dāng)然，還可以在源電極3和漏電極4和氧化物有源層圖案5之間形成第二緩沖層的圖案(圖中未示出)，且第一緩沖層圖案和第二緩沖層圖案均與源電極3和漏電極4接觸設(shè)置。其中，第一緩沖層圖案和第二緩沖層圖案的材料可以選擇MoNb、Moff或MoTi，還可以與源電極3和漏電極4在同一構(gòu)圖工藝中形成，節(jié)約成本。
[0048]本實施例中，在形成源電極3和漏電極4之后，用笑氣N2O對源電極3和漏電極4的表面進行等離子處理，用于改善源電極3、漏電極4和氧化物有源層圖案的接觸電阻，降低TFT的漏電流。[0049]下面將在源電極3和漏電極4上形成氧化物有源層的圖案5，即執(zhí)行步驟S3，結(jié)合圖5所示。其中，步驟S3具體為:首先通過磁控濺射成膜工藝在源電極3和漏電極4上形成氧化物有源層(圖中未示出)，然后采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝(包括涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕工藝)形成氧化物有源層的圖案5。
[0050]結(jié)合圖6所示，在氧化物有源層圖案5上再形成鈍化層12，即完成氧化物TFT的制作。為防止形成鈍化層12時破壞氧化物有源層5，優(yōu)選使用低溫高密度的沉積方法形成鈍化層12，沉積溫度需要控制在200°C以下，鈍化層12的材料可以為二氧化硅層和氮氧化硅層兩個膜層的復(fù)合層，也可以為二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層三個膜層的復(fù)合層。
[0051]然后，還需制作陣列基板的狹縫像素電極7，如圖2所示。由于氧化物TFTl的漏電極4需要與狹縫像素電極7連接，因此，在制作狹縫像素電極7之前還需在漏電極4的上方形成鈍化層過孔9。為了提高TFT器件的穩(wěn)定性，在鈍化層過孔9制作結(jié)束后，對鈍化層12進行退火處理，退火溫度可以在250°C _350°C之間。
[0052]形成鈍化層過孔9后，在鈍化層過孔9上形成陣列基板的狹縫像素電極7。其中，狹縫像素電極7的材料為透明導(dǎo)電材料(如氧化銦錫、氧化銦鋅)，與TFT的漏電極4通過鈍化層過孔9連接。
[0053]為了提高氧化物TFT陣列基板的穩(wěn)定性，并降低像素電極7的電阻率，可以在陣列基板制造完成后進行退火處理，退火溫度可以選擇250°C -300°C。
[0054]以上僅以ADS模式顯示裝置的氧化物TFT陣列基板的制造過程為例來具體說明本發(fā)明的技術(shù)方案，并不是一種限定。所有使用氧化物TFT陣列基板的顯示裝置，如:TN模式的顯示裝置，IPS模式的顯示裝置，都可以使用本發(fā)明的技術(shù)方案來制造其陣列基板。
[0055]實施例二
[0056]基于同一發(fā)明構(gòu)思，請參閱圖2，本實施例中提供一種氧化物TFT，其包括形成在襯底基板10上的氧化物薄膜晶體管1，氧化物薄膜晶體管I包括柵電極2、柵絕緣層11、氧化物有源層的圖案5和源電極3、漏電極4。其中，源電極3和漏電極4位于氧化物有源層圖案5的下方，柵電極2位于源電極3和漏電極4下方，柵絕緣層I位于柵電極2和源電極
3、漏電極4之間。從而形成源電極和漏電極的刻蝕工藝不會對氧化物有源層圖案產(chǎn)生破壞。同時，由于不需要在氧化物有源層圖案上形成刻蝕阻擋層圖案，省略了形成刻蝕阻擋層圖案的光刻工序，提高了氧化物薄膜晶體管陣列基板的量產(chǎn)性，降低了生產(chǎn)成本。
[0057]實施例三
[0058]本實施例中提供一種氧化物TFT顯示器件，如:氧化物TFT陣列基板、氧化物TFT顯示裝置。請參閱圖2，所述氧化物TFT顯示器件包括形成在襯底基板10上的氧化物薄膜晶體管1，氧化物薄膜晶體管I包括形成在襯底基板10上的氧化物薄膜晶體管1，氧化物薄膜晶體管I包括柵電極2、柵絕緣層11、氧化物有源層的圖案5和源電極3、漏電極4。其中，源電極3和漏電極4位于氧化物有源層圖案5的下方，柵電極2位于源電極3和漏電極4下方，柵絕緣層I位于柵電極2和源電極3、漏電極4之間。從而形成源電極和漏電極的刻蝕工藝不會對氧化物有源層圖案產(chǎn)生破壞。同時，由于不需要在氧化物有源層圖案上形成刻蝕阻擋層圖案，省略了形成刻蝕阻擋層圖案的光刻工序，提高了氧化物薄膜晶體管陣列基板的量產(chǎn)性，降低了生產(chǎn)成本。
[0059]本實施例中，在柵絕緣層11和源電極3、漏電極4之間形成有第一緩沖層的圖案8，第一緩沖層的圖案8對應(yīng)于源電極3和漏電極4所在的區(qū)域，并與源電極3和漏電極4接觸設(shè)置，用于改善源電極3和漏電極4的粘附性和擴散性。當(dāng)然，在源電極3、漏電極4和氧化物有源層圖案5之間也可以形成有第二緩沖層的圖案(圖中未示出)，并與源電極3和漏電極4接觸設(shè)置。其中，第一緩沖層圖案8和第二緩沖層圖案的材料可以為MoNb、MoW或MoTi，源電極3和漏電極4的厚度可以為200-300nm。
[0060]同樣，為了改善柵電極2的粘附性和擴散性，在襯底基板10和柵電極2之間形成有第三緩沖層的圖案(圖中未示出)，其中，第三緩沖層圖案對應(yīng)于柵電極2所在的區(qū)域，并與柵電極2接觸設(shè)置。當(dāng)然，在柵電極2和柵絕緣層11之間也可以形成有第四緩沖層的圖案(圖中未示出)，并與柵電極2接觸設(shè)置。其中，第三緩沖層圖案和第四緩沖層圖案的材料可以為MoNb、MoW或MoTi，柵電極2的厚度可以為200_300nm。
[0061]其中，柵絕緣層11的厚度可以為150_300nm，具體為二氧化硅層或二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層中任意兩個膜層的復(fù)合層或二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層三個膜層的復(fù)合層。優(yōu)選二氧化硅層靠近氧化物有源層圖案5設(shè)置，因為SiO2中H含量比較小，不會對氧化物有源層圖案5的半導(dǎo)體特性產(chǎn)生影響。氧化物有源層圖案5的厚度可以為40-50nm，材料為氧化銦錫或氧化銦鋅等氧化物半導(dǎo)體。
[0062]對于ADS模式顯示裝置的氧化物TFT陣列基板，如圖2所示，氧化物TFT陣列基板還包括公共電極6、狹縫像素電極7和鈍化層12，其中，像素電極7通過鈍化層過孔9與TFT的漏電極4連接。公共電極6的厚度為70nm左右，并與狹縫像素電極7的位置對應(yīng)，從而在TFTl的控制下，狹縫像素電極7的邊緣之間產(chǎn)生的電場以及狹縫像素電極7與板狀公共電極6之間產(chǎn)生的電場形成多維電場，用于驅(qū)動液晶分子的旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選通過一次構(gòu)圖工藝同時形成TFT的柵電極2和公共電極6，降低生產(chǎn)成本，提高量產(chǎn)性。
[0063]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種氧化物薄膜晶體管，包括柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層圖案、源電極和漏電極，其特征在于，源電極和漏電極位于氧化物有源層圖案的下方；柵電極位于源電極和漏電極下方；柵絕緣層位于柵電極和源電極、漏電極之間。
2.—種顯示器件，包括形成在襯底基板上的氧化物薄膜晶體管，所述氧化物薄膜晶體管包括柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層圖案、源電極和漏電極，其特征在于，源電極和漏電極位于氧化物有源層圖案的下方；柵電極位于源電極和漏電極下方；柵絕緣層位于柵電極和源電極、漏電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，在柵絕緣層和源電極、漏電極之間形成有第一緩沖層圖案，所述第一緩沖層圖案對應(yīng)于源電極和漏電極所在的區(qū)域； 在源電極、漏電極和氧化物有源層圖案之間形成有第二緩沖層圖案，所述第二緩沖層圖案對應(yīng)于源電極和漏電極所在的區(qū)域； 所述第一緩沖層圖案和第二緩沖層圖案與源電極和漏電極接觸設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述第一緩沖層圖案和第二緩沖層圖案的材料為MoNb、Moff或MoTi。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，柵電極和襯底基板之間形成有第三緩沖層圖案，所述第三緩沖層圖案對應(yīng)于柵電極所在的區(qū)域； 柵電極和柵絕緣層之間形成有第四緩沖層圖案；所述第四緩沖層圖案對應(yīng)于柵電極所在的區(qū)域； 所述第三緩沖層圖案和第四緩沖層圖案與柵電極接觸設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器件，其特征在于，所述第三緩沖層圖案和第四緩沖層圖案的材料為MoNb、Moff或MoTi。
7.根據(jù)權(quán)利要求2-6任一項所述的顯示器件，其特征在于，所述柵絕緣層為二氧化硅層或二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層中任意兩個膜層的復(fù)合層或二氧化硅層、氮氧化娃層和氮化娃層三個膜層的復(fù)合層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示器件，其特征在于，二氧化硅層靠近氧化物有源層圖案設(shè)置。
9.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成氧化物薄膜晶體管的步驟，其中，氧化物薄膜晶體管包括柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層圖案、源電極和漏電極，其特征在于，所述在襯底基板上形成氧化物薄膜晶體管的步驟包括: 在襯底基板上形成柵電極； 在形成柵電極的襯底基板上形成柵絕緣層； 在形成柵絕緣層的襯底基板上形成源電極和漏電極； 在形成源電極和漏電極的襯底基板上形成氧化物有源層的圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括: 低于20(TC環(huán)境下，在氧化物有源層圖案上形成鈍化層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在源電極和漏電極上形成氧化物有源層的圖案的步驟之前還包括: 對源電極和漏電極的表面進行等離子處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，采用笑氣對源電極和漏電極的表面進行等離子處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求9-12任一項所述的制造方法，其特征在于，還包括在襯底基板上形成公共電極的步驟； 在襯底基板上形成柵電極和公共電極的步驟包括: 在襯底基板上依次形成透明導(dǎo)電層和柵金屬層； 在柵金屬層上涂覆一層光刻膠； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版對光刻膠進行曝光，顯影，使光刻膠形成光刻膠不保留區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；其中，光刻膠完全保留區(qū)域包括柵電極所在的區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域包括公共電極所在的區(qū)域，光刻膠不保留區(qū)域?qū)?yīng)于其它區(qū)域； 通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的柵金屬層和透明導(dǎo)電層； 通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的柵金屬層，形成包括公共電極的圖案； 剝離剩余的光刻膠，形成包括柵電極的圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求9-12任一項所述的制造方法，其特征在于，所述在形成柵絕緣層的襯底基板上形成源電極和漏電極的步驟包括: 在襯底基板上依次形成第一·緩沖層、源漏金屬層和第二緩沖層； 在所述第二緩沖層上涂覆光刻膠； 對光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域包括源電極和漏電極所在的區(qū)域，光刻膠不保留區(qū)域?qū)?yīng)于其它區(qū)域； 通過第四次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的第二緩沖層、源漏金屬層和第一緩沖層； 剝離剩余的光刻膠，形成包括源電極和漏電極的圖案。
【文檔編號】H01L21/77GK103715266SQ201310727116
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】王珂, 劉圣烈, 寧策, 楊維 申請人:京東方科技集團股份有限公司