使用殘余氣體分析儀的真空室測(cè)量的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及使用殘余氣體分析儀的真空室測(cè)量。具體而言，一種用于測(cè)量真空工具的客體真空室中的氣氛的方法包括：使用殘余氣體分析儀(RGA)來測(cè)量在主體真空室中氣氛的第一組成。在測(cè)量第一組成期間，主體真空室和客體真空室并不聯(lián)接。將主體真空室聯(lián)接到客體真空室，因此在每一個(gè)中的氣氛可在主體真空室中混合。在聯(lián)接了室后，使用RGA來測(cè)量在主體真空室中的氣氛的第二組成。使用處理器，使用測(cè)量的第一組成和第二組成來自動(dòng)確定客體氣氛的組成。真空工具可包括主體室和客體室、閥、RGA和處理器，處理器被配置成控制閥以執(zhí)行這種方法或其它方法。
【專利說明】使用殘余氣體分析儀的真空室測(cè)量
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)為要求在2012年12月6日提交的且名稱為“Using Residual Gas AnalyzerFor Vacuum Chamber Leak Detection” 的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)序列號(hào) N0.61/734，205 的權(quán)益的非臨時(shí)申請(qǐng)，該申請(qǐng)全文以引用的方式合并到本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本申請(qǐng)涉及測(cè)量在室，例如在半導(dǎo)體處理中使用的真空室中的氣體濃度或氣體分壓。
【背景技術(shù)】
[0003]制造半導(dǎo)體，例如集成電路晶體管的處理涉及在很低壓力下執(zhí)行的許多處理。在通常被稱作“真空室”的室中維持這些壓力。一般而言，真空室為連接到抽吸系統(tǒng)(例如包括低溫泵或渦輪泵的抽吸系統(tǒng))的封殼。抽吸系統(tǒng)維持低壓或極低壓力，例如對(duì)于基準(zhǔn)壓力為例如10_8托或者在處理期間為5毫托。抽吸系統(tǒng)可維持室中選定氣體的規(guī)定濃度?！罢婵展ぞ摺睘榘ㄒ粋€(gè)或多個(gè)真空室并且便于轉(zhuǎn)移工件進(jìn)出(多個(gè))真空室的裝置。真空工具的示例，具體而言組合(cluster)工具，為由APPLIED MATERIALS制造的ENDURA物理氣相沉積(PVD)機(jī)器。例如，用于沉積銅(Cu)和氮化鉭(Ta(N))的PVD工藝需要真空，例如飛毫托。在整個(gè)本公開中，“真空”指遠(yuǎn)低于大氣壓(I atm = 760 Torr)的壓力，例如，〈20托。
[0004]上升率(ROR)為幫助監(jiān)視真空系統(tǒng)的健康狀況的最簡(jiǎn)單的工具之一。可通過將系統(tǒng)抽吸到預(yù)選的壓力(基準(zhǔn)壓力)并且然后閉合真空閥并且隨著時(shí)間來監(jiān)視壓力來獲得ROR曲線(或“回復(fù)曲線”)。ROR曲線提供氣體負(fù)荷的測(cè)量，其易于與給定系統(tǒng)的“標(biāo)準(zhǔn)的”先前獲得的曲線比較。
[0005]可通過抽空持續(xù)至少十分鐘然后閉合所有的閥以隔離待測(cè)試的室來產(chǎn)生ROR曲線。對(duì)于2至3分鐘的測(cè)試，不執(zhí)行抽吸。隨時(shí)間繪制在室中的壓力。在一示例中，〈=2000納托(n Torr)/分為可接受的上升速率；超過它表示需要校正措施。壓力升高可由于從室中的水分或其它材料，例如，諸如涂覆室或處理套件表面的烴的材料脫氣而造成。壓力升高也可由于在室與外部氣氛之間或者在室與其抽吸部件或其它部件之間的泄漏造成。例如，在截止閥中的泄漏可使工藝氣體，例如氮?dú)?N2)或氬氣(Ar)泄漏到室內(nèi)。在閥中的微粒可機(jī)械地阻擋其完全閉合，例如來自化學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)的微粒(例如，圖2)。未能閉合也可為閥壽命終止的結(jié)果。氣體泄漏也可由于最終截止閥上游的質(zhì)量流量控制器(MFC)故障造成。
[0006]許多半導(dǎo)體制造廠(“fab”)對(duì)每個(gè)室執(zhí)行ROR測(cè)試以在用它生產(chǎn)硅晶片之前證明室合格。即使同時(shí)測(cè)試多個(gè)室，這也可花費(fèi)大量時(shí)間，例如每個(gè)室從數(shù)十分鐘到數(shù)小時(shí)。ROR測(cè)試必須周期性地重復(fù)執(zhí)行，例如每天或者每2至3天一次，從而延長(zhǎng)了所消耗的時(shí)間。晶片不能在ROR測(cè)試期間運(yùn)行，從而降低了 fab處理量。ROR測(cè)試也可不通知操作者在ROR測(cè)試之間出現(xiàn)的故障。由于300mm晶片可花費(fèi)數(shù)千美元，早期檢測(cè)到故障可顯著地改進(jìn)fab的經(jīng)濟(jì)可行性。此外，所測(cè)量的ROR曲線可反映多種故障模式，并不是所有故障模式都可只基于ROR測(cè)試來區(qū)分。例如，由于N2進(jìn)入造成的壓力升高可為工藝氣體泄漏或外側(cè)空氣泄漏。其它壓力升高可來自泄漏或脫氣。因此ROR故障可需要另外的耗時(shí)測(cè)試來確定故障原因。在一些方案中，如果指示故障,則重復(fù)ROR測(cè)試。這可需要額外30分鐘延遲并且重復(fù)抽空。因此，需要改進(jìn)的測(cè)試室的方式。
[0007]許多fab使用殘余氣體分析儀(RGA)來測(cè)試室。RGA對(duì)室中的分子進(jìn)行質(zhì)譜分析以確定那些分子的組成或其分壓。許多方案將RGA安裝到每個(gè)處理室上以替換ROR測(cè)試。但是，這需要大量設(shè)備。因此需要利用更少設(shè)備來測(cè)試多個(gè)室的方式。一些系統(tǒng)使用在轉(zhuǎn)移室上的RGA來提供PVD室的原位(in-situ)空氣泄漏檢測(cè)。但是，由于在晶片轉(zhuǎn)移期間在短時(shí)間段的動(dòng)壓變化(例如，小于10秒)，這些系統(tǒng)具有性能局限性，這阻礙它們用于代替生產(chǎn)中的ROR測(cè)試。例如，一些系統(tǒng)不夠敏感而不能檢測(cè)在涉及N2處理例如Ta(N)或TiNPVD的亞硝化室(nitritation chamber)中的泄漏。此外,這些系統(tǒng)并不提供附連到緩沖室的處理室中的泄漏檢測(cè)。此外，如果處理配方(recipe)需要多個(gè)處理室同時(shí)打開，可難以獨(dú)立地確定在每個(gè)室中的氣氛。同樣，在晶片移動(dòng)期間的壓力瞬態(tài)或來自工具的其它行動(dòng)的干擾可降低這種測(cè)量的準(zhǔn)確度。如本文中所用的“測(cè)量室”可包括測(cè)量室中的壓力、各種氣體的分壓、室中氣氛的組成、或者測(cè)試或檢測(cè)泄漏。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]根據(jù)一方面，提供一種測(cè)量客體真空室中的氣氛的方法，該方法包括:接收真空工具，真空工具具有可選擇性地聯(lián)接到主體真空室的客體真空室，當(dāng)不聯(lián)接主體真空室與客體真空室時(shí)使用殘余氣體分析儀(RGA)來測(cè)量在主體真空室中氣氛的第一組成，將主體真空室聯(lián)接到客體真空室，使得在主體真空室中的氣氛與在客體真空室中的氣氛混合以便在主體真空室中形成混合氣氛；在聯(lián)接了室之后使用RGA來測(cè)量在主體真空室中的混合氣氛的第二組成；以及使用處理器，使用所測(cè)量的第一組成和第二組成來自動(dòng)確定在客體真空室中的氣氛的組成。
[0009]該方法可包括:在測(cè)量了第二組成后，將主體真空室抽空。該方法可包括:在主體真空室聯(lián)接到客體真空室時(shí)機(jī)械移動(dòng)在主體真空室或客體真空室內(nèi)的部件。該方法可包括:使用處理器在聯(lián)接步驟與測(cè)量第二組成步驟之間自動(dòng)等待選定時(shí)間。該方法可包括:將主體真空室抽空至選定壓力并且同時(shí)使用RGA來測(cè)量在主體真空室中的氣氛的第一組成。該方法可包括:接收來自主機(jī)接口(host interface)的命令輸入并且響應(yīng)于所接收的命令輸入來執(zhí)行測(cè)量第一組成、聯(lián)接、測(cè)量第二組成和確定步驟。真空工具可包括多個(gè)客體真空室并且該方法可包括從設(shè)備控制器接收命令輸入和多個(gè)客體真空室中的一個(gè)的指示并且響應(yīng)于接收的命令輸入來執(zhí)行測(cè)量第一組成、聯(lián)接、測(cè)量第二組成和確定步驟，聯(lián)接步驟包括將指示的客體真空室中的一個(gè)聯(lián)接到主體真空室。聯(lián)接步驟可包括聯(lián)接室持續(xù)至少15秒。
[0010]根據(jù)另一方面，提供一種真空工具。該真空工具包括:第一主體真空室；第一客體真空室；第一閥，其通過操作以選擇性地聯(lián)接第一主體真空室與第一客體真空室；第一殘余氣體分析儀(RGA)，其配置成測(cè)量第一主體真空室中的氣氛的組成；以及，處理器，其配置為自動(dòng)操作閥以分離第一室，使用第一 RGA來測(cè)量在第一主體真空室中的氣氛的第一組成，操作閥以聯(lián)接室，使用第一 RGA來測(cè)量在第一主體真空室中的氣氛的第二組成，以及使用在第二主體真空室中氣氛的測(cè)量的第一組成和第二組成來確定在第一客體真空室中的氣氛的組成。
[0011]該工具可包括布置于第一客體真空室中的一個(gè)或多個(gè)提升銷并且處理器還配置成在聯(lián)接室時(shí)移動(dòng)提升銷。該工具可包括第二主體真空室；第二客體真空室；第二閥，其可通過操作以將第二主體真空室選擇性地聯(lián)接到第二客體真空室；以及第二 RGA，其配置成測(cè)量第二主體真空室中的氣氛的組成，并且處理器還可被配置為:自動(dòng)操作第二閥以分離第二主體室與第二客體室，使用第二 RGA來測(cè)量在第二主體真空室中的氣氛的第一組成，操作第二閥以聯(lián)接第二主體室與第二客體室，使用第二 RGA來測(cè)量在第二主體真空室中的氣氛的第二組成，以及使用第二主體真空室中氣氛的測(cè)量的第一組成和第二組成來確定在第二客體真空室中的氣氛的組成。該工具可包括第二客體真空室；以及第二閥，其可通過操作以選擇性地聯(lián)接主體真空室與第二客體真空室，并且處理器可被配置成操作第一閥和第二閥使得第一客體真空室和第二客體真空室中的僅一個(gè)在任何給定時(shí)間聯(lián)接到第一主體真空室。第一主體室或第二主體室包括多個(gè)工作間。第一 RGA或第二 RGA可為開放型離子源RGA或閉合型離子源RGA。第一閥或第二閥可為狹縫(slit)閥。該工具可包括存儲(chǔ)器，其聯(lián)接到處理器并且存儲(chǔ)測(cè)量的配方，其中處理器還可配置成對(duì)所存儲(chǔ)的配方排序(sequence)以確定在客體真空室中的氣氛的組成。
[0012]本文中的許多方面有利地允許使用主體室中的RGA來測(cè)試或測(cè)量客體室。與使用多種RGA的先前工具相比，這降低了真空工具的成本和復(fù)雜性。與使用ROR測(cè)試的先前工具相比，這也提高了測(cè)量的敏感性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]當(dāng)結(jié)合下文的描述和附圖來理解時(shí)，本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加顯然，在附圖中在可能的情況下使用相同的附圖標(biāo)記來表示附圖共同的相同特征，并且在附圖中:
圖1和圖2示出了根據(jù)許多方面的組合工具；
圖3示出了根據(jù)許多方面的測(cè)量室的方式的示例；
圖4為根據(jù)許多方面的組合工具的示例；
圖5為示出適用于許多方面的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的部件的高層次(high-level)圖；以及 圖6示出了說明用于測(cè)量真空工具的客體真空室中的氣氛的示例性方法的流程圖。
[0014]附圖是出于說明目的并且未必按照比例繪制。
【具體實(shí)施方式】
[0015]在下文的描述中，將以通常實(shí)施為軟件程序的方式來描述一些方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員將易于認(rèn)識(shí)到這樣的軟件的等效物也可被構(gòu)造為硬件、固件或微代碼。由于數(shù)據(jù)操縱算法和系統(tǒng)為人熟知，所以本描述將特別地針對(duì)于形成本文所描述的系統(tǒng)和方法的部分或者更直接地與本文所描述的系統(tǒng)和方法合作的算法和系統(tǒng)。并未在本文中具體地示出或描述的這樣的算法和系統(tǒng)的其它方面，和用于產(chǎn)生和另外處理其所涉及的信號(hào)的硬件或軟件選自本領(lǐng)域中已知的這樣的系統(tǒng)、算法、部件和元件。已知如本文中所描述的系統(tǒng)和方法，適用于實(shí)施任何方面但在本文中并未具體地示出、暗示或描述的軟件為常規(guī)的并且在這些領(lǐng)域的普通技術(shù)內(nèi)。
[0016]圖1示出了具有兩個(gè)負(fù)載鎖定裝置118、119的示例性組合工具100。組合工具為真空工具的示例。如箭頭所示，硅晶片或其它基板(在本文中都被稱作“晶片”)通過負(fù)載鎖定裝置118,119進(jìn)出工具，負(fù)載鎖定裝置118,119為室。對(duì)室101、102、103、104、113、114、115和116中的晶片執(zhí)行各種操作。由緩沖室190和轉(zhuǎn)移室191中的機(jī)器人臂或其它促動(dòng)器來在這些室之間轉(zhuǎn)移晶片。晶片通過室111和112在緩沖室190與轉(zhuǎn)移室191之間轉(zhuǎn)移，如由穿過室111、112的箭頭所示。在許多方面，泵130和131 (例如，真空泵)分別在操作期間維持緩沖室190和轉(zhuǎn)移室191在極低壓力，例如小于10_5托，小于10_6托或者小于10_7托。
[0017]RGA 120,121被配置成分別測(cè)量緩沖室190和轉(zhuǎn)移室191中的氣氛。每個(gè)RGA
120、121在相對(duì)應(yīng)的室190、191中具有相應(yīng)測(cè)量探頭122、123。RGA120、121可例如在以引用方式合并在本文中的美國(guó)專利N0.6091068中描述?？墒褂肐NFIC0N的RGA，例如INFIC0NTRANSPECT0R 2、TRANSPECTOR XPR3 或 TRANSPECTOR CPM。
[0018]在許多方面，RGA 120、121中的至少一個(gè)為開放型離子源RGA。開放型離子源RGA可用于例如壓力小于約10_5托或小于約10_6托的高真空室中。這樣的室可在正常操作期間維持在高真空或者可在操作RGA之前被抽空到高真空。在其它方面，RGA 120、121中的至少一個(gè)為閉合型離子源RGA。閉合型離子源RGA可用于更高壓力，例如約100毫托至2托。在下文中討論開放型離子源和閉合型離子源RGA。
[0019]設(shè)備控制器186 控制組合工具 100 和其室 101、102、103、104、111、112、113、114、
115、116、118、119、190和191、泵130以及氣體供應(yīng)135的操作來執(zhí)行配方?！芭浞健睘榫苿?dòng)順序和當(dāng)晶片在具體室中時(shí)執(zhí)行的操作。配方的示例在Herrmann等人的“Evaluatingthe Impact of Process Changes on Cluster Tool Performance，，， IEEE Transactionson Semiconductor Manufacturing (ISSN 0894 - 6507),第 I3 卷，第 2 期，2OOO 年 5 月(其以引用的方式合并到本文中)中給出?？刂破?86可包括微處理器、微控制器、可編程的邏輯裝置(PLD)、可編程的邏輯陣列(PLA)、可編程的陣列邏輯(PAL)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、專用集成電路(ASIC)或者被編程、接線或配置成執(zhí)行本文所描述的功能的其它計(jì)算或邏輯裝置。RGA控制器187連接到設(shè)備控制器186。RGA控制器187或設(shè)備控制器186也可經(jīng)由通信鏈路，使用例如SEMI設(shè)備通信標(biāo)準(zhǔn)(SECS)協(xié)議連接到主控制器188。主控制器188或設(shè)備控制器186，或者二者可向RGA控制器187提供信息。RGA控制器187也控制RGA 120和121，并且從RGA 120和121收集信息。在許多方面，設(shè)備控制器186和RGA控制器187為兩個(gè)邏輯模塊、子例程、線程或單個(gè)控制器的其它處理部件。
[0020]在此文獻(xiàn)中，緩沖室190和轉(zhuǎn)移室191被稱作“主體”室。主體室具有RGA 120、
121。室101、102、103、104被稱作轉(zhuǎn)移室191的“客體”室或者“客體”。室113、114、115、
116、118和119為緩沖室190的客體。室111和112可被稱作轉(zhuǎn)移室191或緩沖室190的客體。
[0021]各種裝置可用于RGA 120,121ο例如，INFIC0N TRANSPECTOR XPR3氣體分析系統(tǒng)可測(cè)量高達(dá)?20毫托壓力的氣氛。這個(gè)單元可在抽空和濺射期間檢測(cè)泄漏。開放型離子源RGA可用于在抽空期間監(jiān)視，并且能以高真空，例如約10_7托操作。在使用中，在沉積工藝中，處理室(例如，室101或室113或另一客體室)可保持在特定壓力，例如4毫托持續(xù)30秒至2到3分鐘，具有選定氣體的規(guī)定濃度，然后在將晶片移動(dòng)到緩沖室之前抽空。
[0022]返回參看圖1，在許多方面，使用RGA 120、121來依次檢測(cè)附連的室中的泄漏。當(dāng)組合工具閑置時(shí)，可執(zhí)行泄漏檢查和其它測(cè)量。在許多方面，通過在工具閑置期間執(zhí)行測(cè)試配方來進(jìn)行泄漏檢查，其逐一打開在客體室(例如，室101、102)上的相應(yīng)狹縫閥(例如，狹縫閥244，圖2)，每一個(gè)持續(xù)特定時(shí)間，并且允許氣體擴(kuò)散至相對(duì)應(yīng)的主體室(例如，室191)內(nèi)并且由其中的RGA(例如，RGA 121)檢測(cè)到。在滑閥打開期間，可執(zhí)行其它行動(dòng)，諸如晶片銷提升，以便檢測(cè)來自移動(dòng)零件的泄漏。這種泄漏可有利地由RGA檢測(cè)到，但并非由標(biāo)準(zhǔn)ROR測(cè)試檢測(cè)到，標(biāo)準(zhǔn)ROR測(cè)試并不移動(dòng)零件以便不引入降低ROR準(zhǔn)確度的壓力瞬態(tài)。
[0023]例如，在工具閑置期間，RGA 121可用于檢測(cè)室101、102、103、104和112中的泄漏。RGA 120可用于檢測(cè)在室113、114、115、116、111以及室118、119中的泄漏。室113、114、115,116中的每一個(gè)可例如為預(yù)清潔或除氣室。室101、102、103、104中的每一個(gè)可例如為沉積室。循序地或同時(shí)對(duì)不同主體室190、191執(zhí)行測(cè)試。
[0024]圖2示出了真空工具，具體而言組合工具200的示例，其具有兩個(gè)負(fù)載鎖定裝置118、119，一個(gè)轉(zhuǎn)移室191和四個(gè)處理室201、202、203、204。RGA 221，如下文所討論可為閉合型離子源RGA，用于使用測(cè)量探頭223來測(cè)量轉(zhuǎn)移室191并且對(duì)應(yīng)于圖1中示出的RGA
121。RGA 221可為閉合型離子源RGAji^BINFICON TRANSPECTOR CPM緊湊處理監(jiān)視器。在轉(zhuǎn)移晶片通過主體室時(shí)，氣體可以以所希望的速率供應(yīng)給轉(zhuǎn)移室以維持選定壓力。泵130如在圖1中所示。
[0025]狹縫閥244被示出在轉(zhuǎn)移室191與處理室204之間，并且圖形表示為矩形。狹縫閥可定位于圖1、圖2或圖5中的任一對(duì)室之間；為了附圖清楚起見，并未示出其它狹縫閥。在整個(gè)本公開中，室在它們并·非彼此隔離時(shí)被稱作“聯(lián)接”。例如，當(dāng)狹縫閥244打開時(shí)，室191與204聯(lián)接，而當(dāng)狹縫閥244閉合時(shí)室191與204不聯(lián)接。術(shù)語“聯(lián)接”指能混合兩個(gè)聯(lián)接的室的氣氛的事實(shí)。
[0026]組合工具200可包括或可操作性地連接到主結(jié)構(gòu)(mainframe)組件(負(fù)載鎖定裝置、轉(zhuǎn)移室、處理室)和相關(guān)聯(lián)的成組遠(yuǎn)程支持設(shè)備(RF電源、真空泵、熱交換器、計(jì)算機(jī))。例如，許多方面可結(jié)合 APPLIED MATERIALS CENTURA,LAM RESEARCH 2300,TOKYO ELECTRONTELIUS或其它工具使用。處理室201、202、203、204配置成用于蝕刻、化學(xué)氣相沉積(CVD)、熱處理或其它處理。在泵130操作時(shí)，氣體供應(yīng)135將所希望的氣氛組分供應(yīng)到轉(zhuǎn)移室191。在示例中，氣態(tài)供應(yīng)135供應(yīng)氬氣(Ar)或氮?dú)?N2)，使得轉(zhuǎn)移室191被填充低壓氬氣或N2而不是空氣。工具可包括圍繞單個(gè)中央轉(zhuǎn)移室191 (主體室)的3-4個(gè)處理室201、202、203、204(客體室)，中央轉(zhuǎn)移室191被抽空到~10毫托。RGA 221用于該主體室中以測(cè)量所有處理室201、202、203、204，如本文中所描述地那樣。在許多方面，在晶片轉(zhuǎn)移期間，在轉(zhuǎn)移中涉及的所有室或者在工具中的所有室中被抽空氣流，以設(shè)置室中氣氛的組成和壓力。在工具閑置期間，氣體可抽吸通過室以維持選定氣氛。
[0027]圖3示出了測(cè)量室的方法的許多示例。在圖3中的步驟可以以圖示的次序或者以其它次序來執(zhí)行?？商^步驟。在示例中，步驟310、320、330、340、350、360、370、380、390以該次序執(zhí)行。在另一示例中，步驟310、320、330、340、350、370、360、380、390以該次序執(zhí)行。在許多示例中，步驟350、355、360 (或那些步驟中的任何兩個(gè))同時(shí)執(zhí)行或者以任何相對(duì)次序執(zhí)行。為了清楚地解釋，在本文中參考在圖1和圖2中示出的許多部件，這些部件可執(zhí)行或參與示例性方法的步驟。但應(yīng)當(dāng)指出的是可使用其它部件；即，圖3中所示的(多種)示例性方法并不限于由標(biāo)識(shí)的部件來執(zhí)行。
[0028]在步驟310，選定主體室(例如，室190、191)被抽空以獲得穩(wěn)定的基準(zhǔn)壓力。泵130可連續(xù)操作，在此情況下，步驟310包括等待到達(dá)基準(zhǔn)壓力。在步驟320，接收啟動(dòng)命令。RGA控制器187可在開始配方之前等待開始命令。在許多方面，RGA控制器187和設(shè)備控制器186通信以循序進(jìn)行工具操作、室打開和RGA測(cè)量以有效地測(cè)量室。
[0029]在步驟330，測(cè)量主體氣氛。主體氣氛為在主體室(例如，室191)中的氣體。利用相對(duì)應(yīng)的RGA來測(cè)量其壓力或組成。在主體室與任何附連的客體室(例如，室101)隔離時(shí)進(jìn)行這種操作。例如，在步驟330期間，將客體連接到主體的所有狹縫閥(例如，狹縫閥244)可閉合。
[0030]在步驟340中，打開狹縫閥中的一個(gè)(例如，狹縫閥244)或者采取其它適當(dāng)行動(dòng)來允許主體氣氛(例如在轉(zhuǎn)移室191中，圖2)與客體氣氛(例如，在處理室204)混合?？腕w氣氛為在對(duì)應(yīng)于打開的狹縫閥的客體室中的氣體。
[0031]在步驟350，在被選擇為允許主體氣氛與客體氣氛充分混合的擴(kuò)散時(shí)間執(zhí)行等待(即，不采取行動(dòng))。該混合物在本文中稱作“混合氣氛”，由于在主體室和客體室中的壓力通常很低，在其中的相應(yīng)氣氛中的氣體分子通常具有較長(zhǎng)的平均自由行程。因此，擴(kuò)散通?？焖龠M(jìn)行。例如，對(duì)于10_5托的高真空或者更低壓力而言，自由路徑可比Im更長(zhǎng)。增加真空(降低壓力)可適用于提高RGA測(cè)量的敏感性。
[0032]在步驟360，在主體室中利用RGA測(cè)量混合氣氛。這在步驟350期間或者之后，并且其中狹縫閥打開或閉合(步驟370)時(shí)進(jìn)行。然后從此步驟360的測(cè)量減去自步驟330的測(cè)量以推斷客體氣氛的組成?？腕w氣氛可在相關(guān)的處理室上包括殘余氣體。這種殘余氣體的測(cè)量允許確定客體室的真空健康狀況。
[0033]在關(guān)于圖2的許多方面，用于諸如圖示那種工具的轉(zhuǎn)移室191以Ar或N2氣體流動(dòng)維持在特定壓力，例如從數(shù)百毫托至數(shù)十托。更高的壓力具有比更低壓力更短的平均自由行程，因此花費(fèi)更多的時(shí)間用于氣體從客體室(例如，處理室204)擴(kuò)散到主體室(例如，轉(zhuǎn)移室191)。因此，與處于較低壓力的工具或室相比，對(duì)于更高壓力的工具或室而言，步驟360可花費(fèi)更長(zhǎng)時(shí)間。
[0034]在步驟370，閉合狹縫閥。在步驟380，執(zhí)行等待直到主體氣氛返回到穩(wěn)態(tài)，即，在混合氣氛中客體氣氛的足夠組分被抽出并且被替換以主體氣氛。RGA測(cè)量可在步驟380期間進(jìn)行。
[0035]在決策步驟390，判斷是否存在更多的客體室要檢查。若是，下一步驟為步驟330。在許多方面，在步驟380期間進(jìn)行RGA測(cè)量，并且下一步驟為步驟340。這些方面可組合地使用?？稍诓襟E330或步驟340之前執(zhí)行抽空。RGA控制器187可使用定時(shí)器來執(zhí)行等待并且能進(jìn)行測(cè)量并且將狹縫閥排序。RGA控制器187、設(shè)備控制器186或者二者可包括或可操作性地連接到存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器存儲(chǔ)測(cè)量配方并且可通過該配方排序。RGA控制器187可向設(shè)備控制器186提供指令來控制閥和工具的其它移動(dòng)零件。設(shè)備控制器186可提供室狹縫閥和工具的其它移動(dòng)零件的控制并且也可向RGA控制器187提供指令以控制RGA或RGA氣動(dòng)閥(如果安裝RGA氣動(dòng)閥)。在一些情況下，RGA結(jié)果，例如室的空氣泄漏可被發(fā)送到設(shè)備控制器187或主控制器188 (例如，工業(yè)PC或HMI)用于另外的行動(dòng)。RGA氣動(dòng)閥可用于控制氣體從主體室到RGA的離子源的流動(dòng)。
[0036]在許多方面，方法包括步驟355，步驟355可在步驟340、350、360或370或者其任何組合期間執(zhí)行。在步驟355，在客體室或主體室中的一個(gè)或多個(gè)部件機(jī)械地移動(dòng)。例如，在客體室中的提升銷可移動(dòng)通過操作循環(huán)的部分或全部或者多于一個(gè)循環(huán)。這允許檢測(cè)僅在那些零件運(yùn)動(dòng)期間的特定點(diǎn)處發(fā)生的泄漏。這特別地允許檢測(cè)并非在移動(dòng)零件處于其閑置或原始(home)位置時(shí)發(fā)生的這些泄漏。
[0037]返回參看圖1，在作比較的先前方案中，由于當(dāng)室向空氣打開以進(jìn)行晶片轉(zhuǎn)移時(shí)室118的高壓(例如，760托)，所以當(dāng)室118的狹縫閥(未圖示)向緩沖室190打開時(shí)可存在壓力爆發(fā)。在此作比較的方案中，由于在室中較大壓力瞬態(tài)，難以在緩沖室190中使用RGA用于在晶片之間或者在工具操作時(shí)在緩沖室190上的處理室(例如，處理室113)上的原位泄漏檢測(cè)。這限制了比較方案在運(yùn)行每個(gè)晶片時(shí)進(jìn)行“原位再檢查”的能力。
[0038]在發(fā)明示例中，在工具閑置時(shí)，例如在晶片批次之間或者在客戶認(rèn)為需要時(shí)，RGA控制器187使用在緩沖室190上的RGA 120來檢查ENDURA PVD工具中的室113、114、115、116和111。在閑置時(shí)測(cè)試并不經(jīng)歷這些較大壓力瞬態(tài)。在許多方面，可以以少于5分鐘進(jìn)行客體室的RGA測(cè)試，并且因此替換當(dāng)前的ROR測(cè)試。在另一示例中，RGA控制器187使用在轉(zhuǎn)移室191上的RGA 121來檢查在ENDURA中的室101、102、103、104和112。
[0039]在許多方面，使用RGA降低了對(duì)于來自其它室的壓力干擾或者來自工具動(dòng)作(諸如移動(dòng)的機(jī)器人臂)的壓力噪音的敏感性。因此，在緩沖室190或轉(zhuǎn)移室191上的RGA可提供比用于處理室空氣泄漏檢測(cè)的ROR測(cè)試更高的準(zhǔn)確度和敏感性。
[0040]在許多示例中，處理室101、102、103、104為PVD、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、CVD或原子層沉積(ALD)沉積室。在許多示例中，室113、114為蝕刻處理室，例如預(yù)清潔I1、反應(yīng)性預(yù)清潔、SICONI或CVD/等離子體蝕刻。室113、114也可為CVD、MOCVD或ALD處理室。CVD可沉積金屬(例如，Ti)或有機(jī)材料。處理室可附連到緩沖室190或轉(zhuǎn)移室191。處理室，例如沉積或蝕刻處理室可在處理中以規(guī)定的氣體流量在從數(shù)毫托至若干托的特定壓力進(jìn)行處理，然后它們被抽吸到基準(zhǔn)壓力，例如在ENDURA工具中，或者以一定氣體流量維持特定壓力，例如在CENTURA工具中。
[0041]仍參看圖1，在ENDURA PVD的示例中，以下示例性配方用于以轉(zhuǎn)移室191作為主體室的測(cè)試:
接收開始命令。
[0042]轉(zhuǎn)移室191被抽空持續(xù)30秒到基準(zhǔn)壓力。RGA 121可在整個(gè)這段時(shí)間運(yùn)行或者周期性地運(yùn)行或者在經(jīng)過了這段時(shí)間后進(jìn)行。
[0043]室101狹縫閥打開持續(xù)15秒(或10秒-1分鐘，并且貫穿各處亦如是)。這允許在主體氣氛與客體氣氛之間擴(kuò)散以形成混合氣氛。由于在真空下分子的平均自由行程可較長(zhǎng)，擴(kuò)散可較為快速。壓力變化；在許多示例中，在氣氛中的H2O量變化。H2O量(來自留在處理室中的水脫氣)在具有更佳真空的室中更低。可在這段時(shí)間內(nèi)進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0044]室101狹縫閥閉合；抽空回到轉(zhuǎn)移基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0045]室102狹縫閥打開持續(xù)15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。[0046]室102狹縫閥閉合；抽空回到轉(zhuǎn)移基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0047]室103狹縫閥打開持續(xù)15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0048]室103狹縫閥閉合；抽空回到轉(zhuǎn)移基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0049]室104狹縫閥打開持續(xù)15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0050]室104狹縫閥閉合；抽空回到轉(zhuǎn)移基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0051]室112狹縫閥打開15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0052]室112狹縫閥閉合；抽空回到轉(zhuǎn)移基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0053]仍參看圖1，在ENDURA PVD的示例中，以下示例性配方用于以緩沖室190作為主體室進(jìn)行測(cè)試。RGA 120可持續(xù)操作以進(jìn)行測(cè)量。示例性配方包括下列:
所有室被抽空到基準(zhǔn)壓力，例如10_7托或更低。
[0054]接收開始命令。
[0055]緩沖室190抽空持續(xù)30秒(或10秒-1分鐘，如上文所描述)。在許多方面，緩沖室被抽吸到高真空〈10_7托或〈10_6托。
[0056]預(yù)清潔室113狹縫閥打開持續(xù)15秒；若需要，進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0057]預(yù)清潔室113狹縫閥閉合；抽空回到緩沖基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。這個(gè)步驟通過從主體室移除預(yù)清潔C氣氛來改進(jìn)隨后測(cè)量的準(zhǔn)確度(并且貫穿各處亦如是)。
[0058]預(yù)清潔室114狹縫閥打開持續(xù)15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0059]預(yù)清潔室114狹縫閥閉合；抽空回到緩沖基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0060]室111狹縫閥打開持續(xù)15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0061]室111狹縫閥閉合；抽空回到緩沖基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0062]除氣室115狹縫閥打開持續(xù)15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0063]除氣室115狹縫閥閉合；抽空回到緩沖基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0064]除氣室116狹縫閥打開持續(xù)15秒；進(jìn)行RGA測(cè)量。
[0065]除氣室116狹縫閥閉合；抽空回到緩沖基準(zhǔn)壓力持續(xù)15秒。
[0066]在許多方面，在每批晶片之間運(yùn)行測(cè)試配方。這允許在需要校正措施的室中處理大量晶片之前檢測(cè)故障。在此室中處理的晶片可為非功能性的并且因此不太貴重。減少晶片批次的數(shù)量有利地改進(jìn)處理產(chǎn)量并且可降低每個(gè)晶粒的制造成本。
[0067]緩沖室190或轉(zhuǎn)移室191的RGA測(cè)試可同時(shí)或在不同時(shí)間執(zhí)行。那些測(cè)試中的一個(gè)可在沒有其它測(cè)試的情況下進(jìn)行。一般而言，如果在PVD處理室中的空氣泄漏是所關(guān)心的，則在每批晶片處理開始時(shí)或者在一批中的第一或第二晶片的除氣或預(yù)清潔中晶片處理期間使用RGA對(duì)轉(zhuǎn)移室191進(jìn)行測(cè)試。
[0068]在許多方面，在較臟的室之前測(cè)量較清潔的室。例如，可在除氣室之前測(cè)量預(yù)清潔室。這是因?yàn)槌龤馐铱砂A(yù)清潔室可不包括的烴或光致抗蝕劑(photoresist)污染物。這些污染物可難以抽除，因此在預(yù)清潔之后測(cè)量除氣降低了錯(cuò)誤地指示預(yù)清潔室包括那些污染物的可能性。RGA可測(cè)量壓力和組成，因此選擇測(cè)試次序可改進(jìn)結(jié)果準(zhǔn)確度。
[0069]在示例中，CVD或ALD處理室在PVD處理室之后和室B之后測(cè)量。CVD或ALD處理室可附連到緩沖室190或轉(zhuǎn)移室191。
[0070]圖 4 示出了示例性組合工具 400。室 101、102、103、104、113、114、115、116、118、119 ;設(shè)備控制器186 ;RGA控制器187 ;RGA 120、121 ;以及泵130如圖1所示。工具400具有單個(gè)主體室490，室101、102、103、104、113、114、115、116、118、119例如經(jīng)由狹縫閥(例如狹縫閥244，圖2)連接到單個(gè)主體室490。RGA 120、121的探頭可都位于主體室490中。RGA控制器187、設(shè)備控制器186或主控制器188可比較來自RGA 120和121的讀數(shù)以研究在主體室490中的擴(kuò)散時(shí)間。主體室490可包括一個(gè)或多個(gè)工作間491、492。每個(gè)工作間491、492為主體室490的區(qū)域。在圖示示例中，工作間491、492自由共享主體室490中的氣氛。每個(gè)工作間491、492可包括適于在相鄰室之間移動(dòng)晶片的相應(yīng)機(jī)器人或促動(dòng)器。在一示例中，在工作間491中的機(jī)器人可在室101、102、103與104之間移動(dòng)晶片，并且在工作間492中的機(jī)器人可在室113、114、115與116和負(fù)載鎖定裝置118、119之間移動(dòng)晶片。在工作間491、492中的機(jī)器人可在設(shè)備控制器186的控制下彼此交換晶片。
[0071]這種和類似配置的組合工具和在線工具可用于平板顯示器生產(chǎn)(例如，OLED或IXD)生產(chǎn)。主體室490可具有例如6m2或8m2的面積(用于IXD生產(chǎn)的Gen 10玻璃)。主體室490的大小適于保持具有2.2mX 2.5m面積的Gen 8.5基板，例如用于IXD顯示器制造中，或者Gen 8基板。
[0072]適用于本文所描述的許多方面的示例性殘余氣體分析儀(RGA)測(cè)量混合物中的個(gè)別氣體分壓。RGA系統(tǒng)包括:探頭，其在高真空下操作；電子器件，其操作探頭；以及，軟件，其與外部計(jì)算機(jī)(未圖示)協(xié)同工作以顯示數(shù)據(jù)并且控制電子器件。RGA包括離子源、分析儀和檢測(cè)器。離子源發(fā)射電子，電子與真空系統(tǒng)中的氣體分子碰撞，從而給予它們凈電荷，即產(chǎn)生離子。本公開并不限于離子上電荷的任何特定符號(hào)或量值。分析儀根據(jù)其質(zhì)量與凈電荷比例分離離子。質(zhì)量在本文中被表示為“m”而凈電荷表示為“z”。在本文中的對(duì)“質(zhì)量與電荷”的提及指質(zhì)量與凈電荷的比例，即，m/z。分析儀可包括線性四極濾質(zhì)器、并非線性四極濾質(zhì)器的四極分析儀、扇形磁場(chǎng)分析儀、離子阱或飛行時(shí)間分析儀。
[0073]具有選定質(zhì)量與電荷比的離子通過分析儀到檢測(cè)器，其中，它們?cè)陔姌O處被中和并且引起與所存在的氣體組分成比例的電流以及識(shí)別所存在的氣體組分?？赏ㄟ^連續(xù)操作分析儀以取樣不同的m/z比來分析多種氣體組分。例如CO2+具有m/z=44,N2+具有m/z=28,并且02+具有m/z=32。氬氣(Ar)具有若干同位素，因此Ar氣氛的測(cè)量通常示出某些離子在m/z=36,更少的在m/z=38,并且更多在m/z=40。
[0074]在開放型離子源RGA中，電離體積維持在與被測(cè)量的室相同的壓力。在室中的工藝氣體自由流動(dòng)通過電離體積，其中，一些分子被電子撞擊以形成離子。在閉合型離子源RGA中，電離體積僅通過較小孔口向處理室打開，并且泵抽真空以降低在分析儀和離子檢測(cè)器中的壓力低于離子體積中的壓力。這允許以比四極濾質(zhì)器的操作壓力更高的壓力測(cè)量室。離子源的更多細(xì)節(jié)在上文參考的US5850084中給出。
[0075]檢測(cè)器的示例包括法拉第杯和電子倍增器。例如，撞擊法拉第杯的離子在法拉第杯上沉積電荷，使相對(duì)應(yīng)的電荷移位作為電流沿著讀出(readout)電極流動(dòng)。在通道電子倍增器中，高直流電壓外加到圓錐上以吸引離子。每個(gè)正離子沖擊圓錐內(nèi)側(cè)，釋放更多電子。電子從圓錐順著通道行進(jìn)到讀出電極。
[0076]可用于各種實(shí)施例的殘余氣體分析儀和測(cè)量技術(shù)的其它示例在2003年I月9 日公開的名稱為 “Detection of nontransient processing anomalies in vacuummanufacturing process” 的 US20030008422A1 ；在 2002 年 10 月 22 日公開的名稱為“Detection of nontransient processing anomalies in vacuum manufacturingprocess”的 US6468814B1 ;在 2004年 5 月 25 日公開的名稱為“Detection of nontransientprocessing anomalies in vacuum manufacturing process，，的US6740195B2 ;在2005年 11月 17 日公開的名稱為“Inter-process sensing of wafer outcome，，的 US20050256653A1 ；在 2007 年 8 月 14 日公開的名稱為 “Inter-process sensing of wafer outcome” 的US7257494B2 ;在 2009 年 I 月 15 日公開的名稱為 “IN-SITU ION SOURCE CLEANING FORPARTIAL PRESSURE ANALYZERS USED IN PROCESS MONITORING” 的 US20090014644A1 ;在1998 年 12 月 15 日公開的名稱為 “1n lens assembly for gas analysis system” 的US5850084A ;在 1999 年 3 月 30 日公開的名稱為 “Method for linearization of ioncurrents in a quadrupole mass analyzer，，的 US5889281A ;在 1998 年 9 月 15 日公開的名稱為“Dual ion source”的 US5808308A ;在 2005 年 11 月 24 日公開的名稱為“R印Iaceableanode liner for ion source，，的 US20050258374A1 ;在 2002 年 10 月 24 日公開的名稱為“Apparatus for measuring total pressure and partial pressure with commonelectron beam，，的 US20020153820A1 ;在 1987 年 9 月 8 日公開的 “Wavelength specificdetection system for measuring the partial pressure of a gas excited by anelectron beam”的US4692630A ;在 1991 年 I 月 29 日公開的名稱為“Gas partial pressuresensor for vacuum chamber”的US4988871A ;在2003年 11 月 4 日公開的名稱為“Apparatusfor measuring total pressure and partial pressure with common electron beam，，的 US6642641B2 ;在 2003 年 6 月 10 日公開的名稱為 “Method for linearization of ioncurrents in a quadrupole mass analyzer”的 USRE38138E1 ;以及，在 2006 年 5 月 9 日公開的名稱為“Replaceable anode liner for ion source”的 US7041984B2 中給出，其中每一個(gè)以引用的方式合并到本文中。
[0077]圖5為示出用于分析數(shù)據(jù)和執(zhí)行如本文中所描述的其它分析的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的部件的高層次圖。該系統(tǒng)包括數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510、外圍系統(tǒng)520、用戶接口系統(tǒng)530和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540。外圍系統(tǒng)520、用戶接口系統(tǒng)530和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540通信地連接到數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510。RGA控制器187、設(shè)備控制器186和接收器130可各包括系統(tǒng)510、520、530、540中的一個(gè)或多個(gè)。
[0078]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510包括一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)處理裝置，其實(shí)施許多方面的處理，包括本文中所描述的示例處理。短語“數(shù)據(jù)處理裝置”或“數(shù)據(jù)處理器”預(yù)期包括任何數(shù)據(jù)處理裝置，例如中央處理單元(“CPU”)、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、黑莓?、數(shù)字照相機(jī)、蜂窩電話、或者用于處理數(shù)據(jù)、管理數(shù)據(jù)或處置數(shù)據(jù)的任何其它裝置，無論是以電氣、磁性、光學(xué)、生物部件或其它部件來實(shí)施。
[0079]數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540包括一個(gè)或多個(gè)處理器可訪問存儲(chǔ)器，其被配置成存儲(chǔ)信息，包括執(zhí)行許多方面的處理所需的信息，包括本文中所描述的示例處理。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540可為分布式處理器可訪問的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括經(jīng)由多個(gè)計(jì)算機(jī)或裝置通信地連接到數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510的多個(gè)處理器可訪問的存儲(chǔ)器。另一方面，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540無需為分布式處理器可訪問的存儲(chǔ)系統(tǒng)并且因此可包括位于單個(gè)數(shù)據(jù)處理器或裝置內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)處理器可訪問的存儲(chǔ)器。
[0080]短語“處理器可訪問的存儲(chǔ)器”預(yù)期包括任何處理器可訪問的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，無論是易失性的還是非易失性的、電子、磁性、光學(xué)或其它類型，包括(但不限于)寄存器、軟盤、硬盤、光盤、DVD、閃速存儲(chǔ)器、ROM和RAM。
[0081]短語“通信地連接”預(yù)期包括在裝置、數(shù)據(jù)處理器或程序之間的任何類型的連接，有線的或無線的，在連接中可傳送數(shù)據(jù)。短語“通信地連接”預(yù)期包括在單個(gè)數(shù)據(jù)處理器內(nèi)的裝置或程序之間的連接，位于不同數(shù)據(jù)處理器中的裝置或程序之間的連接以及并非位于數(shù)據(jù)處理器中的裝置之間的連接。就此而言，盡管數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540被示出單獨(dú)于數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540可完全地或部分地存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510內(nèi)。另外，就此而言，盡管外圍系統(tǒng)520和用戶接口系統(tǒng)530被示出單獨(dú)于數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到這樣的系統(tǒng)中的一個(gè)或兩個(gè)可完全或部分地存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510內(nèi)。
[0082]外圍系統(tǒng)520可包括配置成向數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510提供數(shù)字內(nèi)容記錄的一個(gè)或多個(gè)裝置。例如，外圍系統(tǒng)520可包括數(shù)字靜物照相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、蜂窩電話或其它數(shù)據(jù)處理器。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510在從外圍系統(tǒng)520中的裝置接收數(shù)字內(nèi)容記錄后，可在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540中存儲(chǔ)這樣的數(shù)字內(nèi)容記錄。
[0083]用戶接口系統(tǒng)530可包括鼠標(biāo)、鍵盤、另一計(jì)算機(jī)或任何裝置或裝置的組合，數(shù)據(jù)從那里輸入到數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510。就此而言，盡管外圍系統(tǒng)520被示出為單獨(dú)于用戶接口系統(tǒng)530，但外圍系統(tǒng)520可包括為用戶接口系統(tǒng)530的部分。
[0084]用戶接口系統(tǒng)530還可包括顯示裝置、處理器可訪問的存儲(chǔ)器或者數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510可向其輸出數(shù)據(jù)的任何裝置或裝置組合。就此而言，如果用戶接口系統(tǒng)530包括處理器可訪問的存儲(chǔ)器，這樣的存儲(chǔ)器可為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540的部分，即使用戶接口系統(tǒng)530和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)540在圖4中單獨(dú)地示出。
[0085]鑒于前文描述，許多方面提供了人對(duì)于由與該人相關(guān)的監(jiān)視系統(tǒng)捕獲的數(shù)據(jù)改進(jìn)的控制。一種技術(shù)效果在于提供監(jiān)視視頻流，其有利地使不愿(which)捕獲在視頻上的人模糊。
[0086]本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到本發(fā)明的方面可實(shí)現(xiàn)為系統(tǒng)、方法、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明的方面可呈完全硬件方面、完全軟件方面(包括固件、常駐軟件、微代碼等)或者組合軟件與硬件方面的方面的形式，它們?cè)诒疚闹腥急淮篌w上稱作“服務(wù)”、“電路”、“線路”、“模塊”和/或“系統(tǒng)”。而且，本發(fā)明的方面可呈現(xiàn)計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式，計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品實(shí)施為一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)具有實(shí)施在其上的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼。
[0087]計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)，例如磁性存儲(chǔ)介質(zhì)，例如磁盤(例如，軟盤)或磁帶；光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，例如光盤、光帶或機(jī)器可讀條碼；固態(tài)電子存儲(chǔ)裝置，例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或只讀存儲(chǔ)器(ROM);或者用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序的任何其它物理裝置或介質(zhì)，計(jì)算機(jī)程序具有用于控制一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)以實(shí)踐根據(jù)許多方面的(多種)方法的指令。
[0088]可利用一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的任何組合。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可為計(jì)算機(jī)可讀信號(hào)介質(zhì)或者計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可為例如(但不限于)電子、磁性、光學(xué)、電磁、紅外或半導(dǎo)體系統(tǒng)、設(shè)備或裝置或者前述的任何合適組合。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的更具體示例(非詳盡的列表)將包括下列:具有一根或多根線的電連接件、便攜式計(jì)算機(jī)磁盤、硬盤、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可擦除可編程的只讀存儲(chǔ)器(EPROM或閃速存儲(chǔ)器)、光纖、便攜式光盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、光學(xué)存儲(chǔ)裝置、磁性存儲(chǔ)裝置或前述的任何合適組合。在本文獻(xiàn)的上下文中，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可為任何有形介質(zhì)，其可包含或存儲(chǔ)由指令執(zhí)行系統(tǒng)、設(shè)備或裝置使用或者結(jié)合指令執(zhí)行系統(tǒng)、設(shè)備或裝置使用的程序。
[0089]實(shí)施于計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的程序代碼和/或可執(zhí)行指令可使用任何適當(dāng)介質(zhì)來傳輸，包括(但不限于)無線、線路、光纖電纜、RF或適當(dāng)介質(zhì)的任何合適組合。
[0090]用于執(zhí)行本發(fā)明的方面的操作的計(jì)算機(jī)程序代碼可以以一個(gè)或多個(gè)編程語言的任何組合寫入。程序代碼可完全在用戶計(jì)算機(jī)(裝置)，部分地在用戶計(jì)算機(jī)上執(zhí)行，或者作為單獨(dú)的軟件包來執(zhí)行，部分地在用戶計(jì)算機(jī)上并且部分地在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)上執(zhí)行或者完全在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)上或服務(wù)器上執(zhí)行。在后一種情況下，遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可通過任何類型的網(wǎng)絡(luò)連接到用戶計(jì)算機(jī)，包括局域網(wǎng)(LAN)或廣域網(wǎng)(WAN)或者連接可向外部計(jì)算機(jī)(例如，使用因特網(wǎng)服務(wù)提供商，通過因特網(wǎng))做出。
[0091]計(jì)算機(jī)程序指令可存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，計(jì)算機(jī)程序指令可指導(dǎo)計(jì)算機(jī)、其它可編程的數(shù)據(jù)處理設(shè)備或其它裝置以特定方式起作用。計(jì)算機(jī)程序指令也可加載到計(jì)算機(jī)上，其它可編程的數(shù)據(jù)處理設(shè)備上或其它裝置上以使得一系列操作步驟在計(jì)算機(jī)上、其它可編程的設(shè)備或其它裝置上執(zhí)行以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)施的過程，以使得在計(jì)算機(jī)或其它可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供實(shí)施本文所規(guī)定的功能/行為的過程。
[0092]圖6示出了示出用于測(cè)量在真空工具的客體真空室中的氣氛的示例性方法的流程圖。該步驟可以以任何次序執(zhí)行，除了當(dāng)另外規(guī)定時(shí)，或者當(dāng)來自前面的步驟的數(shù)據(jù)由后面的步驟使用時(shí)。在至少一個(gè)示例中，處理始于步驟610或步驟605。為了清楚地解釋說明，在本文中參考在圖1至圖5中示出的各種部件，這些部件可執(zhí)行或參與示例性方法的步驟。但應(yīng)當(dāng)指出地是可使用其它部件，即，圖6中所示的(多種)示例性方法并不限于由標(biāo)識(shí)的部件來執(zhí)行。
[0093]在步驟605，從主機(jī)接口接收命令輸入。下文描述的步驟610、620、630和640響應(yīng)于所接收的命令輸入來執(zhí)行。這可如上文參考步驟320 (圖3)所討論地那樣進(jìn)行。在許多方面，真空工具包括多個(gè)客體真空室，例如室201、202、203、204(圖2)。步驟605包括接收命令輸入和多個(gè)客體真空室中的一個(gè)的指示。指示可從設(shè)備控制器186接收。步驟610、620、630和640響應(yīng)于所接收的命令輸入而執(zhí)行，并且步驟620包括將指示的客體真空室中的一個(gè)聯(lián)接到主體真空室。
[0094]在步驟610，使用RGA 221測(cè)量在真空工具的主體真空室191中氣氛的第一組成(也參看圖2，部件編號(hào)為示例性的而非限制性的)。主體真空室191和客體真空室201 (分別地)在測(cè)量第一組成期間并不聯(lián)接。這種氣氛可被稱作“主體氣氛”。在許多方面，步驟610還包括將主體真空室191抽空到選定壓力并且同時(shí)使用RGA 211測(cè)量在主體真空室191中的氣氛。
[0095]在步驟620，將主體真空室191聯(lián)接到客體真空室201。在主體真空室191中的氣氛與在客體真空室201中的氣氛(“客體氣氛”)混合以在主體真空室191中形成混合氣氛。步驟620可包括聯(lián)接室持續(xù)至少15秒。
[0096]在許多方面，在主體真空室191聯(lián)接到客體真空室201時(shí)，在主體真空室191或客體真空室201內(nèi)的部件被機(jī)械地移動(dòng)。這在上文中參考步驟355描述(圖3)。在許多方面，在聯(lián)接步驟620與下文中討論的測(cè)量第二組成的步驟630之間允許經(jīng)過選定時(shí)間。這可通過將設(shè)備控制器186或者其中的例如數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)510的處理器編程以等待軟件或硬件計(jì)時(shí)器期滿來進(jìn)行。
[0097]在步驟630，在聯(lián)接了室191、201之后，使用RGA來測(cè)量在主體真空室中的氣氛的第二組成。例如，在步驟610中執(zhí)行的第一組成的測(cè)量為如上文所討論的主體氣氛的測(cè)量?？杀容^第一組成與第二組成來確定如本文中所討論的客體氣氛的組成，例如關(guān)于步驟640。在許多方面，步驟630還包括在測(cè)量了第二組成后將主體真空室191抽空。
[0098]在步驟640，使用處理器(例如，圖1的控制器186或187，或者圖5的系統(tǒng)510)，使用測(cè)量的第一組成和第二組成來自動(dòng)確定客體氣氛的組成。例如，可比較各種質(zhì)量與電荷比處測(cè)量的RGA信號(hào)以確定每個(gè)m/z的信號(hào)的什么部分是由于客體氣氛造成的。
[0099]本發(fā)明包括本文所描述的方面的組合。對(duì)于“特定方面”和類似詞語的提及指其存在于本發(fā)明的至少一個(gè)方面中的特征。單獨(dú)地提及“一方面”或“特定方面”或類似詞語未必指相同的一個(gè)或多個(gè)方面；但是，這樣的方面并非相互排斥的，除非這樣指示，或者對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見。提及“方法”或“(多種)方法”時(shí)使用單數(shù)或復(fù)數(shù)并無限制意義。詞語“或”在本公開中以非排斥性意義使用，除非另外明確地指出。
[0100]特別地參考本發(fā)明的某些優(yōu)選方面詳細(xì)地描述了本發(fā)明，但應(yīng)了解在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可由本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)變型、組合和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種測(cè)量真空工具的客體真空室中的氣氛的方法，所述方法包括: 使用殘余氣體分析儀(RGA)來測(cè)量在所述真空工具的主體真空室中的氣氛的第一組成，其中，在測(cè)量所述第一組成期間，所述主體真空室和客體真空室不聯(lián)接； 將所述主體真空室聯(lián)接到所述客體真空室，使得在所述主體真空室中的氣氛與所述客體真空室中的氣氛混合，以在所述主體真空室中形成混合氣氛； 在聯(lián)接了所述室之后，使用所述RGA來測(cè)量在所述主體真空室中的混合氣氛的第二組成；以及 使用處理器，使用所述測(cè)量的第一組成和第二組成來自動(dòng)確定在所述客體真空室中的氣氛的組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在測(cè)量了所述第二組成后，將所述主體真空室抽空。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在所述主體真空室聯(lián)接到所述客體真空室時(shí)機(jī)械移動(dòng)在所述主體真空室或所述客體真空室內(nèi)的部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括使用所述處理器在所述聯(lián)接步驟與所述測(cè)量第二組成的步驟之間自動(dòng)等待選定時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括將所述主體真空室抽空至選定壓力并且同時(shí)使用所述RGA來測(cè)量在所述主體真空室中的氣氛的第一組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,還包括接收來自主機(jī)接口的命令輸入并且響應(yīng)于所述接收的命令輸入來執(zhí)行測(cè)量第一組成、聯(lián)接、測(cè)量第二組成和確定步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的·方法，其特征在于，所述真空工具包括多個(gè)客體真空室并且所述方法還包括:從設(shè)備控制器接收命令輸入和所述多個(gè)客體真空室中的一個(gè)的指示并且響應(yīng)于所接收的命令輸入來執(zhí)行所述測(cè)量第一組成，聯(lián)接、測(cè)量第二組成和確定步驟，所述聯(lián)接步驟包括將所指示的客體真空室中的一個(gè)聯(lián)接到所述主體真空室。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述聯(lián)接步驟包括聯(lián)接所述室持續(xù)至少15秒。
9.一種真空工具，包括: a)第一主體真空室； b)第一客體真空室； c)第一閥，其通過操作以選擇性地聯(lián)接所述第一主體真空室與所述第一客體真空室; d)第一殘余氣體分析儀(RGA)，其配置成測(cè)量所述第一主體真空室中的氣氛的組成；以及 e)處理器，其被配置為:自動(dòng)操作所述第一閥以分離所述室，使用所述RGA來測(cè)量在所述第一主體真空室中的氣氛的第一組成，操作所述第一閥來聯(lián)接所述第一主體真空室與所述第一客體真空室，使用所述第一 RGA來測(cè)量在所述第一主體真空室中的氣氛的第二組成，以及使用所述第一主體真空室中所述氣氛的測(cè)量的第一組成和第二組成來確定在所述第一客體真空室中的氣氛的組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，還包括:布置于所述第一客體真空室中的一個(gè)或多個(gè)提升銷，所述處理器還被配置成在聯(lián)接所述室時(shí)移動(dòng)所述提升銷。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，還包括:第二主體真空室；第二客體真空室；第二閥，其可通過操作以將所述第二主體真空室選擇性地聯(lián)接到所述第二客體真空室；以及，第二 RGA，其被配置成測(cè)量所述第二主體真空室中的氣氛的組成，其中，所述處理器還配置成自動(dòng)操作所述第二閥以分離所述第二主體室與所述第二客體室，使用所述第二RGA來測(cè)量在所述第二主體真空室中的氣氛的第一組成，操作所述第二閥以聯(lián)接所述第二主體室與所述第二客體室，使用第二 RGA來測(cè)量在所述主體真空室中的氣氛的第二組成，以及使用所述第二主體真空室中所述氣氛的測(cè)量的第一組成和第二組成來確定在所述第二客體真空室中的氣氛的組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，還包括:第二客體真空室；以及第二閥，其可通過操作以選擇性地聯(lián)接所述主體真空室與所述第二客體真空室，其中，所述處理器被配置成操作所述第一閥和所述第二閥，使得所述第一客體真空室和所述第二客體真空室中的僅一個(gè)在任何給定時(shí)間聯(lián)接到所述第一主體真空室。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，所述第一主體室包括多個(gè)工作間。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，所述第一RGA為開放型離子源RGA。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，所述第一RGA為閉合型離子源RGA。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，所述第一閥為狹縫閥。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的工具，其特征在于，還包括存儲(chǔ)器，其聯(lián)接到所述處理器并且存儲(chǔ)用于測(cè)量的配方，其中，所述處理器還被配置成對(duì)所述存儲(chǔ)的配方排序以確定在所述第一客體真空室中的氣氛的組·成。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103855048SQ201310651452
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月6日
【發(fā)明者】楊成隆 申請(qǐng)人:英飛康公司